TWI515851B - 可撓性基板的製作方法 - Google Patents

Description

可撓性基板的製作方法

本發明是有關於一種製作可撓性基板的方法，特別是一種利用局部加熱程序形成粘著區與非粘著區的可撓性基板結構的製造方法。

一般而言，可撓性顯示器具有高輕巧性、耐衝擊性、可撓曲性與攜帶方便等特性，儼然成為新一代具有前瞻性的顯示技術。而在目前可撓性顯示器製程技術中，主要的技術瓶頸在於如何將薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)製作於可撓性基板上。

然而，現行的可撓性基板的製造與取得仍然存在於相當大的問題，例如：在可撓性基板製造過程中，可能會劣化容易產生氣泡或是裂開，因可撓性基板製程困難進而導致且良率極低。

有鑑於此，亟需一種製程成本低及製程時間短的可撓性基板製造方法，以解決上述問題。

本發明的目的在於提供一種製作可撓性基板的方法，其藉由局部進行加熱程序於含金屬層，可快速地於含金屬層與可撓性基板接觸處形成粘著區，於未進行加熱程序處形成非粘著區，而能夠節省製程時間與成本。

本發明之一態樣提供一種製作可撓性基板的方法，其包含下列步驟。提供一負載基板。形成一含金屬層於負載基板上。形成一可撓性基板於含金屬層上。局部進行一加熱程序於含金屬層，以於含金屬層與可撓性基板接觸處形成至少一粘著區，以及於未進行該加熱程序處形成至少一非粘著區。加熱程序之升溫速率大於或等於約10℃/分鐘，升溫最高溫度約為小於或等於可撓性基板之玻璃轉移溫度(Tg)。

根據本發明一實施方式，升溫速率約為10℃/分鐘至50℃/分鐘。

根據本發明一實施方式，升溫最高溫度約為200℃至400℃。

根據本發明一實施方式，局部進行加熱程序步驟係透過紅外線、電流、電磁波、加熱板或前述之組合局部進行該加熱程序。

根據本發明一實施方式，含金屬層與可撓性基板之接觸處之粘著區的粘著強度約大於或等於30克力(gf)，未進行該加熱程序處之非粘著區的粘著強度約小於30克力(gf)。

根據本發明一實施方式，方法更包含於局部進行加熱程序後，進行一成膜製程於可撓性基板上，成膜製程包含主動元件陣列製程、彩色濾光片製程或前述製程之組合。

根據本發明一實施方式，方法更包含於局部進行加熱程序後，進行另一次加熱程序於含金屬層與可撓性基板之 接觸處之粘著區，以使粘著區的粘著強度約小於30克力，以及剝離可撓性基板。

根據本發明一實施方式，另一次加熱程序之升溫最高溫度大於可撓性基板之玻璃轉移溫度(Tg)，且約小於或等於可撓性基板之裂解溫度(Td)。

根據本發明一實施方式，方法更包含切割非粘著區、鄰近於非粘著區之粘著區或粘著區與非粘著區之邊界，以及剝離可撓性基板。

根據本發明一實施方式，含金屬層包含金屬、金屬化合物或前述之組合。

根據本發明一實施方式，含金屬層包含一金屬元素係選自由下列所構成之群組：鈦(Ti)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、矽(Si)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、銠(Rh)、釕(Ru)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鋨(Os)、銥(Ir)及前述至少二種金屬元素之組合。

根據本發明一實施方式，金屬化合物係選自由金屬氧化物、金屬氮化物及前述之組合。

根據本發明一實施方式，形成含金屬層步驟包含圖案化含金屬層。

本發明之實施方式是藉由局部進行加熱程序，以於含金屬層與可撓性基板接觸處形成粘著區，以及於未進行該加熱程序處形成非粘著區，因此製程速度快、製程成本低，且含金屬層能夠承受高溫製程。換言之，本發明的確提供了一種有效固定可撓性基板於負載基板上的方法，且此方 法能夠輕易地應用於各種需要製作元件於可撓性基板上的製程中。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1A-1B圖係分別顯示依照本發明一實施方式之可撓性基板結構的立體圖與剖面示意圖。第2圖係顯示依照本發明一實施方式之製作可撓性基板的方法之一製程階段的剖面示意圖。製作可撓性基板的方法請依序參照第1圖及第2圖。

首先，如第1圖所示，提供一負載(carrier or support)基板110。此負載基板110較佳為一種硬質基板，例如玻璃基板、石英基板或矽基板，但不以此為限。

接著，形成含金屬層120於負載基板110上，如第1圖所示。形成含金屬層120的方法例如為物理氣相沉積、化學氣相沉積製程、網版印刷製程、噴墨、噴墨塗佈製程、金屬遮罩沈積製程、金屬遮罩蒸鍍製程或其它合適的製程。含金屬層120可全部或部分覆蓋負載基板110。換言之，含金屬層120可為整面含金屬層120或為圖案化含金 屬層120。第1圖例示為整面的含金屬層120，而圖案化含金屬層120之實施方式(例示於第4A-4B圖中)將於下述中再詳細說明。

含金屬層120包含金屬、金屬化合物或前述之組合。詳細而言，含金屬層120包含一金屬元素係選自由下列所構成之群組：鈦(Ti)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、矽(Si)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鋨(Os)、銥(Ir)及前述至少二種金屬元素之組合。另外，金屬化合物係選自由金屬氧化物、金屬氮化物及前述之組合。

於形成含金屬層120後，形成可撓性基板130於含金屬層120上。可撓性基板130的材質包括聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylene benzobisimidazole),PBI)、聚苯并噁唑(poly(p-phenylene benzobisoxazole),PBO)、聚對苯二甲酰對苯二胺(poly(p-phenylene terephthalamide),PPTA)其他合適的材料或上述之組合，但不以此為限。本發明以聚亞醯胺為較佳實施例。其中，上述可撓性基板材質的物理或化學性質可查閱物質安全資料表(material safely data sheet，MSDS)。可撓性基板130也可為有機材料與無機材料的組合。例如可先塗佈可撓性基板130的組成物於含金屬層120上，再固化此組成物，而形成可撓性基板130。

隨後，如第2圖所示，局部進行一加熱程序於含金屬層120，以於含金屬層120與可撓性基板130接觸處形成至少一粘著區Rb，以及於未進行加熱程序處形成至少一非粘著區Rn。局部進行加熱程序的目的是要讓局部的含金屬層120中的金屬、金屬化合物或前述之組合與可撓性基板130產生極高的粘著性。當然，預定形成非粘著區Rn的部分不能夠被加熱。其中，加熱程序的加熱源，較佳地，是局部加熱於負載基板110外表面(如圖所示)，再傳熱到含金屬層中，但不限於此。於其它實施例中，加熱程序的加熱源，是局部加熱於可撓性基板130上，再傳熱到含金屬層中。或者是，加熱程序的加熱源，同時局部加熱於負載基板110外表面與可撓性基板130上，並同時再傳熱到含金屬層中。

實際檢測發現，當升溫速率大於或等於10℃/分鐘，升溫最高溫度小於或等於可撓性基板130之玻璃轉移溫度(Tg)的條件下，能夠使含金屬層120與可撓性基板130間產生高粘著性。此高粘著性之性質據信是由於加熱程序中的含金屬層120的熱膨脹係數與可撓性基板130的熱膨脹係數相異而產生內應力造成。

承上述，升溫最高溫度需實質上小於或等於可撓性基板130之玻璃轉移溫度(Tg)。換言之，在此加熱程序中，可撓性基板130仍處於玻璃態(glass state)，且熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion,CTE)的變化極小。本發明可撓性基板130的玻璃轉移溫度需小於或等於約430℃，較佳地，可撓性基板130的玻璃轉移溫度需約200℃至約 400℃，以避免可撓性基板130於後續的製程，例如：沈積薄膜製程，產生劣化、起泡、變質或黃化現象，而不能使用或良率降低。舉例來說，聚醯亞胺基板的升溫最高溫度需小於或等於約400℃。聚碳酸酯基板的升溫最高溫度需不大於約260℃、聚醚碸基板的升溫最高溫度需不大於約230℃、聚原冰烯基板的升溫最高溫度需不大於約270℃、聚醚亞醯胺基板的升溫最高溫度需不大於約216℃、聚苯并咪唑基板的升溫最高溫度需不大於約420℃、聚苯并噁唑基板的升溫最高溫度需分別不大於約300℃與聚對苯二甲酰對苯二胺基板的升溫最高溫度需分別不大於約350℃。

在一實施方式中，加熱程序的升溫速率約為10℃/分鐘至50℃/分鐘。在一實施方式中，加熱程序的升溫最高溫度約為200℃至400℃。根據下述的實驗例可得知，分別為二氧化鈦及氧化鋁的含金屬層120，當升溫最高溫度約為200℃時，升溫速率較佳至少約為50℃/分鐘。當升溫最高溫度約為300℃或400℃時，升溫速率較佳至少約為10℃/分鐘。換言之，當含金屬層120為二氧化鈦或氧化鋁時，若設定較低的升溫最高溫度，則需以較快的速度升溫，才能達到良好的粘著效果。

另外，局部進行加熱程序步驟可利用外部熱源(如紅外線、微波、電磁波、加熱板)或者是內部加熱(如電壓加熱、電流加熱、電磁波加熱)等方式局部加熱含金屬層120，但不限於此。

例如可使用紅外線燈管或加熱板局部加熱含金屬層120。而在此所使用的含金屬層120可為整面的含金屬層120或者是圖案化含金屬層120。

電流加熱是利用電流的焦耳效應將電能轉換成熱能，而可快速加熱物體。例如可直接施加電壓於含金屬層120，使其內部產生熱能而升溫。但含金屬層120需暴露出一部分，以使電壓能夠直接施加於含金屬層120。

電磁波加熱是將電能以電磁波形式直接作用於物體，使其內部產生熱能。例如可將可撓性基板結構置於帶有電磁場的極板間或置於能產生電磁波的感應線圈內。據此，以上述電流加熱與電磁波加熱方式而言，較佳係於預定形成粘著區Rb的位置設有含金屬層120，於預定形成非粘著區Rn的位置不設置含金屬層120。換言之，在此所使用的含金屬層120較佳為圖案化含金屬層120。此時，粘著區Rb的粘著強度實質上大於非粘著區Rn的粘著強度。

在一實施方式中，含金屬層120與可撓性基板130之接觸處的粘著區Rb的粘著強度大於或等於約30克力(gf)，未進行該加熱程序處之非粘著區Rn的粘著強度約小於30克力(gram-force，gf)。較佳的是，粘著區Rb的粘著強度大於或等於約50克力(gf)。如第2圖所示，未進行該加熱程序處是指兩粘著區Rb之間未進行該加熱程序的區域，亦即含金屬層120與可撓性基板130接觸處的另一部分。在此所指的「粘著強度」是指在試片寬度約為25毫米，剝離速度約為300毫米/分鐘的條件下，兩層材料(例如含金屬層120與可撓性基板130)分別往二個不同方向拉伸，以 使得二層材料產生剝離之強度，其中，二個不同方向間的夾角約180度。

在另一實施方式中，製造可撓性基板130的方法更包含於局部進行加熱程序後，進行一成膜製程於可撓性基板130上。一般而言，成膜製程包含主動元件陣列製程、彩色濾光片製程或前述製程之組合。所進行的成膜製程為主動元件陣列製程，是指於可撓性基板130上形成主動元件陣列；所進行的成膜製程150為彩色濾光片製程，是指於可撓性基板130上形成彩色濾光片。另一方面，所進行的成膜製程150同時包含主動元件陣列製程以及彩色濾光片製程，是指於可撓性基板130上形成彩色濾光片位於陣列上(color filter on array,COA)結構或陣列位於彩色濾光片上(array on color filter,AOC)結構；或者是黑色矩陣(black matrix，BM)位於陣列上(black matrix on array,BOA)結構或陣列位於黑色矩陣(black matrix，BM)上(array on black matrix,AOB)結構。其中主動元件陣列製程例如是具有主動層之薄膜電晶體陣列製程，主動層為單層或多層結構，且其材料包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體、氧化物半導體、其他合適的材料或上述之組合。

在另一實施方式中，製造可撓性基板130的方法更包含局部進行加熱程序後，進行另一次加熱程序於含金屬層120與可撓性基板130之接觸處之粘著區Rb，以使粘著區Rb的粘著強度實質上小於非粘著區Rn的粘著強度。較佳地，進行另一次加熱程序於含金屬層120與可撓性基板130之接觸處之粘著區Rb，以使粘著區Rb的粘著強度約小於 30克力(gf)。隨後，可藉由任何方式剝離可撓性基板130。由於經過另一次加熱程序後，含金屬層120與可撓性基板130的所有接觸處的粘著強度均低於約30克力，故可輕易地剝離可撓性基板130。

但為了不讓可撓性基板130於另一次加熱程序中嚴重裂解或變質，故其升溫最高溫度大於可撓性基板130的玻璃轉移溫度(Tg)，且約小於或等於可撓性基板130的裂解溫度(Td)。在此所指的「裂解溫度(Td)」，是指以熱重分析儀(thermogravimetric analysis,TGA)(升溫速率約為10℃/分鐘)所測得的可撓性基板130的熱裂解溫度Td5(即失重約為5%時的溫度)。推測可能是含金屬層120和可撓性基板130間界面的內應力於另一次加熱程序中，可撓性基板130中的高分子重新排列釋放應力，而造成粘著區Rb的粘著強度大幅下降。其中，另一次加熱程序的加熱源，較佳地，是局部加熱於負載基板110外表面(如圖所示)，再傳熱到含金屬層中，但不限於此。於其它實施例中，另一次加熱程序的加熱源，是局部加熱於可撓性基板130上，再傳熱到含金屬層中。或者是，另一次加熱程序的加熱源，同時局部加熱於負載基板110外表面與可撓性基板130上，並同時再傳熱到含金屬層中。

舉例來說，聚醯亞胺基板的另一次加熱程序之升溫最高溫度需介於約420℃至約500℃。聚碳酸酯基板的另一次加熱程序之升溫最高溫度範圍為約270℃至約320℃、聚醚碸基板的另一次加熱程序之升溫最高溫度範圍為約240℃至約280℃、聚原冰烯基板的另一次加熱程序之升溫最高 溫度範圍為約280℃至約320℃、聚醚亞醯胺基板的另一次加熱程序之升溫最高溫度範圍為約230℃至約260℃、聚苯并咪唑基板的另一次加熱程序之升溫最高溫度範圍為約430℃至520℃、聚苯并噁唑基板的另一次加熱程序之升溫最高溫度範圍為約345℃至410℃與聚對苯二甲酰對苯二胺基板的另一次加熱程序之升溫最高溫度範圍為約360℃至480℃。

此外，另一次加熱程序也不能讓成膜製程所形成的元件(如彩色濾光樹脂或半導體層)嚴重裂解或變質。因此，較佳的是同時考量到各種材料的耐熱特性，以決定另一次加熱程序的升溫最高溫度。其中，可撓性基板130於另一次加熱程序可運用於成膜製程之前或之後。

在另一實施方式中，製造可撓性基板130的方法更包含切割非粘著區(如第3A圖所示)、鄰近於非粘著區Rn之粘著區Rb(如第3C圖所示)或粘著區Rb與非粘著區Rn之邊界(如第3B圖所示)，再以任何方式剝離可撓性基板130。例如可使用鏟刀、刀輪、鑽石刀、雷射或上述之組合切割上述的位置。詳細而言，較佳的是可先切割非粘著區Rn(如第3A圖所示)，再剝離可撓性基板130的非粘著區Rn的其中一角，然後以機械方式分離含金屬層120與可撓性基板130。次佳的是切割粘著區Rb與非粘著區Rn的邊界，如第3B圖所示。另外，也可切割鄰近於非粘著區Rn之粘著區Rb，再施力撕離可撓性基板130的非粘著區Rn的其中一角，並撕開至非粘著區Rn，然後以機械方式分離含金屬層120與可撓性基板130。其中，切割與剝離可撓 性基板130程序可接續於進行另一次加熱程序在可撓性基板130之後，或者是，切割與剝離可撓性基板130程序可直接接續著局部進行一加熱程序於含金屬層120之後，而上述二者程序之間可不存在進行另一次加熱程序在可撓性基板130。其中，取下的可撓性基板的形狀不限於矩形，其它形狀亦可，例如：圓形、楕圓、多邊形、或其它合適的形狀。

第4A圖顯示依照本發明一實施方式之可撓性基板結構的上視示意圖。第4B圖係顯示依照本發明另一實施方式之可撓性基板結構的上視示意圖。第4C圖係顯示第4A圖之可撓性基板結構的剖面示意圖。其中，第4A圖與第4B圖顯示的可撓性基板結構均包含圖案化的含金屬層120。也就是說，製造方法中包括圖案化含金屬層120之步驟。圖案化含金屬層120的方式例如為光學微影(photolithographic)與蝕刻製程；或者是網版印刷製程、噴墨塗佈製程、金屬遮罩沈積製程、金屬遮罩蒸鍍製程或其它合適的製程，來形成圖案化含金屬層120。至於提供負載基板110與形成可撓性基板130等步驟請參考上述實施方式，在此不再贅述。

與第4A圖的差異在於，第4B圖顯示的可撓性基板結構可在單片負載基板上製造出多片可撓性基板。如第4B圖所示，於一負載基板110上形成一陣列狀的圖案化含金屬層120，再於含金屬層120上形成整面的可撓性基板130。其中，陣列狀的圖案化含金屬層120中開口的形狀(即後續要取下的可撓性基板的形狀)不限於矩形，其它形狀亦 可，例如：圓形、楕圓、多邊形、或其它合適的形狀。當進行局部加熱程序後，於含金屬層120與可撓性基板130接觸處形成粘著區Rb。最後以上述的方式，例如：先進行另一加熱程序，再以切割程序或者是僅以切割程序，可一次取下四片可撓性基板(130a、130b、130c及130d)。第4B圖的單片負載基板上的單片可撓性基板(130a、130b、130c或130d)堆疊結構的剖面圖類似於第4C圖所示。因此，第4B圖相關的程序/製程或步驟，例如：加熱程序、成膜製程、切割/剝離步驟，可參閱上述的描述，例如：第4A圖及其後序圖示的描述或者是第2圖及其後序圖示的描述。

第5圖係顯示依照本發明一實施方式之製作可撓性基板的方法之一製程階段的剖面示意圖。如第5圖所示，局部進行加熱程序於圖案化含金屬層120，以形成粘著區Rb。而非粘著區Rn可位於兩粘著區Rb之間。假使進行加熱程序後不會增加可撓性基板130與負載基板110間的粘著強度，也可對此可撓性基板結構全面進行加熱程序。

並且，可選擇性地進行成膜製程於可撓性基板130上。成膜製程的具體實施方式請參閱上述。

為了取下可撓性基板130，可先進行另一次加熱程序，再以任何方式剝離可撓性基板130，其具體實施方式請參閱上述。或者，先切割非粘著區(如第6A圖所示)、鄰近於非粘著區Rn之粘著區Rb(如第6C圖所示)或切割粘著區Rb與非粘著區Rn之邊界(如第6B圖所示)，再以任何方式剝離可撓性基板130。上述切割、剝離步驟的具體實施方式及其與其他步驟之間的順序，請參閱上述第3A-3C圖的 具體實施方式。

實施例

以下的實施例係用以詳述本發明之特定態樣，並使本發明所屬技術領域中具有通常知識者得以實施本發明。以下的實施例不應用以限制本發明。

比較例1：未經加熱程序處理之聚醯亞胺層/二氧化鈦層

先形成聚醯亞胺層於二氧化鈦層上。然後，將未經過任何加熱程序處理的情況下所得的試片，測試聚醯亞胺層與二氧化鈦層間的約180°剝離強度。試片寬度約為25毫米，剝離速度約為300毫米/分鐘。

實驗例1-8：經加熱程序處理之聚醯亞胺層/二氧化鈦層

先形成聚醯亞胺層於二氧化鈦層上。然後經過不同的加熱程序處理，形成實驗例1-8的試片，其加熱條件如表一所示。實驗例1的試片是於約3℃/分鐘升溫約至200℃，恆溫約1小時，再冷卻至約25℃(約室溫)。實驗例2-8的試片的製備方式類似於實驗例1，不同之處在於加熱條件。然後以相同於比較例1之測試方式測試實驗例1-8的試片的約180°剝離強度，其測試結果列於表一中。

由表一的數據可知，當升溫最高溫度為約200℃時，升溫速率較佳為約50℃/分鐘，使聚醯亞胺層/二氧化鈦層間的剝離強度達到約70克力。當升溫最高溫度為約300℃時，升溫速率較佳為約10℃/分鐘，使聚醯亞胺層/二氧化鈦層間的剝離強度達到約120克力。當升溫最高溫度為約400℃時，升溫速率較佳為約10℃/分鐘，使聚醯亞胺層/二氧化鈦層間的剝離強度達到約40克力。上述加熱條件皆能夠使聚醯亞胺層與二氧化鈦層間形成有效的粘著區。

比較例2：未經加熱程序處理之聚醯亞胺層/氧化鋁層

先形成聚醯亞胺層於氧化鋁(Al₂O₃)層上。然後，將未經過任何加熱程序處理的情況下所得的試片，測試聚醯亞胺層與氧化鋁層間的約180°剝離強度。試片寬度為約25毫米，剝離速度為約300毫米/分鐘。

實驗例9-16：經加熱程序處理之聚醯亞胺層/氧化鋁層

先形成聚醯亞胺層於氧化鋁層上。然後經過不同的加熱程序處理，形成實驗例9-16的試片，其加熱條件如表二所示。實驗例9的試片是於約3℃/分鐘升溫至約200℃，恆溫約1小時，再冷卻至室溫(約25℃)。實驗例10-16的試片的製備方式類似於實驗例9，不同之處在於加熱條件。然後以相同於比較例2之測試方式測試實驗例9-16的試片的約180°剝離強度，其測試結果列於表二中。

由表二的數據可知，當升溫最高溫度為約200℃時，升溫速率較佳為約50℃/分鐘，使聚醯亞胺層/氧化鋁層間 的剝離強度達到約270克力。當升溫最高溫度為約300℃時，升溫速率較佳為約10℃/分鐘，使聚醯亞胺層/氧化鋁層間的剝離強度達到約350克力。當升溫最高溫度為約400℃時，升溫速率較佳為約10℃/分鐘，使聚醯亞胺層/氧化鋁層間的剝離強度達到約30克力。上述加熱條件皆能夠使聚醯亞胺層與氧化鋁層間形成有效的粘著區。

綜上所述，讓含金屬層與可撓性基板接觸處藉由局部進行加熱程序形成粘著區，具有速度快、成本低等優點，且含金屬層能夠承受後續各種高溫製程。據此，本發明確實提供了一種有效固定可撓性基板於負載基板上的方法，且此方法能夠輕易地應用於各種需要製作元件於可撓性基板上的製程中。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

110‧‧‧負載基板

120‧‧‧含金屬層

130‧‧‧可撓性基板

Rb‧‧‧粘著區

Rn‧‧‧非粘著區

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1A-1B圖係分別顯示依照本發明一實施方式之可撓性基板結構的立體圖與剖面示意圖。

第2圖係顯示依照本發明一實施方式之製作可撓性基 板的方法之一製程階段的剖面示意圖。

第3A-3C圖係顯示依照本發明數實施方式之製作可撓性基板的方法之一製程階段的剖面示意圖。

第4A圖係顯示依照本發明一實施方式之可撓性基板結構的上視示意圖。

第4B圖係顯示依照本發明另一實施方式之可撓性基板結構的上視示意圖。

第4C圖係顯示第4A圖之可撓性基板結構的剖面示意圖。

第5圖係顯示依照本發明一實施方式之製作可撓性基板的方法之一製程階段的剖面示意圖。

第6A-6C圖係顯示依照本發明數實施方式之製作可撓性基板的方法之一製程階段的剖面示意圖。

110‧‧‧負載基板

120‧‧‧含金屬層

130‧‧‧可撓性基板

Rb‧‧‧粘著區

Rn‧‧‧非粘著區

Claims (13)

1. 一種製作可撓性基板的方法，依序包含：提供一負載基板；形成一含金屬層於該負載基板上；形成一可撓性基板於該含金屬層上；以及局部進行一加熱程序於該含金屬層，以於該含金屬層與該可撓性基板接觸處形成至少一粘著區，以及於未進行該加熱程序處形成至少一非粘著區，其中該加熱程序之升溫速率大於或等於10℃/分鐘，升溫最高溫度為小於或等於該可撓性基板之玻璃轉移溫度(Tg)。
2. 如請求項1所述之方法，其中該升溫速率為10℃/分鐘至50℃/分鐘。
3. 如請求項1所述之方法，其中該升溫最高溫度為200℃至400℃。
4. 如請求項1所述之方法，其中局部進行該加熱程序步驟係透過紅外線、微波、電磁波、加熱板、電流、電壓或前述之組合局部進行該加熱程序。
5. 如請求項1所述之方法，其中該含金屬層與該可撓性基板之該接觸處之該粘著區的粘著強度大於或等於30克力(gf)，未進行該加熱程序處之該非粘著區的粘著強度小於30克力(gf)。
6. 如請求項1所述之方法，更包含於局部進行該加熱程序後，進行一成膜製程於該可撓性基板上，該成膜製程包含主動元件陣列製程、彩色濾光片製程、黑色矩陣製程或前述製程之組合。
7. 如請求項1或6所述之方法，更包含於局部進行該加熱程序後，進行另一次加熱程序於該含金屬層與該可撓性基板之該接觸處之該粘著區，以使該粘著區的粘著強度小於30克力；以及剝離該可撓性基板。
8. 如請求項7所述之方法，其中該另一次加熱程序之升溫最高溫度大於該可撓性基板之玻璃轉移溫度(Tg)，且小於或等於該可撓性基板之裂解溫度(Td)。
9. 如請求項1或6所述之方法，更包含：切割該非粘著區、鄰近於該非粘著區之該粘著區或該粘著區與該非粘著區之邊界；以及剝離該可撓性基板。
10. 如請求項1所述之方法，其中該含金屬層包含金屬、金屬化合物或前述之組合。
11. 如請求項10所述之方法，其中該含金屬層包含一金屬元素係選自由下列所構成之群組：鈦(Ti)、鋁(Al)、銦 (In)、錫(Sn)、矽(Si)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、銠(Rh)、釕(Ru)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鋨(Os)、銥(Ir)及前述至少二種金屬元素之組合。
12. 如請求項10所述之方法，其中該金屬化合物係選自由金屬氧化物、金屬氮化物及前述之組合。
13. 如請求項1所述之方法，其中形成該含金屬層步驟包含圖案化該含金屬層。