CN103858217A - 用于电子装置的密封剂组合物 - Google Patents
用于电子装置的密封剂组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103858217A CN103858217A CN201280049572.8A CN201280049572A CN103858217A CN 103858217 A CN103858217 A CN 103858217A CN 201280049572 A CN201280049572 A CN 201280049572A CN 103858217 A CN103858217 A CN 103858217A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- composition
- compound
- electronic installation
- methyl
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 239000000565 sealant Substances 0.000 title abstract description 6
- -1 nitroxide compound Chemical class 0.000 claims abstract description 62
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 11
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 10
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 10
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 claims description 8
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 36
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 29
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000000306 component Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001260 acyclic compounds Chemical class 0.000 description 10
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 4
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert-Butyl hydroperoxide Substances CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWNADWZGEHDQAB-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane Chemical group CC(C)CCC(C)C UWNADWZGEHDQAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOC(=O)C(C)=C XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical class ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012241 calcium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate Chemical compound [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012705 nitroxide-mediated radical polymerization Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920005650 polypropylene glycol diacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XKXIQBVKMABYQJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl hydrogen carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(O)=O XKXIQBVKMABYQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 150000007970 thio esters Chemical class 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGTUJZTUQFXBIH-UHFFFAOYSA-N (2,3-dimethyl-3-phenylbutan-2-yl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)C(C)(C)C1=CC=CC=C1 HGTUJZTUQFXBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGXJDMCMYLEZMJ-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOOC(=O)C(C)(C)C HGXJDMCMYLEZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMZHRHTZJDBLEX-UHFFFAOYSA-N (2-phenylphenyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZMZHRHTZJDBLEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIPYNJLMMFGZSX-UHFFFAOYSA-N (5-benzoylperoxy-2,5-dimethylhexan-2-yl) benzenecarboperoxoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(C)(C)CCC(C)(C)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 RIPYNJLMMFGZSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- FYRCDEARNUVZRG-UHFFFAOYSA-N 1,1,5-trimethyl-3,3-bis(2-methylpentan-2-ylperoxy)cyclohexane Chemical compound CCCC(C)(C)OOC1(OOC(C)(C)CCC)CC(C)CC(C)(C)C1 FYRCDEARNUVZRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBQCFYPTKHCPGI-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(2-methylpentan-2-ylperoxy)cyclohexane Chemical compound CCCC(C)(C)OOC1(OOC(C)(C)CCC)CCCCC1 VBQCFYPTKHCPGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSLFISVKRDQEBY-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(tert-butylperoxy)cyclohexane Chemical compound CC(C)(C)OOC1(OOC(C)(C)C)CCCCC1 HSLFISVKRDQEBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNEATYXSUBPPKP-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diisopropylbenzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1 UNEATYXSUBPPKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSZYESUNPWGWFQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroperoxypropan-2-yl)-4-methylcyclohexane Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)OO)CC1 XSZYESUNPWGWFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVGXBYVKFQJQGN-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylperoxy-2-propan-2-ylbenzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1OOC(C)(C)C WVGXBYVKFQJQGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWPPUQSZUBGEPH-UHFFFAOYSA-N 10,11-dioctylicosane Chemical compound CCCCCCCCCC(CCCCCCCC)C(CCCCCCCC)CCCCCCCCC DWPPUQSZUBGEPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYOPEFFRGULSE-UHFFFAOYSA-N 12-hydroxydodecyl 3-methylbut-2-enoate Chemical compound CC(=CC(=O)OCCCCCCCCCCCCO)C IKYOPEFFRGULSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOCCOC(=O)C=C FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCN(CC)CCOC(=O)C(C)=C SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C(C)=C JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEWCNXNIQCLWHP-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCNC(C)(C)C BEWCNXNIQCLWHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VETIYACESIPJSO-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOCCOCCOC(=O)C=C VETIYACESIPJSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO PTJWCLYPVFJWMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDSLBLWCPSAZBL-UHFFFAOYSA-N 2-cyanopropan-2-yl benzenecarbodithioate Chemical compound N#CC(C)(C)SC(=S)C1=CC=CC=C1 IDSLBLWCPSAZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URUIKGRSOJEVQG-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylsulfanylcarbothioylsulfanylacetonitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCCSC(=S)SCC#N URUIKGRSOJEVQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQQVCMQJDJSRFU-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO IQQVCMQJDJSRFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C=C CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFZKVQVQOMDJEG-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxypropyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)COC(=O)C=C VFZKVQVQOMDJEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIVJYLGQARVCBI-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylperoxy-2-methylpropane;cumene Chemical group CC(C)C1=CC=CC=C1.CC(C)(C)OOC(C)(C)C RIVJYLGQARVCBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWTKNKBWDQHROK-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethyl]phthalic acid Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O DWTKNKBWDQHROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIRCHUKFJGBFFJ-UHFFFAOYSA-N 3-docosylpyrrole-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC(=O)NC1=O BIRCHUKFJGBFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSOSOOLFHYRR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCOC(=O)C=C QZPSOSOOLFHYRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLHDYAXSQWGYSM-UHFFFAOYSA-N 3-octadecylpyrrole-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC1=CC(=O)NC1=O BLHDYAXSQWGYSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHKCHSNXUCRFSM-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4,4-bis(tert-butylperoxy)cyclohexyl]propan-2-yl]-1,1-bis(tert-butylperoxy)cyclohexane Chemical compound C1CC(OOC(C)(C)C)(OOC(C)(C)C)CCC1C(C)(C)C1CCC(OOC(C)(C)C)(OOC(C)(C)C)CC1 ZHKCHSNXUCRFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 7,7-dimethyloctanoic acid Chemical compound CC(C)(C)CCCCCC(O)=O YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKJADYKTJJGKDX-UHFFFAOYSA-N Butyl pentanoate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCC OKJADYKTJJGKDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVLQJUCKICCFHU-UHFFFAOYSA-N C(#N)C(CCC(=O)O)(C)SC(=S)C1=CC=CC=C1.C(CCCC)(=O)O Chemical compound C(#N)C(CCC(=O)O)(C)SC(=S)C1=CC=CC=C1.C(CCCC)(=O)O NVLQJUCKICCFHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXTGXWKSRIJYFE-ODZAUARKSA-N C(\C=C/C(=O)O)(=O)O.C(C)(C)(C)OO Chemical compound C(\C=C/C(=O)O)(=O)O.C(C)(C)(C)OO BXTGXWKSRIJYFE-ODZAUARKSA-N 0.000 description 1
- CKIVQKYOEOUZDJ-UHFFFAOYSA-N CC(=CC(=O)O)C.CO.CO Chemical compound CC(=CC(=O)O)C.CO.CO CKIVQKYOEOUZDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCZFEIZSYJAXKS-UHFFFAOYSA-N [3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound OCC(CO)(CO)COC(=O)C=C ZCZFEIZSYJAXKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSOONFBDIYMPEU-UHFFFAOYSA-N [3-hydroxy-2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)COC(=O)C=C SSOONFBDIYMPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-prop-2-enoyloxyphenyl)propan-2-yl]phenyl] prop-2-enoate Chemical class C=1C=C(OC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C=C)C=C1 FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- UBPJIDNMDZEGBK-UHFFFAOYSA-N benzoyl benzenecarboperoxoate formic acid Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)(=O)OOC(C1=CC=CC=C1)=O.C(=O)O UBPJIDNMDZEGBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol A dimethacrylate Chemical compound C1=CC(OC(=O)C(=C)C)=CC=C1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C(C)=C)C=C1 QUZSUMLPWDHKCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- RYRWDTRXCNOMOJ-UHFFFAOYSA-N dibutan-2-yl carbonate Chemical compound CCC(C)OC(=O)OC(C)CC RYRWDTRXCNOMOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- JMPVESVJOFYWTB-UHFFFAOYSA-N dipropan-2-yl carbonate Chemical compound CC(C)OC(=O)OC(C)C JMPVESVJOFYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUPKGFBOKBGHFZ-UHFFFAOYSA-N dipropyl carbonate Chemical compound CCCOC(=O)OCCC VUPKGFBOKBGHFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- UUNRYKCXJSDLRD-UHFFFAOYSA-N dodecylsulfanyl-(dodecylsulfanylcarbothioyldisulfanyl)methanethione Chemical compound CCCCCCCCCCCCSC(=S)SSC(=S)SCCCCCCCCCCCC UUNRYKCXJSDLRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGHKDVSIFPFNIJ-UHFFFAOYSA-N dodecylsulfanylmethanedithioic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCSC(S)=S JGHKDVSIFPFNIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007046 ethoxylation reaction Methods 0.000 description 1
- NBRNULGZTFWZPN-UHFFFAOYSA-N ethyl 4-oxo-4-prop-2-enoylperoxybutanoate Chemical compound CCOC(=O)CCC(=O)OOC(=O)C=C NBRNULGZTFWZPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- OTRIMLCPYJAPPD-UHFFFAOYSA-N methanol prop-2-enoic acid Chemical compound OC.OC.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C OTRIMLCPYJAPPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical class C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N methyl-cyclopentane Natural products CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N octyldodecane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N pivalic acid Chemical compound CC(C)(C)C(O)=O IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC=C FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N tert-butyl benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJXKWIFHRZWPET-UHFFFAOYSA-N tert-butyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC(C)(C)C WJXKWIFHRZWPET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLUUTGIJNRNHRF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl heptanoate Chemical compound CCCCCCC(=O)OC(C)(C)C WLUUTGIJNRNHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940113165 trimethylolpropane Drugs 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/36—Amides or imides
- C08F222/40—Imides, e.g. cyclic imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J135/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical, and containing at least another carboxyl radical in the molecule, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J135/02—Homopolymers or copolymers of esters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/36—Amides or imides
- C08F222/40—Imides, e.g. cyclic imides
- C08F222/402—Alkyl substituted imides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本发明的目的在于提供一种用于电子装置的密封剂组合物,其在电子装置的安装步骤中于工作期间不产生问题,甚至在被加热时亦如此。本发明涉及用于电子装置的密封剂组合物,其包含:(a)具有至少两个(甲基)丙烯酰基的化合物,以及(c)氮氧化合物和/或硫代羰基硫代化合物。
Description
技术领域
本发明涉及一种可用于制备电子装置——特别是半导体装置——的组合物及其用途。
背景技术
作为一项半导体芯片的安装技术,倒装芯片技术是已知的,其中通过该技术将半导体芯片直接连接在衬底上。在倒装芯片安装中,通过在半导体芯片的元件形成表面侧上形成的电极(凸起(bump))而连接半导体芯片和电路衬底。在该情况中,为了加固接合部件和增强连接件的可靠性,通常将底部填充密封剂(其是粘合剂组合物)填充在半导体芯片和接线衬底之间。
作为一种底部填充组合物,包含环氧型化合物和/或(甲基)丙烯酸化合物等的粘合剂组合物是已知的(例如专利文献1)。其中,利用(甲基)丙烯酸化合物的自由基固化反应的组合物相对于包含环氧型化合物的组合物而言具有以下优势:反应速率更高,并可提高制造电子装置的效率。
作为一种填充底部填充密封剂的方法,已知以下两种方法:其中首先将液体粘合剂组合物涂覆在接线衬底上、然后安装半导体芯片以同时进行电极连接和密封的方法;其中首先建立在半导体芯片上的电极和衬底之间的电连接、然后将液体粘合剂组合物涂覆在芯片的一侧或多侧上以通过毛细作用等密封接线衬底和半导体芯片之间的间隙的方法(所谓的毛细管法)。通过所述方法中的任一种,需要将液体粘合剂组合物涂布遍及整个接线衬底上,并需要将所述液体粘合剂组合物均匀地填充在半导体芯片和接线衬底之间的间隙中等。因此,有时按需将用于施加粘合剂的注射器、衬底等加热至室温或更高温度以提高粘合剂组合物的流动性。
但是,当使用利用自由基固化反应的底部填充密封剂时,存在这样的问题:底部填充组合物的固化反应有时会在进行密封之前过早进行,这导致不足的电极连接或不佳的工作效率。当粘合剂组合物处于如上所述的室温或更高温度的状态下时,容易出现这样的问题。为了克服该问题,将添加剂混入底部填充密封剂组合物中或降低工作温度,这并不足够。因此,仍在寻求用于电子装置的粘合剂组合物的进一步改进。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本专利特开(Laid-Open)No.2010-226098
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是解决在使用常规粘合剂组合物中的上述问题,并提供一种提高电子装置的生产率的组合物。此外,另一个目的是提供含有该组合物的电子装置或电器。
解决技术问题所采取的技术方案
本发明涉及以下方案。
1、用于电子装置的密封剂组合物,所述密封剂组合物包含:
(a)具有两个以上(甲基)丙烯酰基的化合物和
(c)氮氧化合物(nitroxide compound)和/或硫代羰基硫代化合物。
2、根据以上第1项的组合物,所述组合物还包含自由基引发剂。
3、根据以上第1或2项的组合物,所述组合物还包含(b)马来酰亚胺化合物。
4、根据以上第3项的组合物,其中所述(b)马来酰亚胺化合物包括双马来酰亚胺。
5、根据以上第1-4项中任一项的组合物,其用作底部填充密封剂。
6、根据以上第1-5项中任一项的组合物,其用于倒装芯片安装中。
7、电子装置,所述电子装置包含根据以上第1-6项中任一项的组合物的固化产物。
8、电器,所述电器包含根据以上第7项的电子装置。
发明的有益效果
根据本发明的组合物在室温或更高温度且80℃或更低温度下的固化反应的进行可被充分抑制。因此,抑制了半导体芯片的倒装芯片安装过程中固化反应的进行,由此本发明的组合物不会造成在半导体芯片的倒装芯片安装过程中有缺陷的电极连接,并且可确保在安装过程中充足的工作时间。结果,可提供较高质量的产品而不降低通过倒装芯片安装来制造电子装置的生产效率。
具体实施方式
根据本发明的用于电子装置的组合物至少包含
(a)具有两个以上(甲基)丙烯酰基的化合物和
(c)氮氧化合物和/或硫代羰基硫代化合物。以下将对各成分进行描述。
<(a)具有两个以上(甲基)丙烯酰基的化合物>
根据本发明的组合物包含具有两个以上(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酸化合物(以下,被称为“成分(a)”)。通常,优选的是,除了具有两个(甲基)丙烯酰基的化合物之外,还根据需要使用具有1个(甲基)丙烯酰基的化合物和/或具有3个以上(甲基)丙烯酰基的化合物。此外,所述(甲基)丙烯酸化合物可以是单体或低聚物。
虽然对可用于本发明的(甲基)丙烯酸化合物没有特别限定,但是具有(甲基)丙烯酰基的单官能化合物的实例包括苯基苯酚丙烯酸酯、甲氧基聚乙烯丙烯酸酯、琥珀酸丙烯酰氧基乙酯、脂族丙烯酸酯、甲基丙烯酰氧基乙基苯二甲酸、苯氧基乙二醇甲基丙烯酸酯、脂族甲基丙烯酸酯、B-羧基乙基丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸二氢环戊二乙酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸二乙基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯、丙烯酸4-羟基丁酯、丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸苯甲酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙酯和甲氧基三乙二醇丙烯酸酯。具有两个以上(甲基)丙烯酰基的化合物的实例包括二甲基丙烯酸己二醇酯、甲基丙烯酸羟基丙烯酰氧基丙酯、二丙烯酸己二醇酯、聚氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)、环氧丙烯酸酯、双酚A-型环氧丙烯酸酯、改性环氧丙烯酸酯、经脂肪酸改性的环氧丙烯酸酯、经胺改性的双酚A-型环氧丙烯酸酯、甲基丙烯酸烯丙酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、乙氧基化双酚A二甲基丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯、二甲基丙烯酸丙三醇酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化双酚A二丙烯酸酯、9,9-双(4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基)芴、三环癸烷二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇(dipentaerythtol)聚丙烯酸酯、二季戊四醇(dipentaerythtol)六丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯、聚醚三丙烯酸酯、丙三醇丙氧基三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇乙氧基四丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、单季戊四醇丙烯酸酯、二季戊四醇丙烯酸酯、三季戊四醇丙烯酸酯、聚季戊四醇丙烯酸酯和季戊四醇三丙烯酸酯。
可用于本发明的(甲基)丙烯酸化合物的市售产品的实例包括来自Sartomer,Co.,Inc.的SR&CD系列的官能单体、CN系列的官能环氧丙烯酸酯低聚物和官能聚氨酯丙烯酸酯低聚物;来自Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.的Light Ester系列,和Light Acrylate系列;以及来自Shin-NakamuraChemical Co.,Ltd的NK Ester。
所述(甲基)丙烯酸化合物可单独使用或者以它们中两种以上的组合使用。
本发明的(甲基)丙烯酸化合物的含量可根据使用目的进行调节,并优选为基于化合物总重量的10-90重量%,更优选为20-60重量%。如果(甲基)丙烯酸酯的含量在所述范围内,则固化前的组合物粘度较低,并且可加工性和固化后的强度较优异。
<(c)氮氧化合物和/或硫代羰基硫代化合物>
根据本发明的组合物包含氮氧化合物和/或硫代羰基硫代化合物(以下,被称“成分(c)”)。成分(c)为一般在活性自由基聚合中作为用于调整成长反应或终止反应的调节剂而使用的化合物。
氮氧化合物意指具有式(II)所表示的氮氧自由基部分的化合物或可以产生氮氧自由基部分的化合物。已知式(II)的氮氧自由基部分作为封端剂用于在氮氧调控的活性自由基聚合反应(NMP:Nitroxide-Mediated radicalPolymerization(氮氧调控自由基聚合))中在聚合物生长端对自由基进行封端。
此外,硫代羰基硫代化合物具有式(III)结构,并且已知作为链转移剂用于RAFT(可逆加成断裂链转移)聚合反应,这也是一种活性自由基聚合。
当根据本发明的组合物用于制备半导体装置时,例如如下所述地将所述组合物施加至接线衬底上。在这种情况下,为了提高组合物的流动性,有时将组合物置于室温或更高温度的状态。此时,由于根据本发明的组合物含有成分(c),所以可充分抑制固化反应的进行,并且不降低在随后的安装过程中的工作效率。这是因为,正如本发明的发明人认定的,在组合物中产生的自由基用成分(c)的自由基结构可逆性地钝化生长自由基,从而抑制固化反应的进行。此外,根据本发明的组合物于随后的固化反应中在较高温度下不会被抑制,并且不会引起固化的组合物的物理性质方面的问题。
根据本发明的组合物中的成分(c)的含量优选为基于组合物的总重的0.001-5重量%,并且更优选为0.01-1重量%。此外,根据本发明的组合物优选含有下述的热自由基引发剂,并且在该情况下引发剂对成分(c)的摩尔比(引发剂∶成分(c))优选为1∶0.001至1∶10,并且更优选为1∶0.01至1∶1。如果成分(c)的含量在该范围内,则组合物在反应性或物理性质方面不会产生任何问题。
尽管对具有氮氧自由基部分的化合物没有特别限定,但是其实例包括2,2,5-三甲基-4-苯基-3-氮杂己烷-3-氮氧化物、2,2,6,6-四甲基-1-哌啶氧基自由基(TEMPO)、2,2,6,6-四氧代-1-哌啶氧基自由基、2,2,6,6-四氧代-1-哌啶氧基自由基、2,2,5,5-四甲基-1-吡咯烷氧基自由基、1,1,3,3-四甲基-2-异二氢吲哚氧基自由基,和N,N-二-叔丁基氨氧基自由基。
能够产生氮氧自由基部分的化合物的实例包括以下通式(IV)所表示的烷氧基胺化合物:
R1-O-N(R2)(R3) (IV)
(其中R1、R2、R3为有机残基,并且R2和R3可以一起形成环状结构。)
通式(IV)所表示的烷氧基胺化合物的实例包括描述于Didier Benoit等人的研究论文中(J.Am.Chem.Soc.,1999,121,p.3904to3920)等的以下烷氧基胺化合物。
以上化合物可作为市售产品例如从Sigma-Aldrich Co.LLC.可获得,并且也可以通过公众已知的方法合成。
硫代羰基硫代化合物的实例包括描述于日本特开专利公布文本No.2004-518773中的化合物。具体的实例包括但不限于2-氰基-2-丙基苯并二硫代酸酯(2-cyano-2-propyl benzodithioate)、4-氰基-4-(苯基羰基硫代硫代)戊酸(4-cyano-4-(phenylcarbonothioylthio)pentanoic acid))、2-氰基-2-丙基十二烷基三硫代碳酸酯、4-氰基-4-[(十二烷基硫烷基硫代羰基)硫烷基]戊酸、2-(十二烷基硫代羰基硫代硫代)2-甲基丙酸、氰基甲基十二烷基三硫代碳酸酯、氰甲基甲基(苯基)氨基甲酰二硫代酸酯、双(硫代苯酰)二硫醚、双(十二烷基硫烷基硫代羰基)二硫醚。以上化合物可作为市售产品例如从Sigma-Aldrich Co.LLC.可获得。
所述化合物可单独使用或以其中两种以上的组合使用,作为用于本发明的组合物的成分(c)。
<(b)马来酰亚胺化合物>
根据本发明的组合物除了(a)(甲基)丙烯酸化合物和(c)氮氧化合物和/或硫代羰基硫代化合物之外,还可优选含有(b)马来酰亚胺化合物(以下,被称为“成分(b)”)。尽管对包含于根据本发明的组合物中的马来酰亚胺化合物没有特别限定,但其实例包括以下化合物。
马来酰亚胺化合物在一个分子中具有至少一个——优选一个或两个——以下的部分(I)。
在该式中,R1和R2表示H或具有1-6个碳的烷基;或R1和R2一起表示具有2-6个碳的亚烷基。优选地,R1和R2都是H;或R1和R2一起表示1,4-亚丁基。
所述马来酰亚胺化合物优选在室温下是液体,因此所述部分(I)键接至使马来酰亚胺化合物为液体的基团,例如具有支化烷基、亚烷基、亚烷基氧化物、亚烷基羧基或亚烷基酰胺结构的有机基团,其具有足够长度和支链使马来酰亚胺化合物为液体。所述马来酰亚胺化合物可具有一个或两个或更多个结构(I)。具有这些基团中的两个的化合物为双马来酰亚胺。此外,如果当组合物与另一马来酰亚胺化合物混合或与另一组分混合时变为液体,则可使用该马来酰亚胺化合物,即使其不是液体也可使用。
其中部分(I)与烷基或亚烷基(所述基团可具有双键或饱和脂族环)键接的马来酰亚胺化合物的实例包括以下化合物。
特别优选的实例包括硬脂基马来酰亚胺、油基马来酰亚胺、山嵛基(behenyl)马来酰亚胺和10,11-二辛基二十烷的1,20-双马来酰亚胺衍生物、以及它们的组合。10,11-二辛基二十烷的1,20-双马来酰亚胺衍生物可以产品名X-BMI购自Henkel AG&Co.,其通过美国专利5973166(将美国专利5973166的全部公开内容通过援引加入的方式纳入本文)的方法从1,20-二氨基-10,11-二辛基-二十烷和/或其环状异构体的二胺合成。X-BMI包含1,20-双马来酰亚胺-10,11-二辛基-二十烷[由式(X-1)表示的化合物]、1-亚庚基马来酰亚胺-2-亚辛基马来酰亚胺-4-辛基-5-庚基环己烷[由式(X-2)表示的化合物]、1,2-二亚辛基马来酰亚胺-3-辛基-4-己基环己烷[由式(X-3)表示的化合物]等中的一个或者两个或多个。也可优选单独使用由式(X-1)-(X-3)表示的双马来酰亚胺化合物。
其中部分(I)与具有亚烷基氧化物结构的基团键接的马来酰亚胺化合物的实例包括以下化合物。
在该式中,R是亚烷基,优选是亚乙基或1,2-亚丙基,n是2-约40的整数,其中优选地选择使化合物为液体的n的整数数值和分布。所述化合物可以LUMICURE(注册商标)MIA200购自DIC Corporation。
另一可用的马来酰亚胺化合物的实例包括由下式表示的化合物(3,4,5,6-四氢邻苯二甲酰亚胺乙基丙烯酸酯)。
以上的马来酰亚胺化合物可单独使用或者以它们中的两种或更多种组合使用。
本发明的马来酰亚胺化合物的含量优选为基于组合物总重量的0-50重量%,更优选为0.1-50重量%,,进一步优选为1-20重量%。如果马来酰亚胺化合物的含量处于该范围内,则固化速率变得较优异。
同时,当组合物包含本发明的马来酰亚胺化合物时,组合物中的(甲基)丙烯酸化合物和马来酰亚胺化合物通过经被加热至预定温度而发生的自由基反应而聚合。在该情况下,仅一种化合物可聚合而形成均聚物,或两种或更多种化合物可聚合而形成共聚物。
<填料>
本发明的组合物可包含填料。通过共混填料,可得到具有低线膨胀系数的用于电子装置的组合物,其显示出较优异的尺寸稳定性和改进的阻燃性。作为填料,根据使用目的可选择绝缘无机填料或导电无机填料。绝缘无机填料的实例包括硅石、硅酸钙、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、氮化铝和氮化硼,并且硅石是特别优选的。导电无机填料的实例包括金属和炭黑。
此外,还可使用按需进行表面改性的填料。市售产品的实例包括购自Mitsubishi Chemical Corporation的“Mitsubishi carbon black”系列;购自Asahi Carbon Co.,Ltd.的“Asahi”系列;购自Kawai Lime Ind.Co.,Ltd.的硅酸钙“PCM Lite″系列、氢氧化铝“ALH”系列和基于氧化铝的“Celasule″;购自Sakai Chemical Industry Co.,Ltd.的氧化钛“STR系列″、硅石“Sciqus系列”、氧化锌“FINEEX系列”、氧化镁“SMO系列″和氧化锆“STR系列”;购自Admatechs Company Limited的硅石、氧化的氧化铝“ADMAFINE”系列;购自Nissan Chemical Ind.,Ltd.的硅石“SNOWTEX”系列;和购自C.I.Kasei Co.,Ltd.的含金属氧化物的硅石和氧化铝“NanoTek”系列。
当将本发明组合物用于制造例如半导体装置时,填料的平均粒径优选小于半导体芯片元件形成表面和接线衬底之间的间隙大小。如果填料的平均粒径过大,则填料可能在制造半导体装置时被夹在金属连接件之间,使得可能无法建立良好的电可靠性,或芯片可能破裂。
尽管填料的共混量可根据使用目的调节,但是优选例如为基于粘合剂组合物总重量的1-99重量%,更优选为10-80重量%。如果所述含量在该范围内,则可得到具有充分的填料添加效果和在处理时没有任何问题的粘度的组合物。
<自由基引发剂>
根据本发明的组合物优选含有自由基引发剂,更优选热自由基引发剂。作为热自由基引发剂,优选是有机过氧化物,并且选择在适当温度下产生自由基的有机过氧化物。
尽管对于自由基引发剂没有特别限制,但其实例包括过氧化二异丁基、过氧化新癸酸异丙苯酯、过氧化碳酸二正丙酯、过氧化碳酸二异丙酯、过氧化碳酸二仲丁酯、过氧化新癸酸1,1,3,3-四甲基丁酯、二(4-叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二(2-乙基己基)过氧化二碳酸酯、过氧化新癸酸叔己酯、过氧化新癸酸叔丁酯、过氧化新庚酸叔丁酯、过氧化新戊酸叔己酯、过氧化新戊酸叔丁酯、过氧化二(3,5,5-三乙基己酰基)、过氧化二月桂酰、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化-2-乙基己酸酯、过氧化二琥珀酸、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己酰基过氧基)己烷、过氧基-2-乙基己酸叔己酯、过氧化二(4-甲基苯甲酰基)、过氧基-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化二苯甲酰、1,1-二(叔丁基过氧基)-2-甲基环己烷、1,1-二(叔己基过氧基)-3,3,5-三甲基环己烷、1,1-二(叔己基过氧基)环己烷、1,1-二(叔丁基过氧基)环己烷、2,2-二(4,4-二-(叔丁基过氧基)环己基)丙烷、过氧化异丙基单碳酸叔己酯、叔丁基过氧化马来酸、过氧基-3,5,5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化月桂酸叔丁酯、过氧化异丙基单碳酸叔丁酯、过氧化2-乙基己基单碳酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔己酯、2,5-二-甲基-2,5-二(苯甲酰基过氧基)己烷、过氧化乙酸叔丁酯、2,2-二(叔丁基过氧化)丁烷、过氧化苯甲酸叔丁酯、4,4-二-(叔丁基过氧化)戊酸正丁酯、二(2-叔丁基过氧基异丙基)苯、过氧化二异丙苯、过氧化二-叔己基、过氧化叔丁基异丙苯、过氧化二-叔丁基、萜烷过氧化氢、氢过氧化2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧基)己烷-3,3,5-二异丙基苯、氢过氧化1,1,3,3-四甲基丁基、氢过氧化枯烯、氢过氧化叔丁基和2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷。所述有机过氧化物可购自Akzo Nobel N.V、Gio specialities Chemical、Arkema S.A.、NOFCorporation、Kayaku Akzo Corporation等。其可单独使用或者以它们中的两种或更多种的组合使用。
自由基引发剂的共混量优选为基于组合物总重量的0.01-10重量%,更优选为0.1-5重量%。如果自由基引发剂的共混量在该范围内,则在涂覆组合物时不存在不稳定的问题或固化时间延长的问题。
除了上述组分之外,本发明组合物还可按需包含添加剂,例如硅烷偶联剂、橡胶组分、抗氧化剂、光稳定剂、自由基稳定剂和表面活性剂。硅烷偶联剂和橡胶组分可有利地改进组合物的粘合性质、缓解应力并减少经固化反应产物的翘曲。同时,可使用抗氧化剂和自由基稳定剂以延长罐藏期。为了在涂布中消泡或为了改进对待涂布的目标物的润湿性和流平性质,可添加表面活性剂。
通过将硅烷偶联剂共混入组合物可改进粘合剂的粘合性质。
尽管对于硅烷偶联剂没有特别限制,但是其实例包括氨基硅烷偶联剂、环氧硅烷偶联剂、酰脲硅烷偶联剂、异氰酸酯硅烷偶联剂、乙烯基硅烷偶联剂、(甲基)丙烯酸硅烷偶联剂和酮亚胺硅烷偶联剂,并且其中异氰酸酯硅烷偶联剂、(甲基)丙烯酸硅烷偶联剂和环氧硅烷偶联剂是优选的。所述硅烷偶联剂可购自Dow Coming Toray Silicone Co.,Ltd.、Shin-Etsu Silicone、Matsumoto Fine Chemical Co.,Ltd.、Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.等。
尽管可合适调节硅烷偶联剂的共混量,但其例如优选为基于组合物总重量的0-10重量%,更优选为0-5重量%。如果硅烷偶联剂的含量过高,则在倒装芯片过程中热压接合期间硅烷偶联剂挥发而形成空隙。
尽管对于橡胶没有特别限制,但是其实例包括:工业橡胶,例如丙烯酸橡胶、腈橡胶、丁二烯橡胶和腈丁二烯橡胶;以及用于橡胶的低分子量交联剂。工业橡胶的市售产品的实例包括:购自Negami Chemical IndustrialCo.,Ltd.的“Paracron RP”系列,购自Ganz Chemical Co.,Ltd.的“StaphyloidIM”和“Staphyloid AC”系列,购自Zeon Kasei Co.,Ltd.的“Zeon”系列,和购自Mitsubishi Rayon Co.,Ltd.的“METABLEN C/E/W/S/SX/SRX”。用于橡胶的低分子量交联剂的市售产品的实例包括购自Sartomer的“Ricon”系列;购自Idemitsu Kosan Co.,Ltd.的“Poly bd”和“Poly ip”系列、“EPOL”系列和“Krasol”;以及购自Nippon Soda Co.,Ltd.的“NISSO-PB”。所述产品可单独使用或者以它们中的两种或更多种的组合使用。
此外,可使用其中预先已分散橡胶颗粒的丙烯酸树脂的市售产品,并且其实例包括购自Negami Chemical Industrial Co.,Ltd.的Paracron SN-50、AS-3000、ME-2000、W-1163、W-248E、W-197C、PRE-COAT200和PANLONS-2012。
尽管可合适调节橡胶的共混量,但其例如优选为基于粘合剂组合物总重量的0-30重量%,更优选为0-20重量%。如果橡胶含量过高,则粘合剂组合物的粘度提高过多,造成处理性能可能劣化、或其他组分的混合可能变得困难、或粘合剂的粘合性可能劣化的问题。
抗氧化剂和自由基稳定剂的实例包括氢醌、苯醌和受阻酚;并且光稳定剂的实例包括苯并三唑型、三嗪型、二苯甲酮型、苯甲酸酯型和受阻胺型的紫外线吸收剂。根据使用目的可以从市售产品的目录中选出表面活性剂。
<用于电子装置的组合物的制备方法>
本发明的组合物可通过将上述各组分以及按需存在的溶剂均匀混合而得到。对于组合物仅要求调节其粘度,只要它可通过涂布机(例如分配器)涂布;并且所述组合物也可以是无溶剂的。还可通过组合物中化合物的选择或通过其共混量的调节来调节粘度。本发明组合物可通过均匀地捏合预定量的各组分进行制备,所述捏合通过但不限于单独使用或以组合方式使用公知的各种捏合机(例如均匀分散机(homodisperser)、通用混合机、班伯里机、捏合机、双辊密炼机、三辊密炼机和挤出机)来进行。捏合可在各种条件下实施,例如在常温或在加热下、在常压、减压或升压下、或在惰性气流下实施。
根据本发明的用于电子装置的组合物优选用作电子装置的密封剂,但是并不特别限于此。对此,密封剂的实例包括:用于包括半导体芯片在内的电子装置的底部填充密封剂(密封剂),绝缘漆,用于印刷接线衬底的绝缘材料,用于印刷接线衬底的浸渍树脂,用于电子装置的涂覆材料,用于电子装置的灌注材料,以及用于电子装置的粘合剂。特别优选本发明涉及作为底部填充密封剂的用途。
<电子装置及其制造方法>
接下来,将描述包含本发明组合物的电子装置的制造方法。尽管对于电子装置的制备方法没有特别限制,但是优选使用倒装芯片工艺。在倒装芯片工艺中,特别优选的是使用本发明组合物涂布接线衬底的电路表面。电子装置的制造方法包括例如:
(1)涂布工艺,其用于使用本发明组合物涂布接线衬底的电路表面,和
(2)接合和密封工艺,其用于在已涂覆于接线衬底上的组合物上放置半导体芯片,并在半导体芯片和接线衬底之间实施电连接,并对其间的间隙实施密封。以下将描述各工艺。
<(1)涂布工艺>
在涂布工艺中,将本发明组合物涂覆在接线衬底的电路表面上。可使用所述组合物涂布遍及整个接线衬底的表面或仅其中待安装半导体芯片的接线衬底的表面的部分。涂布方法的实例包括使用旋涂机、分配器、辊机等的涂布方法和筛网印刷。对此,可按需将涂布工艺中使用的注射器、衬底等加热至室温或更高温度以改进组合物的流动性。
<(2)接合和密封工艺>
在接合和密封工艺中,实施半导体元件和接线衬底之间的电连接,并同时使用本发明组合物密封半导体元件和电路衬底之间的间隙以制造电子装置。首先,将半导体芯片放置在接线衬底上经粘合剂组合物涂布的部分上。在此情况下,将接线衬底的电路表面(即涂布工艺中使用组合物涂布的表面)和半导体芯片的元件形成表面对齐,使得两者彼此面对面。然后进行热压接合。在热压接合之后可另外实施加热以固化粘合剂组合物。通常,作为用于热压接合和连接的方法,使用倒装芯片接合机在位置调整之后立即实施热压接合,或在位置调整和临时安装之后,在回流烘箱等中实施加热连接。在该情况下,使用适于包装或密封法的热曲线(thermal profile)。此外,对于芯片安装,不但可使用倒装芯片接合机,还可代替性地使用可进行位置调整的芯片接合机(die bonder)等。
对于热压接合的温度没有特别限制。当电极是焊料凸起或焊料帽凸起时,比其熔点高10-100℃的温度是优选的,200℃或更高的温度是优选的,210-300℃是更优选的。热压接合的持续时间优选为1-20秒,压力优选为0.1-7MPa。此外,如果为了热压接合之后完全固化粘合剂组合物而实施额外加热,则例如在150-220℃下经过30-180min是优选的。
如上得到的电子装置可用于利用半导体芯片的各种电器,例如蜂窝电话、个人计算机和TV。
实施例
以下将通过实施例更详细地描述本发明。但是,本发明不限于以下的实施例。
表1显示以下实施例和对比例中使用的化合物。
以下实施例和对比例中使用的设备等如下:
(1)电路衬底:WALTS-KIT MB50-0102JY_CR,购自Walts Co.,Ltd.。焊盘(pad)根据CuOSP规范。
(2)半导体芯片:购自Walts Co.,Ltd.的由铜柱和焊料构成的具有544个凸起的WALTS-TEG MB50-0101JY。
(将电路衬底(1)和半导体芯片(2)连接在一起而形成菊花链,并当芯片中的所有凸起被连接时,可建立电路通路。也就是说,如果544个凸起中的单个凸起不能被连接,则通过电导通性(continuity)测试识别为电绝缘。)
<用于底部填充密封剂的粘合剂组合物的制备>
通过以下方法混合相关组分以制备粘合剂组合物。表2显示各实施例和对比例中共混的化合物及其共混量(重量%)。
<实施例1>
(组合物的制备)
根据给定的共混量称重出表2列出的化合物,并通过三辊密炼机均匀捏合。将产品在真空除气以制备粘合剂组合物A。
在120℃烘箱中加热电路衬底1小时后,用自动分配器将组合物A涂覆在电路衬底上而得到涂布有粘合剂组合物A的电路衬底B。
(电子装置的安装)
在电路衬底B的制备后即刻(热暴露时间为0min),或在留置于80℃的热板上15min、30min、45min、60min或90min之后,调整半导体芯片和电路衬底B的位置,并使用装配有脉冲加热功能的倒装接合机将两者一起压制,然后在240℃下用脉冲加热进行热压接合。其后,在150℃的烘箱中固化组合物A一小时以完成电子装置C。
(电导通性测试)
检查以上制造的电子装置C的电导通性,发现其在80℃的热板上经过任何热暴露时间的电导通性均是良好的(表3)。也就是说,半导体芯片上的所有544个凸起均被连接。因此,其证实了实施例1的组合物维持足以加工的液态性,即使当实施例1的组合物留置在80℃的热板上也如此。
[表3]
留置时间 | 电导通性 |
0分钟 | 良好 |
15分钟 | 良好 |
30分钟 | 良好 |
45分钟 | 良好 |
60分钟 | 良好 |
90分钟 | 良好 |
<实施例2-13>
通过如实施例1中的相同方法制造电子装置,除了组合物中共混的组分改为如表2中所示的。同样地,在实施例2-13中,将涂布有所述组合物的电路衬底在80℃下留置0min、15min、30min、45min、60min和90min,然后制造电子装置,并检查其电导通性。其结果是,对于所有情况,均得到良好的电导通性。因此,其证实了实施例2-13中的组合物也维持足以加工的液态性,即使当实施例2-13中的组合物留置在80℃的热板上亦如此。
<对比例1>
通过如实施例1中的相同方法制造电子装置,除了组合物中共混的组分改为如表2中所示的,并且未共混马来酰亚胺化合物和成分(c)。同样地,在对比例1中,将涂布有所述组合物的电路衬底在80℃下留置0min、15min、30min、45min、60min和90min,然后制造电子装置,并检查其电导通性。其结果是,如果不在80℃下留置(热暴露时间为0min),则确认产生良好的电子装置的电导通性;但在所有其他情况中,未建立电导通性(表4)。因此,其证实了对比例1中的组合物的固化因在80℃下留置而进行,并且不能建立良好的电导通性。
[表4]
留置时间 | 电导通性 |
0分钟 | 良好 |
15分钟 | 未连接 |
30分钟 | 未连接 |
45分钟 | 未连接 |
60分钟 | 未连接 |
90分钟 | 未连接 |
<对比例2>
通过如实施例1中的相同方法制造电子装置,除了组合物中共混的组分改为如表2中所示的,并且未共混成分(c)。同样地,在对比例2中,如实施例1中地检查电导通性。其结果是,如果不在80℃下留置(热暴露时间为0min),则确认产生良好的电子装置的电导通性;但在所有其他情况中(80℃下留置),未建立电导通性。其确认了对比例2中的组合物的固化同样因在80℃下留置而进行,并且不能建立良好的电导通性。
<对比例3>
通过如实施例1中的相同方法制造电子装置,除了组合物中共混的组分改为如表2中所示的,并使用聚合抑制剂苯醌来代替成分(c)。同样地,在对比例3中,如实施例1中地检查电导通性。其结果是,如果不在80℃下留置(热暴露时间为0min),则确认产生良好的电子装置的电导通性;但在所有其他情况中(80℃下留置),未建立电导通性。其确认了对比例3中的组合物的固化因在80℃下留置而进行,并且不能建立良好的电导通性。
<对比例4>
通过如实施例1中的相同方法制造电子装置,除了组合物中共混的组分改为如表2中所示的,并使用聚合抑制剂氢醌来代替成分(c)。同样地,在对比例4中,如实施例1中地检查电导通性。其结果是,如果不在80℃下留置(热暴露时间为0min),则确认产生良好的电子装置的电导通性;但在所有其它情况中(80℃下留置),未建立电导通性。其确认了对比例4中的组合物的固化因在80℃下留置而进行,并且不能建立良好的电导通性。
Claims (8)
1.用于电子装置的密封剂组合物,包含:
(a)具有两个以上(甲基)丙烯酰基的化合物和
(c)氮氧化合物和/或硫代羰基硫代化合物。
2.权利要求1的组合物,还包含自由基引发剂。
3.权利要求1或2的组合物,还包含(b)马来酰亚胺化合物。
4.权利要求3的组合物,其中所述(b)马来酰亚胺化合物包括双马来酰亚胺。
5.权利要求1-4中任一项的组合物,其用作底部填充密封剂。
6.权利要求1-5中任一项的组合物,其用于倒装芯片安装中。
7.电子装置,包含权利要求1-6中任一项的组合物的固化产物。
8.电器,包含权利要求7的电子装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/070653 WO2013035206A1 (ja) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 電子装置用シール剤組成物 |
JPPCT/JP2011/070653 | 2011-09-09 | ||
PCT/JP2012/072987 WO2013035871A1 (ja) | 2011-09-09 | 2012-09-07 | 電子装置用シール剤組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103858217A true CN103858217A (zh) | 2014-06-11 |
Family
ID=47831688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280049572.8A Pending CN103858217A (zh) | 2011-09-09 | 2012-09-07 | 用于电子装置的密封剂组合物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140187714A1 (zh) |
EP (1) | EP2755232B1 (zh) |
JP (1) | JP6084567B2 (zh) |
KR (1) | KR101900130B1 (zh) |
CN (1) | CN103858217A (zh) |
PT (1) | PT2755232T (zh) |
SG (1) | SG11201400489QA (zh) |
TW (1) | TWI618790B (zh) |
WO (2) | WO2013035206A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112566997A (zh) * | 2018-08-14 | 2021-03-26 | 昭和电工材料株式会社 | 黏合剂组合物及半导体装置的制造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6267980B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2018-01-24 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、先供給型半導体封止剤および半導体装置 |
JP6822863B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2021-01-27 | 三井化学株式会社 | 熱硬化性組成物、これを含む封止剤、有機el素子用枠封止剤、及び有機el素子用面封止剤、並びにその硬化物 |
WO2018030112A1 (ja) | 2016-08-10 | 2018-02-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 封止用アクリル組成物、シート材、積層シート、硬化物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US10703939B2 (en) | 2016-08-10 | 2020-07-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Acrylic composition for sealing, sheet material, multilayer sheet, cured product, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102563013B1 (ko) * | 2017-03-17 | 2023-08-04 | 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 | 다층 물품에 대한 워크라이프 개선 및 그의 제조 및 사용 방법 |
JP7450224B2 (ja) * | 2019-01-31 | 2024-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、樹脂シート、積層板及びプリント配線板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1898291A (zh) * | 2004-05-06 | 2007-01-17 | Jsr株式会社 | 固化性树脂组合物、保护膜及其形成方法 |
CN101292006A (zh) * | 2005-10-18 | 2008-10-22 | 日立化成工业株式会社 | 粘接剂组合物、电路连接材料、电路构件的连接构造及半导体装置 |
JP2011037953A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置 |
TWI338031B (zh) * | 2005-10-18 | 2011-03-01 | Hitachi Chemical Co Ltd |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5973166A (en) | 1998-03-02 | 1999-10-26 | The Dexter Corporation | Method for the preparation of maleimides |
DE10036801A1 (de) * | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Tesa Ag | Acrylathaftklebemassen mit enger Molekulargewichtsverteilung |
US6569969B2 (en) | 2000-09-28 | 2003-05-27 | Symyx Technologies, Inc. | Control agents for living-type free radical polymerization, methods of polymerizing and polymers with same |
CN1625571B (zh) * | 2001-12-21 | 2010-10-06 | 悉尼大学 | 聚合物颗粒的水分散液 |
EP1469013B1 (en) * | 2002-01-21 | 2010-03-24 | Kaneka Corporation | Process for producing vinyl polymer, vinyl polymer, and curable composition |
JP5111711B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2013-01-09 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物及び回路接続方法 |
WO2005092981A1 (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Kaneka Corporation | 光ラジカル硬化/光カチオン硬化併用硬化性組成物 |
CN101831246B (zh) | 2004-06-09 | 2012-07-04 | 日立化成工业株式会社 | 粘结剂组合物、电路连接材料、电路部材的连接结构以及半导体装置 |
CN102277123B (zh) | 2005-03-16 | 2013-12-18 | 日立化成株式会社 | 粘接剂组合物、电路连接材料、电路构件的连接结构及半导体装置 |
US20090082488A1 (en) | 2005-04-14 | 2009-03-26 | Kaneka Corporation | Curable composition, adhesive composition containing such curable composition, and adhesive |
EP1897896B1 (en) * | 2005-06-30 | 2012-08-08 | Three Bond Co., Ltd. | Curable composition and sealing method |
WO2007046190A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 接着剤組成物、回路接続材料、回路部材の接続構造及び半導体装置 |
JP2008163276A (ja) | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Nitto Denko Corp | 半導体基板加工用粘着シート |
JP5560544B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2014-07-30 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、回路接続用接着剤、接続体及び半導体装置 |
JP4420095B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2010-02-24 | 横浜ゴム株式会社 | 変性ブチルゴム組成物 |
KR101232409B1 (ko) | 2009-02-27 | 2013-02-12 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2011156590A2 (en) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Semprus Biosciences Corp. | Non-fouling, anti-microbial, anti-thrombogenic graft compositions |
JP6083071B2 (ja) * | 2010-06-09 | 2017-02-22 | アロー インターナショナル インコーポレイテッド | 非汚染性、抗菌性、抗血栓性グラフトフロム組成物 |
-
2011
- 2011-09-09 WO PCT/JP2011/070653 patent/WO2013035206A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-08-31 TW TW101131697A patent/TWI618790B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-09-07 PT PT128293198T patent/PT2755232T/pt unknown
- 2012-09-07 CN CN201280049572.8A patent/CN103858217A/zh active Pending
- 2012-09-07 EP EP12829319.8A patent/EP2755232B1/en not_active Not-in-force
- 2012-09-07 SG SG11201400489QA patent/SG11201400489QA/en unknown
- 2012-09-07 JP JP2013532687A patent/JP6084567B2/ja active Active
- 2012-09-07 KR KR1020147005977A patent/KR101900130B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-07 WO PCT/JP2012/072987 patent/WO2013035871A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-03-07 US US14/201,121 patent/US20140187714A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-02-03 US US15/014,231 patent/US9771500B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1898291A (zh) * | 2004-05-06 | 2007-01-17 | Jsr株式会社 | 固化性树脂组合物、保护膜及其形成方法 |
CN101292006A (zh) * | 2005-10-18 | 2008-10-22 | 日立化成工业株式会社 | 粘接剂组合物、电路连接材料、电路构件的连接构造及半导体装置 |
TWI338031B (zh) * | 2005-10-18 | 2011-03-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | |
JP2011037953A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112566997A (zh) * | 2018-08-14 | 2021-03-26 | 昭和电工材料株式会社 | 黏合剂组合物及半导体装置的制造方法 |
US11795356B2 (en) | 2018-08-14 | 2023-10-24 | Resonac Corporation | Adhesive composition and semiconductor device production method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013035871A1 (ja) | 2013-03-14 |
EP2755232A4 (en) | 2015-09-30 |
KR20140068928A (ko) | 2014-06-09 |
US20160177148A1 (en) | 2016-06-23 |
US20140187714A1 (en) | 2014-07-03 |
KR101900130B1 (ko) | 2018-09-18 |
US9771500B2 (en) | 2017-09-26 |
TW201321488A (zh) | 2013-06-01 |
WO2013035206A1 (ja) | 2013-03-14 |
PT2755232T (pt) | 2017-04-12 |
SG11201400489QA (en) | 2014-05-29 |
EP2755232A1 (en) | 2014-07-16 |
JP6084567B2 (ja) | 2017-02-22 |
JPWO2013035871A1 (ja) | 2015-03-23 |
EP2755232B1 (en) | 2017-02-08 |
TWI618790B (zh) | 2018-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103858217A (zh) | 用于电子装置的密封剂组合物 | |
CN103858216A (zh) | 用于电子装置的组合物 | |
CN104039913A (zh) | 用于电子部件的粘合剂 | |
CN103875065B (zh) | 底部填充组合物 | |
JP2012236873A (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
WO2019208615A1 (ja) | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 | |
US8722768B2 (en) | Liquid resin composition and semiconductor device | |
JP7395979B2 (ja) | 導電性ペーストおよび半導体装置 | |
JP2020143246A (ja) | ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物、及び光半導体デバイス | |
JP2023007485A (ja) | 導電性ペーストおよび半導体装置 | |
JP2016117853A (ja) | アンダーフィル材、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140611 |