CN103898475A - 一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 - Google Patents
一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103898475A CN103898475A CN201410160934.1A CN201410160934A CN103898475A CN 103898475 A CN103898475 A CN 103898475A CN 201410160934 A CN201410160934 A CN 201410160934A CN 103898475 A CN103898475 A CN 103898475A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dust
- chamber
- sediment chamber
- deposition
- passage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 68
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 172
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000013049 sediment Substances 0.000 claims description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 6
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 3
- 241000209456 Plumbago Species 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005842 biochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开一种多腔室石墨沉积装置，包括收尘机构、具有两个以上沉积室的沉积机构以及用于盛放固体原料并向所述沉积室供送气态原料的原料供给机构，所述收尘机构设有用于收集所述沉积室逸出的粉尘的收尘容器以及用于供所述沉积室逸出的粉尘通过并流向所述收尘容器的收尘通道。本发明由于设置具有两个以上沉积室的沉积机构，设置的原料供给机构用来盛放固体原料并向所述沉积室供送气态原料，因而相比于单腔室沉积组件能使产量大为提高；设置的收尘机构使得沉积过程中产生的粉尘能够在经过收尘通道时或经过后在收尘容器中沉淀下来被收集，减少向外排放的量，使沉积过程能够顺利进行，又能尽量减少对环境的污染。本发明还公开一种化学气相沉积炉。
Description
技术领域
本发明涉及化学气相沉积炉技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积炉的石墨沉积装置以及设有此沉积装置的化学气相沉积炉。
背景技术
现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料。在具体应用时，这些无极新材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料，这就需要用到化学气相沉积法。化学气相沉积（Chemical vapor deposition，简称CVD）是将反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术，已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。
石墨材料被广泛应用到化学气相沉积系统上作为衬体或者沉积部分的组件，这是因为石墨沉积组件比较容易加工，导热性能比较好。一般的化学气相沉积系统，其采用的石墨沉积组件基本上都为单一腔室，即整个沉积系统只设置一个沉积室，这种单一腔室的石墨沉积组件对于小的炉体来说应用起来比较方便，但是对于应用于大规模的工业化生产上，采用单一腔室的石墨沉积组件生产成本比较高，且操作起来不方便，造成生产效率低下。此外，化学气相沉积过程中一般会产生粉尘，若粉尘不能得以有效处理，将会对产品的性能产生极大的影响，严重时可能会导致整个化学气相沉积过程终止，而现有技术中的化学气相沉积系统的沉积组件仅在排气管上设置过滤机构，将粉尘过滤后向外排出，但由于化学气相沉积过程中，沉积下来的固体物质仅为40%左右，大约60%的固体物质并不能沉积下来，而是形成粉尘，所以现有技术中这种在沉积过程中将粉尘过滤后再排出的方式，很容易造成过滤机构堵塞，排气管无法向外排放粉尘，影响沉积过程的工作效率；而且在沉积过程中过滤后再排放粉尘，使得向外排放的粉尘较多，不环保。
由此可见，如何对现有技术改进，提供一种化学气相沉积炉的石墨沉积装置，能够适用于大规模的工业化生产，提高产量，同时能够避免或减少化学气相沉积过程中的粉尘，这是本领域目前需要解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种多腔室石墨沉积装置，既能提高产量，又能减少生产过程中产生的粉尘向外排放的量。基于此，本发明还提供一种设有此多腔室石墨沉积装置的化学气相沉积炉。
为解决以上技术问题，本发明的技术方案是：
一种多腔室石墨沉积装置，包括收尘机构、具有两个以上沉积室的沉积机构以及用于盛放固体原料并向所述沉积室供送气态原料的原料供给机构，所述收尘机构设有用于收集所述沉积室逸出的粉尘的收尘容器以及用于供所述沉积室逸出的粉尘通过并流向所述收尘容器的收尘通道。
本技术方案中，原料供给机构是用来放置待加热气化的固态原料，加热系统对原料供给机构的盛放容器进行加热后使固态原料气化，形成气态原料；盛放容器为耐热材料制成，将热量积聚并传递至待加热原料使之成为气相。作为优选的技术方案，可以采用坩埚作为盛放容器，原料供给机构的其他部件即为坩埚的配套部件以及输送气态原料的管道，坩埚的配套部件为坩埚盖、坩埚固定板等，此处不再赘述。
本技术方案中，收尘机构设置收尘容器、收尘通道，生产过程中产生的粉尘不直接排出，而是通过流经收尘通道，在流动过程中沉淀在收尘容器中被集中收集起来，最后在生产结束后统一将收尘容器进行处理，这样就减少在生产过程中直接向外排放的量。收尘通道以使粉尘流动尽可能长的路径，以使之尽可能多地沉淀到收尘容器中。
本技术方案中，设置的沉积机构具有两个以上沉积室用来实现沉积，可设置与之一一对应的原料供给机构，用来提供气化的原料，也可仅设置一个原料供给机构。
本技术方案中，设置的沉积室，其形状可以长方体形或多棱柱体形。
作为一种优选的技术方案，所述收尘机构还包括用于将所述沉积室逸出的粉尘导向所述收尘通道的导流机构。
作为一种优选的技术方案，所述导流机构包括倾斜设置在所述沉积室的出气孔旁的导流主板，所述导流主板与所述出气孔所在的沉积室壁面成15～60度角。
作为一种优选的技术方案，所述导流机构还包括设置在所述导流主板两侧的导流侧板，所述导流主板与所述导流侧板形成的导流腔位于所述出气孔的上方。
作为一种优选的技术方案，所述收尘容器包括第一收尘容器、第二收尘容器，所述收尘通道包括供所述沉积室逸出的粉尘通过并流向所述第一收尘容器的第一收尘通道、用于供未被第一收尘容器收集的粉尘通过并流向第二收尘容器的第二收尘通道，所述导流机构用于将从所述沉积室逸出的粉尘导向第一收尘通道。
作为一种优选的实施方案，所述收尘机构包括下部与所述沉积室导通的收料盒、大体水平设置在所述收料盒中作为第一收尘容器的收料板、设置在所述收料板下方作为第二收尘容器的收尘桶，所述收尘桶的上端口与所述收料盒的内腔导通，所述收料板的边缘与所述收料盒侧板内壁之间形成作为第一收尘通道的间隙，所述收料板设置有作为第二收尘通道的收尘孔；所述沉积室设有将其内腔与所述收料盒内腔导通的出气孔，所述导流机构设置在所述出气孔旁，所述导流机构的顶端向所述收料板的边缘偏离。
作为一种优选的实施方案，所述收尘机构还包括设置在所述收料盒上方的出气筒、设置在所述收尘桶与所述出气筒之间将二者导通的第一收尘管、设置在所述收料板与所述沉积室顶部之间的第二收尘管，所述第二收尘管的口径大于所述收尘筒的口径，将所述收尘筒及所述第一收尘管围设在内，所述第一收尘管穿过所述收料板。
作为一种优选的技术方案，各沉积室围绕一中心轴线间隔均匀地呈圆周分布。作为另一种技术方案，各沉积室也可呈阵列分布。
作为一种优选的实施方案，所述收尘机构位于所述沉积机构的上方，所述原料供给机构设置在所述沉积机构的下方，所述收尘机构上设有与所述沉积室一一对应的顶部进气管通道，顶部进气管由所述顶部进气管通道穿过接入所述原料供给机构，所述原料供给机构的底部设有底部进气管通道，底部进气管由所述底部进气管通道接入所述沉积室，所述顶部进气管和所述底部进气管供不同工艺气体通过。
作为一种优选的实施方案，所述沉积室设有沉积室底板，所述沉积室底板设有供不同气体导入所述沉积室的第一进气口和第二进气口，所述第一进气口与所述第二进气口间隔交替设置。本技术方案的这种设置方式，可以使不同气体在沉积室更好、更快地混合均匀。
作为一种优选的实施方案，所述沉积机构包括一沉积室盖板，所述沉积室盖板覆盖各沉积室的顶部开口，即多个沉积室共用一个沉积室盖板，这样可简化结构，使得拆装更方便。
作为一种优选的实施方案，所述沉积室盖板作为所述收料盒的底板。这样的设置可简化结构，方便拆装。
本发明的一种化学气相沉积炉，设有前述的多腔室石墨沉积装置，化学气相沉积炉的其他部件参见现有技术，此处不再赘述。
与现有技术相比，本发明的化学气相沉积炉的多腔室石墨沉积装置，由于设置具有两个以上沉积室的沉积机构，设置的原料供给机构用来盛放固体原料并向所述沉积室供送气态原料，因而相比于现有技术中的单腔室沉积组件能使产量大为提高；设置的收尘机构设有用于收集所述沉积室逸出的粉尘的收尘容器以及用于供所述沉积室逸出的粉尘通过并流向所述收尘容器的收尘通道，这使得沉积过程中产生的粉尘能够在经过收尘通道时或经过后在收尘容器中沉淀下来被收集，减少向外排放的量，使沉积过程能够顺利进行，又能尽量减少对环境的污染。
附图说明
图1为本发明化学气相沉积炉的多腔室石墨沉积装置实施例一的结构示意图；
图2为图1中沉积装置的纵向剖视图；
图3为图1中沉积室与坩埚的配合示意图；
图4为图1中导流板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面通过具体实施例结合附图对本发明的多腔室石墨沉积装置作进一步的详细说明。
本发明的基本构思是，提供一种化学气相沉积炉的多腔室石墨沉积装置，包括收尘机构、具有两个以上沉积室的沉积机构以及用于盛放固体原料并向所述沉积室供送气态原料的原料供给机构，所述收尘机构设有用于收集所述沉积室逸出的粉尘的收尘容器以及用于供所述沉积室逸出的粉尘通过并流向所述收尘容器的收尘通道。本发明的沉积装置，由于设置的沉积机构具有两个以上沉积室；设置的收尘机构，具有收集沉积室逸出粉尘的收尘容器以及供沉积室逸出粉尘流向收尘容器的收尘通道，因而既能提高产量，使之能够适用于大规模的工业化生产；同时又能将进行化学气相沉积时产生的粉尘统一收集，待沉积过程结束后一并处理，使化学气相沉积能够顺利进行同时又能尽量减少对环境的污染。
实施例一
参见图1～图4，本实施例的化学气相沉积炉的多腔室石墨沉积装置，其包括沉积机构、设置在沉积机构上的收尘机构，沉积机构设置在化学气相沉积炉的原料供给机构上。
其中，沉积机构包括两个沉积室1，两个沉积室1相向设置，每个沉积室1由两块窄的沉积板11和两块宽的沉积板11组成，形成一个矩形盒体结构，每个沉积室的相邻沉积板之间采用螺栓连接固定，该沉积室作为沉积装置的主要沉积部位。在两个沉积室11的顶部和底部分别设有沉积室盖板12和沉积室底板13，两个沉积室1共用一个沉积室盖板12，但两个沉积室各自设置沉积室底板13。沉积室盖板12上设有出气孔12c，在出气孔12c旁设有导流机构，由出气孔12c出来的含粉尘气体经由导流机构导流。导流机构包括倾斜设置的导流主板12a以及连接在导流主板12a两侧的导流侧板12b，导流主板12a与导流侧板12b形成的导流腔位于出气孔12c的上方；导流主板12a的顶端向远离沉积室盖板12竖直轴心线的方向偏离且与沉积室顶部即沉积室盖板12成15-60度的角。沉积室底板13位于沉积室1的底部，其作用为支撑沉积室和导流工艺气体进入沉积室，在沉积室底板13上设有沉积板的定位槽以及导流第一工艺气体和第二工艺气体进入沉积室的第一进气口(图中未示出)、第二进气口(图中未示出)，其中，第一进气口为N+1个、第二进气口为N个，第一进气口与第二进气口交替间隔设置。第一进气口供第一工艺气体携带金属蒸汽通过，第二进气口供第二工艺气体通过。在本实施例中，N的数值为三，在其他实施例中可以根据具体的真空炉的大小进行选择。
收尘机构2包括收料盒21、收尘桶22、第一收尘管23、第二收尘管24、出气筒25。出气筒25的材料为石墨，位于收料盒21的盖板上，第一收尘管23将收料盒21与出气筒25的下端连通，出气筒25上端与炉体顶部的尾气出气管相接，化学气相沉积过程中产生的少量粉尘通过此零件排到尾气管道中。收料盒21以沉积室盖板作为其底板配以侧板21a、盖板21b形成一盒体，盒体内腔中设有水平设置的收料板21c，收料板21c下方设有支撑筒21d。收料板21c的端部边缘与侧板21a之间设有间隙。收料板21c的中部设有收尘孔26，第一收尘管23穿过此收尘孔26，该收尘孔26的直径大于第一收尘管23的直径，形成供含粉尘气体通过的间隙。第一收尘管23的上端边缘设有向外的凸沿，收料盒盖板上设有开孔，收尘管的凸沿搭接在收料盒盖板上开孔周围的区域，实现第一收尘管的固定。收尘桶22设有底部及侧部，上部为敞口，侧部的顶端边缘设有向外延伸的凸沿，收尘桶22从沉积室盖板中部的开孔中伸入到两个沉积室之间的空间中，凸沿搭接在开孔周围的沉积室盖板区域，实现收尘桶22的固定。第二收尘管24的口径远大于第一收尘管23的口径，略大于收尘桶22的口径，其上端与收料板21c的下部抵接，下端与沉积室盖板抵接，形成收尘空间，将收尘桶的上端口围设在此收尘空间中，加强收尘效果，而且在收尘的同时起到对收料板21c的支撑作用。收尘机构中的收料板与收尘盒侧板之间的间隙、第一收尘管23与收尘孔26之间的间隙构成收尘通道，收料板21c以及收尘桶22则作为收集粉尘的收尘容器，从沉积室11逸出的粉尘经由导流板12a导流，进入收尘通道，在沿收尘通道流动时落入到这些收尘容器上进行收集。在收料盒21的盖板21b上设有三个供顶部进气管4通过的通道，顶部进气管4供第一工艺气体通过，其数量与坩埚和沉积室的数量相一致，采用一一对应的方式，共有三个顶部进气管，顶部进气管采用的是膜组件，通过收料盒顶部向下穿过直接进入到石墨坩埚里，三个顶部进气管沿圆周呈120度的角度均匀分布。
原料供给机构包括作为盛放容器的坩埚3、设置在坩埚上方的坩埚盖31、设置在坩埚下方的坩埚固定板32、设置在坩埚盖上的过滤板31a。其中，坩埚内放置待加热的固体反应原料。坩埚盖31上设置有定位槽，用来固定沉积室1的沉积板11，过滤板31a设置在坩埚盖的出气孔31b上方，用来过滤坩埚中固体原料在气化后产生的蒸汽。坩埚盖31通过紧固件安装在坩埚3上，坩埚盖31上设有与沉积室底板13的大小和数量相同的凹台，呈圆周均匀分布，用于定位安装沉积室；坩埚盖31上有多个不同大小的孔，有些是连接孔，用于安装紧固件，有些是用于使进气管道和热电偶从此通过；在坩埚盖31上与每个坩埚相对应的位置处，开有一个带台阶的光孔和一个螺纹孔，带台阶的光孔即为前述的出气孔31b，位于沉积室下方，与沉积室底板上对应的孔相通，可使坩埚内的气体从此位置进入沉积室；螺纹孔用于连接顶部进气管，从上炉盖下来的第一工艺气体由此位置进入坩埚。坩埚固定板的材料为不锈钢，主要用来支撑沉积装置的其他部件，设有热电偶孔、底部进气管通道32a、用来测量沉积室和坩埚温度的热电偶孔。其中，底部进气管通道32a供底部进气管穿过，底部进气管用来使第二工艺气体通过。
本实施例中的沉积装置，其工作过程如下：
首先，在真空炉内将石墨坩埚放置到坩埚固定板上，将金属原料放置到坩埚内，将坩埚盖安装好，固定好沉积室底板，将沉积板安装好，固定好沉积室盖板，安装好第一收尘管、第二收尘管、导流板、收料板、收料盒侧板、收料盒盖板、出气筒。完成前述组装过程后，开启真空炉的加热系统，根据实际的工艺条件，设定相应的工艺参数，将坩埚内的金属原料熔化并且气化后，根据相应的工艺参数，设定进入到坩埚内的第一工艺气体的流量以及第二工艺气体的流量，其中第一工艺气体通过顶部进气管进入到坩埚内，将坩埚中的金属蒸汽携带出来通过坩埚盖的出气孔和沉积室底板的N+1个第一进气口，被分成N+1路进入到与该坩埚对应得沉积室内，与从真空炉底部进来的第二工艺气体在沉积室内相遇并发生反应，所得到的产物在沉积室的沉积板上沉积，生成的粉尘通过沉积室盖板的出气孔12c流出，通过导流板11a导流而后流向收料板21c与侧板21a之间的间隙，通过此间隙后进入收料板21c上方的收料盒内部空间，而后再由收料板中间的收尘孔26进入到收尘桶22中，部分粉尘沉积下来，落入收尘筒的侧部或底部上，少量尾气经由第一收尘管23通过出气筒排到真空炉的外部进行处理。第二收尘管24进一步起到收尘的作用。本实施例中，由于收尘机构设置收尘通道，使得在沉积过程中产生的粉尘大部分都能够在收尘机构中的收尘容器中沉淀、收集，在一次化学气相沉积完成后再集中处理沉淀的粉尘，这样就大大减少了沉积过程中向外排放粉尘的量，尽量减少对外部环境的影响，同时还能避免现有技术过滤器堵塞造成生产不顺畅、效率低下的问题。本实施例中，第一工艺气体从顶部进气管进入到坩埚中，这种延长第一工艺气体流动路线的方式，能够减缓气体流速，使得气体在沉积室中停留的时间长，使得沉积在沉积板上的固体物质更加均匀。
实施例二
与实施例一不同的是，本实施例中设有三个沉积室，这三个沉积室围绕一中心轴线间隔均匀地呈圆周分布。相应地，坩埚部件也设有三个，与三个沉积室对应设置。其余结构均与实施例二相同，此处不再赘述。
在其他实施例中，可以根据实际需求，设置更多个沉积室。
实施例三
与实施例二不同的是，本实施例中设有四个沉积室，设置的四个沉积室呈矩阵分布，其余结构均与实施例二相同，此处不再赘述。
实施例四
与实施例一不同的是，本实施例中设置的沉积室，其形状为三棱柱体，其余结构均与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例五
与实施例一不同的是，本实施例中设置的收料盒，其侧部为四棱柱体形，其余结构均与实施例一相同，此处不再赘述。
实施例六
与实施例一不同的是，本实施例中设置的收料板设置两个收尘孔，沉积室盖板上悬挂两个收尘桶，每个收尘桶都设有一个第一收尘管、一个第二收尘管、一个出气筒，第一收尘管、第二收尘管、收尘桶、出气筒的结构配合参见实施例一，此处不再赘述。
实施例七
与实施例一不同的是，本实施例中设置的收料板为两个，即在实施例一的收料板上方再加设一个结构相同的收料板，该收料板下方设置支撑筒进行支撑，这样的结构能够沉淀收集更多的粉尘，收尘效果更好；其余结构均与实施例一相同，此处不再赘述。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本发明的限制，本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种多腔室石墨沉积装置，其特征在于，包括收尘机构、具有两个以上沉积室的沉积机构以及用于盛放固体原料并向所述沉积室供送气态原料的原料供给机构，所述收尘机构设有用于收集所述沉积室逸出的粉尘的收尘容器以及用于供所述沉积室逸出的粉尘通过并流向所述收尘容器的收尘通道。
2.根据权利要求1所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，所述收尘机构还包括用于将所述沉积室逸出的粉尘导向所述收尘通道的导流机构。
3.根据权利要求2所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，所述导流机构包括倾斜设置在所述沉积室的出气孔旁的导流主板，所述导流主板与所述出气孔所在的沉积室壁面成15～60度角。
4.根据权利要求3所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，所述导流机构还包括设置在所述导流主板两侧的导流侧板，所述导流主板与所述导流侧板形成的导流腔位于所述出气孔的上方。
5.根据权利要求2所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，所述收尘容器包括第一收尘容器、第二收尘容器，所述收尘通道包括供所述沉积室逸出的粉尘通过并流向所述第一收尘容器的第一收尘通道、用于供未被第一收尘容器收集的粉尘通过并流向第二收尘容器的第二收尘通道，所述导流机构用于将从所述沉积室逸出的粉尘导向第一收尘通道。
6.根据权利要求5所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，所述收尘机构包括下部与所述沉积室导通的收料盒、大体水平设置在所述收料盒中作为第一收尘容器的收料板、设置在所述收料板下方作为第二收尘容器的收尘桶，所述收尘桶的上端口与所述收料盒的内腔导通，所述收料板的边缘与所述收料盒侧板内壁之间形成作为第一收尘通道的间隙，所述收料板设置有作为第二收尘通道的收尘孔；所述沉积室设有将其内腔与所述收料盒内腔导通的出气孔，所述导流机构设置在所述出气孔旁，所述导流机构的顶端向所述收料板的边缘偏离。
7.根据权利要求6所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，所述收尘机构还包括设置在所述收料盒上方的出气筒、设置在所述收尘桶与所述出气筒之间将二者导通的第一收尘管、设置在所述收料板与所述沉积室顶部之间的第二收尘管，所述第二收尘管的口径大于所述收尘筒的口径，将所述收尘筒及所述第一收尘管围设在内，所述第一收尘管穿过所述收料板。
8.根据权利要求1所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，各沉积室围绕一中心轴线间隔均匀地呈圆周分布或者各沉积室呈阵列分布。
9.根据权利要求1所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，所述收尘机构位于所述沉积机构的上方，所述原料供给机构设置在所述沉积机构的下方，所述收尘机构上设有与所述沉积室一一对应的顶部进气管通道，顶部进气管由所述顶部进气管通道穿过接入所述原料供给机构，所述原料供给机构的底部设有底部进气管通道，底部进气管由所述底部进气管通道接入所述沉积室，所述顶部进气管和所述底部进气管供不同工艺气体通过。
10.根据权利要求1所述的多腔室石墨沉积装置，其特征在于，所述沉积室设有沉积室底板，所述沉积室底板设有供不同工艺气体导入所述沉积室的第一进气口和第二进气口，所述第一进气口与所述第二进气口间隔交替设置。
11.一种化学气相沉积炉，其特征在于，设有如权利要求1-10任一项所述的多腔室石墨沉积装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410160934.1A CN103898475B (zh) | 2014-04-21 | 2014-04-21 | 一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410160934.1A CN103898475B (zh) | 2014-04-21 | 2014-04-21 | 一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103898475A true CN103898475A (zh) | 2014-07-02 |
| CN103898475B CN103898475B (zh) | 2017-01-18 |
Family
ID=50990039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410160934.1A Active CN103898475B (zh) | 2014-04-21 | 2014-04-21 | 一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103898475B (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105039931A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-11-11 | 清远先导材料有限公司 | 一种化学气相沉积炉以及一种化学气相沉积系统 |
| CN105420686A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-03-23 | 清远先导材料有限公司 | 一种化学气相沉积炉用石墨沉积装置 |
| CN107604340A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-19 | 清远先导材料有限公司 | 化学气相沉积炉 |
| CN110433744A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-12 | 广州珠江光电新材料有限公司 | 荧光粉制备装置及制备方法 |
| CN111850511A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-10-30 | 上海岚玥新材料科技有限公司 | 一种新式热解石墨气相沉积装置及工艺 |
| CN113135758A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法 |
| CN113818012A (zh) * | 2021-11-25 | 2021-12-21 | 新美光(苏州)半导体科技有限公司 | 一种化学气相沉积装置 |
| CN110433744B (zh) * | 2019-07-30 | 2024-06-07 | 广州珠江光电新材料有限公司 | 荧光粉制备装置及制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120093486A (ko) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | (주)세미머티리얼즈 | 더스트 회수 기능 및 세척 편의성이 향상된 폴리실리콘 제조장치 |
| CN103703544A (zh) * | 2011-07-18 | 2014-04-02 | 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 | 多腔室cvd处理系统 |
| CN203525504U (zh) * | 2013-09-09 | 2014-04-09 | 清远先导材料有限公司 | 收尘装置 |
| CN203834014U (zh) * | 2014-04-21 | 2014-09-17 | 清远先导材料有限公司 | 一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 |
-
2014
- 2014-04-21 CN CN201410160934.1A patent/CN103898475B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120093486A (ko) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | (주)세미머티리얼즈 | 더스트 회수 기능 및 세척 편의성이 향상된 폴리실리콘 제조장치 |
| CN103703544A (zh) * | 2011-07-18 | 2014-04-02 | 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 | 多腔室cvd处理系统 |
| CN203525504U (zh) * | 2013-09-09 | 2014-04-09 | 清远先导材料有限公司 | 收尘装置 |
| CN203834014U (zh) * | 2014-04-21 | 2014-09-17 | 清远先导材料有限公司 | 一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105039931A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-11-11 | 清远先导材料有限公司 | 一种化学气相沉积炉以及一种化学气相沉积系统 |
| CN105420686A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-03-23 | 清远先导材料有限公司 | 一种化学气相沉积炉用石墨沉积装置 |
| CN107604340A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-19 | 清远先导材料有限公司 | 化学气相沉积炉 |
| CN107604340B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-09-01 | 安徽光智科技有限公司 | 化学气相沉积炉 |
| CN110433744A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-12 | 广州珠江光电新材料有限公司 | 荧光粉制备装置及制备方法 |
| CN110433744B (zh) * | 2019-07-30 | 2024-06-07 | 广州珠江光电新材料有限公司 | 荧光粉制备装置及制备方法 |
| CN111850511A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-10-30 | 上海岚玥新材料科技有限公司 | 一种新式热解石墨气相沉积装置及工艺 |
| CN113135758A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法 |
| CN113135758B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-05-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法 |
| CN113818012A (zh) * | 2021-11-25 | 2021-12-21 | 新美光(苏州)半导体科技有限公司 | 一种化学气相沉积装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103898475B (zh) | 2017-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103898475A (zh) | 一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 | |
| CN203834014U (zh) | 一种多腔室石墨沉积装置及化学气相沉积炉 | |
| CN105039931A (zh) | 一种化学气相沉积炉以及一种化学气相沉积系统 | |
| JP5727362B2 (ja) | 化学気相蒸着反応器内にガスを流通させるためのシステムおよび方法 | |
| CN206950845U (zh) | 一种可连续运行的高温气体除尘装置 | |
| CN104843988A (zh) | 多喷灯的疏松体光纤预制棒ovd沉积制备装置 | |
| CN102432169B (zh) | 多孔质玻璃母材的制造装置以及多孔质玻璃母材的制造方法 | |
| CN106544639A (zh) | 防止堵塞的气体抽取装置及设置该装置的mocvd设备 | |
| CN107119322B (zh) | 一种双面均匀沉积CVDZnS块体材料的设备 | |
| CN102814086B (zh) | 一种气体过滤装置 | |
| CN205856602U (zh) | 一种高效节能式硒化锌气相沉积炉 | |
| CN208545492U (zh) | 一种化学气相沉积炉 | |
| CN105420686A (zh) | 一种化学气相沉积炉用石墨沉积装置 | |
| CN207405235U (zh) | 一种残余化学气体的处理装置 | |
| CN211871450U (zh) | 一种酚水浓缩系统 | |
| CN102795768A (zh) | 玻璃微粒堆叠体的制造装置 | |
| CN110158057B (zh) | 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统 | |
| CN213363555U (zh) | 一种防积灰堵塞换热器 | |
| CN207294881U (zh) | 化学气相沉积炉 | |
| CN207347524U (zh) | 一种生物质气化炉水冷设备 | |
| CN202415170U (zh) | 多晶硅还原炉尾气出口装置 | |
| CN203007410U (zh) | 一种化学气相沉积炉充气结构 | |
| CN210980858U (zh) | 一种工业环保用热量回收装置 | |
| CN213396700U (zh) | 一种带防积灰堵塞换热器的催化裂化装置 | |
| CN210409838U (zh) | 焦油收集装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200526 Address after: 239000 east of yongyang Road, west of Nanjing Road, north of Anqing road and south of Lu'an road in Langya Economic Development Zone, Langya District, Chuzhou City, Anhui Province Patentee after: Anhui Guangzhi Technology Co.,Ltd. Address before: 511800 Guangdong city of Qingyuan province high tech Zone Industrial Park Baijia No. 27-9 Patentee before: FIRST RARE MATERIALS Co.,Ltd. |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20140702 Assignee: FIRST SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd. Assignor: Anhui Guangzhi Technology Co.,Ltd. Contract record no.: X2020110000012 Denomination of invention: Multi-chamber graphite deposition device and chemical vapor deposition furnace Granted publication date: 20170118 License type: Common License Record date: 20200723 |
|
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: FIRST SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd. Assignor: Anhui Guangzhi Technology Co.,Ltd. Contract record no.: X2020110000012 Date of cancellation: 20220413 |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20140702 Assignee: FIRST SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd. Assignor: Anhui Guangzhi Technology Co.,Ltd. Contract record no.: X2022980005544 Denomination of invention: A multi chamber graphite deposition device and chemical vapor deposition furnace Granted publication date: 20170118 License type: Common License Record date: 20220520 |
|
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: FIRST SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd. Assignor: Anhui Guangzhi Technology Co.,Ltd. Contract record no.: X2022980005544 Date of cancellation: 20230103 |