CN103843111A - 纳米压印装置，纳米压印方法，变形压印器件和变形压印方法 - Google Patents

纳米压印装置，纳米压印方法，变形压印器件和变形压印方法 Download PDF

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Abstract

在纳米压印中，采用任意压印构件能够使得模型的凹凸图案与抗蚀剂之间的接触在其中心开始，而无论所述压印构件的刚性如何。纳米压印装置(10)配备有：变形赋予器件(20)，所述变形赋予器件(20)施加外力至压印构件(1)上以将所述压印构件(1)保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件(1)赋予永久变形；和压印单元(40)，所述压印单元(40)采用具有被赋予的永久变形的所述压印构件(1)并且将模型(1)的凹凸图案(2)按压至设置在基板(6)上的抗蚀剂(7)上，以将凹凸图案(2)转印至所述抗蚀剂(7)。

Description

纳米压印装置,纳米压印方法,变形压印器件和变形压印方法
技术领域
本发明涉及一种采用在其表面上具有预定的凹凸图案的模型进行纳米压印操作的纳米压印装置，以及采用该纳米压印装置的纳米压印方法。本发明还涉及在纳米压印装置和纳米压印方法中采用的变形赋予器件和变形赋予方法。
背景技术
纳米压印是压花技术的发展，其在光盘的生产中是公知的。在纳米压印方法中，将在其上形成凹凸图案的模型(通称为模型、压模或模板)压向涂布在基板上的抗蚀剂，其为所要加工的对象。原物在抗蚀剂上的按压导致抗蚀剂机械变形或流动，以精确地转印微细图案。如果一次制造模型，可以以简单的方式重复地模制纳米级别的微细结构。因此，纳米压印方法是产生非常少的有害废物和排放的经济的转印技术。因此，关于纳米压印方法在多个领域中的应用存在高度预期。
在纳米压印中，重要的是，当将模型压向抗蚀剂时，抗蚀剂精确地填充凹凸图案的凹陷。在凹陷中存在残余气体的情况下，这种部分将成为抗蚀剂图案中的缺陷。
因此，例如专利文献1和2公开了这样的方法，其中保持构件91保持模型90并且泵92进行抽吸以使得模型90以朝向当将模型90压向基板93上的抗蚀剂94时在其上形成凹凸图案的表面的凸起形状弯曲，如图7中所示。通过在将模型90的中心部分以凸起形状这种方式变形的同时进行压印，模型90将从中心部分开始依次与抗蚀剂进行密切接触。作为结果，模型和抗蚀剂将进行密切接触，同时将气体从中心部分向外周压出，并且可以抑制残余气体。
相同的有益效果同样可以通过用于压印的挠性基板获得。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]
日本未审查专利公布号2007-305895
[专利文献2]
PCT日文公开号2009-518207
存在其中当周围条件如气氛压力改变时，上述压印构件(表达“压印构件”是指模型和压印用基板)的尺寸改变的情况。因此，在需要抑制压印构件的尺寸上的这种改变的情况下，采用具有高刚性的压印构件。
然而，专利文献1和2中公开的方法具有压印构件在其刚性高的情况下不可以充分地变形的问题。
考虑到前述情况开发了本发明。本发明的目标是提供一种纳米压印装置，一种纳米压印方法，一种变形赋予器件，以及一种变形赋予方法，其采用任何压印构件都能够使得模型的凹凸图案与抗蚀剂之间的接触在其中心开始，而与压印构件的刚性无关。
发明内容
实现以上目标的本发明的纳米压印装置的特征在于包括：
变形赋予器件，所述变形赋予器件将外力施加至压印构件上，以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个；以及
压印单元，所述压印单元采用其上赋予有永久变形的所述压印构件并且将所述模型的所述凹凸图案按压到设置在所述基板上的所述抗蚀剂上，以将所述凹凸图案转印至所述抗蚀剂上。
在本说明书中，表达“压印构件”统一地是指模型和压印用基板。
表达“永久变形”是指在将外力施加至材料然后移除之后在材料中保留的变形。
在本发明的纳米压印装置中，优选的是：
所述变形赋予器件包括具有开口的框架并且包括压力控制部，当将所述压印构件在第一表面面对所述框架的内部的情况下放置在所述开口处时，所述框架在所述压印构件的第一表面上方形成腔室，所述压力控制部将所述腔室的内部减压或加压。
压印构件的“第一表面”在压印构件是模型的情况下是指在其上形成凹凸图案的表面，并且在压印构件是基板的情况下是指其上存在抗蚀剂的表面。
在本发明的纳米压印装置中，优选的是：
变形赋予器件还包括加热腔室的内部的加热部。
在本发明的纳米压印装置中，优选的是：
所述变形赋予器件还包括脱模剂供应部，所述脱模剂供应部将脱模剂供应至所述腔室的内部。
在本发明的纳米压印装置中，优选的是：
所述变形赋予器件还包括湿度控制部，所述湿度控制部控制所述腔室内部的湿度。
备选地，在本发明的纳米压印装置中，优选的是：
所述变形赋予器件包括支撑构件和按压构件，所述支撑构件支撑所述压印构件的外边缘，所述按压构件在所述压印构件被所述支撑构件支撑的同时按压所述压印构件的第二表面。
压印构件的“第二表面”在压印构件是模型的情况下是指与在其上形成凹凸图案的表面相反的表面，并且在压印构件是基板的情况下是指与在其上存在抗蚀剂的表面相反的表面。
本发明的纳米压印方法的特征在于包括：
采用其上赋予有永久变形的压印构件；以及
将模型的凹凸图案按压至设置在基板上的抗蚀剂上，以将所述凹凸图案转印至所述抗蚀剂上。
本发明的第一变形赋予器件的特征在于具有将外力施加至压印构件上以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形的功能，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个，并且所述变形赋予器件包括：
具有开口的框架，当将所述压印构件在第一表面面对所述框架的内部的情况下放置在所述开口处时，所述框架在所述压印构件的第一表面上方形成腔室；和
压力控制部，所述压力控制部将所述腔室的内部减压或加压。
本发明的第二变形赋予器件的特征在于具有将外力施加至压印构件上以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形的功能，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个，并且所述变形赋予器件包括：
支撑构件，所述支撑构件支撑所述压印构件的外边缘；和
按压构件，所述按压构件在所述压印构件被所述支撑构件支撑的同时按压所述压印构件的第二表面。
本发明的第一变形赋予方法的特征在于执行该方法以将外力施加至压印构件上，以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个，且所述变形赋予方法包括以下步骤：
采用本发明的第一变形赋予器件；
通过将所述压印构件在第一表面面对所述框架的内部的情况下放置在所述框架的所述开口处，在所述压印构件的第一表面上方形成腔室；和
使用所述压力控制部将所述腔室的内部减压或加压。
在本发明的第一变形赋予方法中，优选的是：
所述变形赋予器件还包括脱模剂供应部，所述脱模剂供应部用于将脱模剂供应至所述腔室的内部；并且
所述脱模剂供应部随着所述腔室的内部通过所述压力控制部的减压或加压将所述脱模剂供应至所述腔室的内部。
本发明的第二变形赋予方法的特征在于执行该方法以将外力施加至压印构件上，以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个，且所述变形赋予方法包括以下步骤：
采用本发明的第二变形赋予器件；
用所述支撑构件支撑所述压印构件的外边缘；和
在所述压印构件被所述支撑构件支撑的同时，用所述按压构件按压所述压印构件的第二表面。
本发明的纳米压印装置和纳米压印方法的特征在于采用具有通过变形赋予器件赋予在其上的永久变形的压印构件，并且将模型的凹凸图案按压至设置在压印用基板上的抗蚀剂上，以将凹凸图案转印至抗蚀剂上。变形赋予器件可以充分地施加使压印构件变形所需的外力，并且可以将永久变形赋予压印构件以使得其中心部分变得凸起，而与压印构件的刚性无关。作为结果，可以在纳米压印操作过程中采用任意压印构件使得模型的凹凸图案与抗蚀剂之间的接触在其中心开始，而与压印构件的刚性无关。
本发明的第一变形赋予器件和第一变形赋予方法的特征在于通过将压印构件在第一表面面对框架的内部的情况下放置在框架的开口处时，在压印构件的第一表面上形成腔室，并且使用压力控制部将腔室的内部减压或加压。通过采用第一变形赋予器件，可以充分地施加使压印构件变形所需要的外力，并且可以对压印构件赋予永久变形以使得其中心部分变得凸起，而与压印构件的刚性无关。作为结果，可以在纳米压印操作过程中采用任何压印构件使得模型的凹凸图案与抗蚀剂之间的接触在其中心开始，而与压印构件的刚性无关。
本发明的第二变形赋予器件和第二变形赋予方法的特征在于，用支撑构件支撑压印构件的外边缘，并且在压印构件被支撑构件支撑的同时，用按压构件按压压印构件的第二表面。通过采用第二变形赋予器件，可以充分地施加使得压印构件变形所需的外力，并且可以对压印构件赋予永久变形以使得其中心部分变得凸起，而与压印构件的刚性无关。作为结果，可以在纳米压印操作过程中采用任意压印构件使得模型的凹凸图案与抗蚀剂之间的接触在其中心开始，而与压印构件的刚性无关。
附图简述
图1是示意性地示例根据本发明的实施方案的纳米压印装置的结构的平面图。
图2是示意性地示例根据本发明的实施方案的变形赋予器件的结构的截面端视图。
图3是示意性地显示模型的变形量与外力之间的关系的图。
图4是示意性地示例备选的变形赋予器件的结构的截面端视图。
图5是示意性地示例根据本发明的实施方案的压印单元的结构的截面端视图。
图6是示例采用压印装置的压印操作的步骤的流程图。
图7是示意性地示例传统压印单元的结构的截面端视图。
用于实施本发明的最佳方式
在下文中，将参考附图描述本发明的实施方案。然而，本发明不限于下面描述的实施方案。注意，在附图中，组成元件的尺寸与其实际尺寸不同地画出，以便促进其视觉识别。
图1是示意性地示例根据本发明的实施方案的纳米压印装置10的结构的平面图。图2是示意性地示例根据本发明的实施方案的变形赋予器件的结构的截面端视图。
如图1中所示，本发明的实施方案的纳米压印装置10配备有：底部11；设置在底部11上的三个模型备用部12a、12b和12c；压印部13；模型盒装载器14；基板盒装载器15；输送器16；轨道17；和抗蚀剂涂布机构(未显示)。
根据本发明的实施方案的纳米压印方法采用纳米压印装置10以将对其赋予永久变形的模型1的凹凸图案压向涂布在基板上的抗蚀剂的液滴，以将凹凸图案转印至由彼此结合的液滴形成的抗蚀剂膜上。
(模型备用部)
模型备用部12a、12b和12c是用于将永久变形赋予至模型1同时将模型1保持在备用状态的机构。例如，模型备用部12a、12b和12c的每一个由如图2中所示的变形赋予器件20构成。不需要的是所有模型备用部12a、12b和12c由具有相同的结构的变形赋予器件构成。此外，模型备用部的数目可以按需要增加或减少。
变形赋予器件20将外力施加至模型1(在其第一表面3(图案化表面)上形成微细的凹凸图案)上，以将压印构件保持在预定的弯曲状态，从而将永久变形赋予至模型1。“预定的弯曲状态”是当施加外力以便获得对其赋予具有所需的变形状态的永久变形的压印构件时保持的变形状态。在很多情况下，当不再施加外力时，压印构件通过弹性变形返回至它们的原始状态。因此，当施加外力时变形状态下的变形程度大于最终所需的变形状态下的变形程度。此外，表达“施加外力”包括其中变形赋予器件通过机械机构直接将外力施加至模型的情况，以及其中变形赋予器件通过控制机构利用模型的外围的压力差将外力间接施加至模型的情况。
变形赋予器件20可以具有任意构造，条件是它能够将永久变形赋予至模型1。在本发明的实施方案中，例如，变形赋予器件20配备有：框架21；气体供应部22；加热器23；脱模剂供应部24；湿度控制部25；低压汞灯26；晶体振荡器27；泄漏阀28；和泵29。
框架21是构成变形赋予器件20的主体的构件，并且起着在其上放置模型1的设置底部的功能。框架21具有开口21a。模型1放置在开口21a处以使得图案化表面3面对框架21的内部。在本发明的实施方案中，模型1的放置通过与开口21a相邻设置的抽吸卡盘21b进行，如图2中所示。备选地，可以将树脂O环设置在开口21a上，并且模型1可以简单地放置在O环上。
当将模型1放置在开口21a处时，模型1和框架21形成腔室C。腔室C具有密封的结构。腔室C内的气氛通过将气氛减压或加压的泵29或气体供应部22，供应气化的脱模剂的脱模剂供应部24，并且通过控制气氛的湿度的湿度控制部25控制。通过采用该构造，可以形成其中充分地减少微细颗粒异物的量的环境。作为结果，可以防止微细颗粒异物粘附至模型1的图案化表面3。
气体供应部22由例如大气供应部22a、氧供应部22b和氮供应部22c构成。可以按需要提供用于供应其他气体的供应部。当将腔室C的内部加压或填充有惰性气体时，气体供应部22将气体供应到腔室C中。应注意，优选的是采用过滤以充分地移除微细颗粒异物的气体。泄漏阀28是用于释放腔室C内的压力的阀。泵29是用于排空(减压)腔室C的内部的排气装置。气体供应部22、泄漏阀28和泵29一起对应于本发明的压力控制部。
当加热模型1时和/或当升高腔室C内的气氛的温度时，采用加热器23。将模型1加热，例如，以促进永久变形在其中的产生。同时，腔室C内的气氛的温度升高，例如，以促进脱模剂至模型1的粘合，如后面将要描述的。
脱模剂供应部24将气化的脱模剂供应至腔室C的内部。上面描述的本发明的实施方案的构造能够在变形赋予器件20将永久变形赋予至模型1的同时进行用于在图案化表面3上形成脱模层的脱模处理。
湿度控制部25控制腔室C的内部的湿度。脱模剂关于模型1的涂布速率可以通过控制腔室C内的湿度提高。
低压汞灯26将光照射至模型1的图案化表面3上。通过当在腔室C的内部存在氧时，在其上从低压汞灯26照射光，可以将图案化表面3上的有机物分解和移除，从而进行干清洁。
晶体振荡器27是监控脱模处理过程中的脱模剂的沉积膜厚的传感器。例如，用作传感器的晶体振荡器27具有1MHz至20MHz的范围内的基本频率和其两侧上的电极。在晶体振荡器27的一个表面上形成与模型1的表面的材料相同的材料的薄膜，以使得晶体振荡器27起到用于脱模剂的传感器的功能。例如，在模型1的材料是石英的情况下，将氧化硅的薄膜形成在晶体振荡器27的一个表面上。
通过采用具有上面描述的结构的变形赋予器件20，可以保持模型1的图案化表面3的清洁，模型的清洁足以用于压印，并且可以以简单方式执行脱模处理，同时将永久变形在没有过大的仪器的情况下赋予至模型1。
除了对未使用的和未处理的模型1进行清洁和/或处理(变形赋予处理和脱模处理)之外，变形赋予器件20可以简单地将未使用的和处理过的模型1保持在备用状态，或在使用过的模型1上进行清洁和/或处理。
本发明的实施方案的变形赋予器件20通过在将模型1放置在框架的开口使其一个表面面向框架的内部之后将腔室C的内部减压或加压对模型1赋予永久变形。例如，在将腔室C的内部减压的情况下，模型1由外部大气压力按压以使得模型1弯曲变为凸出(当将图案化表面3标记为前表面，将相反的表面标记为后表面，并且将模型1的前表面的方向标记为正方向时)，如图2中所示。相反，在将腔室C的内部加压的情况下，模型1将通过内部压力按压并弯曲以成为凹入形状。
弯曲量，弯曲状态保持的时间量，以及模型1的温度是永久变形的产生中的重要参数。这些参数的最佳值也依赖于模型1的最终所希望的变形状态和模型1的材料而不同。然而，可以将参数设定为在以下近似范围内。弯曲量(模型1的外边缘部分与中心部分之间的位移的量)通常设定为在1μm至5000μm的范围内，优选在10μm至1000μm的范围内，并且更优选在50μm至500μm的范围内。保持弯曲状态的时间量通常在10分钟至100小时的范围内，优选在1小时至50小时的范围内，并且更优选在12小时至24小时的范围内。腔室C内的温度通常设定为大于或等于室温并且小于模型的玻璃转化点的值。
在模型1中在以上条件下产生应力消除，并且永久变形保持在其形状中。
在本说明书中，表达“永久变形”是指在将外力施加至材料然后移除之后保持在材料中的变形。该变形也被称为“残余变形”。在其中外力超过材料的压力的弹性极限的情况下，或者在其中将材料长时间量保持在高温和/或高外部压力下的情况下，产生永久变形。图3是示意性地显示模型的变形量与外力之间的关系的图。例如，如果将模型1在对其赋予永久变形之前的状态指定为曲线的原点，可以将对其赋予永久变形的模型1的状态表示为曲线中的点E。在本发明中，从原点至点E行进的路径是不相关的。换言之，当进行压印操作时，足以保持所需的变形状态。
例如，变形采取图3中的路径“从原点至点A至点E”的情况下，即使将外力从F＝F1减少至F＝0，变形也保持。换言之，变形是基于超过材料的弹性极限的弹性变形的变形。在采取路径“从原点至点A至点B至点C至点D至点E”的情况下，当将外力F保持在F＝F2时，变形的量增加。该变形由所谓的蠕变现象导致。备选地，在采取路径“从原点至点A至点B至点D至点E”之后获得的变形和在采取路径“从原点至点A至点B至点E”之后获得的变形也是如本发明中所述的永久变形。注意，考虑到在纳米压印中推测的永久变形的量为大约数mm的事实，所相信的是，用材料如Si，石英等，基于弹性变形的变形不容易出现，这些通常被采用作为模型1的材料。
此外，永久变形赋予器件和永久变形赋予方法不限于图2中所示的那些。例如，图4是示意性地示例通过机械地施加外力赋予永久变形的变形赋予器件30的结构的截面端视图。
变形赋予器件30配备有：底部31；支撑构件32，其固定在底部31上，支撑模型1的外边缘；以及按压构件33，其在模型1被支撑构件32支撑的同时按压模型1的背表面4。支撑构件32配备有抽吸卡盘32a，并且抽吸卡盘32a抽吸并保持模型1的外边缘。此外，按压构件33具有臂部分34和设置在臂部分34的前端的垫部分35。变形赋予器件30在模型1被支撑的同时按压模型1的背表面4，以对模型1赋予永久变形。作为进一步的备选，变形赋予器件可以是仅通过施加热导致变形出现的器件。
(压印部)
压印部13是将模型1的凹凸图案2按压在设置在基板上的抗蚀剂上，以将凹凸图案2转印至抗蚀剂上的机构。例如，压印部13由如下面描述的压印单元40构成。
图5是示意性地示例根据本发明的实施方案的压印单元的结构的截面端视图。本发明的实施方案的压印单元40由以下各项构成：xyz台41；测压元件42；基板台43；模型保持部44；对准相机45；和紫外光源46。
xyz台41是调节用于压印的基板6在x方向、y方向和z方向上的位置的调节机构。
测压元件42是在垂直方向移动基板台43，并且当将模型1与抗蚀剂7分离时能够测量分离力的机构。
基板台43是在其上放置基板6的底部。
模型保持部44用抽吸卡盘44a抽吸和保持模型1的背表面4，并且保持模型1以使得凹凸图案2面对设置在基板6上的抗蚀剂7。模型保持部44可以配置为垂直移动。
对准相机45能够从模型1的背表面4观察模型1相对于基板6的相对位置。
紫外光源46照射紫外光以固化设置在基板6上的可光固化抗蚀剂7。
(模型盒装载器和基板盒装载器)
模型盒装载器14和基板盒装载器15分别配备有用于放置在其中容纳模型1和基板6的盒的底部，以及用于打开和关闭容纳盒的壳的机构。在模型1的形状和基板6的形状不同的情况下，采用对应于各自的形状的盒。在模型1和基板6的形状相同的情况下，模型1和基板6可以容纳于相同的盒中。通过打开壳，输送器16的臂能够触及盒内的模型1和基板6，并且模型1和基板6的传送变得可能。
(传送器和轨道)
传送器16由以下各项构成：保持模型1和基板6的手部分；具有一个或多个接合点的臂部分；在高度方向上控制传送器16的位置的Z台；和能够沿轨道17移动的滑行装置机构。传送器16在模型备用部12a、12b和12c、压印部13、模型盒装载器14和基板盒装载器15之间移动，并且起到传送模型1和基板6的功能。
(抗蚀剂涂布机构)
喷墨法、旋涂法和浸涂法是可以由抗蚀剂涂布机构采用的方法的实例。例如，如果抗蚀剂涂布机构采用喷墨法，可以将抗蚀剂涂布机构设置在压印单元40内。然而，如果制备预先用抗蚀剂涂布的基板，压印装置10不需要配备有抗蚀剂涂布机构。
(模型)
由本发明的实施方案采用的模型可以在对其赋予永久变形之前通过以下步骤制备。首先，将Si基板用具有PHS(聚羟基苯乙烯)系化学放大抗蚀剂、酚醛清漆系抗蚀剂，或丙烯酸类树脂如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)作为主要组分的抗蚀剂液通过旋涂法等涂布，以形成抗蚀剂层。接下来，将根据所需的凹凸图案调制的激光束(或电子束)照射至抗蚀剂层上以将凹凸图案曝光。其后，光致抗蚀剂层经过显影处理移除曝光的部分。最终，通过RIE(反应性离子刻蚀)等使用从其移除曝光的部分的抗蚀剂层作为掩模进行选择性刻蚀，以获得具有所需的凹凸图案的Si模型。
同时，模型不限于上面描述的那些，并且也可以采用石英模型。在这种情况下，石英模型可以通过与用于制备Si模型的那些相同的步骤，或通过后面描述的用于制备模型的复制件的方法制备。
模型的表面上吸附的水的量增加是增加模型的表面上的脱模剂涂布速率和缩短用于脱模处理所需的时间的有效措施。
将模型的表面的性质改变以变得亲水并且增加环境的相对湿度是用于增加模型的表面上的吸附水的量的方法。用于将模型的表面性质改变为亲水的方法的实例包括：采用化学试剂的湿清洁方法；采用等离子体或UV臭氧的干清洁方法；以及将湿和干清洁方法组合的方法。优选的相对湿度的范围为20％至70％，并且更优选在30％至50％的范围内。
在本发明的实施方案中，脱模处理可以以简单方式通过变形赋予器件20执行。因此，不需要过大设备的采用UV臭氧的干清洁方法是优选的。在UV臭氧清洁方法中，低压汞灯26照射的具有接近于185nm的峰值波长的紫外光照射至图案化表面上，以激活图案化表面3附近的气氛中包含的氧。从而，将图案化表面3上的有机物氧化并移除。
(脱模剂)
在本发明的实施方案中，在图案化表面3上执行脱模处理以提高抗蚀剂7与模型1的表面之间的脱模性。在脱模处理中采用的脱模剂的实例包括：OptoolTM DSX，由Daikin Industries K.K.制造；和NovecTM EGC-1720，由Sumitomo3M K.K.制造。
备选地，可以采用其他已知的氟树脂、烃系润滑剂、氟系润滑剂、氟系硅烷偶联剂等。
氟系树脂的实例包括：PTFE(聚四氟乙烯)；PFA(四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物)；FEP(四氟乙烯六氟丙烯共聚物)；和ETFE(四氟乙烯乙烯共聚物)。
烃系润滑剂的实例包括：羧酸如硬脂酸和油酸；酯如硬脂酸丁基；磺酸如十八烷基磺酸；磷酸酯酯如单十八烷基磷酸酯；醇如硬脂醇和油醇；羧酸酰胺如硬脂酸酰胺；和胺如硬脂胺。
氟系润滑剂的实例包括其中将上述烃系润滑剂中的烷基的一部分或全部用氟烷基或全氟聚醚基替换的润滑剂。
全氟聚醚基可以是全氟甲醛聚合物、全氟环氧乙烷聚合物、全氟-环氧正丙烷聚合物(CF2CF2CF2O)n、全氟环氧异丙烷聚合物(CF(CF3)CF2O)n，上述聚合物的共聚物等。这里，下标n表示聚合度。Solvay Solexis制造的FomblinTM Z-DOL是这种物质的具体实例。
优选的是，氟系硅烷偶联剂在每个分子中具有至少一个并且优选1至10个烷氧基硅烷基团和氯硅烷基团，并且具有200至10,000的范围内的分子量。
-Si(OCH3)3和-Si(OCH2CH3)3是烷氧基硅烷基团的实例。同时，氯硅烷基团的实例包括-Si(Cl)3。氟系硅烷偶联剂的具体实例包括：十七氟-1，1，2，2-四-氢癸基三甲氧基硅烷；五氟苯基丙基二甲基氯硅烷；十三氟-1，1，2，2-四-氢辛基三乙氧基硅烷；和十三氟-1，1，2，2-四-氢辛基三甲氧基硅烷。
优选的是，从腔室C内的有效蒸发的角度，上述脱模剂具有低分子量。因此，优选的是，脱模剂包含具有200至10,000的范围内，更优选200至5,000的范围内，并且最优选200至1,000的范围内的分子量的化合物。
(脱模处理)
在下文中，将描述采用腔室C在图案化表面3上执行脱模处理的方法。在本发明的实施方案中，腔室C连接至脱模剂供应部24。当脱模供应部24与图案化表面3之间的距离更短时，可以更有效地进行脱模处理。在图2中，脱模剂供应部24和腔室C通过管线经由阀连接。备选地，可以将在其中具有脱模剂的容器设置在腔室C内，并且可以通过打开和关闭容器的盖等控制脱模处理。
如果腔室C连接至脱模剂供应部24，可以保护图案化表面3不受微细颗粒异物影响，并且同时执行脱模处理。脱模剂在脱模剂供应部24中蒸发，并且将蒸发的脱模剂(脱模剂蒸气)供应至腔室C的内部。脱模剂蒸气吸附至图案化表面3上以形成脱模剂层。虽然依赖于脱模剂的蒸气压将出现变化，在大气压和大约25℃的室温的条件下大部分脱模剂将蒸发。因此，即使脱模剂的量小，可以通过将图案化表面3长时间曝光至脱模剂蒸气执行脱模处理，条件是脱模剂蒸发。此外，通过将腔室C的内部减压和/或通过使用加热器升高温度，可以增加气氛内的脱模剂蒸气的量。
在采用硅烷偶联剂作为脱模剂的情况下，通过用湿度控制部25控制腔室C内的湿度，可以改善图案化表面3用脱模剂的涂布。
将晶体振荡器27设置在腔室C内，并且通过与对图案化表面3进行的干清洁相同的干清洁进行初始化。其后，当将脱模剂蒸气引入至腔室C中同时将腔室C的内部保持恒定时和/或当调节腔室C内的湿度时晶体振荡器27的共振频率上的改变通过连接至个人计算机的频率计数器测量。沉积在晶体振荡器27的表面上的脱模剂的重量由相对于初始状态的频率改变计算，并且监控所沉积的膜厚和涂布速率。当获得所需的沉积膜厚和涂布速率时，将设置在脱模剂供应部24与腔室C之间的阀关闭，以完成脱模处理。
(压印用基板)
优选的是，石英基板与Si模型一起使用以便能够暴露抗蚀剂。对石英基板没有特别地限定，条件是它具有光透射性质并且其厚度是0.3mm以上。应注意石英基板的表面可以涂布有硅烷偶联剂或有机材料层如由聚合物形成的层，以改善与抗蚀剂的密切接触性质。备选地，可以采用具有其上层压的由Cr、W、Ti、Ni、Ag、Pt、Au形成的金属层的石英基板。此外，可以采用具有层压在其上的由CrO2、WO2、TiO2等形成的金属氧化物层的石英基板。更近一步地，可以采用具有涂布有硅烷偶联剂的层压金属层或涂布有硅烷偶联剂的层压金属氧化物层的石英基板。优选的是，有机材料层、金属层或金属氧化物层的厚度为30nm以下，并且更优选20nm以下。如果掩模层的厚度超过30nm，UV透射率变差，并且抗蚀剂固化失效变得更容易出现。
表达“光透射性质”是指当光进入基板6与在其上形成抗蚀剂膜的第一表面相反的第二表面时，能够使抗蚀剂膜充分固化的光透射率的程度。具体地，表达“光透射性质”是指关于具有200nm以上的波长的光从第二表面至第一表面的5％以上的光透射率。
优选的是，石英基板的厚度为0.3mm以上。如果石英基板的厚度小于0.3mm，在处理过程中或归因于压印过程中的压力可能被破坏。
同时，对用于与石英模型一起使用的基板的形状、结构、尺寸、材料等没有特别地限定。关于基板的形状，例如，在制备数据记录介质的情况下，可以采用具有盘状的基板。关于基板的结构，可以采用单层基板，或者可以采用层压基板。关于基板的材料，材料可以选自用于基板的已知材料，如硅、镍、铝、玻璃和树脂。这些材料可以单独地或以两种以上的组合使用。可以制备基板，或者可以采用可商购的基板。对基板的厚度没有特别地限定，并且可以根据预期用途选择。然而，优选的是，基板的厚度为0.05mm以上，并且更优选0.1mm以上。如果基板的厚度为少于0.05mm，存在在与模型接触的过程中基板将弯曲的可能性，导致将不能确保均匀的密切接触状态。
(抗蚀剂)
对抗蚀剂没有特别地限定。在本发明的实施方案中，可以采用通过将光聚合引发剂(2质量％)和氟单体(0.1质量％至1质量％)加入至可聚合化合物制备的抗蚀剂。
可以按需要进一步加入抗氧化剂(大约1质量％)。由以上步骤制造的抗蚀剂可以通过具有360nm的波长的紫外光固化。关于具有差溶解度的抗蚀剂，优选的是加入少量的丙酮或乙醚以溶解树脂，并且之后移除溶剂。
可聚合化合物的实例包括：丙烯酸苄酯(Viscoat#160，由OsakaOrganic Chemical Industries，K.K.制造)、乙基卡必醇丙烯酸酯(ViscoatTM#190，由Osaka Organic Chemical Industries，K.K.制造)、聚丙二醇二丙烯酸酯(AronixTM M-220，由TOAGOSEI K.K.制造)，以及三羟甲基丙烷PO改性的三丙烯酸酯(AronixTM M-310，由TOAGOSEI K.K.制造)。此外，也可以采用由下面的化学式1表示的化合物A作为可聚合化合物。
[化学式1]
Figure BDA0000483892410000161
光聚合引发剂的实例包括烷基苯基酮型光聚合引发剂，如2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮(IRGACURETM379，由Toyotsu Chemiplas K.K.制造)。
此外，可以采用由下面的化学式2表示的化合物B作为氟单体。
[化学式2]
Figure BDA0000483892410000162
在本发明中，抗蚀剂材料的粘度在8cP至20cP的范围内，并且抗蚀剂材料的表面能量在25mN/m至35mN/m的范围内。这里，通过RE-80L旋转粘度计(由Touki Industries K.K.制造)在25±0.2℃测量抗蚀剂材料的粘度。在测量过程中的旋转速度为：在大于或等于0.5cP并且少于5cP的粘度时为100rpm；在大于或等于5cP并且小于10cP的粘度时为50rpm；在大于或等于10cP并且小于30cP的粘度时为20rpm；并且在大于或等于30cP并且小于60cP的粘度时为10rpm。使用H.Schmitt等，“紫外纳米压印材料：表面能，残留层，和压印质量(UV nanoimprint materials：Surfaceenergies，residual layers，and imprint quality)”，J.Vac.Sci.Technol.B.，第25卷，第3期，第785-790页，2007中公开的技术测量抗蚀剂材料的表面能。具体地，测量经过UV臭氧处理并其表面用OptoolTM DSX(由DaikinIndustries K.K.制造)处理的Si基板的表面能，然后由其关于基板的接触角计算抗蚀剂材料的表面能。
(抗蚀剂涂布步骤)
采用可以将预定量的液滴安置于基板或模型上的预定位置的方法，如喷墨法和分配法。备选地，采用可以涂布抗蚀剂以形成具有均匀的膜厚的抗蚀剂膜的方法，如旋涂法或浸涂法。
当将抗蚀剂的液滴安置在基板上时，可以根据所需的液滴量使用喷墨印刷机或分配器。例如，在液滴量少于100nl的情况下，可以选择喷墨印刷机，并且在液滴量为100nl以上的情况下，可以选择分配器。
从喷嘴排出抗蚀剂的喷墨头的实例包括压电型、热型和静电型。在这些之中，其中可调节液滴量(每个安置的液滴中的抗蚀剂的量)和排出速度的压电型的喷墨头是优选的。在将抗蚀剂的液滴安置在基板上之前设定并调节液滴量的量和排出速度。例如，优选的是，在模型的凹凸图案的空间体积大的区域将液滴量调节为更大，并且在模型的凹凸图案的空间体积小的区域将液滴量调节为更小。根据液滴排出量(每个排出的液滴中的抗蚀剂的量)适当控制这种调节。具体地，在将液滴量设定为5pl的情况下，控制具有1pl的液滴排出量的喷墨头以将液滴排出至相同的位置5次。液滴量通过用共焦显微镜等在相同的条件下测量设置在基板上的液滴的三维形状，并且通过由其形状计算液滴的体积获得。
在如上所述调节液滴量之后，根据预定液滴安置图案将液滴安置在基板上。
在采用旋涂法或浸涂法的情况下，将抗蚀剂用溶剂稀释以使得将获得预定厚度。在旋涂法的情况下，控制旋转速度，并且在浸涂法的情况下，控制拉出速度，以在纳米压印基板上形成均匀涂布膜。
(压印方法)
采用压印单元40进行压印操作。具体地，如下执行压印操作。
优选的是，残余气体通过将模型与基板之间的气氛减压，或通过使得模型与基板之间的气氛为真空而减少，之后将模型1与抗蚀剂7放置接触。然而，存在的可能性是抗蚀剂7将在真空环境中固化之前挥发，导致保持均匀膜厚上的困难。因此，优选的是通过使得基板6与模型1之间的气氛为He气氛或减压的He气氛减少残余气体的量。He穿过石英基板，并且因此残余气体(He)的量将逐渐地降低。因为He穿过石英基板花费时间，更优选的是采用减压的He气氛。优选的是，减压的He气氛的压力在1kPa至90kPa的范围内，并且更优选在1kPa至10kPa的范围内。
使得模型1和涂布有抗蚀剂7的基板6在将它们对准以具有预定位置关系之后彼此接触。优选的是采用对准标记以进行对准操作。对准标记由凹凸图案形成，其可以由对准相机45或通过莫尔干涉技术检测。定位精度为优选10μm以下，更优选1μm以下，并且最优选100nm以下。
将模型1在100kPa至10MPa的范围内的压力压向基板。当压力更大时，可以促进模型1的表面形状至基板6的复制，并且促进抗蚀剂7的流动。此外，当压力更大时，残余气体被移除，残余气体被压缩，残余气体溶解在抗蚀剂中并促进He穿过石英基板。然而，如果压力过大，则存在的可能性是：如果在模型1与基板6之间接触的过程中异物插入模型1与基板6之间，模型1和基板6将损坏。因此，优选的是，压力在100kPa至10MPa的范围内，更优选在100kPa至5MPa的范围内，并且最优选在100kPa至1MPa的范围内。将压力的下限设定为100kPa的原因是，当在大气内进行压印时在模型与基板之间的空间填充有液体的情况下，将模型与基板之间的空间通过大气压(大约101kPa)加压。
在将模型1压向基板6并形成抗蚀剂膜之后，使用包含匹配抗蚀剂7中包含的聚合引发剂的波长的光进行曝光，以固化抗蚀剂7。在将抗蚀剂7固化之后，将模型从抗蚀剂膜分离。作为分离方法的实例，可以保持模型和纳米压印基板中的一个的外边缘部分，同时将模型和纳米压印基板中的另一个的背表面通过真空抽吸保持，并且外边缘的保持部分或背表面的保持部分在与按压方向相反的方向上相对移动。应注意，可以采用测压元件42监控作为分离力释放模型所需的力。
上述压印方法可以在改变在s-y平面中基板相对于模型1的相对位置的同时执行，以在基板6上的多个位置上连续地形成图案。
(用于制造模型的复制件的方法)
接下来，将描述用于制备模型的复制件的方法的实施方案。在本发明的实施方案中，采用Si模型1作为原物，并且采用上述纳米压印方法制备模型1的复制件。
首先，将在其上通过上述纳米压印方法形成图案的抗蚀剂膜形成在基板6的表面上。之后，使用具有形成在其上的图案的抗蚀剂膜作为掩模进行干刻蚀，以形成对应于抗蚀剂膜的凹凸图案的凹凸图案。从而，获得具有预定图案的图案化基板。
在所要处理的基板具有层压结构并且在其表面上包含金属层的情况下，使用抗蚀剂膜作为掩模进行干刻蚀，以在金属层中形成对应于抗蚀剂膜的凹凸图案的凹凸图案。其后，用金属层作为刻蚀停止层进一步进行干刻蚀，以在基板中形成凹凸图案。从而，获得具有预定图案的基板。
对干刻蚀方法没有特别地限定，条件是它能够在基板中形成凹凸图案，并且可以根据预期用途选择。可以采用的干刻蚀方法的实例包括：离子铣磨法；RIE(反应性离子刻蚀)法；溅射刻蚀法；等。在这些方法中，离子铣磨法和RIE方法是特别优选的。
离子铣磨方法也被称为离子束刻蚀。在离子铣磨方法中，将惰性气体如Ar引入至离子源中，以产生离子。将所产生的离子通过栅格(grid)加速并且使其与样品基板碰撞以进行刻蚀。离子源的实例包括：Kauffman型离子源；高频率离子源；电子轰击离子源；双等离子管离子源；Freeman离子源；和ECR(电子回旋共振)离子源。
在离子束刻蚀过程中可以采用Ar气体作为处理气体。在RIE过程中可以采用氟系气体或氯系气体作为刻蚀剂。
如上所述，用于制造本发明的模型的复制件的方法采用通过上述压印方法形成的具有缺陷较少的凹凸图案的抗蚀剂膜。因此，可以以高精度和高产率处理基板。
(本发明的作用效果)
传统地，在压印构件的刚性高的情况下，存在压印构件不可以充分地变形的问题。具体地，问题如下。
例如，专利文献2公开其中抽吸并保持压印构件的背表面的外边缘部分，并且外边缘部分归因于抽吸力变形使整个压印构件弯曲的方法，如图7中所示。然而，因为该方法仅依赖于外边缘部分的变形，不可以充分地使具有高刚性的压印构件变形。同时，专利文献1和2公开了用于通过抽吸和保持其背表面的外边缘部分使压印构件弯曲，并且控制压印构件的背表面的中心部分附近的压力的方法。然而，在这些方法中，归因于与用于抽吸和保持压印构件的抽吸力的关系，不可以使得用于使压印构件弯曲的外力过大。因此，不可以充分地使具有高刚性的压印构件变形。
相反，根据本发明的纳米压印装置和纳米压印方法，采用通过变形赋予器件赋予永久变形的压印构件，将模型的凹凸图案压向设置在压印用基板上的抗蚀剂，并且将凹凸图案转印至抗蚀剂。因此，上述问题不会出现。
根据本发明的变形赋予器件和变形赋予方法，可以充分地施加使压印构件变形所需的外力，并且可以对压印构件赋予永久变形以使得其中心部分变得凸起，而无论压印构件的刚性如何。作为结果，可以在纳米压印操作过程中采用任何压印构件使得模型的凹凸图案与抗蚀剂之间的接触在其中心开始，而与压印构件的刚性无关。
[实施例]
下面将描述本发明的实施例。图6是示例实施例使用的压印步骤的步骤的流程图。
<实施例1>
(模型的制造)
首先，将0.725mm厚的Si基板用具有PHS(聚羟基苯乙烯)系化学放大抗蚀剂作为主要成分的抗蚀剂液体通过旋涂法涂布，以形成抗蚀剂层。其后，在将Si基板在XY台上扫描的同时，将根据具有30nm的线宽和60nm的间距的线图案调制的电子束照射至抗蚀剂层上，以在抗蚀剂层的整个0.5mm平方范围上曝光直线凹凸图案。
其后，光致抗蚀剂层经过显影处理并将曝光的部分移除。最终，通过RIE使用曝光的部分已经被移除的抗蚀剂层作为掩模进行选择性刻蚀至60nm的深度，以获得具有直线凹凸图案的Si模型。
(压印用基板)
采用石英基板作为基板。将石英基板的表面用KBM-5103(由Shin-Etsu Chemical K.K.制造)处理，其为具有对于抗蚀剂出色的密切接触性质的硅烷偶联剂。将KBM-5103使用PGMEA稀释至1质量％，并且通过旋涂法涂布在基板的表面上。其后，将涂布的基板在热板上在150℃退火5分钟，使得硅烷偶联剂结合至基板的表面。
(抗蚀剂)
制备含有48重量％的由化学式1表示的化合物，48重量％的AronixM220，3重量％的IRGACURE379，以及1重量％的由化学式2表示的化合物B的抗蚀剂作为抗蚀剂。
(抗蚀剂涂布步骤)
采用由FUJIFILM Dimatix制造的压电型喷墨印刷机DMP-2831。采用作为专用的10pl头的DMC-11610作为喷墨头。预先设定并调节墨喷出条件以使得每个液滴中的抗蚀剂的量为10pl。在以这种方式调节液滴量并且进行调节以使得残余膜厚成为10nm之后，将液滴根据预定液滴安置图案安置在基板上。
(模型的引入)
Si模型收纳于盒中，并且将盒的收纳容器放置在模型盒装载器中。模型盒装载器打开收纳容器，并且采用输送器以将模型装载至变形赋予器件上(ST1)。
(变形赋予处理和脱模处理)
变形赋予器件真空卡锁模型的外边缘部分以使得模型的图案化表面面对其内部。首先，将腔室内的气氛用氧代替，并使用低压汞灯以照射光，以清洁模型的表面。接下来，将腔室内的气氛用大气替换，并且采用泵、湿度控制部和加热器以保持50kPa，50℃，和50％的相对湿度的减压气氛。脱模剂供应部填充有CF3(CF2)5(CH2)2Si(OCH3)3，将脱模剂供应部的阀打开以将含有脱模剂的气体引入至腔室中，并且将模型的表面暴露至气体12小时(ST2)。
通过以上方法，对模型赋予永久变形，其中模型的中心部分与其外周部分比较弯曲50μm。同时，在模型的图案化表面上执行脱模处理。预装载的模型位于压印单元中，并且用装载的模型执行压印，同时经过以上处理的模型处于备用状态。应注意，在压印单元中不存在模型并且将处理过的模型装载至纳米压印装置中的情况下，可以省略以上处理并且可以将模型直接装载至压印单元中。
(模型的装载)
采用输送器以将使用过的模型从压印单元卸载(ST6)，并且将新的模型从变形赋予器件装载至压印单元中(ST3)。将使用过的模型输送至变形赋予器件并清洁。其后，清洁过的模型再次经过形状控制处理和脱模处理(ST2)。
(基板的传送)
具有涂布在其上的抗蚀剂的石英基板收纳在盒中，并且将盒的收纳容器放置在基板盒装载器中。基板盒装载器打开收纳容器，并且采用输送器以将基板传输至压印单元(ST4)。
(压印)
使模型和石英基板彼此接近，以使得其之间的空隙为0.1mm以下，并且从石英基板的背表面进行定位以使得石英基板上的对准标记的位置匹配模型上的对准标记的位置。
将模型与石英基板之间的空间用作为以体积计99％以上He的气体替换。之后，减压进行至20kPa以下。使得模型在减压的He条件下接触抗蚀剂的液滴。模型的弯曲使得模型从其中心部分接触抗蚀剂，并且整个模型与抗蚀剂进行均匀的密切接触，而没有置于其间的任何气体。
在接触之后，施加1MPa的压力10秒，并且包含360nm的波长的紫外光以100mJ/cm2的照射剂量照射，以固化抗蚀剂。
其后，将石英基板和模型的背表面通过抽吸保持。之后，石英基板或模型在与按压方向相反的方向上相对移动以分离模型。监控作为分离力的释放模型所需的力。
重复执行从基板的传送至压印的步骤。
(模型的卸载)
将关于第10次压印操作至第30次压印操作的平均分离力的±30％的值指定为阈值。当分离力超过±30％的范围时，停止压印操作和基板的传送。将所使用的模型从压印单元使用输送器卸载(ST6)。将使用过的模型转送至变形赋予器件并且清洁。其后，清洁过的模型再次经历变形赋予处理和脱模处理(ST2)。
(模型的移除)
在不重新使用模型的情况下，将模型从压印单元卸载，通过输送器装在模型盒中，之后移除(ST7)。
(模型复制件制造步骤)
如下所述使用在其上转印凹凸图案的抗蚀剂膜作为掩模进行干刻蚀。从而，基于抗蚀剂膜的凹凸图案的凹凸形状形成在石英基板上。
首先，将在图案的凹陷处存在的残余膜通过氧等离子体刻蚀移除，以暴露图案的凹陷处的石英基板。此时，设定条件以使得刻蚀的量能够移除凹凸图案的区域内的最厚残余膜。接下来，使用图案的凸部作为掩模，在石英基板上执行使用氟系气体的RIE。设定RIE条件以使得刻蚀的深度为60nm。最终，将图案的凸部的残留物通过氧等离子体刻蚀移除。
通过以上模型复制件制造步骤制造了具有精确地转印至其上的Si模型的凹凸图案的复制石英模型。

Claims (12)

1.一种纳米压印装置，其特征在于包括：
变形赋予器件，所述变形赋予器件将外力施加至压印构件上，以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个；以及
压印单元，所述压印单元采用其上赋予有永久变形的所述压印构件并且将所述模型的所述凹凸图案按压到设置在所述基板上的所述抗蚀剂上，以将所述凹凸图案转印至所述抗蚀剂上。
2.如权利要求1所述的纳米压印装置，其特征在于：
所述变形赋予器件包括具有开口的框架并且包括压力控制部，当将所述压印构件在第一表面面对所述框架的内部的情况下放置在所述开口处时，所述框架在所述压印构件的第一表面上方形成腔室，所述压力控制部将所述腔室的内部减压或加压。
3.如权利要求2所述的纳米压印装置，其特征在于：
所述变形赋予器件还包括加热部，所述加热部加热所述腔室的内部。
4.如权利要求2和权利要求3中的任一项所述的纳米压印装置，其特征在于：
所述变形赋予器件还包括脱模剂供应部，所述脱模剂供应部将脱模剂供应至所述腔室的内部。
5.如权利要求4所述的纳米压印装置，其特征在于：
所述变形赋予器件还包括湿度控制部，所述湿度控制部控制所述腔室内部的湿度。
6.如权利要求1所述的纳米压印装置，其特征在于：
所述变形赋予器件包括支撑构件和按压构件，所述支撑构件支撑所述压印构件的外边缘，所述按压构件在所述压印构件被所述支撑构件支撑的同时按压所述压印构件的第二表面。
7.一种纳米压印方法，其特征在于包括：
采用其上赋予有永久变形的压印构件；以及
将模型的凹凸图案按压至设置在基板上的抗蚀剂上，以将所述凹凸图案转印至所述抗蚀剂上。
8.一种变形赋予器件，其特征在于执行将外力施加至压印构件上以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形的功能，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个，所述变形赋予器件包括：
具有开口的框架，当将所述压印构件在第一表面面对所述框架的内部的情况下放置在所述开口处时，所述框架在所述压印构件的第一表面上方形成腔室；和
压力控制部，所述压力控制部将所述腔室的内部减压或加压。
9.一种变形赋予器件，其特征在于执行将外力施加至压印构件上以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形的功能，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个，所述变形赋予器件包括：
支撑构件，所述支撑构件支撑所述压印构件的外边缘；和
按压构件，所述按压构件在所述压印构件被所述支撑构件支撑的同时按压所述压印构件的第二表面。
10.一种变形赋予方法，其特征在于执行该方法以将外力施加至压印构件上，以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个，所述变形赋予方法包括以下步骤：
采用权利要求8所述的变形赋予器件；
通过将所述压印构件在第一表面面对所述框架的内部的情况下放置在所述框架的所述开口处，在所述压印构件的第一表面上方形成腔室；和
使用所述压力控制部将所述腔室的内部减压或加压。
11.如权利要求10所述的变形赋予方法，其特征在于：
所述变形赋予器件还包括脱模剂供应部，所述脱模剂供应部用于将脱模剂供应至所述腔室的内部；并且
所述脱模剂供应部随着所述腔室的内部通过所述压力控制部的减压或加压将所述脱模剂供应至所述腔室的内部。
12.一种变形赋予方法，其特征在于执行该方法以将外力施加至压印构件上，以将所述压印构件保持在预定的弯曲状态，从而对所述压印构件赋予永久变形，所述压印构件是在其第一表面上具有微细的凹凸图案的模型和在其第一表面上具有抗蚀剂的纳米压印用基板中的一个，所述变形赋予方法包括以下步骤：
采用权利要求9所述的变形赋予器件；
用所述支撑构件支撑所述压印构件的外边缘；和
在所述压印构件被所述支撑构件支撑的同时，用所述按压构件按压所述压印构件的第二表面。
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