CN103680585B - 存储器及包含存储器的存储系统 - Google Patents

Abstract

一种存储器，其包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；及控制电路，其被配置成：在第一模式中第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线。

Description

存储器及包含存储器的存储系统

相关申请的交叉引用

本申请主张2012年8月31日申请的韩国专利申请第10-2012-0096580号的优先权，其以全文引用方式并入本文中。

技术领域

本发明的例示性实施例涉及种存储器及包括存储器的存储系统，其中所述存储器可防止因存储器单元中的字线干扰而引起的所储存数据的恶化。

背景技术

随着存储器集成度的增大，包括于存储器中的多条字线之间的间隔得以减小。由于字线之间的间隔减小，故邻近字线之间的耦合效应增加。

每当数据被输入至存储器单元及自存储器单元输出时，字线在激活（有效）状态与去激活（无效）状态之间切换。就此而言，由于邻近字线之间的耦合效应如上所述地增加，所以与邻近于频繁被激活的字线的字线相连接的存储器单元发生数据受损的现象。此现象被称作字线干扰。因字线干扰，可能出现担忧，存储器单元的数据可能在存储器单元被刷新之前受损。

图1为说明字线干扰及说明包括于存储器中的存储器单元阵列的部分的图。

在图1中，‘WLL’指示具有大量激活次数的字线，且‘WLL-1’及‘WLL+1’指示邻近于‘WLL’的字线，亦即，与具有大量激活次数的字线相邻的字线。此外，‘CL’指示连接至字线‘WLL’的存储器单元，‘CL-1’指示连接至字线‘WLL-1’的存储器单元，且‘CL+1’指示连接至字线‘WLL+1’的存储器单元。各个存储器单元‘CL’、‘CL-1’及‘CL+1’包括单元晶体管TL、TL-1及TL+1，及单元电容器CAPL、CAPL-1及CAPL+1。

在图1中，当字线‘WLL’被激活或去激活时，字线‘WLL-1’及‘WLL+1’的电压由于字线‘WLL’、‘WLL-1’及‘WLL+1’之间发生的耦合效应而增大或减小，且对单元电容器CAPL-1及CAPL+1的电荷量产生影响。因此，字线‘WLL’在激活状态与去激活状态之间的频繁切换导致储存于包括于存储器单元‘CL-1’及‘CL+1’中的单元电容器CAPL-1及CAPL+1中的电荷量的变化增大，使得存储器单元‘CL-1’及‘CL+1’的数据可能恶化。

此外，由于字线在激活状态与去激活状态之间切换时所产生的电磁波向或从连接至邻近字线的存储器单元的单元电容器中引入或是释放电子，故数据可受损。

发明内容

各种实施例涉及存储器，其中邻近于具有等于或大于参考次数的激活次数的字线的多条字线被激活以刷新连接至邻近字线的多个存储器单元，藉此防止对连接至所述邻近字线的所述存储器单元的数据的字线干扰。

又，各种实施例涉及存储器，其中，即使当具有等于或大于参考次数的激活次数的字线是替代正常字线的冗余字线时，亦可能防止对连接至邻近于该冗余字线的字线的所述存储器单元的数据的字线干扰。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；及控制电路，其被配置成：在第一模式中用第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；冗余控制区块，其被配置成：产生对应于第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用第一至第M冗余字线中的第K冗余字线（1≤K≤M）替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于第K冗余字线的第K冗余信号；邻近激活控制区块，其被配置成以在第一模式中用第K冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下激活至少一个邻近控制信号；及字线控制区块，其被配置成：在第一模式中用第K冗余字线替代对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号、邻近控制信号及第K冗余信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线。

在一实施例中，一种存储系统可包括：存储器，其包括第一至第N字线及被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线的第一至第M冗余字线，且存储器被配置成在第一模式下中用第一至第M冗余字线中的第K冗余字线（1≤K≤M）替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下响应于激活信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线；及存储器控制器，其被配置成以响应于计数第一至第N字线的激活次数的结果而在第一模式中将对应于第一至第N字线中的激活次数等于或大于参考次数的字线的地址输入至存储器。

在一实施例中，一种存储系统可包括存储器及存储器控制器，存储器包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；冗余控制区块，其被配置成以产生对应于第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号、且在用第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于第K冗余字线的第K冗余信号；邻近激活控制区块，其被配置成以在第一模式中用第K冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下顺序激活至少一个邻近控制信号；及字线控制区块，其被配置成：在第一模式中用第K冗余字线替代对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号、邻近控制信号及第K冗余信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线；且存储器控制器被配置成以响应于计数第一至第N字线的激活次数的结果而在第一模式中将对应于第一至第N字线中的激活次数等于或大于参考次数的字线的地址输入至存储器。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第M字线；邻近激活控制区块，其被配置成以在第一模式中产生至少一个邻近控制信号且响应于激活信号而激活所述邻近控制信号；及字线控制区块，其被配置成以：产生对应于第一至第M字线的第一至第M控制信号；在输入地址对应于第一至第M字线中的第K字线（1≤K≤M）的情况下，激活对应于第K字线的第K控制信号；且在第一模式中响应于激活信号、邻近控制信号及第K控制信号而激活邻近于该第K字线的至少一个邻近字线。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；及控制电路，其被配置成：在第一至第N字线中的对应于输入地址的字线在第一模式中邻近于第一冗余字线的情况下，响应于激活信号而激活第一至第M冗余字线中的邻近于对应于输入地址的字线的至少一个字线。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；冗余控制区块，其被配置成以产生对应于第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号、且在用第一至第M冗余字线中的第K冗余字线（1≤K≤M）替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下激活对应于该第K冗余字线的第K冗余信号；邻近激活控制区块，其被配置成以在第一模式下第一至第N字线中的对应于输入地址的字线邻近于第一冗余字线的情况下，激活至少一个邻近控制信号；及字线控制区块，其被配置成：在第一模式中对应于输入地址的字线邻近于第一冗余字线的情况下，响应于激活信号、邻近控制信号及指示对应于输入地址的字线被选中的信号而激活第一至第M冗余字线中的邻近于对应于输入地址的字线的至少一个字线。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；及控制电路，其被配置成：在第一模式中邻近于由输入地址指定的字线的至少一个邻近字线包括第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近字线。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；冗余控制区块，其被配置成产生对应于第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号、且在用第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下激活对应于第K冗余字线的第K冗余信号；邻近激活控制区块，其被配置成以在第一模式中第一至第N字线中的邻近于由输入地址指定的字线的至少一个邻近字线包括第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况下激活至少一个邻近控制信号；及字线控制区块，其被配置成：在第一模式中字线包括第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况下，响应于激活信号、邻近控制信号及指示由输入地址指定的字线被选中的信号而激活至少一个邻近字线。

在一实施例中，一种存储器可包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；冗余控制区块，其被配置成以产生对应于第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号、且在用第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下激活对应于第K冗余字线的第K冗余信号；脉冲信号发生单元，其被配置成以在激活信号的去激活时间产生脉冲信号；第一移位单元，其被配置成以在第一模式中激活冗余字线状态信号的情况下在脉冲信号被激活时使储存于第一移位单元中的值移位且产生多个第一信号；第二移位单元，其被配置成以在第一模式中激活脉冲信号时使储存于第二移位单元中的值移位且产生多个第二信号；信号发生单元，其被配置成以组合多个第一信号与多个第二信号且产生至少一个邻近控制信号；及字线控制区块，其被配置成：在第一模式中用第K冗余字线替代对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号、邻近控制信号及第K冗余信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线。

附图说明

图1为说明字线干扰及说明包括于存储器中的存储器单元阵列的部分的图。

图2为说明用以实质上防止连接至邻近于具有大量激活次数的字线的字线的存储器单元的数据由于字线干扰而恶化的方法的图。

图3为说明根据图2的方法执行补偿操作的情况下所导致的有关问题的图。

图4为说明根据本发明的一实施例的存储系统的配置图。

图5为说明根据本发明的实施例的存储器的配置图。

图6为说明根据本发明的实施例的冗余控制单元的配置图。

图7为说明第K冗余信号发生单元的配置图。

图8为说明根据本发明的实施例的邻近激活控制区块的配置图。

图9A及图9B为说明根据本发明的实施例的字线控制区块的配置图。

具体实施方式

将参看随附附图在下文中详细地描述各种实施例。然而，本发明可以不同形式体现且不应被解释为限于本文中所陈述的实施例。实情为，提供此等实施例以使得本发明将澈底且完整，且将向本领域技术人员传达本发明的范围。在本发明中，附图标记直接对应于在本发明的各种图及实施例中的相似编号部分。亦应注意，在本说明书中，‘连接/耦接’不仅指代组件直接耦接另一组件，而且指代组件经由中间组件间接地耦接另一组件。另外，只要单数形式未在句子中特别提及，单数形式可包括复数形式。

在下文中，邻近字线意味被识别成遭受特定字线（例如，将在本文的下文中公开的过激活的字线）的字线干扰的字线。邻近字线的识别或数目可根据设计改变。在下文中，将针对两个邻近字线分别紧接于特定字线安置的情况进行描述。

又，特定地址所指定的字线表示根据预设对应关系而物理上或逻辑上对应于特定地址的字线或替代对应于特定地址的字线的字线。举例而言，当物理上或逻辑上对应于具有值‘X’的地址的字线为第X字线时，如果第X字线未被替代，则第X字线为由具有值‘X’的地址指定的字线，且如果第X字线被第Y冗余字线所替代，则由具有值‘X’的地址指定的字线为第Y冗余字线。

图2为解释防止对连接至与具有大量激活次数的字线相邻近的字线的存储器单元中的数据的字线干扰的图。

存储器包括第一至第N（N为自然数）字线，且存储器控制器（图2中未示出）通过向存储器施加诸如命令CMD、地址ADD<0:A>及数据（图2中未示出）的各种信号来控制存储器。时钟CLK为时钟信号，存储器同步于时钟信号而操作。

图2说明存储器控制器在操作模式（在下文中被称为特殊模式）下施加至存储器以防止存储器单元的数据由于字线干扰而恶化的信号。在下文中，对应于第一至第N字线中的第L字线（L为自然数，1≤L≤N）的地址的值将由‘L’表示。

字线的激活次数为对应于字线的地址随同激活命令一起自存储器控制器输入至存储器的输入次数。举例而言，当存储器控制器将地址‘15’与激活命令一起输入十次时，此表示第15字线被激活十次。因此，存储器或存储器控制器使用通过计数对应于第一至第N字线的所述地址连同激活命令一起已输入至存储器的次数而获得的结果来判定激活次数等于或大于参考次数的字线的存在或不存在。参考次数可以是于存储系统内部判定的值或自存储系统外部输入的值。参考次数的值可根据存储器设计改变。

当特定地址组合与MRS命令MRS一起自存储器控制器输入时，存储器根据MRS（模式电阻器设置）设定（‘开始’设定）而进入特殊模式。此外，当特定地址组合与MRS命令MRS一起输入时，存储器退出特殊模式（‘结束’设定）。通过经由MRS命令MRS及特定地址组合进入特殊模式来补偿数据恶化仅用于说明性目的。举例而言，可能控制存储器以使用新定义的信号或根据设计的现有信号组合来执行补偿操作。

在特殊模式中，存储器控制器使存储器以‘补偿循环’为单位操作，‘补偿循环’包括将与激活命令一起输入的输入次数等于或大于参考次数的地址（在下文中被称为过度输入地址）输入至存储器的操作，及将邻近字线或邻近于对应于过度输入地址的字线（在下文中被称为过激活的字线）的字线激活的操作。在下文中，将针对地址‘L’为过度输入地址且第L字线为过激活的字线的情况进行描述。

在每一补偿循环中，将第一激活命令ACT及过度输入地址L输入至存储器。在经过预定时间之后，将预充电命令PRE输入至存储器。存储器响应于激活命令ACT及地址L而激活第L字线，且响应于预充电命令PRE而将已激活的第L字线去激活。

在过激活的字线激活之后，将对应于邻近于第L字线或过激活的字线的邻近字线的地址L+1及L-1与激活命令ACT一起顺序地输入以防止字线干扰。在图2中，输入第二激活命令ACT及地址L+1，且输入第三激活命令ACT及地址L-1。因此，顺序地激活存储器的第L+1字线及第L-1字线。仅供参考，地址L+1及地址L-1的输入次序可变化。

当激活所述邻近字线的操作完成时，存储器通过自存储器控制器输入的MRS命令与地址的组合来退出特殊模式。

当激活特定字线时，连接至字线的存储器单元的数据被刷新。因此，在特殊模式中，通过激活邻近于对应于过度输入地址的过激活的字线的邻近字线，可防止由于字线干扰而发生数据恶化。

图3为解释冗余字线的补偿过程的图。

参看图3，存储器包括第一至第N正常字线WL1至WLN及用以替代第一至第N字线WL1至WLN中的出故障的M条正常字线的第一至第M冗余字线RWL1至RWLM。如图3所示，第一至第N正常字线WL1至WLN顺序地安置，且第一至第M冗余字线RWL1至RWLM紧接于第N字线WLN而顺序地安置。

下文中，将针对对应于第L字线WLL的地址L为过度输入地址且第L字线被第K（K为自然数，1≤K≤M）冗余字线RWLK所替代的情况进行描述。

存储器储存对应于被替代的第L字线WLL的地址L。当输入地址的值等于L时，存储器执行激活替代第L字线WLL的第K冗余字线RWLK的操作（冗余操作）。不给冗余字线另行分配地址。

在补偿循环内，将第一激活命令ACT及地址L输入至存储器。接下来，将地址L+1及地址L-1分别与第二及第三激活命令ACT一起输入。因此，第L+1字线WLL+1及第L-1字线WLL-1分别响应于第二及第三激活命令ACT被激活。

然而，由于第L字线WLL被第K冗余字线RWLK所替代，故过激活的字线并非第L字线WLL而是第K冗余字线RWLK，且激活次数实际上等于或大于参考次数的字线并非第L字线而为第K冗余字线RWLK，即使过度输入地址仍对应于第L字线WLL。因此，在特殊模式中以作为邻近字线而要被激活的字线并非第L+1正常字线WLL+1及第L-1正常字线WLL-1、而为第K+1冗余字线RWLK+1及第K-1冗余字线RWLK-1。

因为如上所述不给冗余字线分配地址，所以需要用于激活冗余字线以作为特殊模式中的邻近字线的方案。

图4为说明根据本发明的一实施例的存储系统的配置图。

存储器410包括第一至第N正常字线WL1至WLN，及用于替代第一至第N字线WL1至WLN中的出故障的M条正常字线的第一至第M冗余字线RWL1至RWLM。在存储器410中，第一至第N字线WL1至WLN顺序地安置，且第一至第M冗余字线RWL1至RWLM紧接于第N字线WLN顺序地安置。存储器控制器420在第一模式中响应于通过计数对应于第一至第N字线WL1至WLN中的每一字线的地址的输入次数而获得的结果来将对应于第一至第N字线WL1至WLN中的至少被激活了参考次数的过激活的字线的地址输入至存储器410。

仅供参考，存储器控制器420将包括芯片选择信号CSB、激活控制信号ACTB、行地址选通信号RASB、列地址选通信号CASB及写入使能信号WEB的命令信号输入至存储器410。存储器控制器420将特定命令施加至存储器410的事实表示命令信号CSB、ACTB、RASB、CASB及WEB的组合对应于该特定命令。举例而言，存储器控制器420将激活命令施加至存储器410的事实表示由存储器控制器420施加至存储器410的命令信号CSB、ACTB、RASB、CASB及WEB的组合对应于激活命令。包括于存储器410中的命令译码器（未示出）译码所述命令信号CSB、ACTB、RASB、CASB及WEB且由存储器410内部产生一命令。

在以下描述中，第一模式对应于前述特殊模式，且第二模式对应于用于对存储器410的数据执行读取及写入操作的一般操作模式。

将参看图4描述存储系统。

在以下描述中，特定字线的邻近字线为直接安置在特定字线前面或后面的字线。在图4中，第L字线WLL的邻近字线为第L-1字线WLL-1及第L+1字线WLL+1，且第K冗余字线RWLK的邻近字线为第K-1冗余字线RWLK-1及第K+1冗余字线RWLK+1。此外，第一字线WL1（K=1）的邻近字线为第二字线WL2，第N字线WLN（K=N）的邻近字线为第N-1字线WLN-1及第一冗余字线RWL1，第一冗余字线RWL1（K=1）的邻近字线为第N字线WLN及第二冗余字线RWL2，且第M冗余字线RWLM（K=M）的邻近字线为第M-1冗余字线RWLM-1。邻近字线的识别或数目可根据设计改变。

在第二模式中，存储器410或存储器控制器420计数对应于存储器410的各个字线的地址ADD<0:A>与激活命令一起被输入至存储器410的次数。为了计数对应于第一至第N字线WL1至WLN的地址被输入的次数，存储器410或存储器控制器420可包括分别对应于第一至第N字线WL1至WLN的第一至第N计数单元CNT1至CNTN。即使在字线替代的情况（即，如上文所论述的实例，第L正常字线WLL为第K冗余字线RWLK所替代的情况）下，对应于该正常字线的地址现经由结合图3所论述的冗余操作而映射至所述冗余字线，且因此，该冗余字线的激活次数可以用对应于该正常字线的地址的输入次数来计数。

图4示出了存储器控制器420包括第一至第N计数单元CNT1至CNTN。在第二模式中，第一至第N计数单元CNT1至CNTN在分别对应于所述计数单元的地址与激活命令一起输入至所述计数单元时计数所述地址的值，且产生第一至第N计数信息CTI1<0:B>至CTIN<0:B>。当将地址与激活命令一起输入至存储器410时，由于对应于所述地址的字线在第一至第N字线WL1至WLN中激活，故地址与激活命令一起输入的次数对应于第一至第N字线WL1至WLN被激活的次数。换言之，第一至第N计数信息CTI1<0:B>至CTIN<0:B>为通过计数各个第一至第N字线WL1至WLN被激活的次数获取的信息。

存储系统在第一模式中的操作

当存储器控制器420将MRS命令与特定地址的组合输入至存储器410时，存储器410进入第一模式（模式信号MOD被激活）。存储器控制器420被配置成以在第一模式中响应于计数第一至第N字线WL1至WLN的激活次数的结果而将过度输入地址输入至存储器410。由于过度输入地址可为至少一个，亦即，可存在激活次数等于或大于参考次数的至少一个过激活的字线，故第一模式可包括针对多个输入的过度输入地址的情况的至少一个‘补偿循环’。在下文中，将针对第一模式包括用于对应于第L字线WLL的一个过度输入地址的一个补偿循环的情况进行描述。

在存储器410进入第一模式之后，存储器控制器420在补偿循环期间将激活命令输入至存储器410三次。存储器控制器420将具有值L的过度输入地址ADD<0:A>与第一激活命令一起输入，将具有值L+1的地址ADD<0:A>与第二激活命令一起输入，且将具有值L-1的地址ADD<0:A>与第三激活命令一起输入。激活命令在补偿循环期间被输入至存储器410的次数可被设计成以根据补偿循环中将激活的邻近字线的数目而改变。

下文将描述的情况（A）及（B）是过激活的字线的邻近字线可包括至少一个冗余字线的情况。

在过激活的字线为冗余字线、或第一至第N字线WL1至WLN中的对应于过度输入地址ADD<0:A>的字线被第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的第K（1≤K≤M）冗余字线RWLK所替代的情况（A）下，存储器410响应于激活命令而激活第K冗余字线RWLK的至少一个邻近字线。

在邻近字线部分地包括至少一个冗余字线、或对应于过度输入地址ADD<0:A>的过激活的字线的至少一个邻近字线包括第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的至少一个字线的情况（B）下，存储器410响应于激活命令而激活第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的对应于过度输入地址ADD<0:A>的过激活的字线的邻近字线。举例而言，情况（B）为过激活的第N正常字线WLN的邻近字线是第N-1正常字线WLN-1及第一冗余字线RWL1的情况。

以上情况（A）及（B）对应于由地址ADD<0:A>指定的过激活的字线的至少一个邻近字线包括第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的至少一个冗余字线的情况。在情况（A）或（B）下，不管邻近字线的输入地址ADD<0:A>，存储器410激活可包括至少一个正常字线及至少一个冗余字线的所述邻近字线。

存储器410在情况（A）下的操作

当将具有值L的过度输入地址ADD<0:A>与第一激活命令一起输入时，存储器410激活替代第L字线且因此为过激活的字线的第K冗余字线RWLK。当输入第二激活命令时，不管与第二激活命令一起施加的具有值L+1的地址ADD<0:A>，存储器410激活第K+1冗余字线RWLK+1作为第K冗余字线RWLK的邻近字线。当输入第三激活命令时，不管与第三激活命令一起施加的具有值L-1的地址ADD<0:A>，存储器410激活第K-1冗余字线RWLK-1作为第K冗余字线RWLK的另一邻近字线。激活第K+1冗余字线RWLK+1及第K-1冗余字线RWLK-1所用的次序可改变。在K等于‘1’（亦即，对应于过度输入地址ADD<0:A>的过激活的字线为第一冗余字线RWL1所替代）的情况下，第二冗余字线RWL2及第N字线WLN响应于第二及第三激活命令而被顺序地激活以作为过激活的字线（即，第一冗余字线RWL1）的邻近字线。

存储器410在情况（B）下的操作

存储器410响应于第一激活命令而激活对应于过度输入地址ADD<0:A>的字线。对应于过度输入地址ADD<0:A>的过激活的字线可为邻近于第一冗余字线RWL1的第N字线WLN。

当施加第一次激活之后的激活命令时，存储器410可激活至少一个冗余字线以作为第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的对应于过度输入地址ADD<0:A>的过激活的字线的邻近字线。举例而言，当输入第二激活命令时，不管邻近字线的输入地址ADD<0:A>，存储器410激活第一冗余字线RWL1作为过激活的第N字线WLN的邻近字线，且当输入第三激活命令时，不管另一邻近字线的输入地址ADD<0:A>，存储器410激活第N-1字线WLN-1作为过激活的第N字线WLN的另一邻近字线。激活第一冗余字线RWL1及第N-1字线WLN-1所用的次序可改变。

除情况（A）及（B）之外，亦即，当过激活的字线及所有邻近字线为正常字线、或对应于地址ADD<0:A>的字线未被替代且不邻近于第一冗余字线RWL1时，存储器410激活对应于在补偿循环中与激活命令一起输入的地址ADD<0:A>的字线。

同时，存储器410在每一补偿循环中针对在第一次激活之后与第二及第三激活命令一起输入的邻近字线的地址ADD<0:A>不执行冗余操作（结合图3所解释），且将与冗余操作相关联的信号的状态维持在输入用于过激活的字线的第一激活命令之后的状态下。需要受保护以免受字线干扰影响的是物理上邻近于过激活的字线的字线。因此，并非物理上邻近于过激活的字线的名义上的邻近字线不必为了防止字线干扰而被激活。名义上的邻近字线是因冗余字线对正常字线的替代而产生的。举例而言，假设过度输入地址为5且因此过激活的字线为第五字线、且对应于地址4且物理上邻近于过激活的第五字线的第四字线为第三冗余字线所替代。即使第三冗余字线根据替代在名义上可为第五字线的邻近字线，第三冗余字线亦不受字线干扰影响，因为第三冗余字线并不物理上邻近于过激活的字线或第五字线。因此，存储器410在补偿循环中不执行针对地址4及第三冗余字线的冗余操作。

存储系统在第二模式中的操作

为了根据外部请求（未图示）执行操作，存储器控制器420将命令信号CSB、ACTB、RASB、CASB及WEB、地址ADD<0:A>及数据（未示出）施加至存储器410。当激活命令被输入时，存储器410激活对应于地址ADD<0:A>的字线。在对应于地址ADD<0:A>的字线被冗余字线所替代的情况下，存储器410激活替代对应于地址ADD<0:A>的字线的冗余字线。

在以上描述中，已解释：当存储器410对应于情况（A）或（B）时，不管在过激活的字线的第一激活命令之后与激活命令一起输入的地址ADD<0:A>，至少一个字线被激活。仅在情况（A）或（B）下，可将存储器410设计为激活至少一个邻近字线而不管在过激活的字线的第一激活命令之后与激活命令一起输入的地址ADD<0:A>如何。

在根据本发明的实施例的存储系统中，即使在第一模式（特殊模式）下于操作期间要在补偿循环中被激活的至少一个邻近字线是未被分配地址的冗余字线的情况下，亦可执行正常补偿操作。又，通过仅激活各个情形下所必需的字线，补偿操作中的电流及功率消耗可减少。

图5为根据本发明的实施例的存储器410的配置图。

参看图5，存储器410包括第一至第N正常字线WL1至WLN、用于替代第一至第N字线WL1至WLN中的出故障的M条正常字线的第一至第M冗余字线RWL1至RWLM、及控制电路500。在存储器410中，第一至第N字线WL1至WLN顺序地安置，且第一至第M冗余字线RWL1至RWLM紧接于第N字线WLN顺序地安置。

激活信号RACTV为在激活命令（未图示）被施加至存储器410时被激活且在预充电命令（未图示）被施加至存储器410时被去激活的信号。图5的地址RADD<0:A>是具有与自存储器控制器420施加的地址ADD<0:A>相同的值且与存储器410的内部操作时序同步的信号。

在以下描述中，第一模式对应于前述特殊模式，且第二模式对应于用于对存储器410的数据执行读取及写入操作的一般操作模式。

将参看图5来描述存储器410。

存储器410在第一模式中的操作

存储器410通过组合MRS命令与特定地址而进入第一模式（模式信号MOD被激活）。如上文所公开，存储器控制器420被配置成以在第一模式中响应于计数第一至第N字线WL1至WLN的激活次数的结果而将过度输入地址输入至存储器410。由于过度输入地址可为至少一个，亦即，可存在激活次数等于或大于参考次数的至少一个过激活的字线，故第一模式可包括针对多个输入的过度输入地址的情况的至少一个补偿循环。在下文中，将针对第一模式包括一个补偿循环的情况进行描述，其中所述一个补偿循环针对对应于第L字线WLL的一个过度输入地址。

在过激活的字线为冗余字线、或第一至第N字线WL1至WLN中的对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的字线被第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的第K（1≤K≤M）冗余字线RWLK替代的情况（A）下，控制电路500响应于激活信号RACTV而激活第K冗余字线RWLK的至少一个邻近字线。

在邻近字线包括至少一个冗余字线、或对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的过激活的字线的至少一个邻近字线包括第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的至少一个字线的情况（B）下，控制电路500响应于激活信号RACTV而激活第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的过激活的字线的邻近字线。举例而言，情况（B）为过激活的第N正常字线WLN的邻近字线是第N-1正常字线WLN-1及第一冗余字线RWL1的情况。

以上情况（A）及（B）对应于由激活信号RACTV在补偿循环中第一次被激活时所输入的地址RADD<0:A>指定的过激活的字线的至少一个邻近字线包括第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的至少一个冗余字线的情况。在情况（A）或（B）下，不管邻近字线的输入地址RADD<0:A>，控制电路500激活可包括至少一个正常字线及至少一个冗余字线的邻近字线。

控制电路500在情况（A）下的操作

当第一次激活激活信号RACTV时，如果输入的过度输入地址RADD<0:A>的值为L，则控制电路500激活替代第L字线WLL且因此为过激活的字线的第K冗余字线RWLK。当第二次激活激活信号RACTV时，不管输入地址RADD<0:A>，控制电路500激活第K+1冗余字线RWLK+1作为第K冗余字线RWLK的邻近字线。当第三次激活激活信号RACTV时，不管输入地址RADD<0:A>，控制电路500激活第K-1冗余字线RWLK-1作为第K冗余字线RWLK的另一邻近字线。激活第K+1冗余字线RWLK+1及第K-1冗余字线RWLK-1所用的次序可改变。在K等于1（亦即，对应于过度输入地址RADD<0:A>的过激活的字线用第一冗余字线RWL1替代）的情况下，响应于第二及第三激活信号RACTV而顺序地激活第二冗余字线RWL2及第N字线WLN作为过激活的字线（即，第一冗余字线RWL1）的邻近字线。

控制电路500在情况（B）下的操作

当第一次激活激活信号RACTV时，控制电路500激活对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的字线。对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的过激活的字线可为邻近于第一冗余字线RWL1的第N字线WLN。

当施加邻近字线的激活信号RACTV时，控制电路500可激活至少一个冗余字线作为第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的对应于过度输入地址RADD<0:A>的过激活的字线的邻近字线。举例而言，当第二次激活激活信号RACTV时，不管邻近字线的输入地址RADD<0:A>，控制电路500激活第一冗余字线RWL1作为过激活的第N字线WLN的邻近字线，且当第三次激活激活信号RACTV时，不管另一邻近字线的输入地址RADD<0:A>，控制电路500激活第N-1字线WLN-1作为过激活的第N字线WLN的另一邻近字线。激活第一冗余字线RWL1及第N-1字线WLN-1所用的次序可改变。

除情况（A）及（B）之外，亦即，当过激活的字线及所有邻近字线为正常字线、或对应于地址RADD<0:A>的字线未被替代且不邻近于第一冗余字线RWL1时，控制电路500激活对应于激活信号RACTV在补偿循环中被激活时所输入的地址RADD<0:A>的字线。

同时，控制电路500在每一补偿循环中针对邻近字线的在过激活的字线的激活之后与针对邻近字线的第二及第三激活信号RACTV一起输入的地址ADD<0:A>不执行冗余操作（结合图3所解释），且将与冗余操作相关联的信号的状态维持在输入用于过激活的字线的第一激活信号RACTV之后的状态下。需要受保护以免受字线干扰影响的是物理上邻近于过激活的字线。因此，并非物理上邻近于过激活的字线的名义上的邻近字线不必为了防止字线干扰而被激活。名义上的邻近字线是因冗余字线对正常字线的替代而产生的。举例而言，假设过度输入地址为5且因此过激活的字线为第五字线，且对应于地址4且物理上邻近于过激活的第五字线的第四字线被第三冗余字线所替代。即使第三冗余字线根据替代可名义上为第五字线的邻近字线，第三冗余字线亦不受字线干扰影响，因为第三冗余字线并不物理上邻近于过激活的字线或第五字线。因此，控制电路500在补偿循环中不执行针对地址4及第三冗余字线的冗余操作。

控制电路500在第二模式中的操作

控制电路500激活对应于在激活信号RACTV被激活时所输入的地址RADD<0:A>的字线。在对应于输入地址RADD<0:A>的字线用冗余字线替代的情况下，控制电路500激活替代对应于输入地址RADD<0:A>的字线的冗余字线。

在以上描述中，已解释：不管在过激活的字线的第一激活信号RACTV之后与激活信号RACTV一起输入的地址RADD<0:A>，情况（A）或（B）的控制电路500激活邻近字线。仅在情况（A）或（B）下，可将控制电路500设计为激活至少一个邻近字线而不管在过激活的字线的第一激活命令之后与激活信号RACTV一起输入的地址RADD<0:A>如何。

针对上述描述，参看图5，控制电路500包括冗余控制区块510、邻近激活控制区块520及字线控制区块530。将在下文描述各个控制区块510、520及530的操作。

冗余控制区块510产生第一至第M冗余信号HIT1至HITM。在第一至第N字线WL1至WLN中的对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的正常字线用第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的第K（1≤K≤M）冗余字线RWLK所替代的情况下，冗余控制区块510响应于输入的过度输入地址RADD<0:A>而激活对应于第K冗余字线RWLK的第K冗余信号HITK。

详细地，在冗余控制区块510储存了对应于第一至第N字线WL1至WLN中的待替代的字线的地址的同时，在冗余控制信号RED_CON被激活的情况下，如果储存于控制区块中的地址的值等于输入地址RADD<0:A>的值，则冗余控制区块510激活来自第一至第M冗余字线RWL1至RWLM的对应字线。此时，指示冗余操作正在执行中的冗余使能信号HITB一起被激活（冗余使能信号HITB的激活电平为低电平）。在冗余控制信号RED_CON被去激活的情况下，不管输入地址RADD<0:A>的值是否等于储存于控制区块中的地址的值，冗余控制区块510保持第一至第M冗余信号HIT1至HITM及冗余使能信号HITB的先前状态。

换言之，在冗余控制信号RED_CON被激活的情况下，冗余控制区块510比较输入地址RADD<0:A>与储存值、且更新第一至第M冗余信号HIT1至HITM及冗余使能信号HITB，并且在冗余控制信号RED_CON被去激活的情况下，不管比较输入地址RADD<0:A>与储存地址的结果如何，冗余控制区块510保持第一至第M冗余信号HIT1至HITM及冗余使能信号HITB的先前状态。

冗余控制信号RED_CON由邻近激活控制区块520产生，在自被第一次激活的激活信号RACTV被去激活的时刻至被第三次激活的激活信号RACTV被去激活的时刻的时段期间处于去激活状态下，且在剩余时段期间处于激活状态下。在第二模式中，冗余控制信号RED_CON始终被维持在激活状态下。被第三激活的激活信号RACTV是每一补偿循环中被最后激活的激活信号RACTV。激活信号RACTV的激活次数视可根据存储器设计改变的邻近字线的数目而定。

因此，冗余控制区块510在第一激活信号RACTV被激活时所输入的地址RADD<0:A>的值等于在每一补偿循环中储存于控制区块中的地址的值的情况下激活第一至第M冗余信号HIT1至HITM中的对应于储存于控制区块中的地址的值的一个冗余信号及冗余使能信号HITB，且在补偿循环的剩余时段期间保持第一至第M冗余信号HIT1至HITM及冗余使能信号HITB的当前值。因此，由于激活信号RACTV被第一次激活时所输入的地址RADD<0:A>的值等于储存于冗余控制区块510中的地址的值而被激活的冗余信号保持在激活中。相反地，冗余控制区块510在激活信号RACTV被第一次激活时所输入的地址RADD<0:A>的值不等于在补偿循环中储存于控制区块中的地址的值的情况下去激活所有第一至第M冗余信号HIT1至HITM及冗余使能信号HITB，且在补偿循环的剩余时段期间保持此等状态。

在过激活的字线为冗余字线、或第一模式下第一至第N字线WL1至WLN中的对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的字线为第K冗余字线RWLK所替代的情况（A）下，邻近激活控制区块520顺序地激活一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2。又，在邻近字线部分地包括至少一个冗余字线、或第一模式下对应于所输入的过度输入地址RADD<0:A>的过激活的字线的至少一个邻近字线包括第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的至少一个字线的情况（B）下，邻近激活控制区块520顺序地激活一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2。亦即，在由输入地址RADD<0:A>指定的过激活的字线的至少一个邻近字线包括第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的至少一个冗余字线的情况下，邻近激活控制区块520顺序地激活一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2。

详细地，邻近激活控制区块520响应于模式信号MOD、冗余字线状态信号HIT_AC及激活信号RACTV而产生冗余控制信号RED_CON、目标控制信号TAR及一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2。在初始状态下，邻近激活控制区块520激活冗余控制信号RED_CON及目标控制信号TAR且去激活一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2。

第一邻近控制信号ADJ1是用于激活安置于响应于随被第一次激活的激活信号RACTV一起输入的过度输入地址RADD<0:A>而被激活的过激活的字线后面的邻近字线的信号，且第二邻近控制信号ADJ2是用于激活安置于响应于随被第一次激活的激活信号RACTV一起输入的过度输入地址RADD<0:A>而被激活的过激活的字线前面的邻近字线的信号。举例而言，在激活信号RACTV被第一次激活时所输入的过度输入地址RADD<0:A>的值为L且第L字线WLL为第K冗余字线RWLK所替代的情况下，过激活的字线为第K冗余字线RWLK，且第一邻近控制信号ADJ1是用于控制第K+1冗余字线RWLK+1的信号，且第二邻近控制信号ADJ2是用于控制第K-1冗余字线RWLK-1的信号。冗余字线状态信号HIT_AC是用于指示冗余字线在第一模式中是否将被激活的信号。邻近字线的识别或数目且因此邻近控制信号的数目可根据设计改变。

在模式信号MOD及冗余字线状态信号HIT_AC均被激活的情况下，亦即，在情况（A）或（B）下，当被第一次激活的激活信号RACTV被去激活时，邻近激活控制区块520去激活冗余控制信号RED_CON及目标控制信号TAR且激活第一邻近控制信号ADJ1。当被第二次激活的激活信号RACTV被去激活时，邻近激活控制区块520去激活第一邻近控制信号ADJ1且激活第二邻近控制信号ADJ2。当被第三次激活的激活信号RACTV被去激活时，邻近激活控制区块520去激活第二邻近控制信号ADJ2且激活冗余控制信号RED_CON及目标控制信号TAR（补偿循环结束且返回初始状态）。

在模式信号MOD被激活且冗余字线状态信号HIT_AC被去激活（此意谓过激活的字线及所有邻近字线为正常字线）的情况下，当被第一次激活的激活信号RACTV被去激活时，邻近激活控制区块520去激活冗余控制信号RED_CON。当被第二次激活的激活信号RACTV被去激活时，邻近激活控制区块520保持先前状态（四信号RED_CON、TAR、ADJ1及ADJ2中仅目标控制信号TAR被激活的状态）。当被第三次激活的激活信号RACTV被去激活时，邻近激活控制区块520激活冗余控制信号RED_CON（补偿循环结束且返回初始状态）。

在模式信号MOD被去激活的情况下，不管激活信号RACTV的触发状态，邻近激活控制区块520维持初始状态，亦即，冗余控制信号RED_CON及目标控制信号TAR被激活且一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2被去激活的状态。

在过激活的字线为冗余字线、或第一模式中对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的字线为第K冗余字线RWLK所替代的情况（A）下，字线控制区块530响应于激活信号RACTV、一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2及第K冗余信号HITK而激活第K冗余字线RWLK的至少一个邻近字线。

在邻近字线部分地包括至少一个冗余字线、或第一模式中对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的过激活的字线紧接于第一冗余字线RWL1的情况（B）下（例如，在过激活的第N正常字线WLN的情况下），字线控制区块530响应于激活信号RACTV、一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2及第一冗余信号HIT1而激活过度激活的字线的至少一个邻近字线。

详细地，字线控制区块530响应于激活信号RACTV、字线译码使能信号WLDECEN、输入地址RADD<0:A>、目标控制信号TAR、第一至第M冗余信号HIT1至HITM及冗余使能信号HITB而激活适当字线。字线译码使能信号WLDECEN是以一延迟值被激活、持续预定时段保持在激活中、且接着被去激活的信号，其中所述延迟值是自激活信号RACTV的激活时间起到在冗余控制区块510中响应于输入地址RADD<0:A>判定是否激活冗余使能信号HITB（输入地址RADD<0:A>的值是否等于储存于冗余控制区块510中的地址的值）的时间。

由于激活信号RACTV被去激活，字线控制区块530保持第一至第N字线WL1至WLN及第一至第M冗余字线RWL1至RWLM的去激活状态。在激活信号RACTV被激活之后，字线译码使能信号WLDECEN的激活导致对应于输入的过度输入地址RADD<0:A>的字线的激活。

在对应于在第一模式下补偿循环中第一次激活激活信号RACTV时所输入的过度输入地址RADD<0:A>的字线未被替代的情况下，字线控制区块530顺序地激活对应于第二次及第三次激活激活信号RACTV时所输入的地址RADD<0:A>的字线。然而，字线控制区块530不激活冗余字线，该冗余字线是对应于第二次及第三次激活激活信号RACTV时所输入的地址RADD<0:A>的正常字线的替代。

在过激活的字线为冗余字线、或对应于在第一模式下补偿循环中第一次激活激活信号RACTV时所输入的过度输入地址RADD<0:A>的字线被第K冗余字线RWLK所替代的情况（A）下，字线控制区块530响应于冗余使能信号HITB、目标控制信号TAR及第K冗余信号HITK而激活第K冗余字线RWLK。当第二次激活激活信号RACTV时，字线控制区块530不激活对应于此时所输入的地址RADD<0:A>的字线、而是响应于第K冗余信号HITK及第一邻近控制信号ADJ1激活第K+1冗余字线RWLK+1。当第三次激活激活信号RACTV时，字线控制区块530不激活对应于此时所输入的地址RADD<0:A>的字线、而是响应于第K冗余信号HITK及第二邻近控制信号ADJ2激活第K-1冗余字线RWLK-1。

在邻近字线包括至少一个冗余字线、或对应于激活信号RACTV被第一次激活时所输入的过度输入地址RADD<0:A>的字线为第N字线WLN的情况（B）下，当激活信号RACTV被第二次激活时，字线控制区块530不激活对应于此时所输入的地址RADD<0:A>的字线、而是响应于信号HWLN（该信号指示对应于第N字线WLN的地址RADD<0:A>被输入）及第一邻近控制信号ADJ1激活第一冗余字线RWL1。当激活信号RACTV第三次激活时，字线控制区块530不激活对应于此时所输入的地址RADD<0:A>的字线、而是响应于信号HWLN（该信号指示对应于第N字线WLN的地址RADD<0:A>被输入）及第二邻近控制信号ADJ2激活第N-1字线WLN-1。

当以第二模式操作时，在对应于输入地址RADD<0:A>的字线未被替代的情况下，字线控制区块530激活对应于输入地址RADD<0:A>的字线。在对应于输入地址RADD<0:A>的字线被替代的情况下，字线控制区块530激活对应于被激活冗余信号的冗余字线。此时，对应于响应于冗余使能信号HITB所输入的地址RADD<0:A>的字线未被激活。

在根据本发明的实施例的存储器中，当以特殊模式操作时，在过激活的字线为冗余字线、或对应于在补偿循环中与第一激活命令一起输入的过度输入地址的字线被冗余字线所替代的情况（A）下，或在邻近字线部分地包括至少一个冗余字线、或对应于第一模式中所输入的过度输入地址RADD<0:A>的过激活的字线的至少一个邻近字线包括至少一个冗余字线的情况（B）下，不管在对应补偿循环中所输入的地址而激活过激活的字线的邻近字线，藉此即使当正常字线为冗余字线所替代时，亦可能执行正常补偿操作。又，由于仅激活每一情形下所必需的字线，故补偿操作中的电流及功率消耗可减少。

图6为图5中所示出的冗余控制电路510的详细配置图。

冗余控制区块510包括：第一至第M单位冗余控制单元610_1至610_M，其各自被配置成以在输入地址RADD<0:A>的值等于储存于单位冗余控制单元中的值的情况下激活其冗余信号；及使能信号发生单元620，其被配置成以产生在第一至第M冗余信号HIT1至HITM中的至少一个冗余信号被激活时激活的冗余使能信号HITB。

第一至第M单位冗余控制单元610_1至610_M的配置及操作实质上相同。将在下文描述第一至第M单位冗余控制单元610_1至610_M中的第M单位冗余控制单元610_M的配置及操作。

第M单位冗余控制单元610_M包括：第M储存单元611_M，其被配置成以储存字线的地址从而通过将储存于该单元中的值的各个位与输入地址RADD<0:A>的各个位相比较来替代并产生第M比较信息HITADDM<0:A>；及第M冗余信号发生单元612_M，其被配置成以在冗余控制信号RED_CON被激活的状态下产生第M冗余信号HITM且响应于第M比较信息HITADDM<0:A>更新第M冗余信号HITM的状态。

在储存于第M储存单元611_M中的值的所有位与输入地址RADD<0:A>的所有位彼此相同的情况下，第M储存单元611_M激活第M比较信息HITADDM<0:A>的所有位。第M冗余信号发生单元612_M在第M比较信息HITADDM<0:A>的所有位在冗余控制信号RED_CON被激活的状态下被激活时激活第M冗余信号HITM、且在甚至第M比较信息HITADDM<0:A>的所有位中的任一个位在冗余控制信号RED_CON被激活的状态下未被激活的情况下去激活第M冗余信号HITM。在冗余控制信号RED_CON被去激活的情况下，不管第M比较信息HITADDM<0:A>的所有位是否被激活，第M冗余信号发生单元612_M使第M冗余信号HITM维持在冗余控制信号RED_CON被去激活时的状态。

图7为图6中所示出的第M冗余信号发生单元612_M的详细配置图。

参看图7，第M冗余信号发生单元612_M包括：通门PA_M，其被配置成以响应于冗余控制信号RED_CON而允许或阻栏将至通门的输入作为输出传送；信号组合单元COM_M，其被配置成以在第M比较信息HITADDM<0:A>的所有位被激活的情况下将至通门PA_M的输入激活（至低电平）；及锁存器LAT_M，其被配置成以在至通门PA_M的输入被阻断的情况下使通门PA_M的输出值反相且锁存通门PA_M的输出值。

信号组合单元COM_M在第M比较信息HITADDM<0:A>的所有各个位被激活（至高电平）的情况下将至通门PA_M的输入PIN激活（至低电平），且在甚至第M比较信息HITADDM<0:A>的各个位中之一被去激活（至低电平）的情况下将至通门PA_M的输入PIN去激活（至高电平）。通门PA_M在冗余控制信号RED_CON被激活的情况下将至通门的输入PIN作为输出POUT传送，且在冗余控制信号RED_CON被去激活的情况下阻拦将至通门的输入PIN作为输出POUT传送。

回头参看图6，使能信号发生单元620在第一至第M冗余信号HIT1至HITM中的至少一个冗余信号被激活时将冗余使能信号HITB激活（至低电平），且在所有第一至第M冗余信号HIT1至HITM被去激活时去激活冗余使能信号HITB。

可容易地根据信号的变化（其为激活高或低）来修改电路配置。又，在上文所描述的存储器及存储系统的情况下，虽然作为过激活的字线（对应于激活信号RACTV在补偿循环中被第一次激活时所输入的过度输入地址）的正常字线或冗余字线被激活，但并非必定需要激活过激活的字线，因为连接至具有大于参考次数的实际激活次数的过激活的字线的存储器单元的数据不太可能恶化。因此，即使在补偿循环中第一次激活激活信号RACTV时所输入的过度输入地址被替代，亦可响应于连续被激活的激活信号RACTV仅激活邻近于过激活的字线的邻近字线而不激活过激活的字线。

图8为图5中所示出的邻近激活控制区块520的详细配置图。

参看图8，邻近激活控制区块520包括：脉冲发生单元810，其被配置成以在激活信号RACTV的去激活时间产生具有预定持续时间的脉冲信号PUL；第一移位单元820；第二移位单元830；及信号发生单元840。

将参看图8在下文描述邻近激活控制区块520的操作。

脉冲发生单元810在激活信号RACTV的每一去激活时间产生具有预定持续时间的脉冲信号PUL，且将产生的脉冲信号PUL传送至第一移位单元820及第二移位单元830。

第一移位单元820包括串联连接的多个第一单位移位单元S11、S12及S13。当多个第一单位移位单元S11、S12及S13处于初始状态下时，如果模式信号MOD及冗余字线状态信号HIT_AC被激活，则多个第一单位移位单元S11、S12及S13在每当脉冲信号PUL被激活时使所述单元的输出移位且产生多个第一信号A<0:2>。A<0>为第一单位移位单元S11的输出，A<1>为第一单位移位单元S12的输出，且A<2>为第一单位移位单元S13的输出。在初始状态下，多个第一信号A<0:2>的初始值为（A<0>,A<1>,A<2>）=（1,0,0）。

第二移位单元830包括串联连接的多个第二单位移位单元S21、S22及S23。当多个第二单位移位单元S21、S22及S23处于初始状态下时，如果模式信号MOD被激活，则多个第二单位移位单元S21、S22及S23在每当脉冲信号PUL被激活时使所述单元的输出移位且产生多个第二信号B<0:2>。B<0>为第二单位移位单元S21的输出，B<1>为第二单位移位单元S22的输出，且B<2>为第二单位移位单元S23的输出。在初始状态下，多个第二信号B<0:2>的初始值为（B<0>,B<1>,B<2>）=（1,0,0）。

信号发生单元840被配置成以组合多个第一信号A<0:2>与多个第二信号B<0:2>且产生冗余控制信号RED_CON、目标控制信号TAR、第一邻近控制信号ADJ1及第二邻近控制信号ADJ2。详细地，信号发生单元840通过对第一信号A<0>及第二信号B<0>的逻辑与（AND）运算而产生冗余控制信号RED_CON、通过驱动第一信号A<0>而产生目标控制信号TAR、通过驱动第一信号A<1>而产生第一邻近控制信号ADJ1、且通过驱动第一信号A<2>而产生第二邻近控制信号ADJ2。

在多个第一单位移位单元S11、S12及S13及多个第二单位移位单元S21、S22及S23的各个端子中，I端子指示输入端子，D端子指示输出端子，EN端子指示使能端子，且IT端子指示初始化端子。在初始化端子IT被去激活的状态下，各个单位移位单元接收并储存经由输入端子I输入的所述信号、且经由输出端子D输出储存值。各个单位移位单元在初始化端子IT被激活的状态下输出初始值。作为单位移位单元S11及S21的输出信号的第一信号A<0>及第二信号B<0>的初始值为1，且作为单位移位单元S12、S13、S22及S23的输出信号的第一信号A<1>及A<2>及第二信号B<1>及B<2>的初始值为0。

在下文中，将针对多个第一信号A<0:2>、多个第二信号B<0:2>、冗余控制信号RED_CON、目标控制信号TAR、第一邻近控制信号ADJ1及第二邻近控制信号ADJ2在存储器的操作期间具有的值进行描述。

在模式信号MOD及冗余字线状态信号HIT_AC被激活的状态下（在上文所描述的状态（A）或（B）下），施加至多个第一单位移位单元S11、S12及S13及多个第二单位移位单元S21、S22及S23的初始化端子IT的所有信号被去激活。因此，所有多个第一单位移位单元S11、S12及S13及多个第二单位移位单元S21、S22及S23响应于经由使能端子EN输入的脉冲信号PUL而执行移位操作。

在初始状态下且在激活信号RACTV在补偿循环中被第一次激活的时段期间，维持（A<0>,A<1>,A<2>）=（1,0,0）及（B<0>,B<1>,B<2>）=（1,0,0）。此时，冗余控制信号RED_CON及目标控制信号TAR处于激活状态下，且第一邻近控制信号ADJ1及第二邻近控制信号ADJ2处于去激活状态下。

如果被第一次激活的激活信号RACTV被去激活，则作出变化为（A<0>,A<1>,A<2>）=（0,1,0）及（B<0>,B<1>,B<2>）=（0,1,0），且维持此等值，直至第二被激活激活信号RACTV在补偿循环中被去激活。此时，冗余控制信号RED_CON及目标控制信号TAR处于去激活状态下，第一邻近控制信号ADJ1处于激活状态下，且第二邻近控制信号ADJ2处于去激活状态下。

如果被第二次激活的激活信号RACTV被去激活，则作出变化为（A<0>,A<1>,A<2>）=（0,0,1）及（B<0>,B<1>,B<2>）=（0,0,1），且维持此等值，直至第三被激活激活信号RACTV在补偿循环中被去激活。此时，冗余控制信号RED_CON、目标控制信号TAR及第一邻近控制信号ADJ1处于去激活状态下，且第二邻近控制信号ADJ2处于激活状态下。

最后，被第三次激活的激活信号RACTV被去激活，且作出变化为（A<0>,A<1>,A<2>）=（1,0,0）及（B<0>,B<1>,B<2>）=（1,0,0）。换言之，状态被初始化。

在模式信号MOD被激活且冗余字线状态信号HIT_AC被去激活的状态下（在冗余字线未被激活、亦即在第一模式中过激活的字线及所有邻近字线为正常字线的情况下），施加至多个第一单位移位单元S11、S12及S13的初始化端子IT的信号维持激活状态，且施加至多个第二单位移位单元S21、S22及S23的初始化端子IT的信号被去激活。因此，多个第二单位移位单元S21、S22及S23响应于经由使能端子EN输入的脉冲信号PUL而执行移位操作，且多个第一单位移位单元S11、S12及S13维持初始状态（第一信号A<0:2>的各个位A<0>、A<1>及A<2>为（1,0,0）的状态）。在初始状态下且在激活信号RACTV在补偿循环中被第一次激活的时段期间，维持（B<0>,B<1>,B<2>）=（1,0,0）。

如果被第一次激活的激活信号RACTV被去激活，则作出变化为（B<0>,B<1>,B<2>）=（0,1,0），且维持此等值，直至被第二次激活的激活信号RACTV在补偿循环中被去激活。此时，冗余控制信号RED_CON处于去激活状态下，目标控制信号TAR处于激活状态下，且第一邻近控制信号ADJ1及第二邻近控制信号ADJ2处于去激活状态下。

如果被第二次激活的激活信号RACTV被去激活，则作出变化为（B<0>,B<1>,B<2>）=（0,0,1），且维持此等值，直至被第三次激活的激活信号RACTV在补偿循环中被去激活。此时，冗余控制信号RED_CON处于去激活状态下，目标控制信号TAR处于激活状态下，且第一邻近控制信号ADJ1及第二邻近控制信号ADJ2处于去激活状态下。

最后，被第三次激活的激活信号RACTV被去激活，且作出变化为（B<0>,B<1>,B<2>）=（1,0,0）。换言之，状态被初始化。

在模式信号MOD被去激活（在第二模式中）的状态下，施加至多个第一单位移位单元S11、S12及S13及多个第二单位移位单元S21、S22及S23的初始化端子IT的所有信号维持去激活状态。因此，多个第一信号A<0:2>及多个第二信号B<0:2>将初始状态维持为（A<0>,A<1>,A<2>）=（1,0,0）及（B<0>,B<1>,B<2>）=（1,0,0）。因此，冗余控制信号RED_CON处于激活状态下，目标控制信号TAR处于激活状态下，且第一邻近控制信号ADJ1及第二邻近控制信号ADJ2处于去激活状态下。

在第一模式的情况（A）或（B）下，当在补偿循环中连续激活信号RACTV在激活信号RACTV的第一次激活之后被激活时，邻近激活控制区块520顺序地激活内部所产生的邻近控制信号ADJ1及ADJ2，以使得不管邻近字线的输入地址而激活由在激活信号RACTV被第一次激活的情况下所输入的过度输入地址指定的过激活的字线的至少一个邻近字线。又，当于第一模式中第一激活信号RACTV在其激活之后被去激活时，邻近激活控制区块520去激活冗余控制信号RED_CON，以使得在对应补偿循环中，冗余使能信号HITB及第一至第M冗余信号HIT1至HITM以后保持激活信号RACTV被第一次激活时的状态。

图9A及图9B为图5中所示出的字线控制区块530的详细配置图。

图9A示出字线控制区块530中的用于控制第一至第N-2字线WL1至WLN-2的电路，且图9B示出字线控制区块530中的用于控制第N-1字线WLN-1、第N字线WLN及第一至第M冗余字线RWL1至RWLM的电路。

将在下文参看图9A及图9B描述字线控制区块530。

字线控制区块530包括：单位字线控制单元910_WL1至910_WLN及910_RWL1至910_RWLM，所述单位字线控制单元分别对应于第一至第N字线WL1至WLN及第一至第M冗余字线RWL1至RWLM；及状态信号发生单元920，其被配置成以产生冗余字线状态信号HIT_AC。

单位字线控制单元910_WL1至910_WLN及910_RWL1至910_RWLM响应于激活信号RACTV、字线译码使能信号WLDECEN、输入地址RADD<0:A>、第一至第M冗余信号HIT1至HITM、目标控制信号TAR、一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2及冗余使能信号HITB中的一些信号而控制对应于所述单位字线控制单元的各个字线。

首先，图9A中所示出的单位字线控制单元910_WL1至910_WLN-2的配置及操作实质上相同。因此，在下文将描述单位字线控制单元910_WL1至910_WLN-2中的一个单位字线控制单元910_WLX（1≤X≤N-2）的配置及操作。

单位字线控制单元910_WLX（1≤X≤N-2）包括：PMOS晶体管P，其被配置成以在激活信号RACTV被去激活的状态下将第X字线WLX维持在去激活状态下；第一NMOS晶体管N1，其被配置成以响应于字线译码使能信号WLDECEN而接通及断开；第X驱动信号发生单元911_WLX，其被配置成以在目标控制信号TAR被激活且冗余使能信号HITB被去激活的状态下在输入地址RADD<0:A>的值为X时激活第X驱动信号DRV_WLX；第二NMOS晶体管N2，其被配置成以响应于第X驱动信号DRV_WLX而接通及断开；及锁存器LAT，其与第X字线WLX连接。

PMOS晶体管P在激活信号RACTV被去激活（至低电平）的状态下被接通，且上拉驱动内部节点NO的电压。锁存器LAT锁存内部节点NO的电压并使电压反相且下拉驱动第X字线WLX。因此，第X字线WLX被维持在去激活状态下。如果激活信号RACTV被激活（至高电平），则PMOS晶体管断开，且用于激活第X字线WLX的准备完成。

在自激活信号RACTV的激活时间起经过预定时间之后，字线译码使能信号WLDECEN被激活，且第一NMOS晶体管N1被接通。在输入地址RADD<0:A>具有值X的情况下，第X驱动信号发生单元911_WLX在类似时间激活第X驱动信号DRV_WLX（至高电平）。第二NMOS晶体管N2响应于第X驱动信号DRV_WLX而接通，内部节点NO被下拉驱动，且锁存器LAT锁存内部节点NO的电压并使电压反相且上拉驱动并激活第X字线WLX。在输入地址RADD<0:A>不具有值X或冗余使能信号HITB被激活的情况下，由于第X驱动信号DRV_WLX未被激活，故第X字线WLX未被激活。

将在下文描述图9B中所示出的单位字线控制单元910_WLN-1、910_WLN及910_RWL1至910_RWLM的配置及操作。

用于控制第N-1字线WLN-1的单位字线控制单元910_WLN-1包括PMOS晶体管P、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、锁存器LAT、第N-1驱动信号发生单元911_WLN-1及晶体管控制单元912_WLN-1。PMOS晶体管P、第一NMOS晶体管N1、锁存器LAT及第N-1驱动信号发生单元911_WLN-1的操作与上文所描述的操作实质上相同。

当第N字线WLN作为过激活的字线而被激活时，晶体管控制单元912_WLN-1控制作为邻近字线的第N-1字线WLN-1的激活。在第二邻近控制信号ADJ2未被激活的情况下，晶体管控制单元912_WLN-1在第N-1驱动信号DRV_WLN-1被激活时激活晶体管控制单元的输出。由于晶体管控制单元912_WLN-1的输出输入至第二NMOS晶体管N2的栅极，故如果晶体管控制单元912_WLN-1的输出被激活，则第二NMOS晶体管N2被接通。在第二邻近控制信号ADJ2被激活的情况下，在指示第N字线WLN的激活的第N字线信号HWLN在激活信号RACTV在补偿循环中第一次被激活时被激活的情况下，晶体管控制单元912_WLN-1激活其输出。因此，第二NMOS晶体管N2被接通。在第二NMOS晶体管N2被接通的情况下，第N-1字线WLN-1通过锁存器LAT激活。

用于控制第N字线WLN的单位字线控制单元910_WLN包括PMOS晶体管P、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、锁存器LAT、第N驱动信号发生单元911_WLN、晶体管控制单元912_WLN及第N字线信号发生单元HWLN_GEN。PMOS晶体管P、第一NMOS晶体管N1、锁存器LAT及第N驱动信号发生单元911_WLN的操作与上文所描述的操作实质上相同。

当第一冗余字线RWL1作为过激活的字线而被激活时，晶体管控制单元912_WLN控制作为邻近字线的第N字线WLN的激活。在第二邻近控制信号ADJ2未被激活的情况下，晶体管控制单元912_WLN在第N驱动信号DRV_WLN被激活时激活晶体管控制单元的输出。由于晶体管控制单元912_WLN的输出输入至第二NMOS晶体管N2的栅极，故如果晶体管控制单元912_WLN的输出被激活，则第二NMOS晶体管N2被接通。在第二邻近控制信号ADJ2被激活的情况下，晶体管控制单元912_WLN在第一冗余信号HIT1被激活的情况下激活晶体管控制单元的输出。因此，第二NMOS晶体管N2被接通。在第二NMOS晶体管N2被接通的情况下，第N字线WLN通过锁存器LAT激活。

当激活信号RACTV在补偿循环中第一次激活时，第N字线信号发生单元HWLN_GEN产生指示第N字线WLN的激活的第N字线信号HWLN。详细地，第N字线信号发生单元HWLN_GEN接收第N驱动信号DRV_WLN、在冗余控制信号RED_CON被激活的情况下使第N驱动信号DRV_WLN反相为第N字线信号HWLN、且传送第N字线信号HWLN。包括锁存器LAT以允许第N字线信号HWLN维持冗余控制信号RED_CON被去激活时、甚至当冗余控制信号RED_CON被去激活时的状态。

用于控制第一冗余字线RWL1的单位字线控制单元910_RWL1包括PMOS晶体管P、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、锁存器LAT、第一冗余驱动信号发生单元911_RWL1及晶体管控制单元912_RWL1。PMOS晶体管P、第一NMOS晶体管N1及锁存器LAT的操作与上文所描述的操作实质上相同。

当目标控制信号TAR及第一冗余信号HIT1一起被激活时，第一冗余驱动信号发生单元911_RWL1激活第一冗余驱动信号DRV_RWL1。当第二冗余字线RWLY2或第N正常字线WLN作为过激活的字线而被激活时，晶体管控制单元912_RWL1控制作为邻近字线的第一冗余字线RWL1的激活。在第一冗余驱动信号DRV_RWL1被激活的情况下、在第一邻近控制信号ADJ1及第N字线信号HWLN一起被激活的情况下、或在第二邻近控制信号ADJ2及第二冗余信号HIT2一起被激活的情况下，晶体管控制单元912_RWL1激活其输出。因此，第二NMOS晶体管N2被接通。在第二NMOS晶体管N2被接通的情况下，第一冗余字线RWL1由锁存器LAT激活。

图9B中所示出的单位字线控制单元910_RWL2至910_RWLM的配置及操作实质上相同。因此，将在下文描述单位字线控制单元910_RWL2至910_RWLM中的一个单位字线控制单元910_RWLY（2≤Y≤M）的配置及操作。

用于控制第Y冗余字线RWLY的单位字线控制单元910_RWLY包括PMOS晶体管P、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、锁存器LAT、第Y冗余驱动信号发生单元911_RWLY及晶体管控制单元912_RWLY。PMOS晶体管P、第一NMOS晶体管N1及锁存器LAT的操作与上文所描述的操作实质上相同。

当目标控制信号TAR及第Y冗余信号HITY一起被激活时，第Y冗余驱动信号发生单元911_RWLY激活第Y冗余驱动信号DRV_RWLY。当第Y-1冗余字线RWLY-1或第Y+1冗余字线RWLY+1作为过激活的字线而被激活时，晶体管控制单元912_RWLY控制作为邻近字线的第Y冗余字线RWLY的激活。在第Y冗余驱动信号DRV_RWLY被激活的情况下、在第一邻近控制信号ADJ1及第Y-1冗余信号HITY-1一起被激活的情况下、或在第二邻近控制信号ADJ2及第Y+1冗余信号HITY+1一起被激活的情况下，晶体管控制单元912_RWLY激活其输出。因此，第二NMOS晶体管N2被接通。在第二NMOS晶体管N2被接通的情况下，第Y冗余字线RWLY由锁存器LAT激活。

在第N-1字线WLN-1的情况下，单位字线控制单元910_WLN-1具有上述配置，以使得第N-1字线WLN-1按如下情况被激活，即：在激活信号RACTV于补偿循环中第一次激活时第N字线WLN被激活的情况下第二邻近控制信号ADJ2被激活时被激活，且在当对应于输入地址RADD<0:A>的字线为第N-1字线WLN-1时的剩余的情况下被激活。

在第N字线WLN的情况下，单位字线控制单元910_WLN具有上述配置，以使得第N字线WLN按如下情况被激活，即：于补偿循环中第一次激活激活信号RACTV时第一冗余字线RWL1被激活的情况下第二邻近控制信号ADJ2被激活时被激活，且在当对应于输入地址RADD<0:A>的字线为第N字线WLN时的剩余的情况下被激活。

在第一冗余字线RWL1的情况下，单位字线控制单元910_RWL1具有上述配置，以使得第一冗余字线RWL1按如下情况被激活，即：于补偿循环中第一次激活激活信号RACTV时第二冗余字线RWL2被激活的情况下第二邻近控制信号ADJ2被激活时被激活，于补偿循环中第一次激活激活信号RACTV时第N字线WLN被激活的情况下第一邻近控制信号ADJ1被激活时被激活，且在当第一冗余信号HIT1被激活时的剩余的情况下被激活。

在第Y冗余字线RWLY的情况下，单位字线控制单元910_RWLY具有上述配置，以使得第Y冗余字线RWLY按如下情况被激活，即：于补偿循环中第一次激活激活信号RACTV时第Y+1冗余字线RWLY+1被激活的情况下第二邻近控制信号ADJ2被激活时被激活，于补偿循环中第一次激活激活信号RACTV时第Y-1字线RWLY-1被激活的情况下第一邻近控制信号ADJ1被激活时被激活，且在当第Y冗余信号HITY被激活时的剩余的情况下被激活。

回头参看图9A，在冗余使能信号HITB被激活或第N字线信号HWLN被激活的情况下，状态信号发生单元920激活冗余字线状态信号HIT_AC。换言之，在情况（A）（其中冗余使能信号HITB被激活）或情况（B）（其中第N字线信号HWLN被激活）下，状态信号发生单元920激活冗余字线状态信号HIT_AC。考虑到第N字线WLN邻近于第一冗余字线RWL1，在第N字线WLN被激活的情况下，第一至第M冗余字线RWL1至RWLM中的至少一个字线被包括在邻近于对应于输入地址RADD<0:A>的字线的至少一个字线中（包括第一冗余字线RWL1）。状态信号发生单元920可被设计以仅在情况（A）及（B）中的一种情况下激活冗余字线状态信号HIT_AC。

根据上文的描述，第一邻近控制信号ADJ1控制过激活的字线‘后面’的邻近字线的激活，且第二邻近控制信号ADJ2控制过激活的字线‘前面’的邻近字线的激活。第一邻近控制信号ADJ1及第二邻近控制信号ADJ2可随彼此变化。通过彼此邻近地设定第N字线WLN及第一冗余字线RWL1来设计图9A及图9B中所示出的实施例，该设定亦可根据存储器设计改变。

虽然在上述实施例中已描述，本发明应用于根据过激活的字线的邻近字线是否包括至少一个冗余字线而在第一模式中以不同方式操作的存储器及存储系统，但请注意，本发明可扩展至不管邻近字线是否包括至少一个冗余字线而以第一模式操作的存储器及存储系统，且其中可在第一模式中不接收连续地址的情况下使用接收的过度输入地址来激活邻近字线。

此存储器包括：第一至第M字线RWL1至RWLM；邻近激活控制区块520，其被配置成以产生一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2且在第一模式中响应于激活信号RACTV而顺序地激活第一至第M字线RWL1至RWLM中的一个或多个；及字线控制区块530，其被配置成：产生分别对应于第一至第M字线RWL1至RWLM的第一至第M控制信号HIT1至HITM，在输入地址RADD<0:A>对应于第一至第M字线RWL1至RWLM中的第K字线RWMK的情况下激活对应于第K字线RWMK（1≤K≤M）的第K控制信号HITK，且在第一模式中响应于激活信号RACTV、一或多个邻近控制信号ADJ1及ADJ2及第K控制信号HITK而激活邻近于第K字线RWMK的至少一个邻近字线。

此实施例不包括上文参看图4至图9所描述的实施例的第一至第N字线WL1至WLN及冗余控制区块510。然而，由于操作类似于上述实施例的操作，故将在下文参看图4至图9及其描述来进行描述。

第一至第M字线RWL1至RWLM对应于上述第一至第M冗余字线RWL1至RWLM。又，第一至第M控制信号HIT1至HITM对应于第一至第M冗余信号HIT1至HITM。然而，在本实施例的情况中，第一至第M字线RWL1至RWLM分别具有对应地址RADD<0:A>，且第一至第M控制信号HIT1至HITM中的每一个在输入地址RADD<0:A>的值对应于与该控制信号相对应的字线的值时被激活。举例而言，第K控制信号HITK在具有对应于第K字线RWMK的值K的地址RADD<0:A>被输入时被激活。字线控制区块530包括M个单位字线控制单元910_RWL1至910_RWLM。

在此情况中，未使用冗余使能信号HITB，且因此，单位字线控制单元910_RWL1至910_RWLM不管冗余使能信号HITB而操作。邻近激活控制区块520的所有多个第一单位移位单元S11、S12及S13及多个第二单位移位单元S21、S22及S23在模式信号MOD被激活时脱离初始状态，且每当脉冲信号PUL被激活时执行移位操作。

如自以上描述显而易见，根据本发明的各种实施例，邻近于激活次数等于或大于参考次数的字线被激活以刷新连接至邻近字线的存储器单元，藉此可能实质上防止数据由于字线干扰而恶化。

又，根据本发明的各种实施例，即使当激活次数等于或大于参考次数的的字线是替代正常字线的冗余字线时，邻近于冗余字线的字线亦被激活，藉此可能实质上防止连接至邻近字线的存储器单元的数据恶化。

尽管已出于说明性目的描述了各种实施例，但本领域技术人员将显而易见，在不脱离如以下申请专利范围中所界定的本发明的实质及范畴的情况下，可做出各种改变及修改。

通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。

技术方案1.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线；及

控制电路，所述控制电路被配置成：在第一模式中用所述第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代在所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线。

技术方案2.如技术方案1所述的存储器，其中，所述控制电路产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于所述输入地址来激活对应于所述第一至第M冗余字线中的所述第K冗余字线的第K冗余信号，且使用所述第K冗余信号来激活所述邻近字线。

技术方案3.如技术方案2所述的存储器，

其中，所述第一模式包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，所述控制电路不激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述控制电路激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线。

技术方案4.如技术方案3所述的存储器，其中，在所述补偿循环中对应于激活所述激活信号时的输入地址的字线被所述第K冗余字线替代的情况下，在第一次激活之后激活所述激活信号时所述控制电路激活所述邻近字线。

技术方案5.如技术方案2所述的存储器，其中，顺序地安置所述第一至第N字线，且紧接于所述第N字线顺序地安置所述第一至第M冗余字线。

技术方案6.如技术方案5所述的存储器，其中，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的字线的情况下，如果所述第K冗余字线为所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括所述第N字线及所述第二冗余字线中至少之一，且如果所述第K冗余字线并非所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括第K-1冗余字线及第K+1冗余字线中至少之一。

技术方案7.如技术方案1所述的存储器，其中，在第二模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的字线的情况下，所述控制电路响应于所述激活信号而激活所述第K冗余字线。

技术方案8.如技术方案1所述的存储器，其中所述激活信号响应于激活命令而被激活、以及响应于自外部施加的预充电命令而被去激活。

技术方案9.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成：在第一模式中用所述第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的所述字线的情况下，激活至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于激活信号、所述邻近控制信号及所述第K冗余信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线。

技术方案10.如技术方案9所述的存储器，其中，在所述第一模式中对应于所述输入地址的所述字线未被替代的情况下或在第二模式的情况下，所述邻近激活控制区块去激活所述邻近控制信号。

技术方案11.如技术方案10所述的存储器，其中，在所述第一模式中对应于所述输入地址的所述字线未被替代的情况下，响应于所述激活信号而激活所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的字线。

技术方案12.如技术方案11所述的存储器，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，在第一次激活之后激活所述激活信号时所述邻近激活控制区块激活所述邻近控制信号，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述邻近激活控制区块不激活所述邻近控制信号。

技术方案13.如技术方案12所述的存储器，其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，所述字线控制区块不激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述字线控制区块激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线。

技术方案14.如技术方案9所述的存储器，其中，所述冗余控制区块包含用于储存所述第一至第N字线中的待被替代的字线的地址的第一至第M储存单元，所述第一至第M储存单元对应于所述第一至第M冗余信号，且在所述输入地址与储存于所述第一至第M储存单元中的第K储存单元中的值彼此相等时所述冗余控制区块激活所述第K冗余信号。

技术方案15.一种存储系统，其包含：

存储器，所述存储器包括第一至第N字线及被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线的第一至第M冗余字线，且所述存储器被配置成：在第一模式下用所述第一至第M冗余字线中的第K冗余字线（1≤K≤M）替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线；及

存储器控制器，所述存储器控制器被配置成：响应于计数所述第一至第N字线的激活次数的结果，在所述第一模式中将对应于所述第一至第N字线中的激活次数等于或大于参考次数的字线的地址输入至所述存储器。

技术方案16.如技术方案15所述的存储系统，其中，所述存储器产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于所述输入地址而激活对应于所述第一至第M冗余字线中的所述第K冗余字线的第K冗余信号，且使用所述第K冗余信号而激活所述邻近字线。

技术方案17.如技术方案16所述的存储系统，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，所述存储器不激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述存储器激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线。

技术方案18.如技术方案16所述的存储系统，其中，顺序地安置所述第一至第N字线，且紧接于所述第N字线顺序地安置所述第一至第M冗余字线。

技术方案19.如技术方案18所述的存储系统，其中，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的字线的情况下，如果所述第K冗余字线为所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括所述第N字线及所述第二冗余字线中至少之一，且如果所述第K冗余字线并非所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括第K-1冗余字线及第K+1冗余字线中至少之一。

技术方案20.如技术方案15所述的存储系统，其中，所述存储器控制器将激活命令及预充电命令输入至所述存储器，且所述激活信号响应于所述激活命令而被激活、以及响应于所述预充电命令而被去激活。

技术方案21.一种包括存储器及存储器控制器的存储系统，

所述存储器包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成：在第一模式中用所述第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的所述字线的情况下，顺序激活至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于激活信号、所述邻近控制信号及所述第K冗余信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线，

所述存储器控制器被配置成：响应于计数所述第一至第N字线的激活次数的结果而在所述第一模式中将对应于所述第一至第N字线中的激活次数等于或大于参考次数的字线的地址输入至所述存储器。

技术方案22.如技术方案21所述的存储系统，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，在第一次激活之后激活所述激活信号时所述邻近激活控制区块激活所述邻近控制信号，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述邻近激活控制区块不激活所述邻近控制信号。

技术方案23.如技术方案22所述的存储系统，其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线用第K冗余字线替代的情况下，所述字线控制区块不激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述字线控制区块激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线。

技术方案24.如技术方案22所述的存储系统，

其中，顺序地安置所述第一至第N字线，且紧接于所述第N字线顺序地安置所述第一至第M冗余字线，且

其中，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的字线的情况下，如果所述第K冗余字线为所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括所述第N字线及所述第二冗余字线中至少之一，且如果所述第K冗余字线并非所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括第K-1冗余字线及第K+1冗余字线中至少之一。

技术方案25.一种存储器，其包含：

第一至第M字线；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成以在第一模式中产生至少一个邻近控制信号、且响应于激活信号而激活所述邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M字线的第一至第M控制信号；在输入地址对应于所述第一至第M字线中的第K（1≤K≤M）字线的情况下，激活对应于所述第K字线的第K控制信号；且在所述第一模式中响应于所述激活信号、所述邻近控制信号及所述第K控制信号而激活邻近于所述第K字线的至少一个邻近字线。

技术方案26.如技术方案25所述的存储器，其中，在所述字线控制区块以第二模式操作的情况下，所述字线控制区块响应于所述激活信号而激活对应于所述输入地址的所述第K字线。

技术方案27.如技术方案26所述的存储器，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，所述字线控制区块在所述补偿循环中激活对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的所述第K字线、且在第一次激活之后激活所述激活信号时激活所述邻近字线。

技术方案28.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线；及

控制电路，所述控制电路被配置成：在第一模式中所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，响应于激活信号而激活所述第一至第M冗余字线中的邻近于对应于所述输入地址的所述字线的至少一个字线。

技术方案29.如技术方案28所述的存储器，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，在所述第一次激活之后激活所述激活信号时所述控制电路激活所述第一至第M冗余字线中的邻近于对应于所述输入地址的字线的字线。

技术方案30.如技术方案29所述的存储器，其中，在对应于所述输入地址的所述字线为所述第N字线的情况下，所述控制电路激活包括了所述第一至第M冗余字线中的所述第一冗余字线的至少一个字线。

技术方案31.如技术方案28所述的存储器，其中，在对应于所述输入地址的所述字线为所述第N字线的情况下，所述控制电路激活包括了所述第一至第N-1字线中的所述第N-1字线的至少一个字线。

技术方案32.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成：在第一模式下中所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的所述字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，激活至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中对应于所述输入地址的所述字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，响应于激活信号、所述邻近控制信号及指示对应于所述输入地址的所述字线被选中的信号，激活所述第一至第M冗余字线中的邻近于对应于所述输入地址的所述字线的至少一个字线。

技术方案33.如技术方案32所述的存储器，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，在第一次激活之后激活所述激活信号时所述邻近激活控制区块顺序地激活所述邻近控制信号。

技术方案34.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线；及

控制电路，所述控制电路被配置成：在第一模式中邻近于由输入地址指定的字线的至少一个邻近字线包括所述第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况下，响应于激活信号而激活所述邻近字线。

技术方案35.如技术方案34所述的存储器，其中，由所述输入地址指定的所述字线是所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的字线、或者是所述第一至第M冗余字线中的替代对应于所述输入地址的所述字线的冗余字线。

技术方案36.如技术方案35所述的存储器，其中，所述邻近字线包括所述第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况为对应于所述输入地址的所述字线为邻近于所述第一冗余字线的字线的情况，或用所述第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况。

技术方案37.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成：在第一模式中邻近于所述第一至第N字线中的由输入地址指定的字线的至少一个邻近字线包括所述第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况下，激活至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中所述字线包括所述第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况下，响应于激活信号、所述邻近控制信号及指示由所述输入地址指定的所述字线被选中的信号而激活所述至少一个邻近字线。

技术方案38.如技术方案37所述的存储器，其中，由所述输入地址指定的所述字线是所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的字线、或者是所述第一至第M冗余字线中的替代对应于所述输入地址的所述字线的冗余字线。

技术方案39.如技术方案38所述的存储器，其中，在对应于所述输入地址的所述字线未被替代的情况下，指示由所述输入地址指定的所述字线被选中的所述信号是指示对应于所述输入地址的所述字线被激活的信号；或者，在用所述第一至第M冗余字线中的所述第K（1≤K≤M）冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，指示由所述输入地址指定的所述字线被选中的所述信号是所述第K冗余信号。

技术方案40.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号；

脉冲信号发生单元，所述脉冲信号发生单元被配置成以在激活信号的去激活时间产生脉冲信号；

第一移位单元，所述第一移位单元被配置成：在第一模式中激活冗余字线状态信号的情况下在所述脉冲信号被激活时使储存于所述第一移位单元中的值移位，并且产生多个第一信号；

第二移位单元，所述第二移位单元被配置成：在所述第一模式中所述脉冲信号被激活时使储存于所述第二移位单元中的值移位，并且产生多个第二信号；

信号发生单元，所述信号发生单元被配置成以组合所述多个第一信号与所述多个第二信号且产生至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于所述激活信号、所述邻近控制信号及所述第K冗余信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线。

技术方案41.如技术方案40所述的存储器，其中，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的所述字线的情况下，或者在对应于所述输入地址的所述字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，激活所述冗余字线状态信号。

Claims (34)

1.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线，其中M≤N；及

控制电路，所述控制电路被配置成：在第一模式中用所述第一至第M冗余字线中的第K冗余字线替代在所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线，其中1≤K≤M，

其中，所述控制电路产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于所述输入地址来激活对应于所述第一至第M冗余字线中的所述第K冗余字线的第K冗余信号，且使用所述第K冗余信号来激活所述邻近字线。

2.如权利要求1所述的存储器，

其中，所述第一模式包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，所述控制电路不激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述控制电路激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线。

3.如权利要求2所述的存储器，其中，在所述补偿循环中对应于激活所述激活信号时的输入地址的字线被所述第K冗余字线替代的情况下，在第一次激活之后激活所述激活信号时所述控制电路激活所述邻近字线。

4.如权利要求1所述的存储器，其中，顺序地安置所述第一至第N字线，且紧接于所述第N字线顺序地安置所述第一至第M冗余字线。

5.如权利要求4所述的存储器，其中，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的字线的情况下，如果所述第K冗余字线为所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括所述第N字线及所述第二冗余字线中至少之一，且如果所述第K冗余字线并非所述第一冗余字线，则当K＜M时，所述邻近字线包括第K-1冗余字线及第K+1冗余字线中至少之一，当K＝M时，所述邻近字线包括第K-1冗余字线。

6.如权利要求1所述的存储器，其中，在第二模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的字线的情况下，所述控制电路响应于所述激活信号而激活所述第K冗余字线。

7.如权利要求1所述的存储器，其中所述激活信号响应于激活命令而被激活、以及响应于自外部施加的预充电命令而被去激活。

8.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线，其中M≤N；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号，其中1≤K≤M；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成：在第一模式中用所述第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的所述字线的情况下，激活至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于激活信号、所述邻近控制信号及所述第K冗余信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线。

9.如权利要求8所述的存储器，其中，在所述第一模式中对应于所述输入地址的所述字线未被替代的情况下或在第二模式的情况下，所述邻近激活控制区块去激活所述邻近控制信号。

10.如权利要求9所述的存储器，其中，在所述第一模式中对应于所述输入地址的所述字线未被替代的情况下，响应于所述激活信号而激活所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的字线。

11.如权利要求10所述的存储器，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，在第一次激活之后激活所述激活信号时所述邻近激活控制区块激活所述邻近控制信号，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述邻近激活控制区块不激活所述邻近控制信号。

12.如权利要求11所述的存储器，其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，所述字线控制区块不激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述字线控制区块激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线。

13.如权利要求8所述的存储器，其中，所述冗余控制区块包含用于储存所述第一至第N字线中的待被替代的字线的地址的第一至第M储存单元，所述第一至第M储存单元对应于所述第一至第M冗余信号，且在所述输入地址与储存于所述第一至第M储存单元中的第K储存单元中的值彼此相等时所述冗余控制区块激活所述第K冗余信号。

14.一种存储系统，其包含：

存储器，所述存储器包括第一至第N字线及被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线的第一至第M冗余字线，其中M≤N，且所述存储器被配置成：在第一模式下用所述第一至第M冗余字线中的第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线，其中1≤K≤M；及

存储器控制器，所述存储器控制器被配置成：响应于计数所述第一至第N字线的激活次数的结果，在所述第一模式中将对应于所述第一至第N字线中的激活次数等于或大于参考次数的字线的地址输入至所述存储器。

15.如权利要求14所述的存储系统，其中，所述存储器产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于所述输入地址而激活对应于所述第一至第M冗余字线中的所述第K冗余字线的第K冗余信号，且使用所述第K冗余信号而激活所述邻近字线。

16.如权利要求15所述的存储系统，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，所述存储器不激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述存储器激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线。

17.如权利要求15所述的存储系统，其中，顺序地安置所述第一至第N字线，且紧接于所述第N字线顺序地安置所述第一至第M冗余字线。

18.如权利要求17所述的存储系统，其中，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的字线的情况下，如果所述第K冗余字线为所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括所述第N字线及所述第二冗余字线中至少之一，且如果所述第K冗余字线并非所述第一冗余字线，则当K＜M时，所述邻近字线包括第K-1冗余字线及第K+1冗余字线中至少之一，当K＝M时，所述邻近字线包括第K-1冗余字线。

19.如权利要求14所述的存储系统，其中，所述存储器控制器将激活命令及预充电命令输入至所述存储器，且所述激活信号响应于所述激活命令而被激活、以及响应于所述预充电命令而被去激活。

20.一种包括存储器及存储器控制器的存储系统，

所述存储器包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线，其中M≤N；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号，其中1≤K≤M；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成：在第一模式中用所述第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的所述字线的情况下，顺序激活至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于激活信号、所述邻近控制信号及所述第K冗余信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线，

所述存储器控制器被配置成：响应于计数所述第一至第N字线的激活次数的结果而在所述第一模式中将对应于所述第一至第N字线中的激活次数等于或大于参考次数的字线的地址输入至所述存储器。

21.如权利要求20所述的存储系统，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线被第K冗余字线替代的情况下，在第一次激活之后激活所述激活信号时所述邻近激活控制区块激活所述邻近控制信号，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述邻近激活控制区块不激活所述邻近控制信号。

22.如权利要求21所述的存储系统，其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线用第K冗余字线替代的情况下，所述字线控制区块不激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线，且在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线未被替代的情况下，所述字线控制区块激活对应于在第一次激活之后激活所述激活信号时的输入地址的字线。

23.如权利要求21所述的存储系统，

其中，顺序地安置所述第一至第N字线，且紧接于所述第N字线顺序地安置所述第一至第M冗余字线，且

其中，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的字线的情况下，如果所述第K冗余字线为所述第一冗余字线，则所述邻近字线包括所述第N字线及所述第二冗余字线中至少之一，且如果所述第K冗余字线并非所述第一冗余字线，则当K＜M时，所述邻近字线包括第K-1冗余字线及第K+1冗余字线中至少之一，当K＝M时，所述邻近字线包括第K-1冗余字线。

24.一种存储器，其包含：

第一至第M字线；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成以在第一模式中产生至少一个邻近控制信号、且响应于激活信号而激活所述邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M字线的第一至第M控制信号；在输入地址对应于所述第一至第M字线中的第K字线的情况下，激活对应于所述第K字线的第K控制信号；且在所述第一模式中响应于所述激活信号、所述邻近控制信号及所述第K控制信号而激活邻近于所述第K字线的至少一个邻近字线，其中1≤K≤M，

其中，在所述字线控制区块以第二模式操作的情况下，所述字线控制区块响应于所述激活信号而激活对应于所述输入地址的所述第K字线，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，所述字线控制区块在所述补偿循环中激活对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的所述第K字线、且在第一次激活之后激活所述激活信号时激活所述邻近字线。

25.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线，其中M≤N；及

控制电路，所述控制电路被配置成：在第一模式中所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，响应于激活信号而激活所述第一至第M冗余字线中的邻近于对应于所述输入地址的所述字线的至少一个字线，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，在所述第一次激活之后激活所述激活信号时所述控制电路激活所述第一至第M冗余字线中的邻近于对应于所述输入地址的字线的字线。

26.如权利要求25所述的存储器，其中，在对应于所述输入地址的所述字线为所述第N字线的情况下，所述控制电路激活包括了所述第一至第M冗余字线中的所述第一冗余字线的至少一个字线。

27.如权利要求25所述的存储器，其中，在对应于所述输入地址的所述字线为所述第N字线的情况下，所述控制电路激活包括了所述第一至第N-1字线中的所述第N-1字线的至少一个字线。

28.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线，其中M≤N；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号，其中1≤K≤M；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成：在第一模式中所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的所述字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，激活至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中对应于所述输入地址的所述字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，响应于激活信号、所述邻近控制信号及指示对应于所述输入地址的所述字线被选中的信号，激活所述第一至第M冗余字线中的邻近于对应于所述输入地址的所述字线的至少一个字线。

29.如权利要求28所述的存储器，

其中，所述第一模式的时段包括至少一个补偿循环，且在每一补偿循环中所述激活信号被激活至少两次，且

其中，在所述补偿循环中对应于第一次激活所述激活信号时的输入地址的字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，在第一次激活之后激活所述激活信号时所述邻近激活控制区块顺序地激活所述邻近控制信号。

30.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线，其中M≤N；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号，其中1≤K≤M；

邻近激活控制区块，所述邻近激活控制区块被配置成：在第一模式中邻近于所述第一至第N字线中的由输入地址指定的字线的至少一个邻近字线包括所述第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况下，激活至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中所述字线包括所述第一至第M冗余字线中的至少一个字线的情况下，响应于激活信号、所述邻近控制信号及指示由所述输入地址指定的所述字线被选中的信号而激活所述至少一个邻近字线。

31.如权利要求30所述的存储器，其中，由所述输入地址指定的所述字线是所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的字线、或者是所述第一至第M冗余字线中的替代对应于所述输入地址的所述字线的冗余字线。

32.如权利要求31所述的存储器，其中，在对应于所述输入地址的所述字线未被替代的情况下，指示由所述输入地址指定的所述字线被选中的所述信号是指示对应于所述输入地址的所述字线被激活的信号；或者，在用所述第一至第M冗余字线中的所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，指示由所述输入地址指定的所述字线被选中的所述信号是所述第K冗余信号，其中1≤K≤M。

33.一种存储器，其包含：

第一至第N字线；

第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代所述第一至第N字线中的M个字线，其中M≤N；

冗余控制区块，所述冗余控制区块被配置成：产生对应于所述第一至第M冗余字线的第一至第M冗余信号，且在用所述第一至第M冗余字线中的第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，激活对应于所述第K冗余字线的第K冗余信号，其中1≤K≤M；

脉冲信号发生单元，所述脉冲信号发生单元被配置成以在激活信号的去激活时间产生脉冲信号；

第一移位单元，所述第一移位单元被配置成：在第一模式中激活冗余字线状态信号的情况下在所述脉冲信号被激活时使储存于所述第一移位单元中的值移位，并且产生多个第一信号；

第二移位单元，所述第二移位单元被配置成：在所述第一模式中所述脉冲信号被激活时使储存于所述第二移位单元中的值移位，并且产生多个第二信号；

信号发生单元，所述信号发生单元被配置成以组合所述多个第一信号与所述多个第二信号且产生至少一个邻近控制信号；及

字线控制区块，所述字线控制区块被配置成：在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代对应于所述输入地址的所述字线的情况下，响应于所述激活信号、所述邻近控制信号及所述第K冗余信号而激活邻近于所述第K冗余字线的至少一个邻近字线。

34.如权利要求33所述的存储器，其中，在所述第一模式中用所述第K冗余字线替代所述第一至第N字线中的对应于所述输入地址的所述字线的情况下，或者在对应于所述输入地址的所述字线邻近于所述第一冗余字线的情况下，激活所述冗余字线状态信号。