CN103972053A - 一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法 - Google Patents
一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103972053A CN103972053A CN201410233451.XA CN201410233451A CN103972053A CN 103972053 A CN103972053 A CN 103972053A CN 201410233451 A CN201410233451 A CN 201410233451A CN 103972053 A CN103972053 A CN 103972053A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- radio frequency
- low
- heavy ion
- passive device
- energy heavy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 78
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 119
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 58
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 230000005516 deep trap Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，还可利用掩模或掩模板注入高能重离子，注入后去除掩模或掩模板。本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法。
背景技术
现有集成电路按衬底类型划分，主要有硅基和化合物半导体基两种。后者涉及衬底如GaAs、石英等，由于其与成熟的硅基工艺不兼容，限制了相关集成电路的发展。相比之下，硅材料廉价丰富、机械和散热性能好；而硅基工艺始终处于核心地位，工艺成熟度高，容易实现超高集成度。目前硅基单管器件最高振荡频率（fmax）已超过1THz，因此，研究基于低成本硅基衬底和硅基工艺实现高集成度、高性能的硅基集成电路更具意义。
硅基射频无源器件的损耗类型包括衬底损耗、导体损耗（趋肤效应）、界面/表面电荷层损耗和辐射损耗。由于大多数硅基工艺要求使用低阻硅衬底（0.1Ω·cm -10Ω·cm），导致高频下硅基无源器件存在严重的衬底损耗，降低无源器件的自谐振频率，进而降低相关集成电路的最高工作频率。因此硅基无源器件的衬底损耗一直是制约硅基集成电路发展的主要原因。以片上电感为例，衬底损耗可细分为电场引起的损耗和磁场引起的损耗，电场引起的损耗是指电流通过电感线圈与衬底之间的寄生电容流至衬底而损耗；磁场引起的损耗是由电感的交变磁场在衬底感生涡流，引起介质分子的交替极化和晶格碰撞，产生介质损耗。根据斯坦福大学的C·P·Yue等人提出的集成电感的总参数模型，Q值在低频状态受衬底材料影响较小，随着工作频率增高，衬底损耗将迅速增加，器件最高工作频率将显著降低。为降低衬底损耗，研究者们通常选择高阻衬底作为射频无源器件的制作衬底，如GaAs、石英，区熔法制备的高阻晶体硅衬底等，但这些衬底的造价往往是成熟低阻硅基衬底的几十倍，且与成熟的硅基工艺不兼容，需要引入额外的多步工艺，增加额外成本和工艺复杂度，降低器件可靠性和成品率等。综上所述，采用低阻硅基衬底可以实现低成本、兼容成熟硅基工艺等优势，但射频无源器件的损耗严重；而采用GaAs、石英等高阻衬底，器件性能好，但不兼容硅基工艺，增加额外成本，因此，研发一种同时实现射频无源器件高性能，且解决成本、工艺成熟度、工艺兼容性、器件可靠性等矛盾的射频无源器件制作方法便成为这个领域研究者们的一大目标。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明提供一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，可应用于贴片式硅基射频无源器件或片载硅基射频无源器件，降低上述的无源器件的衬底损耗，提高器件性能，兼容低阻硅基工艺，降低成本，提高工艺兼容性和成熟度。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，包括如下步骤：
（a1）选择一低阻硅基衬底；
（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；
（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，进而获得低损耗硅基射频无源器件。
具体地，所述在步骤（a3）之前，在低阻硅基衬底底部依据射频无源器件的版图设计制作图形化高能重离子注入所需的图形化掩模或掩模板，相应地，所述步骤（a3）中，注入图形化高能重离子的方式为掩模图形化注入或掩模板图形化注入，步骤（a3）之后，去除掩模或掩模板。
进一步地，所述步骤（a3）中注入图形化高能重离子的方式为利用聚焦微束图形化直写注入。所述高能重离子注入后获得的非晶化高阻硅基衬底位于射频无源器件的正下方。所述图形化高能重离子注入后获得的非晶化高阻硅基衬底其图形化形状为圆形、方形。
更进一步地，所述低阻硅基衬底厚度为1μm-1000μm，高能重离子注入的深度为0.1μm -999.9μm。
在本发明中，所述高能重离子的原子序数大于1，能量为100KeV/核子-50MeV/核子。
再进一步地，所述高能重离子注入区与非注入区之间的界面与射频无源器件的距离为0.1μm -100μm；所述高能重离子注入后获得的非晶化高阻硅基衬底其图形化区域尺寸大于射频无源器件的版图有效尺寸 。
同时，所述射频无源器件包括电感、天线、传输线、共面波导、变压器、互连线、电容、电阻。
另外，所述低阻硅基衬底在高能重离子注入前的电阻率为0.001Ω·cm-1000Ω·cm，在高能重离子注入后注入区为非晶硅，电阻率为103Ω·cm-107Ω·cm。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
（1）本发明通过注入图形化高能重离子轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的；
（2）本发明首先采用硅基工艺在低阻硅基衬底顶部制作射频无源器件，然后利用高能重离子注入对低阻硅基衬底底部图形化轰击，造成注入损伤，引入深能级陷阱中心和俘获中心，减小载流子密度，实现了对成熟硅基工艺的兼容性，达到了低成本和高集成度的目的；
（3）本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，注入区形成高阻硅基衬底，该高阻硅基衬底对硅基射频无源器件的衬底损耗有抑制作用，提高硅基无源器件的Q值和工作频率，同时可起到优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果。
附图说明
图1为本发明-实施例1射频无源器件利用无掩模的聚焦微束注入图形化高能重离子的制作流程图。
图2为本发明-实施例2射频无源器件利用图形化掩模实现注入图形化高能重离子的制作流程图。
图3为本发明的图形化高能重离子注入射频无源器件（以电感为例）的三维结构示意图。
上述附图中，附图标记对应的部件名称如下：
1-低阻硅基衬底，2-射频无源器件层，3-射频无源器件，4-高阻硅基衬底。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明，本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例1
如图1所示，一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，包括如下步骤：
（a1）选用低阻硅基衬底1，其电阻率在0.001Ω·cm-1000Ω·cm范围，厚度为1μm-1000μm范围；
（a2）在低阻硅基衬底1的顶部按照标准硅基工艺制作射频无源器件层2，在射频无源器件层2中包含射频无源器件3，该射频无源器件3为电感、天线、传输线、共面波导、变压器、互连线、电容、电阻的一种或多种的组合；
（a3）利用聚焦微束的高能重离子从低阻硅基衬底1的底部注入图形化重离子到低阻硅基衬底1中，实现低阻硅基衬底1在图形化注入区的非晶化高阻改性，变为高阻硅基衬底4，该高阻硅基衬底4电阻率在103Ω·cm-107Ω·cm范围，在本实施例中，图形化注入区域位于射频无源器件的正下方，形状可以为圆形、方形，或者任意形状。
为了实现低成本和高集成度，所以本实施例制作无源器件时选用成熟的硅基工艺。
在本实施中，选用原子序数大于1的重离子，注入能量在100KeV/核子-50MeV/核子范围；注入深度即图形化的高阻硅基衬底4的厚度在0.1μm -999.9μm范围；如图所示，注入重离子后，图形化的高阻硅基衬底4的顶部距离射频无源器件3的距离为0.1μm -100μm，同时，图形化的高阻硅基衬底4的横向宽度（xy平面上的宽度）大于射频无源器件3的有效横向尺寸。
在本实施中，利用高能重离子注入对低阻硅基衬底图形化轰击，造成注入损伤，引入深能级陷阱中心和俘获中心，减小载流子密度，提高注入区衬底的电阻率，且图形化的高阻衬底对硅基射频无源器件的衬底损耗有抑制作用，提高硅基无源器件的Q值和工作频率，同时可起到优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果。从而保证了在兼容成熟低阻硅基工艺的条件下，实现低衬底损耗、适应高温、性能稳定的硅基无源器件，降低上述射频无源器件衬底损耗，提高相关电路的性能。
经过上述步骤制作完成后，硅基射频无源器件其射频工作频率在107Hz-1014Hz之间。
如图3所示，一种使用图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法制作的低损耗硅基射频无源器件，包括低阻硅基衬底1，位于低阻硅基衬底1内与低阻硅基衬底1底部连接的高阻硅基衬底4，位于低阻硅基衬底1顶部的射频无源器件层2，该射频无源器件层2包含射频无源器件3，所述低阻硅基衬底1电阻率为0.001Ω·cm-1000Ω·cm，厚度为1μm-1000μm；高阻硅基衬底4电阻率为103Ω·cm-107Ω·cm，厚度为0.1μm -999.9μm。高阻硅基衬底4的顶部距离射频无源器件3的距离为0.1μm -100μm，且高阻硅基衬底4的横向尺寸大于射频无源器件3的版图有效尺寸。射频无源器件3为电感、天线、传输线、共面波导、变压器、互连线、电容、电阻的一种或多种的组合。
实施例2
如图2所示，一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，与实施例1不同的是，本实施例利用图形化掩模注入图形化高能重离子，注入完成后，再去掉掩模，具体步骤如下：
（b1）选用低阻硅基衬底1，其电阻率在0.001Ω·cm-1000Ω·cm范围，厚度为1μm-1000μm范围；
（b2）在低阻硅基衬底1的顶部按照标准硅基工艺制作射频无源器件层2，在射频无源器件层2中包含射频无源器件3，该射频无源器件3为电感、天线、传输线、共面波导、变压器、互连线、电容、电阻的一种或多种的组合；
（b3）在低阻硅基衬底1的底部制作图形化掩模，该掩模为光刻胶，或者是单独制作的金属或硅基掩模版，如Si、SiO2、金属钨等，但不限于以上几种；
（b4）利用聚焦微束或者大束流的高能重离子从低阻硅基衬底1的底部注入图形化重离子到低阻硅基衬底1中，实现低阻硅基衬底1在图形化注入区的非晶化高阻改性，变为高阻硅基衬底4，该高阻硅基衬底4电阻率在103Ω·cm-107Ω·cm范围，在本实施例中，图形化注入区域位于射频无源器件的正下方，形状可以为圆形、方形，或者任意形状；
（b5）去除掩模。
在本实施中，与实施例1一样，选用原子序数大于1的重离子，注入能量在100KeV/核子-50MeV/核子范围；注入深度即图形化的高阻硅基衬底4的厚度在0.1μm -999.9μm范围；如图所示，注入重离子后，图形化的高阻硅基衬底4的顶部距离射频无源器件3的距离为0.1μm -100μm，同时，图形化的高阻硅基衬底4的横向宽度（xy平面上的宽度）大于射频无源器件3的有效横向尺寸。
经过上述步骤制作完成后，硅基射频无源器件其射频工作频率在107Hz-1014Hz之间。
按照上述实施例，便可很好地实现本发明。值得说明的是，基于上述结构设计的前提下，为解决同样的技术问题，即使在本发明上做出的一些无实质性的改动或润色，所采用的技术方案的实质仍然与本发明一样，故其也应当在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a1）选择一低阻硅基衬底；
（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；
（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，进而获得低损耗硅基射频无源器件。
2.根据权利要求1所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述在步骤（a3）之前，在低阻硅基衬底底部依据射频无源器件的版图设计制作图形化高能重离子注入所需的图形化掩模或掩模板，相应地，所述步骤（a3）中，注入图形化高能重离子的方式为掩模图形化注入或掩模板图形化注入，步骤（a3）之后，去除掩模或掩模板。
3.根据权利要求1所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述步骤（a3）中注入图形化高能重离子的方式为利用聚焦微束图形化直写注入。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述高能重离子注入后获得的非晶化高阻硅基衬底位于射频无源器件的正下方。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述图形化高能重离子注入后获得的非晶化高阻硅基衬底的图形化形状为圆形、方形。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述低阻硅基衬底厚度为1μm-1000μm，高能重离子注入的深度为0.1μm -999.9μm。
7.根据权利要求1或2或3所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述高能重离子的原子序数大于1，能量为100KeV/核子-50MeV/核子。
8.根据权利要求1或2或3所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述高能重离子注入区与非注入区之间的界面与射频无源器件的距离为0.1μm -100μm；所述高能重离子注入后获得的非晶化高阻硅基衬底其图形化区域尺寸大于射频无源器件的版图有效尺寸。
9.根据权利要求1或2或3所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述射频无源器件包括电感、天线、传输线、共面波导、变压器、互连线、电容、电阻。
10.根据权利要求1或2或3所述的一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，其特征在于，所述低阻硅基衬底在高能重离子注入前的电阻率为0.001Ω·cm-1000Ω·cm，在高能重离子注入后注入区为非晶硅，电阻率为103Ω·cm-107Ω·cm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410233451.XA CN103972053A (zh) | 2014-05-29 | 2014-05-29 | 一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410233451.XA CN103972053A (zh) | 2014-05-29 | 2014-05-29 | 一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103972053A true CN103972053A (zh) | 2014-08-06 |
Family
ID=51241420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410233451.XA Pending CN103972053A (zh) | 2014-05-29 | 2014-05-29 | 一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103972053A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105826302A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-08-03 | 德州仪器公司 | 晶片衬底移除 |
| CN106229633A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-14 | 安徽贝莱电子科技有限公司 | 一种雷达天线的生产工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1340214A (zh) * | 1999-02-15 | 2002-03-13 | 艾利森电话股份有限公司 | 包含防闭锁电感器的集成电路及其制造方法 |
| CN101449362A (zh) * | 2006-05-18 | 2009-06-03 | Nxp股份有限公司 | 提高半导体器件中电感器的品质因子的方法 |
| US20120025345A1 (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-02 | International Business Machines Corporation | Method, apparatus, and design structure for silicon-on-insulator high-bandwidth circuitry with reduced charge layer |
| CN103426729A (zh) * | 2013-08-29 | 2013-12-04 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 提高整合被动器件电感器q值的方法 |
-
2014
- 2014-05-29 CN CN201410233451.XA patent/CN103972053A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1340214A (zh) * | 1999-02-15 | 2002-03-13 | 艾利森电话股份有限公司 | 包含防闭锁电感器的集成电路及其制造方法 |
| CN101449362A (zh) * | 2006-05-18 | 2009-06-03 | Nxp股份有限公司 | 提高半导体器件中电感器的品质因子的方法 |
| US20120025345A1 (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-02 | International Business Machines Corporation | Method, apparatus, and design structure for silicon-on-insulator high-bandwidth circuitry with reduced charge layer |
| CN103426729A (zh) * | 2013-08-29 | 2013-12-04 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 提高整合被动器件电感器q值的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| K.T.CHAN,ET AL: "Large Q-Factor Improvement for Spiral Inductors on Silicon Using Proton Implantation", 《IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105826302A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-08-03 | 德州仪器公司 | 晶片衬底移除 |
| CN105826302B (zh) * | 2015-01-28 | 2019-11-08 | 德州仪器公司 | 晶片衬底移除 |
| CN106229633A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-14 | 安徽贝莱电子科技有限公司 | 一种雷达天线的生产工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI527200B (zh) | 絕緣層上半導體射頻開關之偏壓生成電路 | |
| US9923045B2 (en) | Inductor element, inductor element manufacturing method, and semiconductor device with inductor element mounted thereon | |
| CN102376693B (zh) | 单片磁感应器件 | |
| TW548798B (en) | High Q inductor with faraday shield and dielectric well buried in substrate | |
| US9653772B2 (en) | Semiconductor resonators with reduced substrate losses | |
| CN110462788A (zh) | 多孔半导体处理衬底 | |
| TW201036106A (en) | SOI radio frequency switch with enhanced signal fidelity and electrical isolation | |
| DE102011006454B4 (de) | Hochspannungs-Halbleiterbauelemente und Verfahren zu deren Herstellung | |
| JP2019507492A (ja) | スキュー・コスパイラルインダクタ構造 | |
| US20090267182A1 (en) | Method of increasing the quality factor of an inductor in a seimiconductor device | |
| US20150200245A1 (en) | Lateral metal insulator metal (mim) capacitor with high-q and reduced area | |
| CN103972053A (zh) | 一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法 | |
| CN110754003A (zh) | 用于改善金属氧化物半导体(mos)变容器品质因数的栅极上的自对准触点(sac) | |
| JP5026257B2 (ja) | 電子装置 | |
| KR101524935B1 (ko) | 딥 트랜치 쓰루 실리콘(ｄｔｓ)을 사용하는 집적 회로 및 그 제조방법 | |
| CN103426729A (zh) | 提高整合被动器件电感器q值的方法 | |
| CN102751176B (zh) | Pip、pps电容器的制作方法 | |
| TW200929525A (en) | Inductor of semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| CN103811309A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| CN100352038C (zh) | Soc芯片制备方法 | |
| CN101640196A (zh) | 一种集成电感 | |
| US10079097B2 (en) | Capacitor structure for power delivery applications | |
| CN205248280U (zh) | 绝缘栅双极晶体管的背面结构 | |
| CN101894742A (zh) | 高q值电感器的制作方法 | |
| CN103956362A (zh) | 基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140806 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |