KR20160107396A - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판, 상기 기판 위에 형성되며 화상을 표시하는 표시 화소부 및 상기 기판 위의 상기 표시 화소부 주변에 형성되는 더미 화소부를 포함하되, 상기 표시 화소부는, 상기 기판 위에 형성되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 위에 형성되는 제2 전극을 포함하며, 상기 더미 화소부는, 상기 기판 위에 형성되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화소 불균일을 해소할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
현재 알려져 있는 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등이 있다.
특히, 유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
유기 발광 표시 장치는 자발광(self-luminance) 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치의 유기 발광층을 형성하기 위해 화소 영역 내에 발광 물질을 용매와 함께 적하(滴下)하는 잉크젯 프린팅(inject printing) 방식이 사용될 수 있다.
그러나, 더미 화소 영역에 인접한 표시 화소 영역에서 발광 물질에 의해 형성된 유기 발광층의 표면이 불균일하여 화소 불균일이 발생하는 문제점이 있다.
상기한 바와 같은 기술적 배경을 바탕으로, 본 발명은 잉크젯 프린팅 방식에 의해 형성되는 유기 발광층의 표면 불균일로 인한 화소 불균일을 해소할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판, 상기 기판 위에 형성되며 화상을 표시하는 표시 화소부 및 상기 기판 위의 상기 표시 화소부 주변에 형성되는 더미 화소부를 포함하되, 상기 표시 화소부는, 상기 기판 위에 형성되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되는 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 위에 형성되는 제2 전극을 포함하며, 상기 더미 화소부는, 상기 기판 위에 형성되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 표시 화소부는, 상기 제1 전극 위에 형성되는 정공 주입층, 상기 정공 주입층과 상기 유기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층 및 상기 유기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 전자 수송층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 화소부는, 상기 전자 수송층과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 더미 화소부는, 상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 전자 수송층을 더 포함할 수 있다.
상기 더미 화소부는, 상기 기판과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 정공 주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판과 상기 표시 화소부 사이에 위치하며, 상기 표시 화소부의 상기 제1 전극과 연결된 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터는, 상기 기판 위에 위치하는 액티브층, 상기 액티브층 위에 위치하는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 위에 위치하며, 상기 액티브층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 드레인 전극은 상기 표시 화소부의 상기 제1 전극과 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 화상을 표시하는 표시 화소 영역과 상기 표시 화소 영역 주변에 형성되는 더미 화소 영역을 포함하는 기판을 마련하는 단계, 상기 기판 위의 상기 표시 화소 영역에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 표시 화소 영역에서 상기 제1 전극 위에 화소 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 표시 화소 영역 내에 발광 물질과 상기 발광 물질이 용해된 용매를 적하하는 단계, 상기 기판 위의 상기 더미 화소 영역에 상기 발광 물질이 제거된 용매를 적하하는 단계 및 상기 발광 물질 및 상기 용매가 적하된 상기 기판을 건조하는 단계 및 상기 기판 위의 상기 표시 화소 영역 및 상기 더미 화소 영역에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 표시 화소 영역 내에 상기 발광 물질과 상기 용매를 적하하기 전에, 상기 표시 화소 영역에서 상기 제1 전극 위에 정공 주입층을 형성하는 단계 및 상기 정공 주입층 위에 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기판을 건조한 후, 상기 제2 전극을 형성하기 전에, 상기 기판의 상기 표시 화소 영역 및 상기 더미 화소 영역에 전자 수송층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 정공 주입층이 상기 더미 화소 영역에서도 형성될 수 있다.
상기 제1 전극을 형성하기 전에, 상기 기판 위의 상기 표시 화소 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터는, 상기 기판 위에 위치하는 액티브층, 상기 액티브층 위에 위치하는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 위에 위치하며, 상기 액티브층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 드레인 전극은 상기 제1 전극과 연결될 수 있다.
상기한 바와 같은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 의하면, 더미 화소 영역에 인접한 표시 화소 영역의 유기 발광층의 표면을 일정하게 형성하여, 상기 표시 화소 영역에서 발생하는 화소 불균일을 해소할 수 있다.
도 1은 표시 화소부 및 더미 화소부가 형성된 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ을 따라 자른 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ을 따라 자른 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 더미 화소부에 발광 물질과 용매가 적하된 상태를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 용매가 제거된 후 형성된 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 7은 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 배치도이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ를 따라 자른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 도 7의 Ⅸ-Ⅸ을 따라 자른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 과정을 순서대로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ을 따라 자른 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ을 따라 자른 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 더미 화소부에 발광 물질과 용매가 적하된 상태를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 용매가 제거된 후 형성된 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 7은 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 배치도이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ를 따라 자른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 도 7의 Ⅸ-Ⅸ을 따라 자른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 과정을 순서대로 도시한 도면이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.
도 1은 표시 화소부 및 더미 화소부가 형성된 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ을 따라 자른 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ을 따라 자른 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는, 표시 화소부(PX)는 유기 발광층(230)이 포함되나, 더미 화소부(DM)는 유기 발광층이 형성되지 않는다.
보다 자세히, 후술하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서, 표시 화소부(PX)에서는 기판 위에 발광 물질과 상기 발광 물질이 용해된 용매를 적하(滴下)하나, 더미 화소부(DM)에서는 용매만 적하한다. 그리고 나서, 상기 표시 화소부(PX) 및 더미 화소부(DM)를 건조하면, 상기 표시 화소부(PX)에서는 유기 발광층(230)이 형성되나, 상기 더미 화소부(DM)에는 유기 발광층이 형성되지 않는다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
우선, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 화상을 표시하는 복수의 화소로 이루어진 표시 화소부(PX) 및 상기 표시 화소부(PX) 주변에 형성된 더미 화소부(DM)를 포함한다.
상기 표시 화소부(PX)에서는 하나의 화소가 복수의 서브 화소로 이루어진다. 예를 들어, 하나의 화소는, 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소 및 청색 서브 화소로 이루어질 수 있다. 적색 서브 화소는 적색 유기 발광층을, 녹색 서브 화소는 녹색 유기 발광층을, 청색 서브 화소는 청색 유기 발광층을 포함할 수 있다. 상기 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층은 각각 적색, 녹색 및 청색의 컬러 화상을 구현할 수 있다. 도 2에서는, 적색, 녹색 및 청색 서브 화소로 이루어진 하나의 화소를 중심으로 표시 화소부(PX)에 대해 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 표시 화소부(PX)는, 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R, G, B)로 이루어질 수 있다. 도 2에서, 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R, G, B)는 화소 정의막(PDL)에 의해 구분될 수 있다. 각 서브 화소는, 제1 전극(미도시), 유기 발광층(230)및 제2 전극(250)을 포함할 수 있다.
제1 전극(미도시)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다. 제1 전극은 후술하는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구동 드레인 전극과 전기적으로 연결되어, 유기 발광 소자의 애노드 전극이 될 수 있다.
한편, 제1 전극(미도시) 하부에는 박막 트랜지스터(미도시)가 포함될 수 있다. 여기에서, 박막 트랜지스터(미도시)는 스위칭 트랜지스터(Switching Transitor) 및 구동 트랜지스터(Driving Transistor)을 포함할 수 있다. 하기에서, 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 구조에 더욱 상세히 설명하기로 한다.
유기 발광층(230)은 제1 전극(미도시) 위에 형성되어, 전술한 적색, 녹색 또는 청색의 컬러 화상을 구현할 수 있다. 본 발명이 일 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에서 기판 위에 유기 발광 물질과 상기 유기 발광 물질이 용해된 용매를 적하(滴下)한 후 건조하면, 표시 화소부(PX)의 유기 발광층(230)이 형성될 수 있다. 즉, 건조 과정을 수행한 후, 상기 유기 발광 물질이 유기 발광층(230)을 형성하게 된다.
이때, 유기 발광 물질은 용해도가 높은 고분자 물질이 사용될 수 있다. 상기 유기 발광층(230)은 상기 고분자 물질이 용해된 상기 용매가 증발되면서 형성될 수 있다.
상기 유기 발광층(230) 위에는 제2 전극(250)이 형성된다. 제2 전극(250)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다. 제2 전극(250)은 유기 발광 소자의 공통 전극이 된다. 화소 전극(미도시), 유기 발광층(230) 및 공통 전극(730)은 유기 발광 소자를 이룬다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 상기 제1 전극(미도시), 유기 발광층(230), 제2 전극(250)을 포함하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(미도시)과 유기 발광층(230) 사이에 순차적으로 형성되는 정공 주입층(Hole Injection Layer, 210) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer, 220)을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 발광층(230)과 제2 전극(250) 사이에는 전자 수송층(Electron Transporting Layer, 240) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, 미도시)이 순차적으로 적층될 수 있다. 본 발명의 유기 발광 표시 장치에서는, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성될 수 있다.
여기에서, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층은 유기 발광층(230)의 발광 효율을 향상하기 위한 것으로서, 정공 수송층과 전자 수송층은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 것이고, 정공 주입층과 전자 주입층은 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 더미 화소부(DM)는 기판(110) 위에 형성되는 제2 전극(250)을 포함한다. 상기 제2 전극(250)은 상기 표시 화소부(PX)의 제2 전극(250)와 동일한 층으로, 상기 표시 화소부(PX)와 더미 화소부(DM)에서 동시에 형성된다. 상기 표시 화소부(PX)의 제2 전극(250)과 마찬가지로, 제2 전극(250)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서는, 더미 화소부(DM)에 제2 전극(250)만 형성되는 것으로 설명되나, 이에 한정되지 않고, 제2 전극(250) 하부에 전자 수송층(240)이 형성될 수 있다. 상기 전자 수송층(240)은 전술한 상기 표시 화소부(PX)의 전자 수송층(240)과 동일한 층으로, 표시 화소부(PX)와 더미 화소부(DM)의 전자 수송층(240)이 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시의 변형예에 따르면, 더미 화소부(DM)의 상기 전자 수송층(240) 하부에는 정공 주입층(210)이 형성될 수 있다. 상기 더미 화소부(DM)의 정공 주입층(210)도 상기 표시 화소부(PX)의 정공 주입층(210)과 동시에 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 더미 화소부(DM)에서는 표시 화소부(PX)와 달리, 유기 발광층이 형성되지 않는다. 전술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에서, 표시 화소부(PX)에서는 기판 위에 유기 발광 물질과 상기 유기 발광 물질이 용해된 용매를 적하(滴下)한다. 그러나, 더미 화소부(DM)에서는 상기 발광 물질을 제외한 상기 용매만 적하한다.
이와 같이, 상기 더미 화소부(DM)에 용매만 적하한 후 건조시키면, 상기 더미 화소부(DM)에서는 유기 발광 물질이 없기 때문에 유기 발광층이 형성되지 않는다.
도 4는 더미 화소부에 발광 물질과 용매가 적하된 상태를 나타낸 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 용매가 제거된 후 형성된 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 상기 도 4 및 도 5는, 본 발명의 일 실시예와 달리 더미 화소부(DM)에도 발광 물질을 적하시키고 건조한 경우의 유기 발광층의 형상에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 전술한 유기 발광 표시 장치의 제조 공정과 달리, 상기 더미 화소부에도 표시 화소부(PX)와 동일하게 기판 위에 상기 발광 물질과 상기 용매를 포함하는 용액(EM1, EM2, EM3)을 적하(滴下)한 후 건조하는 경우를 가정한다. 이 경우, 표시 화소부(PX)의 유기 발광층(230R', 230G', 230B')이 형상이 균일하지 않을 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 더미 화소부(DM)에 인접한 표시 화소부(PX)의 유기 발광층(230R', 230G', 230B')의 표면이 평편하지 않을 수 있다. 이는, 상기 용매가 건조하면서 상기 발광 물질이 용액의 테두리 부분에 위치하게 되는 현상(coffee stain effect)에 의해 균일하지 않는 형상이 발생될 수 있다. 이러한 현상은 주로 더미 화소부(DM)에 인접한 표시 화소부(PX)에서 발생될 수 있다. 이에 의해, 유기 발광 표시 장치에서 휘도 불균일을 초래할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에 따라, 더미 화소부(DM)에 발광 물질을 제외하고 용매만 적하하고 건조하면 상기 현상이 감소될 수 있다.
도 6은 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이고, 도 7은 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 배치도이고, 도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ를 따라 자른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고, 도 9는 도 7의 Ⅸ-Ⅸ을 따라 자른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6 내지 도 9를 참조하여, 표시 화소부(PX)에 형성되는 화소의 구조에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
우선, 도 116을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있는 서브 화소를 포함한다. 여기에서, 서브 화소는 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B) 중 어느 하나일 수 있다. 전술한 바와 같이, 하나의 화소는 복수의 상기 화소 서브로 이루어질 수 있다.
신호선은 주사 신호를 전달하는 게이트선(gate line, 121), 데이터 신호를 전달하는 데이터선(data line, 171), 구동 전압을 전달하는 구동 전압선(driving voltage line, 172) 등을 포함한다.
게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있는 것으로 도시되어 있으나, 행 방향 또는 열 방향으로 뻗거나 그물 모양으로 형성될 수 있다.
이때, 한 서브 화소는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(T1) 및 구동 트랜지스터(driving transistor)(T2)를 포함하는 박막 트랜지스터, 유지 축전기(storage capacitor, Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element, LD)를 포함한다. 도면에 표시되지 않았으나, 하나의 화소(PX)는 유기 발광 소자에 제공되는 전류를 보상하기 위해 부가적으로 박막 트랜지스터 및 축전기를 더 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T1)는 제어 단자(control terminal)(N1), 입력 단자(input terminal)(N2) 및 출력 단자(output terminal)(N3)를 포함한다. 이때, 제어 단자(N1)는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자(N2)는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자(N3)는 구동 트랜지스터(T2)에 연결되어 있다.
스위칭 트랜지스터(T1)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(T2)에 전달한다.
그리고, 구동 트랜지스터(T2) 또한 제어 단자(N3), 입력 단자(N4) 및 출력 단자(N5)를 포함한다. 이때, 제어 단자(N3)는 스위칭 트랜지스터(T1)에 연결되어 있고, 입력 단자(N4)는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자(N5)는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다.
구동 트랜지스터(T2)는 제어 단자(N3)와 출력 단자(N5) 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(Id)를 흘린다.
이때, 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자(N3)와 입력 단자(N4) 사이에 연결되어 있다. 여기에서, 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자(N3)에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
한편, 유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(T2)의 출력 단자(N5)에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(T2)의 출력 전류(Id)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
유기 발광 소자(LD)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나 또는 하나 이상의 빛을 고유하게 내는 유기 물질을 포함할 수 있으며, 유기 발광 장치는 이들 색의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이지만, 이들 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(T1, T2), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
하기에서는, 도 7 내지 도 9를 참조하여, 유기 발광 표시 장치의 적층 구조에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
기판(110)은 폴리이미드(Polyimide), 폴리아미드(Polyamide), 폴리아크릴계(polyacrylates) 등으로 이루어질 수 있다.
그리고, 기판 (110) 위에는 버퍼층(120)이 형성되어 있다. 버퍼층(120)은 질화규소(SiNx)의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiO2)가 적층된 이중막 구조로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
버퍼층(120) 위에는 서로 이격된 위치에 스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b)이 형성되어 있다.
이러한 반도체층(135a, 135b)은 폴리 실리콘 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 이때, 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
반도체층(135a, 135b)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체를 보호하기 위해 별도의 보호층이 추가될 수 있다.
반도체층(135a, 135b)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, n형 불순물 또는 p형 불순물이 가능하다.
스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b)은 각각 채널 영역(1355)과 채널 영역(1355)의 양측에 각각 형성된 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)으로 구분된다.
스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b)의 채널 영역(1355)은 불순물이 도핑되지 않은 폴리 실리콘, 즉 진성 반도체(intrinsic semiconductor)를 포함할 수 있다.
그리고, 스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b)의 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)은 도전성 불순물이 도핑된 폴리 실리콘, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)을 포함할 수 있다.
스위칭 반도체층(135a) 및 구동 반도체층(135b) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 복수층일 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 게이트선(121a), 스위칭 게이트 전극(125a) 및 제1 커패시터 전극(128)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 가로 방향으로 뻗어 있으며, 스캔 신호를 스위칭 트랜지스터(T1)에 전달한다. 이때, 게이트선(121)은 스위칭 반도체층(135a)으로 돌출한 스위칭 게이트 전극(125a)을 포함한다.
구동 게이트 전극(125b)은 제1 커패시터 전극(128)으로부터 구동 반도체층(135b)으로 돌출되어 있다. 스위칭 게이트 전극(125a) 및 구동 게이트 전극(125b)은 각각 채널 영역(1355)과 중첩한다.
한편, 게이트선(121), 구동 게이트 전극(125b) 및 제1 커패시터 전극 (128) 위에는 층간 절연막(160)이 형성된다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 소스 영역(1356)과 드레인 영역(1357)을 각각 노출하는 소스 접촉 구멍(61)과 드레인 접촉 구멍(62)이 형성되어 있고, 제1 커패시터 전극(128)의 일부를 노출하는 스토리지 접촉 구멍(63)이 형성되어 있다.
층간 절연막(160) 위에는 스위칭 소스 전극(176a)을 가지는 데이터선(171), 구동 소스 전극(176b) 및 제2 커패시터 전극(178)을 가지는 구동 전압선(172), 제1 커패시터 전극 (128)과 연결되는 스위칭 드레인 전극(177a) 및 구동 드레인 전극(177b)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 게이트선(121)과 교차하는 방향으로 뻗어 있다. 구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하며 데이터선(171)과 분리되어 같은 방향으로 뻗어 있다.
스위칭 소스 전극(176a)은 데이터선(171)으로부터 스위칭 반도체층(135a)을 향해서 돌출되어 있으며, 구동 소스 전극(176b)은 구동 전압선(172)으로부터 구동 반도체층(135b)을 향해서 돌출되어 있다.
스위칭 소스 전극(176a)과 구동 소스 전극(176b)은 각각 소스 접촉 구멍(61)을 통해서 소스 영역(1356)과 연결되어 있다. 스위칭 드레인 전극(177a)은 스위칭 소스 전극(176a)과 마주하고 구동 드레인 전극(177b)은 구동 소스 전극(176b)과 마주한다.
그리고, 스위칭 드레인 전극(177a) 및 구동 드레인 전극(177b)은 각각 드레인 접촉 구멍(62)을 통해서 드레인 영역(1357)과 연결되어 있다.
스위칭 드레인 전극(177a)은 연장되어 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(63)을 통해서 제1 커패시터 전극(128) 및 구동 게이트 전극(125b)과 전기적으로 연결된다.
제2 커패시터 전극(178)은 구동 전압선(172)에서 돌출하여 제1 커패시터 전극(128)과 중첩하고 있다. 따라서, 제1 커패시터 전극(128)과 제2 커패시터 전극(178)은 층간 절연막(160)을 유전체로 하여 스토리지 커패시터(Cst)를 이룬다.
스위칭 반도체층(135a), 스위칭 게이트 전극(125a), 스위칭 소스 전극(176a) 및 스위칭 드레인 전극(177a)은 스위칭 박막 트랜지스터(T1)를 이룬다. 한편, 구동 반도체층(135b), 구동 게이트 전극(125b), 구동 소스 전극(176b) 및 구동 드레인 전극(177b)은 구동 박막 트랜지스터(T2)를 이룬다.
이러한 스위칭 박막 트랜지스터(T1) 및 구동 박막 트랜지스터(T2)는 스위칭 소자에 해당한다.
스위칭 소스 전극(176a), 구동 소스 전극(176b), 스위칭 드레인 전극(177a) 및 구동 드레인 전극(177b) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 화소 전극(710)이 형성된다. 이때, 화소 전극(710)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
한편, 화소 전극(710)은 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍(181)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구동 드레인 전극(177b)과 전기적으로 연결되어 유기 발광 다이오드(70)의 애노드 전극이 된다.
보호막(180) 및 화소 전극(710)의 가장자리부 위에는 화소 정의막(350)이 형성되어 있다. 화소 정의막(350)은 화소 전극(710)을 노출하는 개구부를 가진다. 화소 정의막(350)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
화소 정의막(350)의 개구부에는 유기 발광층(720)이 형성되어 있다. 유기 발광층(720)은 발광층, 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다.
유기 발광층(720)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 화소 전극(710) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
유기 발광층(720)은 적색을 발광하는 적색 유기 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 유기 발광층 및 청색을 발광하는 청색 유기 발광층을 포함할 수 있으며, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 형성되어 컬러 화상을 구현하게 된다.
또한, 유기 발광층(720)은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 모두 함께 적층하고, 각 화소별로 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수 있다.
다른 예로, 백색을 발광하는 백색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 모두에 형성하고, 각 화소별로 각각 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수도 있다. 백색 유기 발광층과 색필터를 이용하여 컬러 화상을 구현하는 경우, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 각각의 개별 화소 즉, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 증착하기 위한 증착 마스크를 사용하지 않아도 된다.
다른 예에서 설명한 백색 유기 발광층은 하나의 유기 발광층으로 형성될 수 있음은 물론이고, 복수 개의 유기 발광층을 적층하여 백색을 발광할 수 있도록 한 구성까지 포함한다. 예로, 적어도 하나의 옐로우 유기 발광층과 적어도 하나의 청색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 시안 유기 발광층과 적어도 하나의 적색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 마젠타 유기 발광층과 적어도 하나의 녹색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성 등도 포함할 수 있다.
화소 정의막(350) 및 유기 발광층(720) 위에는 공통 전극(730)이 형성된다. 공통 전극(730)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다. 공통 전극(730)은 유기 발광 다이오드(70)의 캐소드 전극이 된다. 화소 전극(710), 유기 발광층(720) 및 공통 전극(730)은 유기 발광 다이오드(70)를 이룬다.
공통 전극(730) 위에는 유기 발광 다이오드(70)를 보호하는 덮개막(미도시)이 형성될 수 있다.
하기에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명함에 있어, 전술한 유기 발광 표시 장치와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 과정을 순서대로 도시한 도면이다.
우선, 도 10에 도시된 바와 같이, 기판(110) 위의 표시 화소 영역(PX)에 제1 전극(미도시)을 형성한다. 전술한 바와 같이, 제1 전극(미도시)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다. 제1 전극은 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구동 드레인 전극과 전기적으로 연결되어, 유기 발광 소자의 애노드 전극이 될 수 있다.
여기에서, 기판(110)에는 화상을 표시하는 복수의 화소로 이루어진 표시 화소 영역(PX)와 상기 표시 화소 영역(PX) 주변에 형성되는 더미 화소 영역(DM)을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(110)에 제1 전극(미도시)을 형성하기 전에, 표시 화소 영역(PX)에 박막 트랜지스터를 형성할 수 있다. 박막 트랜지스터는 제1 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 한편, 상기 박막 트랜지스터는 상기 표시 화소 영역(PX) 이외에 더미 화소 영역(DM)에도 형성될 수 있다. 더미 화소 영역(DM)에 형성된 박막 트랜지스터는 리페어용으로 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 전극(미도시) 위에 화소 영역을 정의하는 화소 정의막(PDL)을 형성한다. 화소 정의막(PDL)에 의해 정의된 화소 영역 내에는 전술한 바와 같이 적색, 녹색 및 청색 서브 화소(R, G, B)가 형성될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 하부에 위치하는 제1 전극(PDL)을 노출하는 개구부를 가진다. 이때, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
그리고 나서, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 표시 화소 영역(PX) 내의 상기 화소 영역에 발광 물질과 상기 발광 물질이 용해된 용매(EM1, EM2, EM3)를 적하(滴下)한다. 상기 발광 물질은 각 서브 화소에 형성되는 유기 발광층(230)을 형성하게 된다. 이때, 발광 물질은 유기 발광 물질로서, 용해도가 높은 고분자 물질이 사용될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 더미 화소 영역(DM)에는 용매(SL)만 적하한다. 보다 자세히, 상기 표시 화소 영역(PX)에는 발광 물질과 상기 발광 물질이 용해된 용매를 동시에 적하하나, 더미 화소 영역(DM)에는 발광 물질은 제거하고 용매만 적하한다. 더미 화소 영역(DM)에는 발광 물질이 적하되지 않기 때문에, 표시 화소 영역(PX)과 달리 유기 발광층이 형성되지 않는다.
다음으로, 상기 발광 물질 및 상기 용매가 적하된 상기 기판 전체를 건조한다. 즉, 상기 표시 화소 영역(PX)과 더미 화소 영역(DM)을 건조한다. 건조 공정에 의해, 기판(110)에 적하된 용매는 제거되고 발광 물질만 남게 된다.
이에 의해, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 표시 화소 영역(PX)에는 남은 발광 물질에 의해 유기 발광층(230R, 230G, 230B)이 형성된다. 반면에, 더미 화소 영역(DM)에는 유기 발광층이 형성되지 않는다. 즉, 더미 화소 영역(DM)에서는 발광 물질이 없기 때문에 별도의 층이 형성되지 않는다.
다만, 더미 화소 영역(DM)에 발광 물질을 제거하고 용매만 적하한 후 건조시키면, 더미 화소 영역(DM)에 인접한 표시 화소 영역(PX)의 유기 발광층(230R, 230G, 230B)의 형상이 균일하게 형성된다.
전술한 바와 같이, 상기 더미 화소부에도 표시 화소 영역(PX)와 동일하게 기판 위에 상기 발광 물질과 용매를 적하한 후 건조하면, 더미 화소 영역(DM)에 인접한 표시 화소 영역(PX)의 유기 발광층(230R', 230G', 230B')의 표면이 평편하지 않을 수 있다. 이는, 상기 용매가 건조하면서 상기 발광 물질이 용액의 테두리 부분에 위치하게 되는 현상(coffee stain effect)에 의해 균일하지 않는 형상이 발생될 수 있다. 이에 의해, 유기 발광 표시 장치에서 휘도 불균일을 초래할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 더미 화소부(DM)에 발광 물질을 제외하고 용매만 적하하고 건조하면 상기 현상이 감소될 수 있다.
다음으로, 상기 표시 화소 영역(PX) 및 더미 화소 영역(DM)에 공통적으로 제2 전극(250)을 형성한다. 제2 전극(250)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
한편, 전술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 화소 영역(PX)에 제1 전극(미도시) 위에 발광 물질과 용매를 바로 적하하는 것으로 설명되나, 이에 한정되지 않고, 상기 발광 물질과 상기 용매를 적하하기 전에, 제1 전극(미도시) 위에 정공 주입층(210) 및 정공 수송층(220)을 순차적으로 형성할 수도 있다. 이때, 정공 주입층 또는 정공 수송층은 상기 더미 화소 영역(DM)에도 형성될 수 있다.
또한, 전술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 화소 영역(PX)에서 유기 발광층(230)을 형성한 후 제2 전극(250)을 형성하는 것으로 설명되나, 이에 한정되지 않고, 건조 공정을 수행한 후, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 표시 화소 영역(PX) 및 더미 화소 영역(DM)에 공통적으로 전자 수송층(240)을 형성할 수 있다. 이때, 전자 수송층(240)이 표시 화소 영역(PX)과 더미 화소 영역(DM)에 동시에 형성되는 것으로 설명되나, 표시 화소 영역(PX)에만 전자 수송층(240)이 형성될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110 기판
210 정공 주입층
220 정공 수송층 230 유기 발광층
240 전자 수송층 250 제2 전극
220 정공 수송층 230 유기 발광층
240 전자 수송층 250 제2 전극
Claims (13)
- 기판;
상기 기판 위에 형성되며 화상을 표시하는 표시 화소부; 및
상기 기판 위의 상기 표시 화소부 주변에 형성되는 더미 화소부를 포함하되,
상기 표시 화소부는,
상기 기판 위에 형성되는 제1 전극;
상기 제1 전극 위에 형성되는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 위에 형성되는 제2 전극을 포함하며,
상기 더미 화소부는,
상기 기판 위에 형성되는 제2 전극을 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에서,
상기 표시 화소부는,
상기 제1 전극 위에 형성되는 정공 주입층;
상기 정공 주입층과 상기 유기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층;및
상기 유기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 전자 수송층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에서,
상기 표시 화소부는,
상기 전자 수송층과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 전자 주입층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에서,
상기 더미 화소부는,
상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 형성되는 전자 수송층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제 4 항에서,
상기 더미 화소부는,
상기 기판과 상기 전자 수송층 사이에 형성되는 정공 주입층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에서,
상기 기판과 상기 표시 화소부 사이에 위치하며, 상기 표시 화소부의 상기 제1 전극과 연결된 박막 트랜지스터를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제 6 항에서,
상기 박막 트랜지스터는,
상기 기판 위에 위치하는 액티브층;
상기 액티브층 위에 위치하는 게이트 전극; 및
상기 게이트 전극 위에 위치하며, 상기 액티브층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,
상기 드레인 전극은 상기 표시 화소부의 상기 제1 전극과 연결된, 유기 발광 표시 장치. - 화상을 표시하는 표시 화소 영역과 상기 표시 화소 영역 주변에 형성되는 더미 화소 영역을 포함하는 기판을 마련하는 단계;
상기 기판 위의 상기 표시 화소 영역에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 표시 화소 영역에서 상기 제1 전극 위에 화소 영역을 정의하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
상기 표시 화소 영역 내에 발광 물질과 상기 발광 물질이 용해된 용매를 적하하는 단계;
상기 기판 위의 상기 더미 화소 영역에 상기 발광 물질이 제거된 용매를 적하하는 단계; 및
상기 발광 물질 및 상기 용매가 적하된 상기 기판을 건조하는 단계; 및
상기 기판 위의 상기 표시 화소 영역 및 상기 더미 화소 영역에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 8 항에서,
상기 표시 화소 영역 내에 상기 발광 물질과 상기 용매를 적하하기 전에,
상기 표시 화소 영역에서 상기 제1 전극 위에 정공 주입층을 형성하는 단계 및
상기 정공 주입층 위에 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 9 항에서,
상기 기판을 건조한 후, 상기 제2 전극을 형성하기 전에,
상기 기판의 상기 표시 화소 영역 및 상기 더미 화소 영역에 전자 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 9 항에서,
상기 정공 주입층이 상기 더미 화소 영역에서도 형성되는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 8 항에서,
상기 제1 전극을 형성하기 전에,
상기 기판 위의 상기 표시 화소 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 12 항에서,
상기 박막 트랜지스터는,
상기 기판 위에 위치하는 액티브층;
상기 액티브층 위에 위치하는 게이트 전극; 및
상기 게이트 전극 위에 위치하며, 상기 액티브층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,
상기 드레인 전극은 상기 제1 전극과 연결된, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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