CN202415170U - 多晶硅还原炉尾气出口装置 - Google Patents

多晶硅还原炉尾气出口装置 Download PDF

Info

Publication number
CN202415170U
CN202415170U CN2011203383905U CN201120338390U CN202415170U CN 202415170 U CN202415170 U CN 202415170U CN 2011203383905 U CN2011203383905 U CN 2011203383905U CN 201120338390 U CN201120338390 U CN 201120338390U CN 202415170 U CN202415170 U CN 202415170U
Authority
CN
China
Prior art keywords
tail gas
gas outlet
polycrystalline silicon
extending tube
reduction furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2011203383905U
Other languages
English (en)
Inventor
赵翠
茅陆荣
郑飞龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Morimatsu New Energy Equipment Co., Ltd.
Original Assignee
SHANGHAI SENSONG ENVIRONMENT TECHNOLOGY ENGINEERING CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=46739953&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN202415170(U) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by SHANGHAI SENSONG ENVIRONMENT TECHNOLOGY ENGINEERING CO LTD filed Critical SHANGHAI SENSONG ENVIRONMENT TECHNOLOGY ENGINEERING CO LTD
Priority to CN2011203383905U priority Critical patent/CN202415170U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202415170U publication Critical patent/CN202415170U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型提供的多晶硅还原炉尾气出口装置，包括盖板、内伸管、底盘上底板、底盘下底板和尾气出口管。其中：盖板与内伸管上端连接；内伸管下端与尾气出口管连接，内伸管上均匀分布数个轴向或切向的通孔，通孔形状为长方形、正方形、菱形或圆形等；尾气出口管焊接于底盘上底板和底盘下底板。本实用新型改变了尾气出口处流场分布，保证了还原炉尾气管道的畅通，后续设备工艺气体的清洁度，增加原料气体在炉内的停留时间，提高了多晶硅的沉积率。

Description

多晶硅还原炉尾气出口装置
技术领域：
本实用新型涉及一种还原炉尾气出口装置，属于多晶硅材料制备技术领域。
背景技术：
多晶硅是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业的基础原料。现有技术中广泛采用西门子法制备多晶硅。西门子法是在还原炉内，SiHCl3和H2等工艺气体经进气管进入炉体内发生还原反应，生成Si并沉积在硅芯电极上。由于还原炉内温度、压力等情况复杂，伴随大量其它反应，生成成分复杂的副产物。大量未反应的原料气体及副产物经过多晶硅还原炉尾气出口结构进入下一工序。常规尾气出口位于钟罩底部中间位置，未及时反应的原料气体及副产物气体由钟罩顶部，服从流体动力学原理向底部的尾气出口方向流动，从尾气出口管垂直方向进入下一工艺流程。这样的气体流出方式增加了尾气处理成本，也使得转化率低，造成能源浪费。
发明内容：
本实用新型的目的在于提供一种可优化多晶硅还原炉内流场分布的尾气出口装置，用于改变还原炉内回流角，增加原料气体在炉内的停留时间，增加气体循环次数，增大多晶硅沉积率。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
多晶硅还原炉尾气出口装置，包括多晶硅还原炉底盘的上底板、下底板、尾气出口管(5)，所述尾气出口管与所述上底板、下底板连接。还包括内伸管与盖板，所述盖板与内伸管上端连接，所述内伸管下端与尾气出口管连接；内伸管上开有通孔。
作为本实用新型的一种优选方案，沿着所述内伸管的轴向或者切向开设所述通孔。该通孔的设置改变了尾气的出口方向与面积，改变还原炉内流场的分布，
作为本实用新型的一种优选方案，所述通孔的形状为长方形，或者正方形，或者菱形，或者圆形，或者椭圆形。
作为本实用新型的一种优选方案，所述通孔为若干个。
作为本实用新型的一种优选方案，所述内伸管与盖板由耐高温材料制成。
作为本实用新型的一种优选方案，所述尾气出口管焊接于所述上底板与下底板上。
作为本实用新型的一种优选方案，所述盖板与内伸管的上端为无缝连接，盖板阻碍尾气垂直方向的流动，
本实用新型的工作原理是：基于普通多晶硅还原炉尾气出口结构，在尾气出口管上设置一定高度的内伸管，该内伸管相当于向炉内延长尾气出口管。内伸管上部与盖板连接，形成封闭结构，限制尾气垂直方向的流动；圆筒状内伸管上开多个轴向或切向通孔。正常工作时，工艺气体经进气口进入还原炉内进行反应，生成Si并沉积在硅芯电极上。本装置的应用，使还原炉尾气出口结构不再位于钟罩底部，尾气出口的方位也由原来的垂直方向更改为轴线或切线方向，由于本装置的通孔结构使得尾气出口的面积发生改变，由此改变还原炉出口结构处的回流角，增加气体在炉内的循环次数，延长原料气体在炉内停留时间，改变流场分布，从而增大沉积率。反应后的气体经内伸管的通孔进入尾气出口管，进入下一工艺流程。
本实用新型，通过改变内伸管高度、开孔数量、开孔方向，可以改变尾气的出口方向和面积，改变流场分布。本实用新型保证了还原炉尾气管道的畅通，以及后续设备工艺气体的清洁度，增加原料气体在炉内的停留时间，提高了多晶硅的沉积率。
附图说明：
图1是本实用新型多晶硅还原炉尾气出口装置的结构示意图。
图2是本实用新型多晶硅还原炉尾气出口装置的内伸管的横截面结构图。
附图标记：
1是盖板，2是内伸管，3是底盘上底板，4是底盘下底板，5是尾气出口管，6通孔。
具体实施方式：
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。
本实用新型多晶硅还原炉尾气出口装置，包括盖板1、盖板1与内伸管2的上端封闭连接，内伸管2下端连接尾气出口管5，尾气出口管5焊接于底盘上底板3与底盘下底板4上。内伸管2上均匀开设4个轴向通孔6，4个切向通孔6，通孔的形状为长方形。
本实施例的工作过程是：正常工作时，工艺气体经进气口进入还原炉内进行反应，生成的尾气气体根据流体动力学原理从钟罩顶部向尾气出口方向流动到达盖板1，盖板1阻挡了尾气垂直方向的流动，使得尾气改变流动方向，炉内气体流场重新分布后，提高了气体循环次数，增加其在炉内的停留时间；尾气由内伸管2的通孔6流出。通过控制内伸管2的通孔6的数量、形状，可以控制尾气流出面积及流出方向，改变尾气出口处气体流场分布。经过滤及重新分布后的尾气经尾气出口管5进入下一工艺流程。

Claims (8)

1.多晶硅还原炉尾气出口装置，包括多晶硅还原炉底盘的上底板、下底板、尾气出口管(5)，所述尾气出口管与所述上底板、下底板连接，其特征在于：还包括内伸管与盖板，所述盖板与内伸管上端连接，所述内伸管下端与尾气出口管连接；内伸管上开有通孔。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉尾气出口装置，其特征在于：沿着所述内伸管的轴向开设所述通孔。
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉尾气出口装置，其特征在于：沿着所述内伸管的切向开设所述通孔。
4.根据权利要求1或2或3所述的多晶硅还原炉尾气出口装置，其特征在于：所述通孔的形状为长方形，或者正方形，或者菱形，或者圆形，或者椭圆形。
5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉尾气出口装置，其特征在于：所述通孔为若干个。
6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉尾气出口装置，其特征在于：所述内伸管与盖板由耐高温材料制成。
7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉尾气出口装置，其特征在于：所述尾气出口管焊接于所述上底板与下底板上。
8.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉尾气出口装置，其特征在于：所述盖板与内伸管的上端为无缝连接。
CN2011203383905U 2011-09-09 2011-09-09 多晶硅还原炉尾气出口装置 Expired - Lifetime CN202415170U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011203383905U CN202415170U (zh) 2011-09-09 2011-09-09 多晶硅还原炉尾气出口装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011203383905U CN202415170U (zh) 2011-09-09 2011-09-09 多晶硅还原炉尾气出口装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202415170U true CN202415170U (zh) 2012-09-05

Family

ID=46739953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011203383905U Expired - Lifetime CN202415170U (zh) 2011-09-09 2011-09-09 多晶硅还原炉尾气出口装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202415170U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105645415A (zh) * 2016-03-16 2016-06-08 黄河水电光伏产业技术有限公司 一种多晶硅还原炉气流控制器
CN110510615A (zh) * 2019-09-25 2019-11-29 洛阳中硅高科技有限公司 用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105645415A (zh) * 2016-03-16 2016-06-08 黄河水电光伏产业技术有限公司 一种多晶硅还原炉气流控制器
WO2017156952A1 (zh) * 2016-03-16 2017-09-21 严利容 一种多晶硅还原炉气流控制器
CN110510615A (zh) * 2019-09-25 2019-11-29 洛阳中硅高科技有限公司 用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202492486U (zh) 阳离子聚丙烯酰胺胶体生产用通氮除氧净化装置
CN203379870U (zh) 强化气体分布的有机硅流化床反应器
CN202415170U (zh) 多晶硅还原炉尾气出口装置
CN202170245U (zh) 一种多点进料的多晶硅还原炉
CN102001668B (zh) 一种引入微循环分布结构的四氯化硅氢化反应器
CN206715895U (zh) 气体分布器及包含该气体分布器的反应器
CN102134074A (zh) 一种多晶硅还原炉及其操作方法
CN101973551B (zh) 一种多晶硅还原炉
CN203904000U (zh) 一种新型进、出气结构的多晶硅还原炉
CN202390211U (zh) 氢化四氯化硅流化床反应器
CN101935043B (zh) 氢化四氯化硅沸腾床反应器
CN204643856U (zh) 一种三氯氢硅制备硅烷的设备
CN217248777U (zh) 气相分布器及反应器
CN202038868U (zh) 一种多晶硅还原装置
CN202246104U (zh) 制备三氯氢硅的流化床反应器
CN201644079U (zh) 气液接触反应器
CN201605166U (zh) 氢化四氯化硅沸腾床反应器
CN204404862U (zh) 一种污泥处理中的物料换热器
CN204699694U (zh) 湿法冶金卧式多级反应釜
CN204247189U (zh) 过滤式保温反应釜
CN202376979U (zh) 带有外循环换热装置的通氯反应器的生产系统
CN202398241U (zh) 氯硅烷洗涤塔
CN102205222A (zh) 制取多晶硅的流化床反应装置
CN104925813B (zh) 一种三氯氢硅制备硅烷的设备及其方法
CN104803388A (zh) 一种多晶硅还原装置

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SHANGHAI SENSONG FLUID TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: SHANGHAI SENSONG ENVIRONMENT TECHNOLOGY ENGINEERING CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 200137 No. 562 Gao Xiang Ring Road, Shanghai, Pudong New Area

Patentee after: Shanghai Morimatsu Environment Technology Engineering Co., Ltd.

Address before: 200137 No. 562 Gao Xiang Ring Road, Shanghai, Pudong New Area

Patentee before: Shanghai Sensong Environment Technology Engineering Co.,Ltd.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20161031

Address after: 201323 Shanghai city Pudong New Area Zhuqiao Airport Industrial Zone gold smell Road No. 29 -1

Patentee after: Shanghai Morimatsu New Energy Equipment Co., Ltd.

Address before: 200137 No. 562 Gao Xiang Ring Road, Shanghai, Pudong New Area

Patentee before: Shanghai Morimatsu Environment Technology Engineering Co., Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20120905