CN103985732A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的之一是提高应用了微腔结构的发光装置的发光效率。该发光装置的特征在于：在包括多个发光元件的发光装置中，所述多个发光元件的每一个具有依次层叠有反射电极、透明电极、多个发光层以及半透射半反射电极的结构，所述多个发光层的每一个分别发射颜色不同的光，而增强来自在所述多个发光元件中的设置于离所述反射电极最近的位置的发光层的光的强度并射出的发光元件中的透明电极的表面粗糙度比其他发光元件中的透明电极的表面粗糙度大。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种具有微腔结构的发光装置。
背景技术
作为使有机EL显示器全彩色化的一个技术，有组合串联结构的白色发光元件与滤色片的方法。串联结构是指将多个发光单元层叠的结构。注意，在说明书等中，发光单元是指具有一个以上的使从两端注入的电子与空穴复合的区域的层或叠层体。串联结构的发光元件是指可以使用少量的电流得到较高的亮度的发光元件。例如在与具有一个发光单元的发光元件相比的情况下，在层叠有两个发光单元的发光元件中，通过使该两个发光单元各流过发光元件的密度的一半的电流，可以获得相同程度的发光。例如在电极间采用层叠n个发光单元的结构，可以在不使电流密度上升的情况下实现n倍的亮度。
上述组合串联结构的白色发光元件与滤色片的方法由于不需要分别形成设置于子像素(例如在RGB的三个子像素)中的每一个的发光层，因此具有提高成品率且容易制造高清晰的显示器的优点。再者，通过对使用该白色发光元件及滤色片的像素采用微腔结构，可以提高来自各子像素的发光的颜色纯度。
尤其是，在顶部发射型发光元件中，通过从衬底一侧依次形成反射电极、EL层、半透射半反射电极，并在反射电极与EL层之间形成作为光学调整层的透明电极，可以较容易地形成应用了微腔结构的发光元件。图6示出具有应用了微腔结构的发光元件及滤色片的像素的结构例子。
图6所示的现有的发光装置具有发光元件，该发光元件依次层叠有反射电极501、透明电极502、EL层506、半透射半反射电极507，在该发光元件上设置有红色滤色片(CFRed)、绿色滤色片(CF Green)以及蓝色滤色片(CF Blue)。
EL层506具有依次层叠有包括第一发光层503的第一发光单元508、中间层509、包括第二发光层504及第三发光层505的第二发光单元510的结构。第一发光层503是发射呈现蓝色的光的层，第二发光层504是发射呈现绿色的光的层，第三发光层505是发射呈现红色的光的层。另外，中间层509优选为例如从阳极一侧依次层叠有电子注入缓冲层、电子中继层、电荷产生层的结构。
上述发光装置采用微腔结构。通过调整用作反射镜的反射电极501与半透射半反射电极507之间的光程长L，可以使在EL层506发射的光在反射电极501与半透射半反射电极507之间反复地反射，并使其选择性地增强特定波长的光的强度而向外部射出。
为了实现全彩色化，在上述发光装置中的一个显示面板内，存在有例如红色R、绿色G、以及蓝色B的三种需增强光的波长的强度的颜色。因此，需要增强分别对应于RGB三个子像素的颜色的波长，所以通过改变透明电极502的厚度，形成有对应于RGB的三个光的波长的光程长L(例如参照专利文献1)。
[专利文献1]日本专利申请公开2005-197011号公报。
在上述发光装置中也需要进一步提高发光效率。
为了提高发光效率，将反射率高的材料用于反射电极是有效的。但是，即使使用反射率高的材料，也有发光效率不被提高的情况。例如，将反射率高的材料用于反射电极，来制造图6所示的元件结构时，若使用相同材质制造所有发光元件的透明电极，有时会出现效率上升的发光元件与效率下降的发光元件错杂的情况。
发明内容
本发明的一个方式的目的之一是提高应用了微腔结构的发光装置的发光效率。
本发明的一个方式是一种发光装置，其特征在于：在包括多个发光元件的发光装置中，所述多个发光元件的每一个具有依次层叠有反射电极、透明电极、多个发光层以及半透射半反射电极的结构，所述多个发光层的每一个分别发射颜色不同的光，而增强来自在所述多个发光元件中设置于离所述反射电极最近的位置的发光层的光的强度并射出的发光元件中的透明电极的表面粗糙度比其他发光元件中的透明电极的表面粗糙度大。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是：增强来自设置于离所述反射电极最近的位置的发光层的光的强度并射出的所述发光元件中的透明电极具有多晶的导电氧化物，而所述其他发光元件中的透明电极具有非晶的导电氧化物。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是：增强来自设置于离所述反射电极最近的位置的发光层的光的强度并射出的所述发光元件中的透明电极的表面具有多晶的导电氧化物，而所述其他发光元件的透明电极的表面具有非晶的导电氧化物。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是：所述多晶的导电氧化物为ITO、氧化锌、铝-锌氧化物、镓-锌氧化物或氟-锡氧化物，而所述非晶的导电氧化物为铟-锌氧化物或铟-钨氧化物。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是：所述多个发光元件分别具有颜色不同的滤色片。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是：所述多个发光元件的所述透明电极的厚度彼此不同。
另外，在上述本发明的一个方式中，优选的是：所述多个发光元件包括取出呈现蓝色的光的第一发光元件、取出呈现绿色的光的第二发光元件以及取出呈现红色的光的第三发光元件，所述第一发光元件、所述第二发光元件以及所述第三发光元件都包括所述多个发光层，所述多个发光层包括发射呈现蓝色的光的第一发光层、发射呈现绿色的光的第二发光层以及发射呈现红色的光的第三发光层。
注意，本说明书中的发光装置包括在像素(或者子像素)中具备发光元件的显示装置。
通过使用本发明的一个方式，可以提高应用了微腔结构的发光元件的发光效率。
附图说明
图1是示出根据本发明的一种方式的发光装置的示意图；
图2A是示出多晶的导电氧化膜的示意图；图2B是示出非晶的导电氧化膜的示意图；
图3A是可以用于本发明的一个方式的显示装置的显示面板的结构的俯视图；图3B是包括沿图3A的切断线A-B及C-D的截面的结构的侧面图；
图4是示出作为高反射率材料的APC膜(APC是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)的合金材料)与非晶铟-锌氧化膜的叠层膜的截面的TEM图像；
图5是示出APC膜与ITO膜的叠层膜的截面的TEM图像；
图6是示出现有的发光装置的示意图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
实施方式1
图1是根据本发明的一个方式的发光装置的示意图。该发光装置包括顶部发射型的白色发光元件(发光元件220、230、240)，各发光元件从衬底(未图示)一侧依次层叠有反射电极101、包含发光有机化合物的层(以下也称为“EL层”)106以及半透射半反射电极107，并且在反射电极101与EL层106之间作为光学调整层形成有透明电极102a、102b和102c中的任一个。透明电极102a、透明电极102b和透明电极102c的厚度不同，以透明电极102a、透明电极102b、透明电极102c的顺序变厚。由此，调整用作反射镜的反射电极101与半透射半反射电极107之间的光路长L，能够选择性地增强从EL层106发出的光，并射出外部。其结果是，可以形成应用了微腔结构的发光元件。
将半透射半反射电极107和透明电极102a(或者102b、102c)中的一个用作阳极，而另一个用作阴极。在本实施方式中，将半透射半反射电极107用作阴极，而将透明电极102a(或者102b、102c)用作阳极。此外，可以使透明电极102a(或者102b、102c)与反射电极101接触，也可以使具有透光性的层夹在两者之间。
当对阳极和阴极之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，空穴从阳极一侧注入到EL层106中，而电子从阴极一侧注入到EL层106中。注入到EL层106中的电子和空穴在EL层106中复合，而使包含在EL层106中的发光物质发光。
EL层106具有依次层叠有包括第一发光层103的第一发光单元108、中间层109以及包括第二发光层104及第三发光层105的第二发光单元110的结构。
中间层109至少包括电荷产生层而形成即可，也可以是层叠有电荷产生层与电荷产生层以外的层的叠层结构。例如，可以采用依次层叠有电子注入缓冲层、电子中继层以及电荷产生层的结构。
注入到设置在阴极一侧的第三发光层105的空穴与从阴极一侧注入的电子复合，而使包含在第三发光层105中的发光物质发光。此外，从阳极一侧注入到第二发光层104的空穴与从阴极一侧注入的电子复合，而使包含在第二发光层104中的发光物质发光。此外，设置在阳极一侧的第一发光层103的从阴极一侧注入的电子与从阳极一侧注入的空穴复合，而使包含在第一发光层103中的发光物质发光。因此，在中间层109中产生的空穴和电子分别在不同的发光层中发光。
另外，虽然在本实施方式中形成三个发光层，但是也可以形成两个或四个以上的发光层。此外，虽然在本实施方式中形成两个发光元件，但是也可以形成三个以上的发光元件。
半透射半反射电极107上配置有第一滤色片(CF)112、第二滤色片(CF)113和第三滤色片(CF)114中的一个。第一滤色片112具有第一颜色，第二滤色片113具有第二颜色，第三滤色片114具有第三颜色。
第一滤色片112的下面配置有第一发光元件220，第一发光元件220包括反射电极101、透明电极102a、EL层106以及半透射半反射电极107。第二滤色片113的下面配置有第二发光元件230，第二发光元件230包括反射电极101、透明电极102b、EL层106以及半透射半反射电极107。第三滤色片114的下面配置有第三发光元件240，第三发光元件240包括反射电极101、透明电极102c、EL层106以及半透射半反射电极107。
另外，在本实施方式中，虽然在本实施方式中形成三个发光元件，但是也可以形成呈现不同颜色的两个或四个以上的发光层。
第一发光元件220中的取出发光的发光层是第一发光层103，由第一发光层103发出的光的颜色是透过第一滤色片112的第一颜色。因此，透过第一滤色片的光112a是第一颜色。在此，第一颜色是蓝色。第二发光元件230中的取出发光的发光层是第二发光层104，由第二发光层104发出的光的颜色是透过第二滤色片113的第二颜色。因此，透过第二滤色片的光113a是第二颜色。在此，第二颜色是绿色。第三发光元件240中的取出发光的发光层是第三发光层105，由第三发光层105发出的光的颜色是透过第三滤色片114的第三颜色。因此，透过第三滤色片的光114a是第三颜色。在此，第三颜色是红色。
如图1中的虚线箭头所示，在第一至第三发光元件220、230、240中，在取出发光的发光层离反射电极101最近的位置设置的发光元件是第一发光元件220，第一发光元件220中的透明电极102a的表面粗糙度比其他发光元件(第二及第三发光元件230、240)中的透明电极102b、102c的表面粗糙度大。
作为使透明电极的表面粗糙度不同的方法，将多晶的导电氧化物材料用于透明电极102a，将非晶的导电氧化物材料用于透明电极102b、102c。由此，可以增大透明电极102a的表面粗糙度，并减小透明电极102b、102c的表面粗糙度。
作为容易形成多晶的导电氧化物材料，例如有ITO、氧化锌、铝-锌氧化物、镓-锌氧化物或氟-锡氧化物等。此外，作为容易形成非晶的导电氧化物材料，例如有铟-锌氧化物、铟-钨氧化物等。注意，有时包含上述材料的导电氧化物膜根据其形成条件可以成为多晶或非晶。
图2A示出多晶的导电氧化膜的示意图。多晶的导电氧化膜例如混有柱状的晶粒，因此在其最顶面形成显著的凹凸形状。图2B示出非晶的导电氧化膜的示意图。由于非晶的导电氧化膜中不存在晶粒，因此其最顶面的形状较平坦。再者，即使在形成有非晶的导电氧化膜的面(反射电极101的表面)具有凹凸时，也能够覆盖该凹凸，而可以提高非晶的导电氧化膜的最顶面的平坦性。
根据本实施方式，在第一至第三发光元件220、230、240中，在取出发光的发光层离反射电极101最近的位置设置的发光元件是第一发光元件220，第一发光元件220中的透明电极102a的表面粗糙度比其他发光元件(第二及第三发光元件230、240)中的透明电极102b、102c的表面粗糙度大。由此，可以提高应用了微腔结构的串联结构的发光装置(例如有机EL显示器)的发光效率。
另外，在本实施方式中，将取出发光的发光层离反射电极101最近的位置设置的发光元件的第一发光元件220中的该取出发光的发光层作为第一发光层103，使由第一发光层103发射的光的颜色为蓝色，但是不局限于此，也可以将呈现蓝色以外的发光的发光层设置在离反射电极101最近的位置。
实施方式2
<显示面板的结构>
图3A和图3B示出可以用于本发明的一个方式的显示装置的显示面板的结构。图3A是可以用于本发明的一个方式的显示装置的显示面板的结构的俯视图，图3B是包括沿图3A的切断线A-B及C-D的截面的结构的侧面图。
在本实施方式中例示说明的显示面板400在第一衬底410上具有显示部401，在显示部401中设置有多个像素402。此外，在像素402中设置有多个(例如三个)子像素(参照图3A)。可以将图1所示的第一发光元件220至第三发光元件240用于该三个子像素。此外，在第一衬底410上除了显示部401还设置有驱动该显示部401的源极侧驱动电路部403s及栅极侧驱动电路部403g。注意，也可以不将驱动电路部设置在第一衬底410上，而设置在外部。
显示面板400包括外部输入端子，通过FPC(柔性印刷电路)409接收视频信号、时钟信号、起始信号、复位信号等。
由密封材料405贴合第一衬底410和第二衬底440，在它们之间形成的空间431中密封有显示部401(参照图3B)。
参照图3B说明包括显示面板400的截面的结构。显示面板400具备源极侧驱动电路部403s、像素402所包含的射出呈现绿色的光的子像素402G以及引绕布线408。注意，本实施方式所例示的显示面板400的显示部401向附图中的箭头所示的方向发射光而显示图像。
源极侧驱动电路部403s包括组合n沟道型晶体管413和p沟道型晶体管414的CMOS电路。注意，驱动电路不局限于上述结构，也可以由各种CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路构成。
引绕布线408将从外部输入端子输入的信号传送到源极侧驱动电路部403s及栅极侧驱动电路部403g。
子像素402G包括开关用晶体管411、电流控制用晶体管412和发光模块450G。另外，可以将图1所示的第二发光元件230用于发光模块450G。此外，在晶体管411等上形成有绝缘层416和隔离壁418。发光模块450G具有反射膜、半透射半反射膜以及反射膜与半透射半反射膜之间的发光元件420G，并在射出发光元件420G所发射的光的半透射半反射膜一侧设置有滤色片441G(相当于图1所示的第二过滤片(CF)113)。在本实施方式所例示的发光模块450G中，发光元件420G的第一电极421G兼作反射膜(相当于图1所示的反射电极101及透明电极102b)，而发光元件420G的第二电极422兼作半透射半反射膜(相当于图1所示的半透射半反射电极107)。注意，显示部401显示图像的方向取决于发光元件420G所发射的光被取出的方向。
此外，以围绕滤色片441G的方式形成有具有遮光性的膜442。具有遮光性的膜442是防止显示面板400反射外光的现象的膜，并有提高显示部401所显示的图像的对比度的效果。此外，滤色片441G和具有遮光性的膜442形成在第二衬底440上。
绝缘层416是用来使因晶体管411等的结构而产生的台阶平坦化或抑制杂质扩散到晶体管411等的具有绝缘性的层，既可以是单层又可以是多层的叠层体。隔离壁418是具有开口部的具有绝缘性的层，发光元件420G形成在隔离壁418的开口部中。
发光元件420G包括第一电极421G、第二电极422以及EL层423。
<晶体管的结构>
图3A所例示的显示面板400虽然应用顶栅型晶体管，但不限于此，也可以应用底栅型晶体管。源极侧驱动电路部403s、栅极侧驱动电路部403g以及子像素可以应用各种结构的晶体管。此外，在形成这些晶体管的沟道的区域中，可以使用各种半导体。具体来说，除了可以使用非晶硅、多晶硅、单晶硅之外，还可以使用氧化物半导体等。
通过在形成有晶体管的沟道的区域中使用单晶半导体，可以实现晶体管尺寸的微型化，因此在显示部中可以进一步实现像素的高清晰化。
作为构成半导体层的单晶半导体，除了可以使用单晶硅衬底等半导体衬底之外，还可以使用在绝缘表面上设置有单晶半导体层的SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上硅)衬底。
<密封结构>
本实施方式所例示的显示面板400具有在由第一衬底410、第二衬底440和密封材料405围绕的空间431中密封发光元件的结构(参照图3A和图3B)。
空间431除了填充有惰性气体(氮或氩等)的情况以外，还有填充有树脂的情况。此外，也可以向空间431引入杂质(典型的是，水和/或氧)的吸附材料(例如，干燥材料等)。
密封材料405和第二衬底440优选为尽量不使大气中的杂质(典型的是，水和/或氧)透过的材料。作为密封材料405可以使用环氧类树脂或玻璃粉等。
作为可以用于第二衬底440的材料的例子，除了玻璃衬底或石英衬底之外还可以举出由PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸类树脂等构成的塑料衬底或FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics：玻璃纤维增强塑料)等。
<可用于发光元件的材料>
接着，对于图1及图3A和图3B所示的可以用于发光元件的具体材料，以反射电极、透明电极(阳极)、半透射半反射电极(阴极)、EL层、电荷产生层、电子中继层以及电子注入缓冲层的顺序进行说明。
<可用于反射电极的材料>
反射电极优选使用反射率高的材料。通过具有较高的反射率可以减少因吸收而导致的光的损失，而可以得到较高的效率。作为反射率高的材料有银或银合金。
<可用于透明电极(阳极)的材料>
作为透明电极，使用多晶的导电氧化物材料和非晶的导电氧化物材料。在将导电氧化物材料用于阳极时优选其功函数大(具体而言，优选为4.0eV以上)。但是，当以与阳极接触的方式设置电荷产生层时，可以不考虑功函数而将各种导电材料用于阳极。具体而言，不仅可以使用功函数大的材料，还可以使用功函数小的材料。后面说明构成电荷产生层的材料。作为多晶的导电氧化物材料，可以使用ITO、氧化锌、铝-锌氧化物、镓-锌氧化物或氟-锡氧化物，作为非晶的导电氧化物材料，可以使用铟-锌氧化物或铟-钨氧化物。
<可用于半透射半反射电极(阴极)的材料>
半透射半反射电极107优选使用光吸收较少的材料。例如可以使用薄膜的银，但是作为阴极，为了提高电子注入性优选添加镁等功函数小(具体为小于4.0eV)的材料。但是，当以接触半透射半反射电极107的方式将电荷产生层设置在半透射半反射电极107与EL层106之间时，作为阴极可以使用各种导电材料，而与功函数的大小无关。
<可以用于EL层的材料>
以下示出可以用于构成EL层的各层的材料的具体例子。
<空穴注入层>
空穴注入层是包含空穴注入性高的物质的层。作为空穴注入性高的物质，例如可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物或锰氧化物等。此外，还可以使用酞菁类化合物如酞菁(简称：H2Pc)或酞菁铜(简称：CuPc)、高分子如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等形成空穴注入层。
此外，可以使用电荷产生层来代替空穴注入层。当使用电荷产生层时，可以不考虑功函数而将各种导电材料用于阳极。后面描述构成该电荷产生层的材料。
<空穴传输层>
空穴传输层是包含空穴传输性高的物质的层。空穴传输层不限于单层结构，也可以是层叠两层以上的包含空穴传输性高的物质的层的结构。作为空穴传输层使用空穴传输性高于电子传输性的物质即可，因为可以降低发光元件的驱动电压，所以尤其优选使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。
<发光层>
发光层是包含发光物质的层。发光层不限于单层结构，也可以是层叠两层以上的包含发光物质的层的结构。作为发光物质，可以使用荧光化合物或磷光化合物。将磷光化合物用于发光物质可以提高发光元件的发光效率，所以是优选的。
优选将发光物质分散在主体材料中使用。作为主体材料，优选使用其激发能量大于发光物质的激发能量的材料。
<电子传输层>
电子传输层是包含电子传输性高的物质的层。电子传输层不限于单层结构，也可以是层叠两层以上的包含电子传输性高的物质的层的结构。作为电子传输层使用电子传输性高于空穴传输性的物质即可，因为可以降低发光元件的驱动电压，所以特别优选使用具有10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。
<电子注入层>
电子注入层是包含电子注入性高的物质的层。电子注入层不限于单层结构，也可以是层叠两层以上的包含电子注入性高的物质的层的结构。通过采用设置电子注入层的结构，可以提高来自阴极的电子注入效率而降低发光元件的驱动电压，所以是优选的。
作为电子注入性高的物质，例如可以举出锂(Li)、铯(Cs)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)或氟化钙(CaF2)等碱金属、碱土金属或它们的化合物。此外，还可以使用其中含有碱金属、碱土金属、镁(Mg)或它们的化合物的电子传输性物质，例如，其中含有镁(Mg)的Alq等。
<可以用于电荷产生层的材料>
电荷产生层是包含空穴传输性高的物质和对空穴传输性物质呈现受主性的物质的区域。此外，电荷产生层既可以在同一个膜中含有空穴传输性高的物质和对空穴传输性物质呈现受主性的物质，又可以层叠有包含空穴传输性高的物质的层和包含对空穴传输性物质呈现受主性的物质的层。但是，当接触于阴极设置的电荷产生层为叠层结构时，含有空穴传输性高的物质的层与阴极接触。当接触于阳极设置的电荷产生层为叠层结构的情况下，含有对空穴传输性物质呈现受主性的物质的层与阳极接触。
此外，优选的是，在电荷产生层中，以对空穴传输性物质呈现受主性的物质与空穴传输性高的物质的质量比为0.1∶1以上且4.0∶1以下的比例添加对空穴传输性物质呈现受主性的物质。
作为用于电荷产生层的对空穴传输性物质呈现受主性的物质，优选使用过渡金属氧化物，尤其是属于元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。具体而言，氧化钼是特别优选的。此外，氧化钼具有吸湿性低的特征。
此外，作为用于电荷产生层的空穴传输性高的物质，可以使用各种有机化合物诸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烃、高分子化合物(包括低聚物、树状聚合物、聚合体)等。具体而言，优选使用具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用上述以外的物质。
<可以用于电子中继层的材料>
电子中继层是能够快速接收在电荷产生层中由对空穴传输性物质呈现受主性的物质抽出的电子的层。因此，电子中继层是包含电子传输性高的物质的层。
作为用于电子中继层的物质，例如，可以举出二萘嵌苯衍生物和含氮稠环芳香化合物。此外，因为含氮稠环芳香化合物是稳定的化合物，所以作为用于电子中继层的物质是优选的。再者，通过使用含氮稠环芳香化合物中的具有氰基或氟等电子吸引基的化合物，能够使电子中继层中的电子的接受变得更容易，所以是优选的。
<可以用于电子注入缓冲层的材料>
电子注入缓冲层是使电子容易从电荷产生层注入到发光层的层。通过在电荷产生层和发光层之间设置电子注入缓冲层，可以缓和两者的注入势垒。
电子注入缓冲层可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属以及它们的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))等电子注入性高的物质。
此外，在电子注入缓冲层包含电子传输性高的物质和施主物质而形成的情况下，优选以施主物质与电子传输性高的物质的质量比为0.001∶1以上且0.1∶1以下的比例添加施主物质。此外，作为施主物质，除了碱金属、碱土金属、稀土金属和它们的化合物(碱金属化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)、碱土金属化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐)或稀土金属的化合物(包括氧化物、卤化物、碳酸盐))以外，还可以使用四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(简称：TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。
实施例
作为提高应用了微腔结构的串联结构的发光元件的发光效率的措施之一，可以将反射率高的材料用于反射电极。作为反射率高的材料，例如可以举出银或银合金。但是即使在使用上述材料的情况下，若反射电极与发光层之间的距离短，例如为5nm以上且100nm以下时，有时会导致发光效率降低。
于是，在图1所示的发光装置中，在第一发光元件(蓝色发光元件)220、第二发光元件(绿色发光元件)230以及第三发光元件(红色发光元件)240中的每一个的反射电极101及透明电极102a至102c中，制造使用低反射率电极材料的样品及使用高反射率电极材料的样品，根据该样品评价取出发光的发光层与反射电极之间的距离与发光效率的关系，而检测发光层与反射电极间距离对发光效率的影响。表1示出其结果。
[表1]
作为低反射率电极，使用层叠有Al-Ti膜和TiOx膜的反射电极及ITSO膜的透明电极，作为高反射率电极，使用APC膜的反射电极及非晶的铟-锌氧化物膜的透明电极。注意，ITSO为铟锡氧化物中添加有硅的化合物，APC为银、钯以及铜的合金。
如表1所示，在发光层与反射电极之间的距离较长的红色及绿色发光元件中，使用了反射率高的材料的反射电极的发光效率上升，与此相反，在该距离较短的蓝色发光元件中，发光效率下降。
如上所述，发光层与反射电极之间的距离短的发光元件有时即使使用反射率高的材料也得不到所期待的发光效率。此外，当将发光层与反射电极之间的距离设定得较长时，虽然可以抑制上述发光效率的降低，但是发生根据观察角度而产生的亮度的变化变得显著等问题。因此，不优选将该距离设定得较长。
图4示出作为高反射率材料的APC膜与非晶铟-锌氧化物膜的叠层膜的截面TEM图像，图5示出APC膜与多晶ITO膜的叠层膜的截面TEM图像。可以看出非晶铟-锌氧化膜表面的边界的图像较明确，相对于此，多晶ITO膜表面的边界的图像较模糊。由于截面TEM图像包含纵深方向的信息，因此意味着膜表面的边界的图像越明确，表面的凹凸形状越平缓。因此，从图4及图5所示的截面TEM图像中，可以确认到与非晶铟-锌氧化物膜相比，多晶ITO膜的表面凹凸形状(表面粗糙度)较大。
接着，在图1所示的取出蓝色发光的发光层103设置于离反射电极101最近的位置的第一发光元件(蓝色发光元件)220、第二发光元件(绿色发光元件)230以及第三发光元件(红色发光元件)240中，在其反射电极101及透明电极102a中制造分别使用图4及图5的叠层膜的样品，根据该样品评价发光层103与反射电极101之间的距离与发光效率的关系，而检测透明电极102a的表面粗糙度的大小对发光效率的影响。表2示出其结果。
[表2]
如表2所示，在发光层-反射电极间距离较大的红色发光元件及绿色发光元件中，与使用表面粗糙度大的多晶ITO的情况相比，将表面粗糙度小的非晶铟-锌氧化物用于透明电极时，得到了更高的发光效率。另一方面，在发光层-反射电极间距离较小的蓝色发光元件中，可以确认到与将表面粗糙度小的非晶铟-锌氧化物用于透明电极的情况相比，使用表面粗糙度大的多晶ITO可以得到更高的发光效率。这是因为，在发光层与反射电极间距离较小时，因反射电极的表面等离子体激元的影响而使发光效率降低，所以可以推测通过在透明电极表面设置凹凸形状，可以得到抑制表面等离子体激元的影响的效果。
从上述表1及表2的结果中，可知在应用了微腔结构的发光元件中，通过对从设置于离反射电极最近的位置的发光层中取出发光的发光元件设置比其他发光元件的表面粗糙度大的透明电极，可以抑制发光效率的降低。
另外，在发光层与反射电极间距离长的发光元件中，优选透明元件表面平坦。由于透明电极表面越平坦，越可以抑制来自发光层的发光的散乱，因此可以提高发光效率。
附图标记说明
101  反射电极
102a  多晶的透明电极
102b、102c  非晶的透明电极
103  第1发光层
104  第2发光层
105  第3发光层
106  E L层
107  半透射半反射电极
108  第1发光单元
109  中间层
110  第2发光单元
112  第一滤色片(CF)
112a  透过第1滤色片的光
113  第2滤色片(CF)
113a  透过第2滤色片的光
114  第3滤色片(CF)
114a  透过第3滤色片的光
220  第1发光元件
230  第2发光元件
240  第3发光元件
400  显示面板
401  显示部
402  像素
402G  射出呈现绿色的光的子像素
403g  栅极侧取得电路部
403s  源极侧取得电路部
405  密封材料
408  引绕布线
409FPC  (柔性印刷电路)
410  第1衬底
411  开关用晶体管
412  电流控制用晶体管
413  n沟道型晶体管
414  p沟道型晶体管
416  绝缘层
418  隔离壁
420G  发光元件
421G  第1电极
422  第2电极
423  包含发光有机化合物的层“E L层”
431  由密封材料包围的空间
440  第2基板
441G  滤色片
442  遮光性的膜
450G  发光模块
501  反射电极
502  透明电极
503  第1发光层
504  第2发光层
505  第3发光层
506  E L层
507  半透射半反射电极
508  第1发光单元
509  中间层
510  第2发光单元。

Claims (16)

1. 一种发光装置，包括：
多个发光元件，其每一个包括：
反射电极；
所述反射电极上的透明电极；
所述透明电极上的多个发光层，该多个发光层发射彼此颜色不同的光；以及
所述多个发光层上的半透射半反射电极，
其中，所述多个发光元件之一个中的所述透明电极的表面粗糙度大于所述多个发光元件之其他发光元件中的所述透明电极的表面粗糙度，
并且，以光学地增强从所述多个发光层中离所述反射电极最近的所述多个发光层之一个发射的光的方式设置所述多个发光元件之所述一个。
2. 根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件之所述一个中的所述透明电极包含多晶的导电氧化物，
并且，所述多个发光元件之所述其他发光元件中的所述透明电极包含非晶的导电氧化物。
3. 根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件之所述一个中的所述透明电极的表面包含多晶的导电氧化物，
并且，所述多个发光元件之所述其他发光元件中的所述透明电极的表面包含非晶的导电氧化物。
4. 根据权利要求2所述的发光装置，
其中，所述多晶的导电氧化物是铟锡氧化物、氧化锌、铝-锌氧化物、镓-锌氧化物或氟-锡氧化物，
并且，所述非晶的导电氧化物是铟-锌氧化物或铟-钨氧化物。
5. 根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件包含不同颜色的滤色片。
6. 根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件的所述透明电极彼此厚度不同。
7. 根据权利要求1所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件包含取出蓝色的光的第一发光元件、取出绿色的光的第二发光元件以及取出红色的光的第三发光元件，
并且，所述多个发光层包含发射蓝色的光的第一发光层、发射绿色的光的第二发光层以及发射红色的光的第三发光层。
8. 根据权利要求1所述的发光装置，
其中，以所述反射电极与所述多个发光层之所述一个之间的距离是在5nm至100nm的范围内的方式设置所述多个发光元件之所述一个。
9. 一种发光装置，包括：
多个发光元件，其每一个包括：
反射电极；
所述反射电极上的透明电极；
所述透明电极上的多个发光层，该多个发光层发射彼此颜色不同的光；以及
所述多个发光层上的半透射半反射电极，
其中，所述多个发光元件之一个中的所述透明电极的表面粗糙度大于所述多个发光元件之其他发光元件中的所述透明电极的表面粗糙度，
以光学地增强从所述多个发光层中离所述反射电极最近的所述多个发光层之一个发射的光的方式设置所述多个发光元件之所述一个，
并且，所述光的颜色是蓝色。
10. 根据权利要求9所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件之所述一个中的所述透明电极包含多晶的导电氧化物，
并且，所述多个发光元件之所述其他发光元件中的所述透明电极包含非晶的导电氧化物。
11. 根据权利要求9所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件之所述一个中的所述透明电极的表面包含多晶的导电氧化物，
并且，所述多个发光元件之所述其他发光元件中的所述透明电极的表面包含非晶的导电氧化物。
12. 根据权利要求10所述的发光装置，
其中，所述多晶的导电氧化物是铟锡氧化物、氧化锌、铝-锌氧化物、镓-锌氧化物或氟-锡氧化物，
并且，所述非晶的导电氧化物是铟-锌氧化物或铟-钨氧化物。
13. 根据权利要求9所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件包含不同颜色的滤色片。
14. 根据权利要求9所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件的所述透明电极彼此厚度不同。
15. 根据权利要求9所述的发光装置，
其中，所述多个发光元件包含取出蓝色的光的第一发光元件、取出绿色的光的第二发光元件以及取出红色的光的第三发光元件，
所述多个发光层包含发射蓝色的光的第一发光层、发射绿色的光的第二发光层以及发射红色的光的第三发光层，
并且，所述多个发光元件之所述一个是所述第一发光元件。
16. 根据权利要求9所述的发光装置，
其中，以所述反射电极与所述多个发光层之所述一个之间的距离是在5nm至100nm的范围内的方式设置所述多个发光元件之所述一个。
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