TWI802215B - 驅動電路 - Google Patents

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Abstract

一種驅動電路，其包含第一電晶體、電容、第二電晶體及驅動電晶體。第一電晶體用以根據第一掃描信號以提供資料信號。電容耦接於第一電晶體，並包含第一端及第二端。第二電晶體耦接於第一電晶體，並用以根據資料信號以提供啟動信號。驅動電晶體耦接於第二電晶體，並用以根據啟動信號以輸出驅動信號。

Description

驅動電路
本案係與顯示裝置有關，且特別是有關於一種應用於發光二極體顯示器之驅動電路。
現行因應補償電路需求，例如，閾值電壓（Vth）補償或電壓壓降（IR drop）補償，往往會在電路中的電流路徑(Power trace)上串接數顆薄膜電晶體（Thin film transistor, TFT），然而當電路導通的情況下，電流流經每一顆元件即會產生電壓壓降，無形中增加功率（Power）的損耗。
傳統電路架構為了調控工作比（Duty ratio），於發光二極體發光的電流路徑上，除驅動電晶體外，會額外配置啟動薄膜電晶體（Emission thin film transistor, EM TFT），進而控制發光的時間，但增加的EM TFT會增加功率（Power）的損耗。
發明內容旨在提供本揭示內容的簡化摘要，以使閱讀者對本揭示內容具備基本的理解。此發明內容並非本揭示內容的完整概述，且其用意並非在指出本案實施例的重要/關鍵元件或界定本案的範圍。
本案內容之一技術態樣係關於一種驅動電路。驅動電路包含第一電晶體、電容、第二電晶體及驅動電晶體。第一電晶體用以根據第一掃描信號以提供資料信號。電容耦接於第一電晶體，並包含第一端及第二端。第二電晶體耦接於第一電晶體，並用以根據資料信號以提供啟動信號。驅動電晶體耦接於第二電晶體，並用以根據啟動信號以輸出驅動信號。
因此，根據本案之技術內容，本案實施例所示之驅動電路得以減少電流路徑上的元件，以達到減少整體功率的損耗，且本案實施例所示之驅動電路也得以排除閾值電壓（Vth）變異或電壓壓降（IR drop）的影響。
在參閱下文實施方式後，本案所屬技術領域中具有通常知識者當可輕易瞭解本案之基本精神及其他發明目的，以及本案所採用之技術手段與實施態樣。
為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本案的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本案具體實施例的唯一形式。實施方式中涵蓋了多個具體實施例的特徵以及用以建構與操作這些具體實施例的方法步驟與其順序。然而，亦可利用其他具體實施例來達成相同或均等的功能與步驟順序。
除非本說明書另有定義，此處所用的科學與技術詞彙之含義與本案所屬技術領域中具有通常知識者所理解與慣用的意義相同。此外，在不和上下文衝突的情形下，本說明書所用的單數名詞涵蓋該名詞的複數型；而所用的複數名詞時亦涵蓋該名詞的單數型。
另外，關於本文中所使用之「耦接」，可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，亦可指二或多個元件相互操作或動作。
第1圖係依照本案一實施例繪示一種驅動電路的詳細電路圖。如圖所示，驅動電路100包含第一電晶體T1、電容C1、第二電晶體T2及驅動電晶體T3。電容C1包含第一端及第二端。於連接關係上，電容C1耦接於第一電晶體T1，第二電晶體T2耦接於第一電晶體T1，且驅動電晶體T3耦接於第二電晶體T2。
為減少電流路徑上的元件，本案提供如第1圖所示之驅動電路100的相關操作詳細說明如下所述。
在一實施例中，第一電晶體T1用以根據第一掃描信號SC以提供資料信號SL。然後，第二電晶體T2用以根據資料信號SL以提供啟動信號EM。隨後，驅動電晶體T3用以根據啟動信號EM以輸出驅動信號，且啟動信號EM包含位準變化。
在一實施例中，驅動電路100進一步包含第三電晶體T4及發光二極體L1。發光二極體L1包含陽極端。於連接關係上，第三電晶體T4耦接於電容C1，陽極端耦接於驅動電晶體T3。
於操作上，第三電晶體T4用以根據第一掃描信號SC以提供初始信號Vini。然後，發光二極體L1用以接收驅動信號以進行發光。
為使驅動電路100之上述操作易於理解，請一併參閱第2圖至第4圖，第2圖係依照本案一實施例繪示多種控制信號位準的波形示意圖，第3圖至第4圖係依照本案一實施例繪示如第1圖中所示之驅動電路的操作示意圖。
請一併參閱第2圖及第3圖，在一實施例中，在第一階段P11時，電容C1根據第一掃描信號SC而於第一端(例如端點B)及第二端(例如端點C)分別儲存資料信號SL及初始信號Vini。舉例而言，資料信號SL可以為資料信號Vdata，電容C1的第一端(例如端點B)可以寫入並儲存資料信號Vdata，電容C1的第二端(例如端點C)可以寫入並儲存初始信號Vini，但本案不以此為限。
此外，在一實施例中，在第一階段P11時，端點A寫入的電壓為啟動信號EM。舉例而言，啟動信號EM可以為低位信號Vgl，端點A寫入的電壓為低位信號Vgl，但本案不以此為限。
請一併參閱第2圖及第4圖，在一實施例中，在第二階段P12時，電容C1根據啟動信號EM而於第一端(例如端點B)及第二端(例如端點C)分別儲存第一補償信號及下拉信號VSS與發光二極體信號之和，且第一補償信號為第二端(例如端點C)的下拉信號VSS與發光二極體信號之和經由電容C1電性耦合(electrical coupling)而形成。舉例而言，資料信號SL可以為資料信號Vdata，發光二極體信號可以為VLED，電容C1的第二端(例如端點C)可以寫入並儲存VSS+VLED，由於第二端(例如端點C)的電壓由Vini變更為VSS+VLED，第二端(例如端點C)的電壓值變化一併耦合至電容C1的第一端(例如端點B)，故第一端(例如端點B)所儲存的第一補償信號為Vdata+VSS+VLED-Vini，但本案不以此為限。
然後，驅動電晶體T3根據第二補償信號以輸出驅動信號，且第二補償信號為第一補償信號與第二電晶體T2的閾值電壓之差。舉例而言，第二電晶體T2的閾值電壓可以為Vth_T2，驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)所寫入的第二補償信號為經由第二電晶體T2的閘極端(例如端點B)所傳遞的信號，第二補償信號會與第一補償信 號相差Vth_T2，且第二補償信號為第一補償信號與第二電晶體T2的閾值電壓Vth_T2之差，故第二補償信號為Vdata+VSS+VLED-Vini-Vth_T2，但本案不以此為限。
隨後，發光二極體L1用以接收驅動信號以進行發光。舉例而言，驅動電晶體T3的閾值電壓可以為Vth_T3，驅動信號可以為驅動信號Id，且由於驅動信號Id經過驅動電晶體T3，故驅動信號Id為Kn×(Vdata+VSS+VLED-Vini-Vth_T2-VSS-VLED-Vth_T3)2，亦即驅動信號Id為Kn×(Vdata-Vini-Vth_T2-Vth_T3)2，參數Kn可以為常數，但本案不以此為限。
此外，當發光二極體L1用以接收驅動信號Id以進行發光時，由於驅動信號Id僅與Vdata、Vini及Vth相關，因此，本案之驅動電路100可排除下拉信號VSS變異而造成的電壓壓降(IR drop)影響。
請參閱第4圖，在一實施例中，發光二極體L1發光的電流路徑上的元件僅有驅動電晶體T3。因此，相較於傳統電路架構需於發光二極體發光的電流路徑上額外增加啟動薄膜電晶體，本案可有效減少發光二極體發光的電流路徑上的元件，進而減少功率(Power)的損耗，但本案不以此為限。
請參閱第1圖、第3圖及第4圖，在一實施例中，圖中所揭露的複數個電晶體包含N型電晶體。舉例而言，圖中所揭露的複數個電晶體可以包含任何合適種類的N型 電晶體來實現，例如N型薄膜電晶體(Thin-film Transistor,TFT)或是N型金氧半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等，但本案不以此為限。
第5圖係依照本案一實施例繪示一種驅動電路的詳細電路圖。請參閱第5圖，在一實施例中，驅動電路100進一步包含：第三電晶體T4及發光二極體L1。發光二極體L1包含陰極端。於連接關係上，第三電晶體T4耦接於電容C1，陰極端耦接於驅動電晶體T3。
於操作上，第三電晶體T4用以根據第一掃描信號SC以提供初始信號Vini。然後，發光二極體L1用以接收驅動信號以進行發光。
請參閱第5圖，在一實施例中，驅動電路100進一步包含第四電晶體T5。於連接關係上，第四電晶體T5耦接於電容C1。於操作上，第四電晶體T5用以根據啟動信號EM以提供下拉信號VSS。
為使驅動電路100之上述操作易於理解，請一併參閱第2圖、第6圖至第7圖，第6圖至第7圖係依照本案一實施例繪示如第5圖中所示之驅動電路的操作示意圖。
請參閱第2圖及第6圖，在一實施例中，在第一階段P11時，電容C1根據第一掃描信號SC而於第一端(例如端點B)及第二端(例如端點C)分別儲存資料信號SL及初始信號Vini。舉例而言，資料信號SL可以為 資料信號Vdata，電容C1的第一端(例如端點B)可以寫入並儲存資料信號Vdata，電容C1的第二端(例如端點C)可以寫入並儲存初始信號Vini，但本案不以此為限。
此外，在一實施例中，在第一階段P11時，端點A寫入的電壓為啟動信號EM。舉例而言，啟動信號EM可以為低位信號Vgl，端點A寫入的電壓為低位信號Vgl，但本案不以此為限。
請參閱第2圖及第7圖，在一實施例中，在第二階段P12時，電容C1根據啟動信號EM而於第一端(例如端點B)及第二端(例如端點C)分別儲存第一補償信號及下拉信號VSS，且第一補償信號為第二端(例如端點C)的下拉信號VSS經由電容C1電性耦合而形成。舉例而言，電容C1的第二端(例如端點C)可以寫入並儲存下拉信號VSS，由於第二端(例如端點C)的電壓由Vini變更為VSS，第二端(例如端點C)的電壓值變化一併耦合至電容C1的第一端(例如端點B)，故第一端(例如端點B)所儲存的第一補償信號為Vdata+VSS-Vini，但本案不以此為限。
然後，驅動電晶體T3根據第二補償信號以輸出驅動信號，且第二補償信號為第一補償信號與第二電晶體T2的閾值電壓之差。舉例而言，驅動信號可以為驅動信號Id，第二電晶體T2的閾值電壓可以為Vth_T2，驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)所寫入的第二補償信號為經由 第二電晶體T2的閘極端(例如端點B)所傳遞的信號，第二補償信號會與第一補償信號相差Vth_T2，且第二補償信號為第一補償信號與第二電晶體T2的閾值電壓之差，故第二補償信號為Vdata+VSS-Vini-Vth_T2，但本案不以此為限。
隨後，發光二極體L1用以接收驅動信號以進行發光。驅動電晶體T3的閾值電壓可以為Vth_T3，驅動信號可以為驅動信號Id，且由於驅動信號Id經過驅動電晶體T3，故驅動信號Id為Kn×(Vdata+VSS-Vini-Vth_T2-VSS-VLED-Vth_T3)2，亦即驅動信號Id為Kn×(Vdata-Vini-Vth_T2-Vth_T3)2，參數Kn可以為常數，但本案不以此為限。
此外，當發光二極體L1用以接收驅動信號Id以進行發光時，由於驅動信號Id僅與Vdata、Vini及Vth相關，因此本案之驅動電路100可排除下拉信號VSS變異而造成的電壓壓降(IR drop)影響。
請參閱第7圖，在一實施例中，傳統電路架構需於發光二極體發光的電流路徑上額外增加啟動薄膜電晶體，於本案中啟動薄膜電晶體為T2，然而，啟動薄膜電晶體T2耦接於驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)，故本案的啟動薄膜電晶體T2並未在發光二極體L1發光的電流路徑上。因此，本案可有效減少發光二極體發光的電流路徑上的元件，進而減少功率(Power)的損耗，但本案不以此為限。
請參閱第5圖至第7圖，在一實施例中，圖中所 揭露的複數個電晶體包含N型電晶體。舉例而言，圖中所揭露的複數個電晶體可以包含任何合適種類的N型電晶體來實現，例如N型薄膜電晶體(Thin-film Transistor,TFT)或是N型金氧半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等，但本案不以此為限。
第8圖係依照本案一實施例繪示一種驅動電路的詳細電路圖。請參閱第8圖，在一實施例中，驅動電路100A進一步包含第三電晶體T4及發光二極體L1。發光二極體L1包含陽極端。於連接關係上，第三電晶體T4耦接於電容C1。
於操作上，第三電晶體T4用以根據第二掃描信號S2以提供下拉信號VSS。然後，發光二極體L1用以接收驅動信號以進行發光。
在一實施例中，驅動電路100A進一步包含第四電晶體T5。於連接關係上，第四電晶體T5耦接於第二電晶體T2。於操作上，第四電晶體T5用以根據第一掃描信號S1以提供參考信號Vref。
在一實施例中，驅動電路100A進一步包含第五電晶體T6。於連接關係上，第五電晶體T6耦接於第四電晶體T5。於操作上，第五電晶體T6用以根據啟動信號EM以提供參考信號Vref。
在一實施例中，驅動電路100A進一步包含第六電晶體T7。於連接關係上，第六電晶體T7耦接於第二電 晶體T2。於操作上，第六電晶體T7用以根據第三掃描信號S4以提供啟動信號EM。
在一實施例中，驅動電路100A進一步包含第七電晶體T8。於連接關係上，第七電晶體T8耦接於第二電晶體T2。於操作上，第七電晶體T8用以根據第四掃描信號S3以提供第四掃描信號S3。
為使驅動電路100A之上述操作易於理解，請一併參閱第9圖至第12圖，第9圖係依照本案一實施例繪示多種控制信號位準的波形示意圖，第10圖至第12圖係依照本案一實施例繪示如第8圖中所示之驅動電路的操作示意圖。
請參閱第9圖及第10圖，在一實施例中，在第一階段P21時，電容C1根據第一掃描信號S1及第二掃描信號S2而於第一端(例如端點B)及第二端(例如端點C)分別儲存資料信號SL及下拉信號VSS。舉例而言，資料信號SL可以為資料信號Vdata，電容C1的第一端(例如端點B)可以寫入並儲存資料信號Vdata，電容C1的第二端(例如端點C)可以寫入並儲存下拉信號VSS，但本案不以此為限。
此外，在一實施例中，在第一階段P21時，端點A'寫入的電壓為啟動信號EM，驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)寫入的電壓為啟動信號EM，端點B'寫入的信號為參考信號Vref。舉例而言，啟動信號EM可以為低位信號Vgl，端點A'寫入的電壓為低位信號Vgl，驅動 電晶體T3的閘極端(例如端點A)寫入的電壓為低位信號Vgl，但本案不以此為限。
請參閱第9圖及第11圖，在一實施例中，在第二階段P22時，電容C1根據第一掃描信號S1及第四掃描信號S3而於第一端及第二端分別儲存資料信號SL及第一補償信號，且第一補償信號為參考信號Vref、第二電晶體T2的閾值電壓及驅動電晶體T3的閾值電壓之差。舉例而言，資料信號SL可以為資料信號Vdata，電容C1的第一端(例如端點B)可以寫入並儲存資料信號Vdata，第二電晶體T2的閾值電壓可以為Vth_T2，端點B'寫入的信號可以為參考信號Vref，驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)所寫入的信號為經由第二電晶體T2的閘極端(例如端點B')所傳遞的信號，寫入端點A的信號與寫入端點B'的信號相差Vth_T2，故寫入端點A的信號為Vref-Vth_T2，端點C所寫入的信號為經由驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)所傳遞的信號，寫入端點A的信號與寫入端點C的信號相差Vth_T3，且第一補償信號為參考信號Vref、第二電晶體T2的閾值電壓及驅動電晶體T3的閾值電壓之差，故寫入電容C1的第二端(例如端點C)所儲存的第一補償信號為Vref-Vth_T2-Vth_T3，但本案不以此為限。
此外，在一實施例中，在第二階段P22時，端點A'寫入的電壓為第四掃描信號S3。舉例而言，第四掃描信號S3可以為高位信號Vgh，端點A'寫入的電壓為高位信 號Vgh，但本案不以此為限。
請參閱第9圖及第12圖，在一實施例中，在第三階段P23時，電容C1根據第四掃描信號S3及啟動信號EM而於第一端(例如端點B)及第二端(例如端點C)分別儲存第二補償信號及下拉信號VSS與發光二極體信號之和，且第二補償信號為第二端(例如端點C)的下拉信號VSS與發光二極體信號之和經由電容C1電性耦合而形成。舉例而言，資料信號SL可以為資料信號Vdata，發光二極體信號可以為VLED，電容C1的第二端(例如端點C)可以寫入並儲存VSS+VLED，由於第二端(例如端點C)的電壓由Vref-Vth_T2-Vth_T3變更為VSS+VLED，第二端(例如端點C)的電壓值變化一併耦合至電容C1的第一端(例如端點B)，故第一端(例如端點B)所儲存的第二補償信號為Vdata+VSS+VLED-Vref+Vth_T2+Vth_T3，但本案不以此為限。
然後，驅動電晶體根據第三補償電壓以輸出驅動信號，且第三補償信號為第二補償信號與第二電晶體T2的閾值電壓之差。舉例而言，驅動信號可以為驅動信號Id，第二電晶體T2的閾值電壓可以為Vth_T2，第一端(例如端點B)所儲存的第二補償信號為Vdata+VSS+VLED-Vref+Vth_T2+Vth_T3，端點B'所寫入的信號可以與端點B相同，故端點B'所寫入的信號可以為 Vdata+VSS+VLED-Vref+Vth_T2+Vth_T3，驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)所寫入的第三補償信號為經由第二電晶體T2的閘極端(例如端點B')所傳遞的信號，第三補償信號會與寫入端點B'的信號相差Vth_T2，且第三補償信號為第二補償信號與第二電晶體T2的閾值電壓之差，故第三補償信號為Vdata+VSS+VLED-Vref+Vth_T3，但本案不以此為限。
隨後，發光二極體用以接收驅動信號以進行發光。舉例而言，驅動電晶體T3的閾值電壓可以為Vth_T3，驅動信號可以為驅動信號Id，且由於驅動信號Id經過驅動電晶體T3，故驅動信號Id為Kn×(Vdata+VSS+VLED-Vref+Vth_T3-VSS-VLED-Vth_T3)2，亦即驅動信號Id為Kn×(Vdata-Vref)2，參數Kn可以為常數，但本案不以此為限。
此外，在一實施例中，在第三階段P23時，端點A'寫入的電壓為啟動信號EM。舉例而言，啟動信號EM可以為高位信號Vgh，端點A'寫入的電壓為高位信號Vgh，但本案不以此為限。
再來，當發光二極體L1用以接收驅動信號Id以進行發光時，由於驅動信號Id僅與Vdata及Vref相關，因此，本案之驅動電路100A可排除Vth及電壓壓降(IR drop)變異所造成的影響。
請參閱第12圖，在一實施例中，發光二極體L1發光的電流路徑上的元件僅有驅動電晶體T3。因此，相較於傳統電路架構需於發光二極體發光的電流路徑上額外增 加啟動薄膜電晶體，本案可有效減少發光二極體發光的電流路徑上的元件，進而減少功率(Power)的損耗，但本案不以此為限。
請參閱第8圖、第10圖至第12圖，在一實施例中，圖中所揭露的複數個電晶體包含N型電晶體。舉例而言，圖中所揭露的複數個電晶體可以包含任何合適種類的N型電晶體來實現，例如N型薄膜電晶體(Thin-film Transistor,TFT)或是N型金氧半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等，但本案不以此為限。
第13圖係依照本案一實施例繪示一種驅動電路的詳細電路圖。請參閱第13圖，在一實施例中，驅動電路100B進一步包含第三電晶體T4及發光二極體L1。發光二極體L1包含陽極端。於連接關係上，第三電晶體T4耦接於電容C1，陽極端耦接於驅動電晶體T3。
於操作上，第三電晶體用以根據第一掃描信號SC以提供初始信號Vini，發光二極體L1用以接收驅動信號以進行發光。
在一實施例中，驅動電路100B進一步包含第四電晶體T5，於連接關係上，第四電晶體T5耦接於驅動電晶體T3。於操作上，第四電晶體T5用以根據啟動信號EM以提供電源信號VDD。
為使驅動電路100B之上述操作易於理解，請一併參閱第14圖至16圖，第14圖係依照本案一實施例繪 示多種控制信號位準的波形示意圖，第15圖至第16圖係依照本案一實施例繪示如第13圖中所示之驅動電路的操作示意圖。
請參閱第14圖及第15圖，在一實施例中，在第一階段P31時，電容C1根據第一掃描信號SC而於第一端(例如端點B)及第二端(例如端點C)分別儲存資料信號SL及初始信號Vini。舉例而言，資料信號SL可以為資料信號Vdata，電容C1的第一端(例如端點B)可以寫入並儲存資料信號Vdata，電容C1的第二端(例如端點C)可以寫入並儲存初始信號Vini，但本案不以此為限。
此外，在一實施例中，在第一階段P31時，端點A寫入的電壓為啟動信號EM。舉例而言，啟動信號EM可以為高位信號Vgh，端點A寫入的電壓為高位信號Vgh，但本案不以此為限。
請參閱第14圖及第16圖，在一實施例中，在第二階段P32時，電容C1根據啟動信號EM而於第一端(例如端點B)及第二端(例如端點C)分別儲存第一補償信號及電源信號VDD，且第一補償信號為第二端(例如端點C)的電源信號VDD經由電容C1電性耦合而成。舉例而言，電容C1的第二端(例如端點C)可以寫入並儲存電源信號VDD，由於第二端(例如端點C)的電壓由Vini變更為VDD，第二端(例如端點C)的電壓值變化一併耦合至電容C1的第一端(例如端點B)，故第一端(例如端點 B)所儲存的第一補償信號為Vdata+VDD-Vini，但本案不以此為限。
然後，驅動電晶體T3根據第二補償信號以輸出驅動信號，且第二補償信號為第一補償信號與第二電晶體T2的閾值電壓之和。舉例而言，驅動信號可以為驅動信號Id，第二電晶體T2的閾值電壓可以為Vth_T2，驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)所寫入的第二補償信號為經由第二電晶體T2的閘極端(例如端點B)所傳遞的信號，第二補償信號會與第一補償信號相差Vth_T2，且第二補償信號為第一補償信號與第二電晶體T2的閾值電壓之和，故第二補償信號為Vdata+VDD-Vini+Vth_T2，但本案不以此為限。
隨後，發光二極體L1用以接收驅動信號以進行發光。驅動電晶體T3的閾值電壓可以為Vth_T3，驅動信號可以為驅動信號Id，且由於驅動信號Id經過驅動電晶體T3，故驅動信號Id為Kn×(VDD-Vdata-VDD+Vini-Vth_T2-Vth_T3)2，亦即驅動信號Id為Kn×(Vini-Vdata-Vth_T2-Vth_T3)2，參數Kn可以為常數，但本案不以此為限。
此外，當發光二極體L1用以接收驅動信號Id以進行發光時，由於驅動信號Id僅與Vdata、Vini及Vth相關，因此，本案之驅動電路100B排除電源信號VDD變異而造成的電壓壓降(IR drop)影響。
請參閱第16圖，在一實施例中，傳統電路架構需於發光二極體發光的電流路徑上額外增加啟動薄膜電晶體， 於本案中啟動薄膜電晶體為T2，然而，啟動薄膜電晶體T2耦接於驅動電晶體T3的閘極端(例如端點A)，故本案的啟動薄膜電晶體T2並未在發光二極體L1發光的電流路徑上。因此，本案可有效減少發光二極體發光的電流路徑上的元件，進而減少功率(Power)的損耗，但本案不以此為限。
請參閱第13圖、第15圖及第16圖，在一實施例中，圖中所揭露的複數個電晶體包含P型電晶體。舉例而言，圖中所揭露的複數個電晶體可以包含任何合適種類的P型電晶體來實現，例如P型薄膜電晶體(Thin-film Transistor,TFT)或是P型金氧半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等，但本案不以此為限。
由上述本案實施方式可知，應用本案具有下列優點。本案實施例所示之驅動電路得以減少電流路徑上的元件，以達到減少整體功率的損耗，且本案實施例所示之驅動電路也得以排除電壓壓降(IR drop)的影響。
雖然上文實施方式中揭露了本案的具體實施例，然其並非用以限定本案。請注意，前揭圖式中，元件之形狀、尺寸及比例等僅為示意，係供本案所屬技術領域具有通常知識者瞭解本案之用，非用以限制本案。本案所屬技術領域中具有通常知識者，在不悖離本案之原理與精神的情形下，當可對其進行各種更動與修飾，因此本案之保護範圍當以附隨申請專利範圍所界定者為準。
100,100A,100B:驅動電路
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
T3:驅動電晶體
T4:第三電晶體
T5:第四電晶體
T6:第五電晶體
T7:第六電晶體
T8:第七電晶體
SC:第一掃描信號
S1:第一掃描信號
S2:第二掃描信號
S4:第三掃描信號
S3:第四掃描信號
SL:資料信號
EM:啟動信號
VDD:電源信號
VSS:下拉信號
Vini:初始信號
Vref:參考信號
C1:電容
A,A',B':端點
B:端點(第一端)
C:端點(第二端)
L1:發光二極體
為讓本案之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 第1圖係依照本案一實施例繪示一種驅動電路的詳細電路圖。 第2圖係依照本案一實施例繪示多種控制信號位準的波形示意圖。 第3圖至第4圖係依照本案一實施例繪示如第1圖中所示之驅動電路的操作示意圖。 第5圖係依照本案一實施例繪示一種驅動電路的詳細電路圖。 第6圖至第7圖係依照本案一實施例繪示如第5圖中所示之驅動電路的操作示意圖。 第8圖係依照本案一實施例繪示一種驅動電路的詳細電路圖。 第9圖係依照本案一實施例繪示多種控制信號位準的波形示意圖。 第10圖至第12圖係依照本案一實施例繪示如第8圖中所示之驅動電路的操作示意圖。 第13圖係依照本案一實施例繪示一種驅動電路的詳細電路圖。 第14圖係依照本案一實施例繪示多種控制信號位準的波形示意圖。 第15圖至第16圖係依照本案一實施例繪示如第13圖中所示之驅動電路的操作示意圖。 根據慣常的作業方式，圖中各種特徵與元件並未依比例繪製，其繪製方式是為了以最佳的方式呈現與本案相關的具體特徵與元件。此外，在不同圖式間，以相同或相似的元件符號來指稱相似的元件/部件。
100:驅動電路
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
T3:驅動電晶體
T4:第三電晶體
SC:第一掃描信號
SL:資料信號
EM:啟動信號
VDD:電源信號
VSS:下拉信號
Vini:初始信號
C1:電容
A:端點
B:端點(第一端)
C:端點(第二端)
L1:發光二極體

Claims (20)

  1. 一種驅動電路，包含：一第一電晶體，用以根據一第一掃描信號以提供一資料信號；一電容，耦接於該第一電晶體，並包含一第一端及一第二端；一第二電晶體，耦接於該第一電晶體，並用以根據該資料信號以提供一啟動信號；以及一驅動電晶體，耦接於該第二電晶體，並用以根據該啟動信號以輸出一驅動信號，其中該啟動信號包含一位準變化。
  2. 如請求項1所述之驅動電路，更包含：一第三電晶體，耦接於該電容，並用以根據該第一掃描信號以提供一初始信號；以及一發光二極體，包含一陽極端，該陽極端耦接於該驅動電晶體，其中該發光二極體用以接收該驅動信號以進行發光。
  3. 如請求項2所述之驅動電路，其中在一第一階段時，該電容根據該第一掃描信號而於該第一端及該第二端分別儲存該資料信號及該初始信號。
  4. 如請求項3所述之驅動電路，其中在一第二 階段時，該電容根據該啟動信號而於該第一端及該第二端分別儲存一第一補償信號及一下拉信號與一發光二極體信號之和，其中該第一補償信號為該第二端的該下拉信號與該發光二極體信號之和經由該電容電性耦合而形成，其中該驅動電晶體根據一第二補償信號以輸出該驅動信號，其中該第二補償信號為該第一補償信號與該第二電晶體的一閾值電壓之差，其中該發光二極體用以接收該驅動信號以進行發光。
  5. 如請求項1所述之驅動電路，更包含：一第三電晶體，耦接於該電容，並用以根據該第一掃描信號以提供一初始信號；以及一發光二極體，包含一陰極端，該陰極端耦接於該驅動電晶體，其中該發光二極體用以接收該驅動信號以進行發光。
  6. 如請求項5所述之驅動電路，更包含：一第四電晶體，耦接於該電容，並用以根據該啟動信號以提供一下拉信號。
  7. 如請求項6所述之驅動電路，其中在一第一階段時，該電容根據該第一掃描信號而於該第一端及該第二端分別儲存該資料信號及該初始信號。
  8. 如請求項7所述之驅動電路，其中在一第二階段時，該電容根據該啟動信號而於該第一端及該第二端分別儲存一第一補償信號及一下拉信號，其中該第一補償信號為該第二端的該下拉信號經由該電容電性耦合而形成，其中該驅動電晶體根據一第二補償信號以輸出該驅動信號，其中該第二補償信號為該第一補償信號與該第二電晶體的一閾值電壓之差，其中該發光二極體用以接收該驅動信號以進行發光。
  9. 如請求項1所述之驅動電路，更包含：一第三電晶體，耦接於該電容，並用以根據一第二掃描信號以提供一下拉信號；以及一發光二極體，包含一陽極端，該陽極端耦接於該驅動電晶體，其中該發光二極體用以接收該驅動信號以進行發光。
  10. 如請求項9所述之驅動電路，更包含：一第四電晶體，耦接於該第二電晶體，並用以根據該第一掃描信號以提供一參考信號。
  11. 如請求項10所述之驅動電路，更包含：一第五電晶體，耦接於該第四電晶體，並用以根據該啟動信號以提供該參考信號。
  12. 如請求項11所述之驅動電路，更包含：一第六電晶體，耦接於該第二電晶體，並用以根據一第三掃描信號以提供該啟動信號。
  13. 如請求項12所述之驅動電路，更包含：一第七電晶體，耦接於該第二電晶體，並用以根據一第四掃描信號以提供該第四掃描信號。
  14. 如請求項13所述之驅動電路，其中在一第一階段時，該電容根據該第一掃描信號及該第二掃描信號而於該第一端及該第二端分別儲存該資料信號及一下拉信號。
  15. 如請求項14所述之驅動電路，其中在一第二階段時，該電容根據該第一掃描信號及該第三掃描信號而於該第一端及該第二端分別儲存該資料信號及一第一補償信號，其中該第一補償信號為該參考信號、該第二電晶體的一閾值電壓及該驅動電晶體的一閾值電壓之差。
  16. 如請求項15所述之驅動電路，其中在一第三階段時，該電容根據該第四掃描信號及該啟動信號而於該第一端及該第二端分別儲存一第二補償信號及一下拉信號與一發光二極體信號之和，其中該第二補償信號為該第二端的該下拉信號與該發光二極體信號之和經由該電容電 性耦合而形成，其中該驅動電晶體根據一第三補償電壓以輸出該驅動信號，其中該第三補償信號為該第二補償信號與該第二電晶體的該閾值電壓之差，其中該發光二極體用以接收該驅動信號以進行發光。
  17. 如請求項1所述之驅動電路，更包含：一第三電晶體，耦接於該電容，並用以根據該第一掃描信號以提供一初始信號；以及一發光二極體，包含一陽極端，該陽極端耦接於該驅動電晶體，其中該發光二極體用以接收該驅動信號以進行發光。
  18. 如請求項17所述之驅動電路，更包含：一第四電晶體，耦接於該驅動電晶體，並用以根據該啟動信號以提供一電源信號。
  19. 如請求項18所述之驅動電路，其中在一第一階段時，該電容根據該第一掃描信號而於該第一端及該第二端分別儲存該資料信號及該初始信號。
  20. 如請求項19所述之驅動電路，其中在一第二階段時，該電容根據該啟動信號而於該第一端及該第二端分別儲存一第一補償信號及一電源信號，其中該第一補償信號為該第二端的該電源信號經由該電容電性耦合而形 成，其中該驅動電晶體根據一第二補償信號以輸出該驅動信號，其中該第二補償信號為該第一補償信號與該第二電晶體的一閾值電壓之和，其中該發光二極體用以接收該驅動信號以進行發光。
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