CN103928473A - 可挠式显示面板及可挠式显示面板的制作方法 - Google Patents
可挠式显示面板及可挠式显示面板的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103928473A CN103928473A CN201410123072.5A CN201410123072A CN103928473A CN 103928473 A CN103928473 A CN 103928473A CN 201410123072 A CN201410123072 A CN 201410123072A CN 103928473 A CN103928473 A CN 103928473A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic layer
- type display
- flexible type
- display panel
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 115
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- -1 Merlon Polymers 0.000 claims description 15
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229920003366 poly(p-phenylene terephthalamide) Polymers 0.000 claims description 7
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHEVDDQAPKQQAV-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(1h-benzimidazol-2-yl)phenyl]-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC=C(C=C3)C=3NC4=CC=CC=C4N=3)=NC2=C1 WHEVDDQAPKQQAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSLZEOQUCAWYDO-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Ta+5] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Ta+5] CSLZEOQUCAWYDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- IEJHYFOJNUCIBD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2].[In+3] IEJHYFOJNUCIBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920003208 poly(ethylene sulfide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000927 poly(p-phenylene benzobisoxazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/003—Cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/006—Delaminating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
一种可挠式显示面板，具有一主动区以及一周边区环绕主动区。可挠式显示面板包括一阻障层、一可挠曲结构层、一显示元件阵列以及一驱动芯片。阻障层具有一第一开口。可挠曲结构层设置于阻障层上，其中可挠曲结构层填入阻障层的第一开口内。显示元件阵列设置于可挠曲结构层上并位于主动区内。驱动芯片设置于可挠曲结构层上，其中驱动芯片与显示元件阵列电性连接，且驱动芯片对应于阻障层的第一开口。本发明的可挠式显示面板及其制作方法在一个分离接口上创造出多个具有不同离型力的区域，因此，可以确保可挠式显示面板与承载基板之间具有足够黏着力，而又可避免驱动芯片或导线于离型工艺中因为离型力过大而受损的问题。
Description
技术领域
本发明关于一种可挠式显示面板及可挠式显示面板的制作方法，尤指一种具有多个不同离型力的区域的可挠式显示面板及制作可挠式显示面板的方法。
背景技术
在现今显示技术中，可挠式显示面板由于具有高轻巧性、耐冲击性与可挠曲性等特性，目前已成为新一代显示技术的发展重点。
现有可挠式显示面板的显示元件与开关元件形成于具有可挠曲特性的薄膜，例如塑料薄膜上，但塑料薄膜的结构不够坚硬，无法单独作为支撑显示元件与开关元件的基板，而必须先贴附于承载基板例如玻璃基板上，并待显示元件与开关元件制作完成后再将塑料薄膜自承载基板上移除。然而，在将塑料薄膜自承载基板上移除的过程中，常会造成显示元件与开关元件的损伤，而使得可挠式显示面板的良率偏低，严重影响了可挠式显示面板的发展。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种可挠式显示面板及可挠式显示面板的制作方法，以提升可挠式显示面板的良率。
本发明的一实施例提供一种可挠式显示面板，具有一主动区以及一周边区环绕主动区。可挠式显示面板包括一阻障层、一可挠曲结构层、一显示元件阵列以及一驱动芯片。阻障层具有一第一开口。可挠曲结构层设置于阻障层上，其中可挠曲结构层填入阻障层的第一开口内。显示元件阵列设置于可挠曲结构层上并位于主动区内。驱动芯片设置于可挠曲结构层上，其中驱动芯片与显示元件阵列电性连接，且驱动芯片对应于阻障层的第一开口。
其中，该阻障层的材料包括金属、金属化合物或上述组合。
其中，该阻障层的金属包括金、银、铂、铜、钛、铝、铬、铅、铑、钼、钨、锌、锡或上述组合。
其中，该阻障层的金属化合物包括金属氧化物、金属氮化物或上述组合。
其中，该可挠曲结构层的材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚原冰烯、聚醚亚酰胺、聚苯并咪唑、聚苯并恶唑,、聚对苯二甲酰对苯二胺或上述组合。
其中，所述可挠式显示面板，另包括一对位图案，设置于该可挠曲结构层上，其中该阻障层另包括一第二开口，且该对位图案对应于该阻障层的该第二开口。
本发明的另一实施例提供一种可挠式显示面板的制作方法，包括下列步骤。提供一承载基板，其中承载基板包括至少一子板区，且子板区具有一主动区以及一周边区，且周边区环绕主动区。于承载基板的一表面上形成一第一有机层。于第一有机层的一表面上形成一离型层，其中离型层具有至少一个第一开口，且第一开口暴露出子板区的周边区内的第一有机层的一部分表面。于离型层的一表面上一第二有机层，其中离型层与第一有机层之间形成一第一接口，第二有机层经由第一开口与第一有机层的部分表面之间形成一第二接口，且第一接口的一离型力大于第二界面的一离型力。于第二有机层上形成至少一显示元件阵列，其中显示元件阵列位于子板区的主动区内。进行一切割工艺，由子板区的周边区切割第二有机层以及离型层，以使子板区内的第二有机层与离型层自第一有机层的表面分离，以形成一可挠式显示面板。
其中，该承载基板包括一玻璃基板。
其中，形成该第一有机层的方法包括对玻璃基板的该表面进行改质工艺。
其中，该第一有机层的材料包括氟烷基衍生物。
其中，该第一有机层的材料包括氟烷基硅烷。
其中，该离型层的材料包括金属、金属化合物或上述组合。
其中，该离型层的金属包括金、银、铂、铜、钛、铝、铬、铅、铑、钼、钨、锌、锡或上述组合。
其中，该离型层的金属化合物包括金属氧化物、金属氮化物或上述组合。
其中，该第二有机层的材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚原冰烯、聚醚亚酰胺、聚苯并咪唑、聚苯并恶唑、聚对苯二甲酰对苯二胺或上述组合。
其中，该方法另包括于该切割工艺之前，先于该第二有机层上形成至少一驱动芯片，该至少一驱动芯片与该至少一显示元件阵列电性连接，且该至少一驱动芯片对应于该离型层的该至少一第一开口。
其中，该方法另包括于该第二有机层上形成至少一对位图案，其中该离型层另包括至少一第二开口，且该至少一对位图案对应于该离型层的该至少一第二开口。
本发明的可挠式显示面板及其制作方法在一个分离接口上创造出多个具有不同离型力的区域，因此，可以确保可挠式显示面板与承载基板之间具有足够黏着力，而又可避免驱动芯片或导线于离型工艺中因为离型力过大而受损的问题。
附图说明
图1至图9绘示本发明的一实施例的可挠式显示面板的制作方法示意图。
图10绘示了本发明第一实施例的可挠式显示面板的示意图。
图11绘示了本发明的第二实施例的可挠式显示面板的示意图。
10 承载基板
10C 子板区
10A 主动区
10P 周边区
10S 表面
12 第一有机层
12S 表面
14 离型层
141 第一开口
142 第二开口
14S 表面
16 第二有机层
S1 第一界面
S2 第二界面
18 显示元件阵列
20 驱动芯片
22 导线
24 导电黏着层
21 驱动芯片对位图案
26 对位图案
261 第一对位图案
262 第二对位图案
28 切割线
29 显示面板结构
14’ 阻障层
16’ 可挠曲结构层
30 可挠式显示面板
40 可挠式显示面板
40A 主动区
40P 周边区
42 阻障层
44 可挠曲结构层
46 显示元件阵列
48 驱动芯片
421 第一开口
50 导线
52 导电黏着层
60 可挠式显示面板
422 第二开口
54 对位图案
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图1至图9。图1至图9绘示了本发明一实施例的可挠式显示面板的制作方法示意图，其中图1是以上视图型式绘示，图7以分解图型式绘示，且图2至图6、图8及图9以剖面图型式绘示。如图1与图2所示，首先提供一承载基板10。承载基板10为一硬式基板，例如玻璃基板、石英基板、硅基板或其它具有足够的结构强度的材质所构成的基板。另外，承载基板10较佳具有透光特性，以利于工艺中的对位的进行。承载基板10具有多个子板(chippanel)区10C，且各子板区10C包括一主动区10A以及一周边区10P，且周边区10P环绕对应的主动区10A。在本实施例中，可挠式显示面板的制作方法可为一批次式的制作方法，亦即多个可挠式显示面板同时制作，并于后续工艺中再加以分离，而本文中所定义的各子板区分别用以形成一可挠式显示面板。为方便说明，图2仅绘示出两个子板区的剖面结构。
如图3所示，接着于承载基板10的表面10S上形成一第一有机层12。在本实施例中，形成第一有机层12的方法可包括对承载基板10的表面10S进行改质工艺。在承载基板10选用玻璃基板的情况下，可使用含有氟烷基的耦合剂(coupling agent)于承载基板10的表面10S形成氟烷基衍生物(fluoroalkylgroup derivative)，作为第一有机层12。举例而言，若使用含有氟烷基的硅烷(silane)耦合剂，则可形成氟烷基硅烷(fluoroalkylsilane,FAS)。在本实施例中，氟烷基硅烷的化学式例如可为Si(OMe)3CnF2n+1，其中n为大于或等于1的正整数；在其它实施例，氟可为氢所取代，例如氟烷基硅烷的化学式可为Si(OMe)3CnH2mF2n-2m+1，其中n为大于或等于2的正整数，且m为小于n的正整数。当然，在其它实施例，也可使用其它种类的耦合剂进行改质工艺，或使用其它工艺及适合材料所构成的第一有机层12。举例而言，第一有机层12的材料可包括聚对二甲苯(Parylene)、硅烷(Silane)、硅氧烷(Siloxane)、硅氟烷(FAS)或上述组合，并利用各式物理性工艺例如物理气相沉积工艺(例如溅镀)或化学性工艺例如化学气相沉积工艺形成。
如图4所示，随后于第一有机层12的表面12S上形成一离型层14。离型层14具有多个第一开口141，其中各第一开口141暴露出位于对应的子板区10C的周边区10P内的第一有机层12的一部分表面12S。在本实施例中，离型层14的厚度实质上例如约介于0.001微米至1微米之间，但不以此为限。离型层14的材料可选用无机材料，其可包括例如金属、金属化合物或上述组合。若离型层14的材料选用金属，则金属可包括金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、铅(Pd)、铑(Rh)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、锡(Sn)的其中一者或上述组合。若离型层14的材料选用金属化合物，则金属化合物包括金属氧化物、金属氮化物或上述组合，其中金属化合物所含的金属可为上述金属或其它适合的金属。举例而言，金属化合物可以包括氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、氮化钛(TiN)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铝锌(AZO)、掺杂氟的氧化锡(SnO2:F)、掺杂钽的氧化钛(TiO2:Ta)、氧化镉铟(CdIn2O4)、氧化镉锡(Cd2SnO4)、氧化锌锡(Zn2SnO4)的其中一者或上述组合。离型层14可利用各式物理性工艺例如物理气相沉积工艺或化学性工艺例如化学气相沉积工艺形成于第一有机层12上。举例而言，离型层14可利用溅镀工艺形成，但不以此为限。此外，离型层14具有可挠曲特性。在本实施例中，离型层14更可选择性地包括多个第二开口142。第二开口142的位置可对应后续形成的对位图案，以容许在工艺中由承载基板10的背面进行对位。
如图5所示，接着于离型层14的表面14S形成一第二有机层16。在本实施例中，第二有机层16的材料可包括例如聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亚酰胺(polyetheramide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylenebenzobisimidazole),PBI)、聚苯并恶唑(poly(p-phenylene benzobisoxazole),PBO)、聚对苯二甲酰对苯二胺(poly(p-phenylene terephthalamide),PPTA)的其中一者或上述组合，但不以此为限。第二有机层16具有可挠曲特性。离型层14与第一有机层的表面12S接触而形成一第一接口S1，第二有机层16经由第一开口141与第一有机层12的部分表面12S接触而形成一第二接口S2，且第一界面S1的离型力(debonding force)大于第二界面S2的离型力。在本发明中，离型层14是作为工艺中的暂时黏着层之用，用以暂时将可挠式显示面板黏着于承载基板10上，因此离型层14会于后续工艺中自第一有机层12的表面12S移除，与承载基板10分离，而形成可挠式显示面板。在本实施例中，由于离型层14具有第一开口141，因此第一有机层12会具有两种不同离型力的接口，也就是说，离型层14与第一有机层12的表面12S之间的第一接口S1具有较大的离型力，而较大的离型力意味着较大的黏着力，其可使可挠式显示面板稳固地黏着于第一有机层12上，而第二有机层16与第一开口141所暴露出的第一有机层12之间的第二接口S2具有较小的离型力，而较小的离型力意味着较小的黏着力，其可避免在离型工艺时因为黏着力过大造成损伤。在本实施例中，第一接口S1的离型力与第二接口S2的离型力的比值例如约可介于1与20之间，但不以此为限。举例而言，第一界面S1的离型力约为5gf/in，而第二界面S2的离型力约为2gf/in，但不以此为限而可视情况加以调整。
如图6与图7所示，于第二有机层16上形成多个显示元件阵列18，其中各显示元件阵列18位于对应的子板区10C的主动区10A内。在本实施例中，各显示元件阵列18包括多个显示元件，对应于各主动区10A的多个次画素区(图未示)。显示元件阵列18可为各种类型的显示元件阵列，例如电激发光显示元件阵列、电泳显示元件阵列、电湿润显示元件阵列、液晶显示元件阵列或其它适合的显示元件阵列。显示元件阵列18可包括开关元件、驱动元件、显示介质、电容元件及其它用以提供显示功能的必要元件。另外，于第二有机层16上形成多个驱动芯片20，其中驱动芯片20分别与显示元件阵列18电性连接，用以驱动显示元件列18，且驱动芯片20分别对应于离型层14的第一开口141。于形成驱动芯片20之前，可先于第二有机层16上形成导线22，其中导线22与显示元件阵列18电性连接，且导线22可与显示元件阵列18的任一导电膜层由同一层导电图案所构成，但不以此为限。在本实施例中，驱动芯片20经由导线22与显示元件阵列18电性连接，且驱动芯片20可藉由导电黏着层24例如异方性导电胶(ACF)黏着并电性连接于导线22上。另外，第二有机层16上可选择性地形成驱动芯片对位图案21(如图7所示)。在本实施例中，由于离型层14具有第一开口141，因此在利用导电黏着层24黏着导线22与驱动芯片20时，可由承载基板10的下方经由第一开口141观察驱动芯片对位图案21，借此对驱动芯片20进行准确对位。此外，可由承载基板10的下方经由第一开口141观察导电黏着层24，以确认导电黏着层24的压合状况。另外，本实施例的方法更可选择性地于第二有机层16上形成多个对位图案26，其中对位图案26分别对应于离型层14的第二开口142。如图7所示，对位图案26可包括一第一对位图案261以及一第二对位图案262。第一对位图案261以及第二对位图案262可由不同层图案所构成，且可分别与显示元件阵列18的不同层图案所构成。举例而言，第一对位图案261可与显示元件阵列18的第一层导电图案例如第一金属层一并形成，而第二对位图案262可与显示元件阵列18的第二层导电图案例如第二金属层一并形成。借此，由承载基板10的下方经由第二开口142可确保显示元件阵列18的第一层导电图案与第二层导电图案具有准确对位。此外，对位图案26亦可作为后续切割工艺的对位标记。
如图8所示，随后进行一切割工艺，沿切割线28由各子板区10C的周边区10P切割第二有机层16以及离型层14，以使各子板区10C内的第二有机层16与离型层14与相邻的子板区10C内的第二有机层16与离型层14分离，此时第二有机层16与离型层14仍黏着于第一有机层12的表面12S。值得注意的是，在上述工艺完成后，可以制作出显示面板结构29。显示面板结构29是可挠式显示面板的半成品，亦即形成可挠式显示面板之间的中介结构，此时离型层14、第二有机层16、显示元件阵列18、导线22、导电黏着层24与驱动芯片20等构成可挠式显示面板的元件尚未脱离第一有机层12与承载基板10，因此显示面板结构29仍然被硬质的承载基板10所支撑保护。
如图9所示，接着将子板区10C内的离型层14、第二有机层16自该第一有机层12的表面12S分离，以形成多个可挠式显示面板30。各可挠式显示面板30包括一阻障层14’、一可挠曲结构层16’、显示元件阵列18与驱动芯片20等元件，其中阻障层14’是离型层14在脱离第一有机层12后所形成，因此，其材料与特性与离型层14相同，而可挠曲结构层16’是第二有机层16在脱离第一有机层12后所形成，因此，其材料与特性与第二有机层16相同，在此不再赘述。由于在形成驱动芯片20时会对应于第一开口141的第二有机层16施压，而使得第二有机层16与第一开口141所暴露出的第一有机层12之间的应力集中，但由于第二有机层16与第一开口141所暴露出的第一有机层12之间的第二接口S2具有较小的离型力，因此即使是上述对驱动芯片20施压的动作或是形成显示元件阵列18时的工艺温度造成此区域的黏着力的增加，在对此区域进行离型时仍不需要太大的离型力即可有效使第二有机层16脱离第一有机层12而形成可挠曲结构层16’，因此不会造成驱动芯片20或导线22的损伤。在本实施例中，于离型工艺之后，离型层14仍保留在第二有机层16的下表面而形成阻障层14’，而由于阻障层14’包括金属及或金属化合物等导电材料，因此，可以避免在离型工艺时产生静电，故可使显示元件阵列18与驱动芯片20免于受到静电破坏。此外，阻障层14’更可具有阻水氧特性，可增加可挠式显示面板30的寿命。
请参考图10。图10绘示了本发明的第一实施例的可挠式显示面板的示意图。如图10所示，本实施例的可挠式显示面板40具有一主动区40A以及一周边区40P环绕主动区40A。可挠式显示面板40包括一阻障层42、一可挠曲结构层44、一显示元件阵列46以及一驱动芯片48。阻障层42具有一第一开口421。阻障层42具有可挠曲特性，其材料如前述实施例所述，在此不再赘述。可挠曲结构层44设置于阻障层42上，其中可挠曲结构层44填入阻障层42的第一开口421内。可挠曲结构层44亦具有可挠曲特性，其材料与特性如前述实施例的第二有机层的材料，在此不再赘述。显示元件阵列46设置于可挠曲结构层44上并位于主动区40A内。显示元件阵列46的种类如前述实施例所述，在此不再赘述。驱动芯片48设置于可挠曲结构层44上，其中驱动芯片48与显示元件阵列46电性连接，且驱动芯片48对应于阻障层42的第一开口421。驱动芯片48可经由一导线50与显示元件阵列46电性连接，且驱动芯片48可借由一导电黏着层52例如异方性导电胶黏着并电性连接于导线50上。
请参考图11。图11绘示了本发明的第二实施例的可挠式显示面板的示意图。如图11所示，不同于第一实施例，本实施例的可挠式显示面板60另包括至少一对位图案54，设置于可挠曲结构层44上，且阻障层42另包括至少一第二开口422，而对位图案54对应于阻障层42的第二开口422。对位图案54作为可挠式显示面板60于工艺中的对位标记之用，而阻障层42的第二开口422则可容许由阻障层42的下方观察对位图案54。
综上所述，本发明的可挠式显示面板及其制作方法在一个分离接口上创造出多个具有不同离型力的区域，因此，可以确保可挠式显示面板与承载基板之间具有足够黏着力，而又可避免驱动芯片或导线于离型工艺中因为离型力过大而受损的问题。此外，本发明的可挠式显示面板的阻障层(离型层)可使用具有导电特性的材料，例如含金属层，因此可以避免在离型工艺时产生静电，故可使显示元件阵列与驱动芯片免于受到静电破坏。再者，阻障层(离型层)具有阻水氧作用，可延长可挠式显示面板的寿命。另外，阻障层(离型层)的开口可容许由阻障层(离型层)的下方观察对位图案，可以提升对位精准度。
虽然本发明已以较佳实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (17)
1.一种可挠式显示面板，具有一主动区以及一周边区环绕该主动区，其特征在于，该可挠式显示面板包括：
一阻障层，该阻障层具有一第一开口；
一可挠曲结构层，设置于该阻障层上，该可挠曲结构层填入该阻障层的该第一开口内；
一显示元件阵列，设置于该可挠曲结构层上并位于该主动区内；以及
一驱动芯片，设置于该可挠曲结构层上，该驱动芯片与该显示元件阵列电性连接，且该驱动芯片对应于该阻障层的该第一开口。
2.根据权利要求1所述的可挠式显示面板，其特征在于，该阻障层的材料包括金属、金属化合物或上述组合。
3.根据权利要求2所述的可挠式显示面板，其特征在于，该阻障层的金属包括金、银、铂、铜、钛、铝、铬、铅、铑、钼、钨、锌、锡或上述组合。
4.根据权利要求2所述的可挠式显示面板，其特征在于，该阻障层的金属化合物包括金属氧化物、金属氮化物或上述组合。
5.根据权利要求1所述的可挠式显示面板，其特征在于，该可挠曲结构层的材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚原冰烯、聚醚亚酰胺、聚苯并咪唑、聚苯并恶唑,、聚对苯二甲酰对苯二胺或上述组合。
6.根据权利要求1所述的可挠式显示面板，其特征在于，另包括一对位图案，设置于该可挠曲结构层上，其中该阻障层另包括一第二开口，且该对位图案对应于该阻障层的该第二开口。
7.一种可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一承载基板，该承载基板包括至少一子板区，该至少一子板区具有一主动区以及一周边区，且该周边区环绕该主动区；
于该承载基板的一表面上形成一第一有机层；
于该第一有机层的一表面上形成一离型层，其中该离型层具有至少一第一开口，且该至少一第一开口暴露出该至少一子板区的该周边区内的该第一有机层的一部分表面；
于该离型层的一表面上形成一第二有机层，其中该离型层与该第一有机层之间形成一第一接口，该第二有机层经由该至少一第一开口与该第一有机层的该部分表面之间形成一第二接口，且该第一界面的一离型力大于该第二界面的一离型力；
于该第二有机层上形成至少一显示元件阵列，其中该至少一显示元件阵列位于该至少一子板区的该主动区内；
进行一切割工艺，由该至少一子板区的该周边区切割该第二有机层以及该离型层，以使该至少一子板区内的该第二有机层与该离型层自该第一有机层的该表面分离，以形成至少一可挠式显示面板。
8.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，该承载基板包括一玻璃基板。
9.根据权利要求8所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，形成该第一有机层的方法包括对该玻璃基板的该表面进行一改质工艺。
10.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，该第一有机层的材料包括氟烷基衍生物。
11.根据权利要求10所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，该第一有机层的材料包括氟烷基硅烷。
12.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，该离型层的材料包括金属、金属化合物或上述组合。
13.根据权利要求12所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，该离型层的金属包括金、银、铂、铜、钛、铝、铬、铅、铑、钼、钨、锌、锡或上述组合。
14.根据权利要求12所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，该离型层的金属化合物包括金属氧化物、金属氮化物或上述组合。
15.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，该第二有机层的材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚原冰烯、聚醚亚酰胺、聚苯并咪唑、聚苯并恶唑、聚对苯二甲酰对苯二胺或上述组合。
16.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，另包括于该切割工艺之前，先于该第二有机层上形成至少一驱动芯片，该至少一驱动芯片与该至少一显示元件阵列电性连接，且该至少一驱动芯片对应于该离型层的该至少一第一开口。
17.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法，其特征在于，另包括于该第二有机层上形成至少一对位图案，其中该离型层另包括至少一第二开口，且该至少一对位图案对应于该离型层的该至少一第二开口。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103101066A TWI532163B (zh) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | 可撓式顯示面板及可撓式顯示面板之製作方法 |
| TW103101066 | 2014-01-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103928473A true CN103928473A (zh) | 2014-07-16 |
| CN103928473B CN103928473B (zh) | 2016-09-07 |
Family
ID=51146638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410123072.5A Active CN103928473B (zh) | 2014-01-10 | 2014-03-28 | 可挠式显示面板及可挠式显示面板的制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20150201498A1 (zh) |
| CN (1) | CN103928473B (zh) |
| TW (1) | TWI532163B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016127642A1 (en) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible display panel, method for fabricating the same, and apparatus for forming the same |
| CN106816530A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-09 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种柔性显示装置及其制作方法 |
| TWI627777B (zh) * | 2017-07-26 | 2018-06-21 | 財團法人工業技術研究院 | 光學補償結構 |
| CN110791220A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-14 | 达迈科技股份有限公司 | 用于柔性显示器的透明聚酰亚胺复合膜及其制造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103384447B (zh) * | 2013-06-26 | 2016-06-29 | 友达光电股份有限公司 | 软性电子装置 |
| KR20180027693A (ko) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN107606586B (zh) * | 2017-09-21 | 2019-12-24 | 友达光电(厦门)有限公司 | 背光单元 |
| CN110082951A (zh) | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 元太科技工业股份有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
| WO2020213103A1 (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-22 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200809970A (en) * | 2006-06-30 | 2008-02-16 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing semiconductor device |
| TW201030692A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-16 | Prime View Int Co Ltd | Methods of fabricating display device and flexible color display medium module thereof |
| US8570461B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polymer-dispersed liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| CN103413820A (zh) * | 2013-06-25 | 2013-11-27 | 友达光电股份有限公司 | 可挠式显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142414A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP4854998B2 (ja) * | 2005-07-05 | 2012-01-18 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| TWI354854B (en) | 2008-09-15 | 2011-12-21 | Ind Tech Res Inst | Substrate structures applied in flexible electrica |
| US8027079B2 (en) * | 2009-02-09 | 2011-09-27 | E Ink Holdings Inc. | Methods of fabricating display device and felxible color display medium module thereof |
| TW201102696A (en) | 2009-07-10 | 2011-01-16 | Cando Corp | Flexible touch panel and fabrication method for the same |
| TWI432835B (zh) | 2010-06-24 | 2014-04-01 | Au Optronics Corp | 可撓性顯示面板及其製造方法 |
| TWI515851B (zh) | 2013-01-10 | 2016-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 可撓性基板的製作方法 |
-
2014
- 2014-01-10 TW TW103101066A patent/TWI532163B/zh active
- 2014-03-28 CN CN201410123072.5A patent/CN103928473B/zh active Active
- 2014-07-17 US US14/333,518 patent/US20150201498A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-06-16 US US15/624,817 patent/US10573830B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200809970A (en) * | 2006-06-30 | 2008-02-16 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing semiconductor device |
| TW201030692A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-16 | Prime View Int Co Ltd | Methods of fabricating display device and flexible color display medium module thereof |
| US8570461B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-10-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polymer-dispersed liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| CN103413820A (zh) * | 2013-06-25 | 2013-11-27 | 友达光电股份有限公司 | 可挠式显示面板及其制造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016127642A1 (en) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible display panel, method for fabricating the same, and apparatus for forming the same |
| JP2018508796A (ja) * | 2015-02-12 | 2018-03-29 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | フレキシブル表示パネル、その製造方法、及び該フレキシブル表示パネルを形成するための装置 |
| US10164213B2 (en) | 2015-02-12 | 2018-12-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible display panel, method for fabricating the same, and apparatus for forming the same |
| CN106816530A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-09 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种柔性显示装置及其制作方法 |
| TWI627777B (zh) * | 2017-07-26 | 2018-06-21 | 財團法人工業技術研究院 | 光學補償結構 |
| CN110791220A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-14 | 达迈科技股份有限公司 | 用于柔性显示器的透明聚酰亚胺复合膜及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201528495A (zh) | 2015-07-16 |
| US10573830B2 (en) | 2020-02-25 |
| US20150201498A1 (en) | 2015-07-16 |
| US20170294611A1 (en) | 2017-10-12 |
| TWI532163B (zh) | 2016-05-01 |
| CN103928473B (zh) | 2016-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103928473A (zh) | 可挠式显示面板及可挠式显示面板的制作方法 | |
| KR102017155B1 (ko) | 터치스크린 패널 및 그의 제조방법 | |
| CN103337480B (zh) | 有源元件基板与其制作方法及显示器的制作方法 | |
| KR20140092683A (ko) | 터치스크린 패널 및 그의 제조방법 | |
| TW200403508A (en) | Display device and repairing method for broken line of the device | |
| TWI567453B (zh) | 矽基液晶面板及相關方法 | |
| CN112035013A (zh) | 触控面板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20100005457A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 | |
| WO2014183420A1 (zh) | 一种阵列基板及其制作方法和显示面板 | |
| CN103135304B (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| KR101909139B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| US20120168790A1 (en) | Display device structure and manufacturing method thereof | |
| KR20190025020A (ko) | Tft 액정 표시 소자 및 그 제조방법 | |
| US10585318B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| JP2020053004A (ja) | トレース電極として適した合金とその合金を用いたタッチパネル | |
| CN114242733A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| US10304855B2 (en) | Display panel, touch display device and wire structure | |
| CN108139829A (zh) | 电极连接单元及包括其的触摸屏面板 | |
| TWM466355U (zh) | 可撓性基板 | |
| US9196569B2 (en) | Bonding pad of array substrate, method for producing the same, array substrate, and liquid crystal display apparatus | |
| CN110993623A (zh) | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 | |
| CN110752200B (zh) | 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 | |
| CN113013181B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN111341790B (zh) | 显示装置及显示装置的制备方法 | |
| US9804698B2 (en) | Touch device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |