CN103887082A - 一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法,该方法首先由可溶性钴盐和氟化铵制备钴源母液,然后调节该母液的pH值至9-12;然后将pH值调节后的溶液转移到水热反应釜中,加入作为基体的金属泡沫镍,110-180摄氏度下水热反应1-24小时,经去离子水和乙醇反复地进行冲洗、干燥1-4小时,即可得到在金属泡沫镍表面生长六边形氢氧化钴片,其厚度3-10um,边长为10-20um。该方法充分利用泡沫镍的结构优势,金属镍的导电能力,在其表面生长了六边形氢氧化钴,此结构拥有快速的离子和电荷传输能力,有利于提高充放电性能;同时所有的六边形氢氧化钴晶体均生长于金属镍上,起到了固定氢氧化钴的作用,制备出来的材料可以直接作为超级电容的电极材料进行使用。
Description
技术领域
本发明涉及一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法,它是以可溶性钴盐为原料,泡沫镍作为基底,采用水热合成法来制备六边形Co(OH)2,尤其是涉及一种应用于超级电容电极材料Co(OH)2的制备方法。
背景技术
发展节能减排、低碳环保的新能源,建设环境友好型社会,是中国乃至世界各国的共同需求。超级电容器作为一种新型的清洁环保储能装置。它的存储电性能处于传统电容器和普通蓄电池之间,比传统电容器,它具有更大的容量、更大的能量、更宽泛的工作温度范围以及更长的使用寿命;相比于普通蓄电池,超级电容器则表现出更高的比功率,对环境几乎无污染,因此,其研究开发深受产业界和科研人员关注。
而电极是超级电容器的重要组成部分,电极材料则是决定超级电容器性能的两大关键因素(电极材料和电解质溶液)之一,因而,对于电极材料的研究一直是重点研究对象。作为电极材料Co(OH)2具有相对特殊的空间结构,孔隙率大,比电容值高,氧化还原活性优异,研究成本低和资源丰富等优势。随着我国工业的不断发展,能源市场必定对氢氧化钴的性能及制备工艺提出更高的要求。
邵海波等人在《一种在金属钴表面生长氢氧化钴片的方法》(ZL201010224556.0),提出了以金属钴为基体,在室温下将基体浸入pH值呈碱性的溶液中;然后将一定量的氧化剂分散到该溶液中,使金属钴基体与氧化剂在溶液条件下进行反应,数分钟至数十分钟后,经洗涤剂洗涤、干燥,制备得到六边形氢氧化钴片。王荣明等人在CN201310552533.6《一种制备双六边形氢氧化镍/氢氧化钴纳米螺母的可控合成方法》,提出了以六水合氯化镍、六水合氯化钴、氢氧化钠、水和水合肼为原料,在反应釜条件下加热,反应6小时即可得到稳定的产物,然后把黑色产物取出,用酒精清洗,离心分离,即可得到双六边形氢氧化镍/氢氧化钴纳米螺母;Zhaoping Liu等人在《Selective andControlled Synthesis of α-andβ-Cobalt Hydroxides in Highly Developed HexagonalPlatelets》(J.Am.Chem.Soc.,2005,127(40),pp13869-13874)中,在90摄氏度时CoCl2溶液中,通过使用六亚甲基四胺作为水解剂,NaCl对最终产物是α-还是β-类型六边形氢氧化钴片有着选择性作用。前者由于样品未能充分分散,电容特性较差,无法发挥氢氧化钻孔隙率大,比电容值高等优势,只是对工艺进行了简化;后两者其样品为纳米材料,导致在制备电极过程中其颗粒与电极基体结合不牢固,需要添加一定量的导电剂和粘结剂,使得制备工艺复杂。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服上述现有技术存在的缺陷,提供一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法,其工艺条件简单易控,生产成本低,周期短,适合工业化大生产。
通过对实验过程中相关实验参数的调控,我们提出了一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法。该方法充分利用泡沫镍的结构优势,金属镍的导电能力,在其(111)表面,利用水热条件生长了六边形Co(OH)2,这样的结构拥有快速的离子和电荷传输能力,有利于提高充放电性能;同时所有的六边形Co(OH)2晶体均生长于金属镍上,起到了固定Co(OH)2的作用,制备出来的材料可以直接作为超级电容的电极材料进行使用,使其工艺进一步简化。
为此本发明的技术方案如下:一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法,该方法首先由可溶性钴盐和氟化铵制备钴源母液,然后调节该母液的pH值至9-12;然后将pH值调节后的溶液转移到水热反应釜中,加入作为基体的金属泡沫镍,110-180摄氏度下水热反应1-24小时,经去离子水和乙醇反复地进行冲洗、干燥1-4小时,即可得到在金属泡沫镍表面生长六边形氢氧化钴片。
所述金属泡沫镍为三维网状多孔结构、孔隙率高(高于95%),与金属镍板相比可大大节省金属镍,是理想电极基板材料之一。所述金属泡沫镍均为市购,例如可以从长沙力新材料股份有限公司、沈阳金昌普新材料股份有限公司、山东荷泽天宇科技开发有限责任公司、湖南科力远新能源股份有限公司、广东深圳天源滤材有限公司等购得。
所述可溶性钴盐包括钴的硝酸盐、钴的卤化物、钴的硫酸盐、钻的硫氰酸盐、四异硫氰合钴(II)酸盐等。钴的硝酸盐优选六水合硝酸钴;钴的卤化物优选六水合氯化钴;钴的硫酸盐优选七水合硫酸钴;钴的硫氰酸盐优选三水合硫氰酸钴(II);四异硫氰合钴(II)酸盐优选四异硫氰合钴(II)酸钠。
所述钴源母液通过将上述可溶性钴盐的任一种或多种的组合、氟化铵溶于去离子水中而配制成。其中,钴的物质的量浓度控制在0.1-0.5mol/L,优选0.2-0.4mol/L,最优选0.3mol/L。氟化铵的物质的量浓度保持为钴离子物质的量浓度的1-2倍,优选1.5倍。
调节所述母液的pH值至9-12时,通常使用碱性物质进行调节。碱性物质包括氨水、碳酸铵、碳酸氢铵等。使用氨水调节pH值时,氨水的质量分数为28%,控制其和水的用量,使溶液的pH值保持在9-12。
所述水热反应的温度为110-180℃,优选110-160℃,更优选120-150℃,再优选120-140℃,最优选130-140℃。
所述水热反应的时间为1-24h,优选1-18h,更优选2-12h,再优选3-10h,最优选5-6h。
上述的制备方法中,所述的干燥是指60-80摄氏度下烘箱干燥1-4小时。
本发明通过将金属泡沫镍浸入到pH值9-12的钴源母液溶液中,在水热条件下进行反应1小时至24小时后,经洗涤、干燥,即可得到在金属泡沫镍表面生长六边形氢氧化钴片。六边形氢氧化钻片的厚度3-10um,边长为10-20um。反应条件简单易控,涉及到的化学试剂较少,生产成本低,后续干燥工序短,适合工业化大生产。通过调整反应温度、pH值、钴离子浓度以及反应时间等可实现对产品尺寸的控制。
下面结合具体实施方式对本发明作进一步说明。
附图说明
图1六边形Co(OH)2电极材料的X射线衍射图(a)和扫描电子显微镜照片(b、c、d、e和f)。
图2六边形Co(OH)2电极在10mV/s扫描速度下的循环伏安曲线示意图。
图3六边形Co(OH)2电极在20mAcm-2下充放电曲线示意图。
图4六边形Co(OH)2电极的扫描电子显微镜照片。
图5六边形Co(OH)2电极的伏安特性曲线(扫描速率为5mv/s和2.5mv/s)。
图6六边形Co(OH)2电极的放电曲线(在电流密度为1mA/s,5mA/s,10mA/s下)。
图7六边形Co(OH)2电极的扫描电子显微镜照片。
具体实施方式
下面结合实施例详细说明本发明,本发明的目的和效果将变得更加明显。
实施例1
先将称取的0.8731g六水合硝酸钴和0.1667g氟化铵放入烧杯,然后缓慢加入9mL质量分数为28%的氨水溶液和21mL去离子水,pH值为12,转移到水热反应釜内胆中;裁剪2×3cm,质量为0.5g的金属泡沫镍放入上述溶液;并设定水热反应温度为120℃,时间为4h后,取出样品,先后用去离子水、无水乙醇洗涤,将样品置于60℃的恒温干燥箱,4小时后取出。经XRD测试分析表明为,其中β-Co(OH)2和金属镍的存在(图1a)。从扫描电镜图片(图1b、c、d、e和f)可看出,泡沫镍表面都长满了六边形氢氧化钴片,其厚度约为3.0um,六边形边长约为10um。采用三电极法(电解质溶液:2mol/L的KOH)测试了该材料的电化学性质得到了循环伏安曲线(图2)和充放电曲线示意图(图3)。
从循环伏安曲线(CV)图2中可以看出,该曲线的形状与理想的矩形形状存在明显区别,说明Co(OH)2电极的电容特性不同于双电层电容特性,产生的是法拉第准电容(亦称赝电容器)。扫描速率为10mv/s时,在图2中出现了两对氧化还原峰,这是由于Co(OH)2发生可逆氧化还原反应引起的,反应过程可表示为:
Co(OH)2+OH-→CoOOH+H2O+e
CoOOH+OH--→CoO2+H2O+e
式中,A2氧化峰对应Co(II)氧化为Co(III)的过程,B2还原峰对应其逆过程;A1氧化峰对应Co(III)氧化为Co(IV)的过程,而B2还原峰对应其逆过程;而氧化峰和还原峰曲线图形基本对称,说明该电极具有较好的循环可逆性。
我们可以通过公式:
Cm=IΔt/mΔV
计算出电极的比电容值,其中,Cm是比电容量(F/g),I是充放电电流值(mA),Δt为放电时间(s),ΔV为放电过程中的电势降(v),而m则是工作电极上电活性材料的质量(mg)。在计算电容值时,电活性物质的质量由法拉第定律来估算,并假设电沉积电流效率为100%。从图中放电曲线可以计算得出电流密度20mA cm-2下电容值为285.94F/g。
实施例2
先将称取的2.1414g六水合氯化钴和0.5000g氟化铵放入烧杯,然后缓慢加入9mL质量分数为28%的氨水溶液和21mL去离子水,pH值为9,转移到水热反应釜内胆中;裁剪2×3cm,质量为0.5g的金属泡沫镍放入上述溶液;并设定水热反应温度为150℃,时间为2h后,取出样品,先后用去离子水、无水乙醇洗涤,将样品置于80℃的恒温干燥箱,1小时后取出。从扫描电镜图片(图4a和b)可看出,泡沫镍表面都长满了六边形氢氧化钴片,其厚度约为5-10.0um,六边形边长约为20um。采用三电极法(电解质溶液:2mol/L的KOH)测试了该材料的电化学性质得到了循环伏安曲线(图5)和放电曲线示意图(图6)。
六边形Co(OH)2电极的伏安特性曲线(CV,扫描速率为5mv/s和2.5mv/s)时,在图5中出现了两对氧化还原峰,同实施例1。当扫描速率增大时,CV曲线的阴、阳极峰分别向负极和正极移动,并且氧化还原峰的电位差值也相应增大,表明电极的极化随着扫描速率的增大而增强,反应的不可逆性逐渐增强,导致比电容相应的减少。
图6六边形Co(OH)2电极的放电曲线中,根据实施例1中的电容密度公式,计算得在1、5和10mA电流下的比电容值分别为412.5,367.4和322.8F/g。说明当电流逐渐增大时,电压降相应的延长,电极材料的电容密度逐渐减小。可能是:当电流较大时,离子运动速率较快,相应地,进入活性物质的质子就相对减少,导致活性物质的利用率降低,从而使得电容密度相应的降低;而当电流较小时,离子的运动速率相应减慢,使得电极反应不仅可以发生在物质表面,也可以发生在活性物质中,从而提高活性物质的利用率,使充放电更加完全,得到较大的比电容。从结构上分析可能是本实验所得六边形Co(OH)2晶体颗粒较大,比表面积过小,降低了表面化学反应活性,导致参与氧化还原反应的活性物质反应不够充分,电解质离子难以传递和迁移。
实施例3
先将称取的1.4555g六水合硝酸钴,2.3800g六水和氯化钴和0.8385g氟化铵放入烧杯,然后缓慢加入45mL质量分数为28%的氨水溶液和一定量的去离子水,加入碳酸铵调节pH值为10,转移到水热反应釜内胆中;裁剪2×3cm,质量为0.5g的金属泡沫镍放入上述溶液;并设定水热反应温度为130℃,时间为4h后,取出样品,先后用去离子水、无水乙醇洗涤,将样品置于70℃的恒温干燥箱,2小时后取出。从扫描电镜图片(图7)可看出,六边形氢氧化钴片,其厚度约为5.0um,六边形边长约为15um。
实施例4
先将称取的0.8433g七水合硫酸钴,0.68742g三水合硫氰酸钴(II),0.8187g四异硫氰合钴(II)酸钠和0.5000g氟化铵放入烧杯,然后缓慢加入9mL质量分数为28%的氨水溶液和一定量的去离子水,加入碳酸氢铵调节pH值为11,转移到水热反应釜内胆中;裁剪2×3cm,质量为0.5g的金属泡沫镍放入上述溶液;并设定水热反应温度为160℃,时间为18h后,取出样品,先后用去离子水、无水乙醇洗涤,将样品置于80℃的恒温干燥箱,3小时后取出。
Claims (6)
1.一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)由可溶性钴盐和氯化铵制备钴源母液;(2)调节该母液的pH值至9-12;(3)将pH值调节后的溶液转移到水热反应釜中,加入作为基体的金属泡沫镍;(4)在110-180℃的水热条件下进行反应1-24小时;(5)经洗涤、干燥,即可得到在金属泡沫镍表面生长六边形氢氧化钴片。
2.根据权利要求1所述的方法,所述可溶性溶性钴盐包括钴的硝酸盐、钴的卤化物、钴的硫酸盐、钴的硫氰酸盐、四异硫氰酸根合钴(II)酸盐的一种或几种的组合,钴离子物质的量浓度控制在0.1-0.5mol/L。
3.根据权利要求1所述的方法,所述氟化铵的物质的量浓度保持为钴离子物质的量浓度的1-2倍。
4.根据权利要求1的方法,使用氨水、碳酸铵、碳酸氢铵调节所述母液的pH值。
5.一种由权利要求1-4任一方法制得的六边形Co(OH)2。
6.权利要求5所述的六边形Co(OH)2在超级电容电极材料中的应用。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140625 |