CN103778889A - 有机发光二极管电路及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明披露了一种有机发光二极管电路及其驱动方法。有机发光二极管电路包含储存单元、晶体管、耦合电容、补偿单元、输入单元、开关单元及有机发光二极管。晶体管用以由储存单元所储存的电压所驱动以自晶体管的第二端产生驱动电流。耦合电容将晶体管的第二端的电位转变。补偿单元根据第一扫描讯号使晶体管的第二端的电位转变。输入单元根据第二扫描讯号将数据电压传送至储存单元。开关单元根据发光讯号导通，使得驱动电流经开关单元传送至有机发光二极管。

Description

有机发光二极管电路及其驱动方法

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管电路及其驱动方法，特别是涉及一种具有动态重置电位的有机发光二极管电路及其驱动方法。

背景技术

近年来由于显示技术的发展，平面显示器已广泛地被使用在日常生活当中。其中，有机发光二极管（Organic light-emitting diode，OLED）显示器更是因为其高画质、高对比且高反应速度的特性而较为受欢迎。

一般而言，有机发光二极管显示器包含数据驱动单元、扫描驱动单元以及多个显示单元。每一个显示单元包含有机发光二极管电路，且有机发光二极管电路包含多个晶体管。

由于在制作晶体管时，经常会因为制造工艺变异的影响，导致不同的晶体管彼此间的临界电压(Vth)可能不尽相同，使得晶体管于操作时所产生的驱动电流亦有所差异。当驱动电流不同时，其造成各个有机发光二极管所发出的亮度无法一致，进而导致显示器在显示影像时画面存有亮度不均匀(mura)的问题。

发明内容

本发明的一态样为一种有机发光二极管电路。根据本发明一实施例，有机发光二极管电路包含一储存单元、一第一晶体管、一耦合电容、一补偿单元、一输入单元、一开关单元及一有机发光二极管。该第一晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第一晶体管的控制端电性耦接至该储存单元，用以由该储存单元所储存的电压所驱动以自该第一晶体管的该第二端产生一驱动电流。该耦合电容具有一电性耦接至该第一晶体管的该第二端的第一端以及一第二端，用以根据该耦合电容的第二端的电位变化及该第一晶体管的第二端的一第一电位，将该第一晶体管的第二端的电位由该第一电位转变至一第二电位。该补偿单元电性耦接至该第一晶体管的该第二端及该储存单元，用以根据一第一扫描讯号提供一串联该第一晶体管及该补偿单元的电流路径使得该第一晶体管的该第二端的电位自该第二电位转变至一第三电位。该输入单元用以根据一第二扫描讯号将一数据电压传送至该储存单元。该有机发光二极管，用以接收该驱动电流。该开关单元用以根据一发光讯号导通，使得该驱动电流经该开关单元传送至该有机发光二极管。

本发明的一态样为一种有机发光二极管电路的驱动方法。根据本发明一实施例，有机发光二极管电路的驱动方法应用于一有机发光二极管电路，包含一具有相互电性耦接的一第一电容及一第二电容的储存单元、一第一晶体管电性耦接该储存单元、一耦合电容电性耦接该第一晶体管、一补偿单元电性耦接该第一晶体管及该耦合电容、一输入单元电性耦接该第一电容及该第二电容及一有机发光二极管电性耦接该第二电容。该驱动方法包含：于一第二时段内，通过一第一扫描讯号驱动一第一重置单元及该补偿单元，提供一参考电压至该第一电容的一第一端，并通过该第一扫描讯号驱动该补偿单元，使该第一晶体管的一第二端与该第一电容的一第二端之间导通，并且根据该耦合电容的第二端的电位变化及该第一晶体管的第二端的一第一电位，将该第一晶体管的第二端的电位由该第一电位转变至一第二电位，再通过该补偿单元根据该第一扫描讯号提供一串联该第一晶体管及该补偿单元的电流路径使得该第一晶体管的该第二端自该第二电位转变至一第三电位；于一第三时段内，通过一第二扫描讯号驱动该输入单元提供一数据电压给该第二电容的一第一端，通过该第二扫描讯号驱动该第二重置单元提供该参考电压该给该第二电容的一第二端；以及于一第四时段内，通过一发光讯号驱动一开关单元，使该第一晶体管所产生的一驱动电流经由该开关单元流入该有机发光二极管。

本发明的一态样为一种有机发光二极管电路。根据本发明一实施例，有机发光二极管电路包含一储存单元、一第一晶体管、一耦合电容、一输入单元及有机发光二极管。第一晶体管电性耦接至该储存单元，用以由该储存单元所储存的电压所驱动以自该第一晶体管的一第二端产生一驱动电流。耦合电容电性耦接至该第一晶体管的该第二端，用以根据一控制讯号的电位变化及该第一晶体管的第二端使该第一晶体管的第二端的电位由一第一电位转变至一第二电位。输入单元用以根据一第二扫描讯号将一数据电压传送至该储存单元。有机发光二极管用以接收该驱动电流。

本发明的一态样为一种有机发光二极管电路的驱动方法。根据本发明一实施例，有机发光二极管电路的驱动方法应用于一有机发光二极管电路，包含一具有一第一电容的储存单元、一第一晶体管电性耦接该第一电容、一耦合单元电性耦接该第一晶体管、一输入单元电性耦接该第一晶体管及一有机发光二极管用以接收该第一晶体管提供的一驱动电流。该驱动方法包含：于一第一时段内，通过一控制讯号对该耦合单元进行充电，以控制该第一晶体管的一第二端的电位；于一第二时段内，通过一第一扫描讯号驱动一第一重置单元，提供一参考电压给该第一电容的一第一端；于一第三时段内，通过一第二扫描讯号驱动该输入单元，提供一数据电压给该第一电容的该第一端；于一第四时段内，通过该第二扫描讯号驱动该输入单元，提供具有高电平的该数据电压给该第一电容的该第一端；于一第五时段内，通过一发光讯号驱动一开关单元，使该该驱动电流经由该开关单元流入该有机发光二极管。

综上所述，通过应用上述的实施例，有机发光二极管电路及其驱动方法使得驱动有机发光二极管发光的驱动电流不因晶体管的临界电压变化而改变，且动态调整重置电压，使重置至临界电压的电压差固定，在相同时间下可降低误差值，且改善电容充电不足的问题，以及在短时间内达到抑制驱动电流变异的效果，并降低显示器在显示影像时亮度不均的问题。

附图说明

图1A为根据本发明一实施例绘示一种有机发光二极管电路的示意图；

图1B～1E为根据图1A所绘示一种有机发光二极管电路于一操作期间的操作示意图；

图1F为根据图1B-1E所绘示一种有机发光二极管电路的操作时序图；

图2A为根据本发明一实施例绘示一种有机发光二极管电路的示意图；

图2B～2F为根据图2A所绘示一种有机发光二极管电路于一操作期间的操作示意图；以及

图2G为根据图2B-2F所绘示一种有机发光二极管电路的操作时序图。

附图符号说明

100、200：有机发光二极管电路

101、201：驱动单元

103、203：开关单元

105、205：重置单元

107：补偿单元

109、207：输入单元

111：重置单元

113、209：储存单元

115、211：耦合单元

T1～T6：晶体管

M1～M2：晶体管

C1、C2：电容

Cx：耦合电容

Is：驱动电流

Oled：有机发光二极管

Vref：参考电压

Vdata：数据电压

Sn、Sn-1：扫描讯号

EM：发光讯号

Rn-1：控制讯号

a、g、s、m：节点

VGH、VGL：电位

VDH、VDL：电位

VRH、VRL：电位

I、II、III、IV、O：时段

Vgm、Vma：跨压

Vg、Vs：电位

V1、V2：电位

High：高电平

Low：低电平

OVDD：供应电压源

OVSS：供应电压源

具体实施方式

本发明的内容可通过以下实施例来解释，但本发明的实施例并非用以限制本发明必须在如以下实施例中所述的任何特定的环境、应用或方式方能实施。因此，以下实施例的说明仅在于阐释本发明，而非用以限制本发明。在以下实施例及附图中，与本发明非直接相关的元件已省略而未绘示，且绘示于附图中的各元件之间的尺寸比例仅为便于理解，而非用以限制为本发明实际的实施比例。

关于本文中所使用的『第一』、『第二』、…等，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本发明，其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。

关于本文中所使用的『电性耦接』，可指二个或多个元件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，而『电性耦接』还可指二个或多个元件相互操作或动作。

本发明的一实施例为一种有机发光二极管电路100，其示意图描绘于图1A。实际应用中，有机发光二极管电路100可应用于有机发光二极管（OLED）显示器中，例如：可为显示器中的一有机发光二极管像素电路，其中有机发光二极显示器可包含数据驱动单元、扫描驱动单元、讯号线、扫描线以及多个显示单元以矩阵排列而成。

当扫描驱动单元通过扫描线依序开启每一列的有机发光二极管电路100时，数据扫描单元也通过讯号线将数据讯号写入每一列上的有机发光二极管电路100中，使其中的有机发光二极管发光。

如图1A所示，有机发光二极管电路100包含有机发光二极管Oled、驱动单元101、开关单元103、重置单元105、补偿单元107、输入单元109、重置单元111、储存单元113及耦合单元115。

于本实施例中，驱动单元101包含晶体管T1。开关单元103包含晶体管T2。重置单元105包含晶体管T3。补偿单元107包含晶体管T4。输入单元109包含晶体管T5。重置单元111包含晶体管T6。此外，晶体管T1～T6皆包含第一端（例如：漏极端）、第二端（例如：源极端）及控制端（例如：栅极端），且晶体管T1～T6可为P型晶体管或N型晶体管。

结构上，晶体管T1的第一端电性耦接至供应电压源OVDD，且晶体管T1的控制端电性耦接至储存单元113。晶体管T1是由储存单元113所储存的电压所驱动，以自晶体管T1的第二端提供驱动电流Is。储存单元113包含电容C1及电容C2，且电容C1及电容C2分别具有第一端及第二端。电容C1的第一端电性耦接至晶体管T1的控制端，电容C1的第二端电性耦接至电容C2的第一端，且电容C2的第二端电性耦接至晶体管T2的第二端。

如图1A所示，晶体管T1的控制端电性耦接至电容C1的第一端，且晶体管T1的第二端电性耦接至晶体管T2的第一端。此外，晶体管T2的第二端电性耦接至有机发光二极管Oled的阳极，且有机发光二极管Oled的阴极电性耦接至供应电压源OVSS。晶体管T2是根据发光讯号EM导通，使得驱动电流Is藉由流经晶体管T2传送至有机发光二极管Oled，接着有机发光二极管Oled接收驱动电流Is，并根据驱动电流Is而发光。

于本实施例中，耦合单元115包含耦合电容Cx，且耦合电容Cx具有第一端及第二端。耦合电容Cx的第一端电性耦接至晶体管T2的第一端，且耦合电容Cx的第二端电性耦接晶体管T2的控制端。耦合电容Cx可以例如是晶体管T2栅极以及漏极端之间的寄生电容。

如图1A所示，晶体管T3的第一端电性耦接至参考电压Vref，且晶体管T3的第二端电性耦接至电容C1的第一端及晶体管T1的控制端。晶体管T4的第一端电性耦接至电容C1的第二端及电容C2的第一端，且晶体管T4的第二端电性耦接至晶体管T1的第二端、晶体管T2的第一端及耦合电容Cx的第一端。此外，晶体管T3及晶体管T4的控制端用以接收扫描讯号Sn-1。

于本实施例中，晶体管T5的第一端电性耦接至数据电压Vdata，且晶体管T5的第二端电性耦接至电容C1的第二端及电容C2的第一端。此外，晶体管T6的第一端电性耦接至参考电压Vref，且晶体管T6的第二端电性耦接至电容C2的第二端及晶体管T2的第二端。此外，晶体管T5及晶体管T6的控制端用以接收扫描讯号Sn。

于操作上，请参照图1B，图1B为根据图1A中所绘示的有机发光二极管电路100的一操作期间（例如：重置期间）的操作示意图。请参照图1F，图1F为图1B所示有机发光二极管电路100的操作时序图。

如图1B及图1F所示，于时段I内，有机发光二极管电路100操作于一操作状态（例如：重置状态）下，扫描讯号Sn-1的电位为高电平（High），且晶体管T3的控制端接收扫描讯号Sn-1。于此情况下，晶体管T3导通，参考电压Vref通过导通的晶体管T3连接至电容C1的第一端（节点g），使得电容C1的第一端的电位为参考电压Vref的电位。

在重置状态下，扫描讯号Sn的电位为低电平（Low），使得晶体管T5及晶体管T6不导通。扫描讯号Sn-1的电位为高电平（High），且晶体管T4的控制端接收扫描讯号Sn-1。此时，晶体管T4导通，晶体管T4根据扫描讯号Sn-1提供一串联晶体管T1及晶体管T4的电流路径，以使电容C1的第二端（节点m）与晶体管T1的第二端（节点s）之间形成通路，并使电容C1的第二端的电位等于晶体管T1的第二端（节点s）的电位，即节点m的电位等于节点s的电位。

如图1F所示，于时段I内，发光讯号EM为高电平的电位VGH，晶体管T2根据发光讯号EM而导通。请参考图1B，此时晶体管T2及晶体管T4皆为导通，电容C2的第二端（节点a）与节点s及节点m电性耦接，使得节点m、节点s与节点a的电位为相同，藉此重置电容C2的电位。

于重置状态下，电容C1的跨压Vgm等于晶体管T1的先前临界电压Vpre_th（亦即在上一个画面周期中所储存的临界电压），使得电容C1储存晶体管T1的临界电压Vth。此时，晶体管T1的第二端（节点s）与控制端（节点g）之间的跨压Vgs亦为晶体管T1的先前临界电压Vpre_th。换句话说，跨压Vgs与电容C1的跨压Vgm相同。为了解说方便，以下称节点s于时段I内的电位为第一电位。

请参照图1C，图1C为根据图1A中所绘示的有机发光二极管电路100的一操作期间（例如：补偿期间）的操作示意图。请参照图1F，图1F为图1C所示有机发光二极管电路100的操作时序图。

如图1C及图1F所示，于时段II内，有机发光二极管电路100操作于一操作状态（例如：补偿状态）下，扫描讯号Sn的电位为低电平，晶体管T5及晶体管T6皆不导通。

于补偿状态下，发光讯号EM的电位是由高电平转换为低电平，晶体管T2不导通，有机发光二极管Oled不发光。晶体管T3及晶体管T4的控制端接收扫描讯号Sn-1，此时扫描讯号Sn-1的电位为高电平（High），使得晶体管T3及晶体管T4导通。晶体管T4根据扫描讯号Sn-1提供一串联晶体管T1及晶体管T4的电流路径，以使电容C1的第二端与晶体管T1的第二端之间形成通路。此时，晶体管T1的第二端（节点s）的电位会因为发光讯号EM由高电平转换为低电平而产生一馈通电压Vfeed_through的电位变化而由第一电位转变为第二电位，以下称馈通电压Vfeed_through，且馈通电压Vfeed_through可由下式(1)所推得：

${\mathrm{Vfeed}}_{\_}\mathrm{thro\; ugh}=(\mathrm{VGH}-\mathrm{VGL})\×\frac{\mathrm{Cgd}}{C1+\mathrm{Cgd}}$ …式(1)。

其中，VGH为发光讯号EM于高电平的电位，以及VGL为发光讯号EM于低电平的电位。由于晶体管T1的第二端（节点s）的电位提升了馈通电压Vfeed_through，所以节点m的电位也实质提升了馈通电压Vfeed_through。对于电容C1的跨压Vgm而言，等于先前临界电压Vpre_th加上馈通电压Vfeed_through。

换句话说，第一电位与第二电位的差值是根据发光讯号EM由耦合电容Cx及电容C1分压而产生。此外，耦合电容Cx是根据晶体管T1的第二端（节点s）的电位及耦合电容Cx的第二端的电位变化，将晶体管T1的第二端（节点s）的电位由第一电位转变至第二电位。于此情况下，电容C1的跨压Vgm等同于Vpre_th+Vfeed_through，即电容C1的跨压Vgm等于先前临界电压Vpre_th加上晶体管T1的第二端的馈通电压Vfeed_through。

此外，于补偿的状态下，扫描讯号Sn-1

为高电平（High），晶体管T4接收扫描讯号Sn-1，并根据扫描讯号Sn-1提供一串联晶体管T1及晶体管T4的电流路径，使得晶体管T1的第二端（节点s）电位自第二电位转变至第三电位。详言之，当节点s的电位为第二电位且晶体管T1为导通时，驱动电流Is持续由供应电压源OVDD经由晶体管T1及晶体管T4流到电容C1的第二端（节点m），进而降低电容C1的跨压Vgm，直到降低电容C1的跨压Vgm恰等于晶体管T1的临界电压，晶体管T1由导通的状态转换为不导通的状态，因此电容C1的第二端（节点m）的电位便不再变化。

更进一步而言，如果时段II不够长，电容C1的第二端（节点m）的电位无法有足够的时间转换电位，可能会导致电容C1的跨压Vgm无法洽好等于晶体管T1的临界电压Vth。此时，电容C1的跨压Vgm等同于(Vth+ΔV(t))，其中ΔV(t)为补偿误差电压，且第三电位相应于补偿误差电压ΔV(t)。换句话说，电容C1的跨压Vgm为晶体管T1临界电压Vth加上补偿误差电压ΔV(t)。

因此，在补偿的操作下，可使晶体管T1的临界电压Vth（或者相近于晶体管T1的临界电压）被储存于电容C1中。由于电容C1的跨压Vgm是由先前临界电压Vpre_th为基准通过电容C1耦合产生变动，进而开始补偿的操作，因此在晶体管T1的临界电压Vth于每个画面周期中并不会有太大差异的前提下，补偿的操作的电压变化起点与实际的晶体管T1的临界电压相近，因此可以确保补偿的操作后，电容C1的跨压Vgm较为接近晶体管T1的临界电压Vth。

请参照图1D，图1D为根据图1A中所绘示的有机发光二极管电路100的一操作期间（例如：数据写入期间）的操作示意图。请参照图1F，图1F为图1D所示有机发光二极管电路100的操作时序图。

如图1D及图1F所示，于时段III内，有机发光二极管电路100操作于一操作状态（例如：数据写入状态）下，扫描讯号Sn-1的电位由高电平转换成低电平，晶体管T3及晶体管T4不导通，且晶体管T1亦不导通。此时，发光讯号EM的电位仍为低电平，晶体管T2亦为不导通，且有机发光二极管Oled不发光。

于数据写入状态下，扫描讯号Sn的电位是由低电平转换成高电平，晶体管T5及晶体管T6的控制端接收扫描讯号Sn，并根据扫描讯号Sn导通。晶体管T5的第一端耦接至数据电压Vdata，且接收数据电压Vdata，并根据扫描讯号Sn将数据电压Vdata的电位传送至储存单元113的电容C2的第一端（节点m）。此时，电容C2的第一端（即，电容C1的第二端）的电位为数据电压Vdata所控制，节点m的电位为数据电压Vdata的电位。

如图1D所示，晶体管T6的第一端耦接至参考电压Vref，并根据扫描讯号Sn将数据参考电压Vref传送至储存单元113的电容C2的第二端（节点a）。此时，电容C2的第二端的电位为参考电压Vref，即节点a的电位为参考电压Vref。于此情况下，数据电压Vdata及参考电压Vref分别为电容C2的第一端的电位及第二端的电位，电容C2的跨压Vma等同于(Vdata-Vref)，即电容C2的跨压Vma为数据电压Vdata减去参考电压Vref。因此，于数据写入的操作之下，可将数据电压Vdata及参考电压Vref写入电容C2。

由于已知电容C1的跨压Vgm为(Vth+ΔV(t))，且电容C2的跨压Vma为(Vdata-Vref)，则储存单元113的跨压Vga等同于(Vth+ΔV(t)＋Vdata-Vref)。

请参照图1E，图1E为根据图1A中所绘示的有机发光二极管电路100的一操作期间（例如：发光期间）的操作示意图。请参照图1F，图1F为图1E所示有机发光二极管电路100的操作时序图。

如图1E及图1F所示，于时段IV内，有机发光二极管电路100操作于一操作状态（例如：发光状态）下，扫描讯号Sn及扫描讯号Sn-1的电位皆为低电平（Low），晶体管T3、T4、T5、T6皆不导通。晶体管T1由储存单元113所储存的电压所驱动而导通。当发光讯号EM的电位自低电平转换为高电平时，晶体管T2导通，晶体管T1的第二端所产生的驱动电流Is会通过晶体管T2流入发光二极管Oled，使得发光二极管Oled发光。

于发光状态下，节点g及节点s之间的跨压Vgs等同于Vga-Vds_T2，即节点g及节点s之间的跨压Vgs为储存单元113的跨压Vga减去晶体管T2的第一端及第二端之间的跨压Vds_T2。此外，储存单元113的跨压Vga等同于(Vth+ΔV(t)＋Vdata-Vref)，即节点g及节点s之间的跨压Vgs可由下式(2)推得：

Vgs=Vga-Vds_T2

=Vdata-Vref+Vth+ΔV(t)-Vds_Ts…式(2。)

另外，晶体管T1的第二端所产生的驱动电流Is可由下式(3)推得：

Is=1/2K(Vgs-Vth)²

=1/2K(Vdata-Vref+Vth+ΔV(t)-Vds_T2-Vth)²

=1/2K(Vdata-Vref+ΔV(t)-Vds_T2)²…式(3。)

其中，K为常数。因此，由上述等式可知，有机发光二极管Oled的驱动电流Is不受晶体管T1的临界电压Vth影响，即使晶体管T1因为制造过程的产生差异，而具有不同的临界电压Vth，亦不造成有机发光二极管发光亮度的改变。

据此，此有机发光二极管电路应用在有机发光二极管显示器中，由于电容是由晶体管的临界电压为基准而产生变动，且晶体管的临界电压于每个画面周期近似，因此于补偿的操作下，电容储存的电压的变化近似于晶体管的临界电压，缩短电容充电的时间，进而改善电容充电不足的问题。据此，此有机发光二极管电路可在短时间内达到抑制驱动电流变异的效果，并降低显示器在显示影像时亮度不均的问题。

本发明的一实施例为一种有机发光二极管电路的驱动方法，此驱动方法可用于结构与前述图1A实施例相同或类似的有机发光二极管电路100，故在此不再赘述。驱动方法包含以下步骤。为方便说明起见，下述驱动方法是以图1B、图1C、图1D及图1E所示的实施例为例来作说明，但不以此为限。

首先，如图1B及图1F所示，于时段I内，通过扫描讯号Sn-1驱动重置单元107及补偿单元105，以及通过发光讯号EM驱动开关单元103。此外，还提供参考电压Vref给电容C1的第一端，且导通晶体管T1，使晶体管T1的第二端控制电容C2的第二端。

在一实施例中，于时段I中，驱动方法还包含下列步骤：提供具有第一电平的扫描讯号Sn-1至重置单元107及补偿单元105；提供具有第二电平的扫描讯号Sn至输入单元109及重置单元111；以及提供具有第一电平的发光讯号EM至开关单元103，其中第一电平与第二电平相异。

需说明的是，如图1F所示的高电平（High）和低电平（Low）可分别代表此处或下述所称的第一电平以及第二电平，但本发明并不以此为限，本领域技术人员可相对应地调整第一电平及第二电平的定义。

如此一来，重置单元107及补偿单元105可依据扫描讯号Sn-1导通，使得电容C1的第一端的电位为参考电压Vref的电位，且使得电容C1的第二端的电位为晶体管T1的第二端的电位，藉此重置电容C1。此状态的详细操作已于图1B所示实施例中描述，故于此不再赘述。

接着，如图1C及图1F所示，于时段II内，通过扫描讯号Sn-1驱动重置单元107及补偿单元105，并提供参考电压Vref至电容C1的第一端，使晶体管T1的第二端与电容C1的第二端之间导通，并且根据耦合电容Cx的第二端的电位变化及晶体管T1的第二端的第一电位，将晶体管T1的第二端的电位由第一电位转变至第二电位，再通过补偿单元105根据扫描讯号Sn-1提供一串联晶体管T1及补偿单元105的电流路径使得晶体管T1的第二端的电位自第二电位转变至第三电位。

在一实施例中，于时段II中，驱动方法还包含下列步骤：提供具有第一电平的扫描讯号Sn-1至重置单元107及补偿单元105；提供具有第二电平的扫描讯号Sn至输入单元109及重置单元111；以及将具有第一电平的发光讯号EM切换为具有第二电平的发光讯号EM，并提供具有第二电平的发光讯号EM至开关单元103。

如此一来，可使晶体管T1的临界电压Vth被储存于电容C1中，并动态调整晶体管T1的第二端的电位。此状态的详细操作已于图1C所示实施例中描述，故于此不再赘述。

之后，如图1D及图1F所示，于时段III内，通过扫描讯号Sn驱动输入单元109以提供数据电压Vdata给电容C2的第一端，且通过扫描讯号Sn驱动重置单元111以提供参考电压Vref给电容C2的第二端。

在一实施例中，于时段III中，驱动方法还包含下列步骤：将具有第一电平的扫描讯号Sn-1切换为具有第二电平的扫描讯号Sn-1，并提供具有第二电平的扫描讯号Sn-1至该重置单元107及补偿单元105；将具有第二电平的扫描讯号Sn切换为具有第一电平的扫描讯号Sn，并提供具有第一电平的扫描讯号Sn至输入单元109及重置单元111；以及提供具有第二电平的发光讯号EM至开关单元103。

如此一来，电容C2的第一端及第二端的电位分别为数据电压Vdata及参考电压Vref，藉此可将数据电压Vdata及参考电压Vref写入电容C2。此状态的详细操作已于图1D所示实施例中描述，故于此不再赘述。

最后，如图1E及图1F所示，于时段IV内，通过发光讯号EM驱动开关单元103，使晶体管T1所产生的驱动电流Is经由开关单元103流入有机发光二极管Oled，使有机发光二极管Oled发光。

在一实施例中，于时段IV中，驱动方法还包含下列步骤：提供具有第二电平的扫描讯号Sn-1至重置单元107及补偿单元105；将具有第一电平的扫描讯号Sn切换为具有第二电平的扫描讯号Sn，并提供具有第二电平的扫描讯号Sn至输入单元109及重置单元111；以及将具有第二电平的发光讯号EM切换为具有第一电平的发光讯号EM，并提供具有第二电平的发光讯号EM至开关单元103。

如此一来，有机发光二极管Oled的驱动电流Is不受晶体管T1的临界电压Vth影响。此状态的详细操作已于图1E所示实施例中描述，故于此不再赘述。

通过上述的各步骤，驱动有机发光二极管Oled发光的驱动电流Is不因晶体管T1的临界电压Vth变化而改变，因此若将上述方法应用于有机发光二极管显示器的有机发光二极管电路中，能够降低显示器在显示影像时亮度不均的问题。

本发明的另一实施例为一种有机发光二极管电路200，其示意图描绘于图2A。

如图2A所示，有机发光二极管200包含驱动单元201、开关单元203、重置单元205、输入单元207、储存单元209、耦合单元211及有机发光二极管Oled。

于本实施例中，驱动单元201包含晶体管M1。开关单元203包含晶体管M2。重置单元205包含晶体管M3。输入单元207包含晶体管M4。此外，晶体管M1-M4皆包含第一端（例如：漏极端）、第二端（例如：源极端）及控制端（例如：栅极端），且晶体管M1-M4可为P型晶体管或N型晶体管。储存单元209包含电容C1，且耦合单元211包含耦合电容Cx。

结构上，晶体管M1的第一端电性耦接至供应电压源OVDD，并接收供应电压源OVDD的电压。晶体管M1的控制端电性耦接至储存单元209的电容C1的第一端，且晶体管M1的第二端电性耦接至储存单元209的电容C1的的第二端，其中晶体管M1是由储存单元209所储存的电压所驱动以自晶体管M1的第二端产生驱动电流Is。

于本实施例中，储存单元209的电容C1具有第一端及第二端。电容C1的第一端电性耦接至晶体管M1的控制端，且电容C1的第二端电性耦接至晶体管M2的第一端及晶体管M1的第二端。

如图2A所示，耦合单元211的耦合电容Cx具有第一端及第二端。耦合电容Cx的第一端电性耦接至晶体管M1的第二端及电容C1的第二端，且耦合电容Cx的第二端用以接收控制讯号Rn-1。

于本实施例中，晶体管M2的第一端电性耦接至晶体管M1的第二端，且晶体管M2的第二端电性耦接至有机发光二极管Oled的阳极，而有机发光二极管Oled的阴极电性耦接至供应电压源OVSS。晶体管M2的控制端用以接收发光讯号EM，且根据发光讯号EM而导通，使得驱动电流Is藉由流经晶体管M2传送至有机发光二极管Oled。接着，有机发光二极管Oled接收驱动电流Is，并根据驱动电流Is发光

如图2A所示，晶体管M3的第一端电性耦接至电容C1的第一端，且晶体管M3的控制端用以接收扫描讯号Sn-1。此外，晶体管M3的第二端电性耦接至参考电压Vref，且用以接收参考电压Vref。

于本实施例中，晶体管M4的第一端电性耦接至数据电压Vdata，且用以接收数据电压Vdata。晶体管M4的第二端电性耦接至储存单元209的电容C1的第一端。晶体管M4的控制端用以接收扫描讯号Sn，且晶体管M4是根据扫描讯号Sn将数据压电Vdata传送至储存单元209的电容C1的第一端。

于操作上，请参照图2B，图2B为根据图2A中所绘示的有机发光二极管电路200的一操作期间（例如：充电期间）的操作示意图。请参照图2G，图2G为图2B所示有机发光二极管电路200的操作时序图。

如图2B及图2G所示，于时段I内，有机发光二极管电路200操作于一操作状态（例如：充电状态）下，控制讯号Rn-1的电位为高电平（High），且耦合电容Cx的第二端接收控制讯号Rn-1，使得控制讯号Rn-1对耦合电容Cx进行充电以控制耦合电容Cx的电位。晶体管M3及M4的控制端分别接收扫描讯号Sn-1及扫描讯号Sn，此时扫描讯号Sn-1及扫描讯号Sn皆为低电平，使得晶体管M3及M4皆不导通。此外，发光讯号Em的电位是由高电平转换成低电平（Low），使得晶体管M2不导通，此时有机发光二极管Oled不发光。

在充电状态下，耦合电容Cx的第一端是电性耦接至晶体管M1的第二端（节点s），当控制讯号Rn-1对耦合电容Cx进行充电时，控制讯号Rn-1会改变耦合电容Cx的电位。换句话说，耦合电容Cx是根据控制讯号Rn-1的电位变化及晶体管M1的第二端使晶体管M1的第二端（节点s）的电位（Vs）由第一电位V1转变至第二电位V2，其中第一电位V1为节点s的初始电位，且第二电位V2为耦合电容Cx充电后节点s的电位。此外，于耦合电容Cx根据控制讯号Rn-1充电后，发光讯号Em的电位是由高电平转换成低电平，使得晶体管M2不导通。此时，耦合电容Cx开始放电，使得节点s的电位开始下降。

请参照图2C，图2C为根据图2A中所绘示的有机发光二极管电路200的一操作期间（例如：补偿期间）的操作示意图。请参照图2G，图2G为图2C所示有机发光二极管电路200的操作时序图。

如图2C及图2G所示，于时段II内，有机发光二极管电路200操作于一操作状态（例如：补偿状态）下，发光讯号EM及扫描讯号Sn的电位皆为低电平，晶体管M2及晶体管M4皆不导通，此时有机发光二极管Oled不发光。

在补偿状态下，扫描讯号Sn-1的电位是自低电平转换为高电平，晶体管M3根据扫描讯号Sn-1而导通，使得晶体管M1的控制端（节点g）的电位（Vg）等同于参考电压Vref。需说明的是，电容C1的第一端电性耦接至晶体管M1的控制端，因此电容C1的第一端亦为节点g。

当节点s的电位为第二电位且晶体管M1为导通时，驱动电流Is持续由供应电压源OVDD经由晶体管M1流到电容C1的第二端（节点s），进而降低电容C1的跨压Vgs，直到降低电容C1的跨压等同于晶体管M1的临界电压，晶体管M1由导通的状态转换为不导通的状态，因此电容C1的第二端（节点s）的电位便不再变化。由于节点g的电位为参考电压Vref，因此节点s的电位等同于(Vref-Vth-｜Verr1｜)，其中Vth为晶体管M1的临界电压，且Verr1为补偿期间所造成的误差值。举例而言，如果时段II不够长，电容C1的第二端（节点s）的电位无法有足够的时间转换电位，可能会导致电容C1的跨压Vgs无法洽好等于晶体管T1的临界电压Vth。此时，节点g及节点s之间的跨压Vgs为节点g的电位减去节点s的电位，其可由下式(4)推得：

Vgs=Vg-Vs

=Vref-Vref+Vth+|Verr1|

=Vth+|Verr1|…式(4。)

因此，在补偿的操作下，可使晶体管M1的临界电压Vth（或者相近于晶体管M1的临界电压）被储存于电容C1中，在晶体管M1的临界电压Vth于每个画面周期中并不会有太大差异的前提下，补偿的操作的电压变化起点与实际的晶体管M1的临界电压相近，据此可以确保补偿的操作后，电容C1的跨压Vgs较为接近晶体管M1的临界电压Vth。

请参照图2D，图2D为根据图2A中所绘示的有机发光二极管电路200的一操作期间（例如：数据写入期间）的操作示意图。请参照图2G，图2G为图2D所示有机发光二极管电路200的操作时序图。

如图2D及图2G所示，于时段III内，有机发光二极管电路200操作于一操作状态（例如：数据写入状态）下，扫描讯号Sn的电位为高电平，晶体管M4的根据扫描讯号Sn而导通。节点g的电位等同于数据电压Vdata，此时数据电压Vdata为低电平的数据电位(VDL)，使得节点g的电位为数据电压Vdata于低电平的数据电位（VDL）。

在数据写入状态下，控制讯号Rn-1的电位是由高电平转换为低电平。于数据写入操作下，节点s的电位为(Vref-Vth-(VRH-VRL)-|Verr1|)，其中VRH为控制讯号Rn-1于高电平的电位，而VRL为控制讯号Rn-1于低电平的电位。此时，驱动电流Is持续由供应电压源OVDD经由晶体管M1流到电容C1的第二端（节点s），进而降低电容C1的跨压Vgs，直到降低电容C1的跨压等同于晶体管M1的临界电压。于补偿后节点s的电位等同于(VDL-Vth-|Verr2|)，其中VDL为数据电压Vdata于低电平的数据电位，且|Verr2|为补偿期间所造成的误差值。于时段III内，节点g的电位为数据电压Vdata于低电平的数据电位（VDL）。于此情况下，节点g及节点s之间的跨压Vgs可由下式(5)推得：

Vgs=Vg-Vs

=VDL-VDL+Vth+|Verr2|

=Vth+|Verr2|…式(5。)

因此，在数据写入的操作下，可使晶体管M1的临界电压Vth被储存于电容C1中，在晶体管M1的临界电压Vth于每个画面周期中并不会有太大差异的前提下，补偿的操作的电压变化起点与实际的晶体管M1的临界电压相近，据此可以确保电容C1的跨压Vgs较为接近晶体管M1的临界电压Vth。

请参照图2E，图2E为根据图2A中所绘示的有机发光二极管电路200的一操作期间（例如：数据写入期间）的操作示意图。请参照图2G，图2G为图2E所示有机发光二极管电路200的操作时序图。

如图2E及图2G所示，于时段IV内，有机发光二极管电路100操作于一操作状态（例如：数据写入状态）下，扫描讯号Sn的电位为高电平，晶体管M4的控制端接收扫描讯号Sn，并根据扫描讯号Sn将数据电压Vdata传送至储存单元209的电容C1，使得电容C1的第一端为数据电压Vdata。

在数据写入状态下，数据电压Vdata的电位是由低电平的数据电位（VDL）转换为高电平的数据电位（VDH），在数据电压Vdata的电位提高的瞬间，节点g的电位为数据电压Vdata的高电平的数据电位（VDH）。因此，在数据写入的操作下，可将数据电压Vdata的高电平的电位写入电容C1。于此情况下，节点s的电位可由下式(6)推得：

$\mathrm{Vs}=(\mathrm{CDH}-\mathrm{VDL})\×\frac{C1}{C1+\mathrm{Cgd}}+\mathrm{VDL}-\mathrm{Vth}-\left|\mathrm{Verr}2\right|$ …式(6)。

此外，节点g及节点s之间的跨压Vgs的电位可由下式(7)推得：

$\mathrm{Vgs}=\mathrm{VDH}-(\mathrm{VDH}-\mathrm{VDL})\×\frac{C1}{C1+\mathrm{Cgd}}-\mathrm{VDL}+\mathrm{Vth}+\left|\mathrm{Verr}2\right|$

$=(\mathrm{VDH}=\mathrm{VDL})\×\frac{C2}{C1+\mathrm{Cgf}}+\mathrm{Vth}+\left|\mathrm{Verr}2\right|$ …式(7)。

请参照图2F，图2F为根据图2A中所绘示的有机发光二极管电路200的一操作期间（例如：发光期间）的操作示意图。请参照图2G，图2G为图2F所示有机发光二极管电路200的操作时序图。

如图2F及图2G所示，于时段O内，有机发光二极管电路100操作于一操作状态（例如：发光状态）下，扫描讯号Sn及扫描讯号Sn-1的电位皆为低电平，使得晶体管M3、T4、M4、T6皆不导通。当发光讯号EM的电位自低电平转换为高电平时，晶体管M2根据发光讯号EM导通，晶体管M1的第二端所产生的驱动电流Is会通过晶体管M2流入发光二极管Oled，使得发光二极管Oled发光。

于本实施例中，晶体管M1的第二端所产生的驱动电流Is可由下式(8)

Is=1/2K(Vgs-Vth)²

$=1/2K{((\mathrm{VDH}-\mathrm{VDL})\×\frac{C2}{C1+\mathrm{Cgd}}+\mathrm{Vth}+|\mathrm{Verr}2|-\mathrm{Vth})}^2$

$=1/2K{((\mathrm{VDH}-\mathrm{VDL})\×\frac{C2}{C1+\mathrm{Cgd}}+|\mathrm{Verr}2\left|\right|)}^2$ …式(8)。

其中，K为常数。因此，由上述等式可知，有机发光二极管Oled的驱动电流Is不受晶体管M1的临界电压Vth影响，即使晶体管M1因为制造过程的产生差异，而具有不同的临界电压Vth，亦不造成有机发光二极管发光亮度的改变。

据此，此有机发光二极管电路应用在有机发光二极管显示器中，由于电容是由晶体管的临界电压为基准而产生变动，且晶体管的临界电压于每个画面周期近似，因此于补偿的操作下，电容储存的电压的变化近似于晶体管的临界电压，缩短电容充电的时间，进而改善电容充电不足的问题。据此，此有机发光二极管电路可在短时间内达到抑制驱动电流变异的效果，并降低显示器在显示影像时亮度不均的问题。

本发明的一实施例为一种有机发光二极管电路的驱动方法，此驱动方法可用于操作结构与前述图2A实施例相同或类似的有机发光二极管电路200，故在此不再赘述。驱动方法包含以下步骤。为方便说明起见，下述驱动方法是以图2B、图2C、图2D、图2E及图2F所示的实施例为例来作说明，但不以此为限。

首先，如图2B及图2G所示，于时段I内，通过控制讯号Rn-1对耦合单元211进行充电，以控制晶体管M1的第二端的电位。

在一实施例中，于时段I内，驱动方法还包含下列步骤：提供具有第一电平的控制讯号Rn-1至耦合单元211；提供具有第二电平的扫描讯号Sn-1至重置单元205；提供具有第二电平的扫描讯号Sn至输入单元207；以及将具有一电平的发光讯号EM切换为具有第二电平的发光讯号EM，并提供具有第二电平的发光讯号EM至开关单元203，其中第一电平与第二电平相异。

需说明的是，如图2G所示的高电平及低电平可分别代表此处或下述所称的第一电平及第二电平，然本发明并不以此为限，本领域技术人员可相对应地调整第一电平及第二电平的定义。

如此一来，控制讯号Rn-1会改变耦合电容Cx的电位，藉此改变晶体管M1的第二端的电位。此状态的详细操作已于图2B所示实施例中描述，故于此不再赘述。

接着，如图2C及图2G所示，于时段II内，通过扫描讯号Sn-1驱动重置单元205，提供参考电压Vref给电容C1的第一端。

在一实施例中，于时段II内，驱动方法还包含下列步骤：提供具有第一电平的控制讯号Rn-1至耦合单元211；将具有第二电平的扫描讯号Sn-1切换为具有第一电平的扫描讯号Sn-1，并提供具有第一电平的扫描讯号Sn-1至重置单元205；提供具有第二电平的扫描讯号Sn至输入单元207；以及提供具有第二电平的发光讯号EM至开关单元203。

如此一来，可根据扫描讯号Sn-1使得电容C1的第一端的电位为参考电压Vref。此状态的详细操作已于图2C所示实施例中描述，故于此不再赘述。

之后，如图2D及图2G所示，于时段III内，通过扫描讯号Sn驱动输入单元207，提供数据电压Vdata给电容C1的第一端，其中数据电压Vdata的电位为低电平。

在一实施例中，于时段III内，驱动方法还包含下列步骤：将具有第一电平的控制讯号Rn-1切换为具有第二电平的控制讯号Rn-1，并提供具有第二电平的控制讯号Rn-1至耦合单元211；将具有第一电平的扫描讯号Sn-1切换为具有第二电平的扫描讯号Sn-1，并提供具有第二电平的扫描讯号Sn-1至重置单元207；将第二电平的扫描讯号Sn切换为具有第一电平的扫描讯号Sn，并提供具有第一电平的扫描讯号Sn至输入单元207；以及提供具有第二电平的发光讯号EM至开关单元203。

如此一来，可根据扫描讯号Sn使得电容C1的第一端为数据电压Vdata的低电平的电位。此状态的详细操作已于图2D所示实施例中描述，故于此不再赘述。

然后，如图2E及图2G所示，于时段IV内，通过扫描讯号Sn驱动输入单元207，提供具有高电平的数据电压Vdata给电容C1的第一端。

在一实施例中，于时段IV内，驱动方法还包含下列步骤：提供具有第二电平的控制讯号Rn-1至耦合单元211；提供具有第二电平的扫描讯号Sn-1至重置单元205；将具有第一电平的扫描讯号Sn切换为具有第二电平的扫描讯号Sn，并提供具有第二电平的扫描讯号Sn至输入单元207；以及提供具有第二电平的发光讯号EM至开关单元203。

如此一来，可根据扫描讯号Sn使得电容C1的第一端为数据电压Vdata的高电平的电位。此状态的详细操作已于图2E所示实施例中描述，故于此不再赘述。

最后，如图2F及图2G所示，于时段O内，通过发光讯号EM驱动开关单元203，使驱动电流Is经由开关单元203流入有机发光二极管Oled。

在一实施例中，如图2F及图2G所示，于时段O内，驱动方法还包含下列步骤：提供具有第二电平的控制讯号Rn-1至耦合单元211；提供具有第二电平的扫描讯号Sn-1至第重置单元205；提供具有第二电平的扫描讯号Sn至输入单元207；以及将第二电平的发光讯号EM切换为第一电平，并提供具有第一电平的发光讯号EM至开关单元203。

如此一来，驱动电流Is不因晶体管M1的临界电压Vth变化而改变。此状态的详细操作已于图2F所示实施例中描述，故于此不再赘述。

综上所述，通过应用上述的实施例，有机发光二极管电路及驱动方法使得驱动有机发光二极管发光的驱动电流不因晶体管的临界电压变化而改变，且动态调整重置电压，使其重置至临界电压的电压差固定，在相同时间下可降低误差值，且改善电容充电不足的问题，以及在短时间内达到抑制驱动电流变异的效果，并降低显示器在显示影像时亮度不均的问题。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围是以本发明的权利要求为准。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管电路，包含：

一储存单元；

一第一晶体管，具有一第一端、一第二端及一控制端，该第一晶体管的控制端电性耦接至该储存单元，用以由该储存单元所储存的电压所驱动以自该第一晶体管的该第二端产生一驱动电流；

一耦合电容，具有一电性耦接至该第一晶体管的该第二端的第一端以及一第二端，用以根据该耦合电容的第二端的电位变化及该第一晶体管的第二端的一第一电位，将该第一晶体管的第二端的电位由该第一电位转变至一第二电位；

一补偿单元，电性耦接至该第一晶体管的该第二端及该储存单元，用以根据一第一扫描讯号提供一串联该第一晶体管及该补偿单元的电流路径使得该第一晶体管的该第二端的电位自该第二电位转变至一第三电位；

一输入单元，用以根据一第二扫描讯号将一数据电压传送至该储存单元；

一有机发光二极管，用以接收该驱动电流；以及

一开关单元，用以根据一发光讯号导通，使得该驱动电流经该开关单元传送至该有机发光二极管。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管电路，其中该储存单元包含一第一电容及一第二电容，该第一电容及该第二电容分别具有一第一端及一第二端，该第一电容的该第一端电性耦接至该第一晶体管，该第一电容的该第二端电性耦接至该第二电容的该第一端，该第二电容的该第二端耦接至该开关单元。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管电路，其中该第一电容用以储存该第一晶体管的临界电压，且该第二电容用以储存该数据电压。

4.如权利要求2所述的有机发光二极管电路，其中该第一晶体管的该第一端用以接收一供应电压源，该第一晶体管的该控制端电性耦接至该第一电容的该第一端，且该第一晶体管的该第二端电性耦接至该开关单元。

5.如权利要求2所述的有机发光二极管电路，其中该开关单元包含一第二晶体管，该第二晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第二晶体管的该第一端电性耦接至该第一晶体管，该第二晶体管的该控制端用以接收该发光讯号，且该第二晶体管的该第二端电性耦接至该有机发光二极管；

其中，该耦合电容电性耦接于该第二晶体管的该第一端及该第二晶体管的该控制端之间，该第一电位与该第二电位的差值是根据该发光讯号由该耦合电容及该第一电容分压而产生。

6.如权利要求2所述的有机发光二极管电路，还包含一第一重置单元，其中该第一重置单元包含一第三晶体管，该第三晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第三晶体管的该第一端电性耦接至一参考电压，该第三晶体管的该控制端用以接收该第一扫描讯号，且第三晶体管的该第二端电性耦接至该第一晶体管及该第一电容。

7.如权利要求2所述的有机发光二极管电路，其中该补偿单元包含一第四晶体管，该第四晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第四晶体管的该第一端电性耦接至该第一电容的该第二端及该第二电容的该第一端，该第四晶体管的第二端电性耦接至该第一晶体管、该开关单元及一耦合电容，且该第四晶体管的该控制端用以接收该第一扫描讯号。

8.如权利要求2所述的有机发光二极管电路，其中该输入单元包含一第五晶体管，该第五晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第五晶体管的该第一端用以接收该数据电压，该第五晶体管的该控制端用以接收该第二扫描讯号，且该第五晶体管的该第二端电性耦接至该第一电容的该第二端及该第二电容的该第一端；

其中，该有机发光二极管电路还包含一第二重置单元，该第二重置单元包含一第六晶体管，该第六晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第六晶体管的该第一端电性耦接至该参考电压，该第六晶体管的该控制端用以接收该第二扫描讯号，且该第六晶体管的该第二端电性耦接至该第二电容的该第二端。

9.一种有机发光二极管电路的驱动方法，应用于一有机发光二极管电路，包含一具有相互电性耦接的一第一电容及一第二电容的储存单元、一第一晶体管电性耦接该储存单元、一耦合电容电性耦接该第一晶体管、一补偿单元电性耦接该第一晶体管及该耦合电容、一输入单元电性耦接该第一电容及该第二电容及一有机发光二极管电性耦接该第二电容，该驱动方法包含：

于一第二时段内，通过一第一扫描讯号驱动一第一重置单元及该补偿单元，提供一参考电压至该第一电容的一第一端，并通过该第一扫描讯号驱动该补偿单元，使该第一晶体管的一第二端与该第一电容的一第二端之间导通，并且根据该耦合电容的第二端的电位变化及该第一晶体管的第二端的一第一电位，将该第一晶体管的第二端的电位由该第一电位转变至一第二电位，再通过该补偿单元根据该第一扫描讯号提供一串联该第一晶体管及该补偿单元的电流路径使得该第一晶体管的该第二端的电位自该第二电位转变至一第三电位；

于一第三时段内，通过一第二扫描讯号驱动该输入单元提供一数据电压给该第二电容的一第一端，通过该第二扫描讯号驱动该第二重置单元提供该参考电压该给该第二电容的一第二端；以及

于一第四时段内，通过一发光讯号驱动一开关单元，使该第一晶体管所产生的一驱动电流经由该开关单元流入该有机发光二极管。

10.如权利要求9所述的驱动方法，其中该驱动方法还包含：

于一第一时段内，通过该第一扫描讯号驱动该第一重置单元及该补偿单元，以及通过该发光讯号驱动该开关单元，提供该参考电压给该第一电容的该第一端，导通该第一晶体管，使该第一晶体管的该第二端控制该第一电容的该第二端。

11.一种有机发光二极管电路，包含：

一储存单元；

一第一晶体管，电性耦接至该储存单元，用以由该储存单元所储存的电压所驱动以自该第一晶体管的一第二端产生一驱动电流；

一耦合电容，电性耦接至该第一晶体管的该第二端，用以根据一控制讯号的电位变化及该第一晶体管的第二端使该第一晶体管的第二端的电位由一第一电位转变至一第二电位；

一输入单元，用以根据一第二扫描讯号将一数据电压传送至该储存单元；以及

一有机发光二极管，用以接收该驱动电流。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管电路，其中该储存单元包含一第一电容，该第一电容具有一第一端及一第二端，该第一电容的该第一端电性耦接至该第一晶体管，且该第一电容的该第二端电性耦接至一开关单元；

其中，该第一晶体管还具有一第一端及一控制端，该第一晶体管的该第一端用以接收一供应电压源，该第一晶体管的该控制端电性耦接至该第一电容的该第一端，且该第一晶体管的该第二端电性耦接至该第一电容的该第二端。

13.如权利要求12所述的有机发光二极管电路，其中该开关单元包含一第二晶体管，该第二晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第二晶体管的该第一端电性耦接至该第一晶体管的该第二端，该第二晶体管的该控制端用以接收一发光讯号，且该第二晶体管的该第二端电性耦接至该有机发光二极管。

14.如权利要求13所述的有机发光二极管电路，其中该耦合电容具有一第一端及一第二端，该耦合电容的该第一端电性耦接至该第一电容的该第二端，且该耦合电容的该第二端用以接收该控制讯号；

其中，该有机发光二极管电路，还包含一第一重置单元，其中该第一重置单元包含一第三晶体管，该第三晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第三晶体管的该第一端电性电性耦接至该第一电容的该第一端，该第三晶体管的该控制端用以接收一第一扫描讯号，且该第三晶体管的该第二端用以接收一参考电压；

其中，该输入单元包含一第四晶体管，该第四晶体管具有一第一端、一第二端及一控制端，该第四晶体管的该第一端用以接收该数据电压，该第四晶体管的该控制端用以接收该第二扫描讯号，且该第四晶体管的该第二端电性耦接至该第一电容的该第一端。

15.一种有机发光二极管电路的驱动方法，应用于一有机发光二极管电路，包含一具有一第一电容的储存单元、一第一晶体管电性耦接该第一电容、一耦合单元电性耦接该第一晶体管、一输入单元电性耦接该第一晶体管及一有机发光二极管用以接收该第一晶体管提供的一驱动电流，该驱动方法包含：

于一第一时段内，通过一控制讯号对该耦合单元进行充电，以控制该第一晶体管的一第二端的电位；

于一第二时段内，通过一第一扫描讯号驱动一第一重置单元，提供一参考电压给该第一电容的一第一端；

于一第三时段内，通过一第二扫描讯号驱动该输入单元，提供一数据电压给该第一电容的该第一端；

于一第四时段内，通过该第二扫描讯号驱动该输入单元，提供具有高电平的该数据电压给该第一电容的该第一端；

于一第五时段内，通过一发光讯号驱动一开关单元，使该该驱动电流经由该开关单元流入该有机发光二极管。

16.如权利要求15所述的驱动方法，其中于该第一时段内，该驱动方法还包含：

提供具有一第一电平的该控制讯号至该耦合单元；

提供具有一第二电平的该第一扫描讯号至该第一重置单元；

提供具有该第二电平的该第二扫描讯号至该输入单元；以及

将具有该第一电平的该发光讯号切换为具有该第二电平的该发光讯号，并提供具有该第二电平的该发光讯号至该开关单元；

其中，该第一电平与该第二电平相异。

17.如权利要求16所述的驱动方法，其中于该第二时段内，该驱动方法还包含：

提供具有该第一电平的该控制讯号至该耦合单元；

将具有该第二电平的该第一扫描讯号切换为具有该第一电平的该第一扫描讯号，并提供具有第一电平的该第一扫描讯号至该第一重置单元；

提供具有该第二电平的该第二扫描讯号至该输入单元；以及

提供具有该第二电平的该发光讯号至该开关单元。

18.如权利要求17所述的驱动方法，其中于该第三时段内，该驱动方法还包含：

将具有该第一电平的该控制讯号切换为具有该第二电平的该控制讯号，并提供具有该第二电平的该控制讯号至该耦合单元；

将具有该第一电平的该第一扫描讯号切换为该第二电平的该第一扫描讯号，并提供具有第二电平的该第一扫描讯号至该第一重置单元；

将具有该第二电平的该第二扫描讯号切换为该第一电平的该第二扫描讯号，并提供具有该第一电平的该第二扫描讯号至该输入单元；以及

提供具有该第二电平的该发光讯号至该开关单元。

19.如权利要求18所述的驱动方法，其中于该第四时段内，该驱动方法还包含：

提供具有该第二电平的该控制讯号至该耦合单元；

提供具有该第二电平的该第一扫描讯号至该第一重置单元；

将具有第一电平的该第二扫描讯号切换为具有该第二电平的该第二扫描讯号，并提供具有该第二电平的该第二扫描讯号至该输入单元；以及

提供具有该第二电平的该发光讯号至该开关单元。

20.如权利要求19所述的驱动方法，其中于该第五时段内，该驱动方法还包含：

提供具有该第二电平的该控制讯号至该耦合单元；

提供具有第二电平的该第一扫描讯号至该第一重置单元；

提供具有该第二电平的该第二扫描讯号至该输入单元；以及

将具有该第二电平的该发光讯号切换为该第一电平的该发光讯号，并提供具有该第一电平的该发光讯号至该开关单元。

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