CN103609207A

CN103609207A - 电磁波干扰抑制体

Info

Publication number: CN103609207A
Application number: CN201280029524.2A
Authority: CN
Inventors: 山本一美
Original assignee: Toda Kogyo Corp
Current assignee: Toda Kogyo Corp
Priority date: 2011-06-17
Filing date: 2012-06-14
Publication date: 2014-02-26
Anticipated expiration: 2032-06-14
Also published as: EP2723154A1; TWI556721B; CN103609207B; JP2013229541A; TW201320885A; EP2723154A4; KR20140035933A; US20140141220A1; WO2012173188A1; US9380736B2

Abstract

本发明提供在从低频到高频的宽频带中具有低通滤波特性的电磁波干扰抑制材料及使用该电磁波干扰抑制材料的电磁波干扰抑制用片材。将在电磁波干扰抑制片中混合了5～25Vol%的导电性碳的表面电阻为100～5000Ω/□的导电层和磁性材料料进行混合，层叠100MHz的导磁率实数部分μ'为3～45的磁性层，由此，能够得到适合电子设备的高密度安装，近场的低通滤波特性优异的电磁波干扰抑制片。

Description

电磁波干扰抑制体

技术领域

本发明涉及一种抑制从数码电子设备产生的无用电磁波的干扰的电磁波干扰抑制体，其由掺合了导电填料的导电层和包含磁性填料的磁性层构成，且由它们层叠而形成。

背景技术

近年来，数字电子设备的进步突飞猛进，特别是以手机、数码相机及笔记本电脑为代表的移动电子设备中，动作信号高频化和小型化、轻量化的要求显著，电子零件或配线基板的高密度安装是最大的技术课题之一。

由于电子设备的电子零件或配线基板的高密度安装和动作信号的高频化日益升级，无法保证产生噪声的零件与其它零件的距离，在抑制电子设备的微处理器或LSI、液晶面板等放射的无用辐射的用途中，使用电磁波干扰抑制片。如本用途中的近场的电磁波的吸收反射现象，使用如现有已知的远场（电磁波为平面波的情况）中的传输线理论的解析是困难的（桥本修，“电波吸收体的动向”，电子信息通信学会杂志，Vol.86No.10pp.800-803，2003年10月），因此，电磁波干扰抑制用片材的设计大部分依赖经验。最近，如专利文献1及专利文献2中公开的为了吸收近场中的电磁波，使用将扁平状金属磁性粉末作为软磁性粉末与树脂掺合而成的类型的电磁波干扰抑制用片材。关于该电磁波干扰（噪声）抑制片的特性评价法，IEC62333-1于2006年标准化。

迄今，公开了一种作为软磁性粉末含有90重量%的平均粒径为10μm的扁平状Fe-Al-Si合金粉末的电磁波干扰抑制体（专利文献1）。在专利文献1中，关于组成1及3，若以合金粉末密度为6.9kg/l、树脂成分密度为1.1kg/l进行计算，则为58.9vol%。电磁波干扰抑制体的厚度为1.2mm。

另外，在制造方法中，公开了“一种磁性片材的制造方法，其特征在于，将扁平状金属磁性粉末分散于树脂及溶剂中而得的磁性涂料涂敷于具有脱模层的基材上并干燥后，将干燥后的涂敷膜剥离而得到磁性片材”（专利文献2）。专利文献2的实施例中，有磁性片材的干燥膜厚为120μm且铁硅铝磁合金粉末的填充率最大为80重量%（若以铁硅铝磁合金粉末密度为6.9kg/l、树脂成分密度为1.1kg/l进行计算，则为56.0vol%）的磁屏蔽片，与专利文献1相比，显示出能够实现更薄的磁性片材的特性。认为薄型磁性片材更适合电子零件或配线基板的高密度安装。

另外，关于导电层，公开了表面电阻和噪声抑制的关系（平塚信之，噪声抑制用软磁性材料料及其应用5月，2008年）。

另外，将导电层和磁性层层叠而得的片材是公知的（专利文献3～5及10）。

另外，将羰基铁粉分散于树脂中而得的电磁波干扰抑制片（专利文献6）、使导电性碳和软磁体分散于树脂中而得的电磁波干扰抑制片是公知的（专利文献7、8及9）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：（日本）特开平7-212079号公报

专利文献2：（日本）特开2000-244171号公报

专利文献3：（日本）特开平10-075088号公报

专利文献4：（日本）特开2002-198686号公报

专利文献5：（日本）特开2010-135701号公报

专利文献6：（日本）特开2006-196747号公报

专利文献7：（日本）特开2007-288006号公报

专利文献8：（日本）特开2007-129179号公报

专利文献9：（日本）特开2008-244358号公报

专利文献10：（日本）特开2010-153542号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

随着数码电子设备小型化、轻量化的进展，要求电子零件或配线基板的更高密度安装，并进一步要求厚度更薄、且近场中的电磁波吸收性能优异、电磁波反射少的电磁波干扰抑制用片材。通常，若使电磁波干扰抑制用片材变薄，则电磁波吸收性能降低，因此，为了使片材更薄，需要增加磁性粉末的含量，增大磁损耗，且保证片材的实用上的柔性及强度。但是，要提高金属磁性粉末的导磁率或含量，需要高端的加工技术，需要磁性材料的形状或粒度分布设计等高端的粉体设计或加工，因此，成本高。

在专利文献3～5所述的方法中，导电层只有作为电磁波的反射层的功能，分布常数电路中的反射损耗大，因此，高频传输信号衰减。

另外，在专利文献6所述的方法中，很难说GHz频带的传输衰减是充分的。

另外，在专利文献7、8、9所述的方法中，若导电填料的填充量增加，则电阻降低，反射变大，低频范围即传输信号范围的传输特性降低。另外，专利文献9中，频率为800MHz以上，损耗大，因此，限定在传输信号为800MHz以下的频率范围使用。

因此，本发明的目的在于，得到一种近场中的低通滤波特性优异的电磁波干扰抑制体。

用于解决技术问题的技术手段

所述技术课题通过如下的本发明可以实现。

即，本发明提供一种电磁波干扰抑制体，其在由导电性填料和树脂构成的导电层上层叠有由软磁性粉末和树脂构成的磁性层，其特征在于：上述导电层的表面电阻为100～5000Ω/□（本发明1）。

另外，本发明是本发明1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：上述磁性层的100MHz的复数磁导率的实数部分为3～45（本发明2）。

另外，本发明是本发明1或2所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：上述导电性填料为导电碳，导电性填料的含量为5～25Vol%（本发明3）。

另外，本发明是本发明1～3中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其中，所述软磁性粉末选自羰基铁（carbonyl iron）、磁铁矿（magnetite）、尖晶石型铁氧体（spinel ferrite）、铁硅铝磁合金（sendust）的一种以上（本发明4）。

另外，本发明是本发明1～4中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：层叠有厚度为20～100μm的导电层和厚度为50～200μm的磁性层（本发明5）。

另外，本发明是本发明1～5中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：厚度为100μm以下的上述电磁波干扰抑制体的通过微带线（microstrip line）测定得到的透过损耗在500MHz中为3dB以下，在3GHz中为10dB以上。（本发明6）。

发明效果

根据本发明，能够得到近场中的低通滤波特性优异的电磁波干扰抑制体。

具体实施方式

首先，叙述本发明的电磁波干扰抑制体。

本发明的电磁波干扰抑制体是在由导电性填料和树脂构成的导电层上层叠由软磁性粉末和树脂构成的磁性层而成的电磁波干扰抑制体。

叙述本发明的导电层。

本发明的导电层使用的碳优选导电性碳黑、对碳纤维进行加工而得到的纤维状碳、碳纳米管。导电性碳黑优选粒径为20～60nm、BET比表面积为30～1300m²/g。进一步优选粒径为30～40nm、BET比表面积为700～1300m²/g的具有空心壳构造的高导电性碳黑。对碳纤维进行加工而得到的纤维状碳，优选纤维长为30～150μm的碾磨纤（milledfiber）、或纤维长为3～24mm的短纤维（cut fiber）。碳纳米管优选纤维径为40～90μm、比表面积为16～28m²/g、纯度为99%以上。进一步优选纤维径为40～160μm、BET比表面积为16～34m²/g、纯度为99.5%以上。

优选在本发明的导电层中，掺合5～25vol%的导电性填料，进一步优选8～25vol%。小于上述范围时，插入损耗量S21低。另外，在超出上述范围且含有大量碳的情况下，表面电阻低于100Ω/□，500MHz的插入损耗变大，低通性变差。另外，片材强度或柔性也降低，因此，不优选。

本发明的导电层优选掺合25～80vol%的树脂。若树脂的含量小于25vol%，则片材的柔性降低。若树脂的含量大于80vol%，则表面电阻增大。导电层的树脂掺合量优选26～60vol%，进一步优选28～40vol%。

树脂可以使用苯乙烯系弹性体、烯烃系弹性体、聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚氨酯系弹性体、硅系弹性体等。苯乙烯系弹性体有SEBS（苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物）等。另外，可以使用丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚烯烃树脂等。另外，也可以在上述弹性体中混合丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚烯烃树脂等而使用。

本发明的导电层中，优选掺合5～20vol%的难燃剂（阻燃剂）。若小于5vol%，则难燃效果不足。若大于20vol%，则吸收量降低，因此，不优选。难燃剂优选使用聚磷酸三聚氰胺、氢氧化镁、铝碳酸镁等。优选氢氧化镁、聚磷酸三聚氰胺。

本发明的导电层中，优选掺合0.5～3vol%的防氧化剂。若小于0.5vol%，则耐氧化性降低，因此，不优选。若大于3vol%，则吸收量降低，因此，不优选。防氧化剂优选使用2’,3-双[[3-[3,5-二叔丁基-4-羟基苯基]丙酰]]丙酸肼（汽巴精化公司制，IRGANOX MD1024）等。作为树脂用防氧化剂，从四[亚甲基-3-(3’,5’-二叔丁基-4’-羟基苯基)丙酸酯]、三-(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)-异氰脲酸酯、N,N’-六亚甲基双(3,5-二叔丁基-4-羟基氢化肉桂酰胺)中选择适合树脂的物质。作为橡胶系树脂的防氧化剂，优选东丽株式会社CTPI N-环己基硫代酞酰亚胺。

另外，本发明的导电层也可以含有磁铁矿、羰基铁、铁氧体等磁性粉末，控制导电层的高频阻抗。

接着，叙述本发明的磁性层。

本发明的磁性层的软磁性粉末由选自羰基铁、磁铁矿、尖晶石型铁氧体、铁硅铝磁合金、硅钢、铁等中的至少一种粉末构成。另外，关于这些粉末的形状，粒状、球状、破碎状、针状等扁平状哪种形状都可以。

本发明中的磁性层的软磁性粉末的最大粒径优选片材厚度的1/3以下，进一步优选1/5以下。若软磁性粉末的最大粒径大于1/3，则电磁波干扰抑制用片材的表面平滑性降低，因此，片材向电磁波产生源的密合性变差，电磁波吸收性能降低。

另外，本发明的软磁性粉末的真密度优选4.0～9.0g/cm³。进一步优选5.0～8.0g/cm³。

本发明的软磁性粉末没有特别限定，根据需要也可以用酞酸酯系、硅烷系等的偶联处理剂进行表面处理。优选对金属系软磁性粉末进行磷酸系表面处理。另外，对软磁性粉末，用0.1～1.0wt%的偶联处理剂进行表面处理。若偶联剂的处理量小于0.1wt%，不能充分提高对树脂的亲和性，因此，不能充分保持氧化稳定性。若大于1.0wt%，则阻抗增大，电磁波吸收量降低。优选0.1～0.5wt%。

偶联剂中，作为酞酸酯系偶联剂，可以举出：三异硬酯酰基钛酸异丙酯、三(二辛基焦磷酰氧基)钛酸异丙酯、三(N-氨乙基·氨乙基)钛酸异丙酯、二(磷酸双十三酯基)钛酸四辛酯、二(磷酸双十三酯基)钛酸四(2，2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)酯、二(二辛基焦磷酰氧基)氧代醋酸钛、二(二辛基焦磷酰氧基)钛酸乙烯酯等。

作为硅烷系偶联剂，可以举出：适合作为弹性体的偶联剂的乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2-(3,4环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基甲基二乙基硅烷、3-甲基丙烯酰氧丙基三乙氧基硅烷、3-烯丙氧丙基三甲氧基硅烷、N-2(氨乙基)3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-2(氨乙基)3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、双(三乙氧基硅基丙基)四硫化物等。

另外，优选也可以用磷酸系化合物对金属系软磁性粉末进行表面处理。用以磷酸基准计为0.1～0.5wt%的磷酸对软磁性粉末进行表面处理。还可以用0.1～1.0wt%的硅烷偶联剂对软磁性粉末进行表面处理。若磷酸量小于0.1wt%，则有时氧化稳定性可能降低。若磷酸量大于0.5wt%，则导磁率减小，抑制效果降低。进一步优选0.1～0.4wt%。

磁性层由上述软磁性粉末及树脂构成，还可以使用上述难燃剂、防氧化剂等。

磁性层优选掺合24～45vol%的树脂。小于24vol%时，片材变脆，若大于45vol%，则导磁率降低。进一步优选30～40vol%。

磁性层优选掺合35～65vol%的软磁性粉末，进一步优选38～60vol%。

本发明的磁性层中，优选掺合5～20vol%的上述导电层用难燃剂。

本发明的磁性层中，优选掺合0.5～3vol%的上述导电层用防氧化剂。

构成磁性层的树脂与能够用于上述导电层的树脂是一样的。导电层用树脂与磁性层用树脂可以相同，也可以不同，但进一步优选导电层与磁性层使用相同树脂。

优选本发明的磁性层的100MHz的复数磁导率的实数部分为3～45。在磁性层的复数磁导率的实数部分小于3的情况下，反射损耗增大，因此传输信号衰减。在磁性层的复数磁导率的实数部分大于45的情况下，电路阻抗增大，因此，反射损耗增大。复数磁导率的实数部分优选4～44，进一步优选8～42。

本发明的电磁波干扰抑制体优选厚度为200μm以下的片状。厚度大于200μm时，对于高密度安装的电子电路来说过厚。进一步优选厚度为150μm以下，进一步优选20～120μm，更进一步优选25～50μm。

在本发明的电磁波干扰抑制体中，导电层和磁性层的厚度比没有特别限定，但在将导电层设为1的情况下，优选1:1～1:5，进一步优选1:1～1:4。

本发明的电磁波干扰抑制体，进一步优选导电层的厚度为20～100μm，优选磁性层的厚度为50～200μm。

在本发明的电磁波干扰抑制体中，导电层和磁性层的层叠顺序没有特别限定，但优选以在靠近信号的面设置磁性层的方式形成。

本发明的电磁波干扰抑制体优选具有以下所述的低通滤波特性：在层叠厚度为100μm的片材中进行微带线测定，插入损耗在500MHz中为3dB以下，在3GHz中为10dB以上的低通滤波特性。另外，与现有的磁性层为单层型相比，磁性层的加工容易。500MHz的插入损耗大于3dB时，信号频带的透过损耗大，动作信号减少。另外，3GHz的插入损耗小于10dB时，存在动作信号的n次高谐波噪声抑制不充分的情况。进一步优选500MHz中的插入损耗为2.5dB以下，3GHz中的插入损耗为15dB以上。

接着，叙述本发明的电磁波干扰抑制体的制造方法。

本发明的电磁波干扰抑制体优选：通过将分散有上述导电性填料及/或软磁性粉末的涂料涂敷于基材上，对干燥后的涂膜的厚度进行调节后，将导电层和磁性层层叠并加热压接。另外，也可以采用分别形成导电层及磁性层后进行层叠并加热压接的方法。通过进行涂料化，能够实现高填充且进行均匀的分散，因此，优选。

本发明的电磁波干扰抑制体能够用于高频信号用扁平电缆、电缆连接器及柔性印刷电路板等，有望实现零件的高密度安装、基板的小型化及配线基板自身的噪声放射源的减少。由此，电子电路实现了高密度化，能够降低驱动电压，增大电流，能够在基板上实行具有耐噪声性的高密度电路。

实施例

叙述实施例所示的各测定值的测定方法。

[粉末材料的真密度]

粉末材料的真密度如下测定。密度计使用麦克默瑞提克公司制大容量密度计1305型，将粉末28g（W）投入称量盘中，求得氦气压力抽样体积（V），求得真密度。

真密度＝W/V（g/cm³）

[低通滤波特性（插入损耗S21）的测定]

利用实行了长75mm、宽2.3mm、厚35μm、阻抗调节为50Ω的微带线的基板进行测定。将制成的片材切割成宽40mm、长50mm作为试片。

将微带线与安捷伦科技社制网络分析仪N5230A连接，测定微带线的S参数。以使微带线的长度方向对准片材的长度方向且各自的中心一致的方式进行安装。将与片材同尺寸的发泡倍率为20～30倍的发泡聚苯乙烯板的厚10mm的板与片材重叠，在其上载置300g载荷的状态下，测定频率10MHz～3GHz的透过损耗S参数S21（dB）。

[表面电阻的测定]

通过JIS K7194法测定导电层的表面电阻。将厚度为100μm以下的片材切割成50mm见方，测量厚度，将三菱化学株式会社制电阻率计Loresta-GP MCP-T600（电阻率计的型号）的四探针探测头压接于片材中央部进行测定。

[成形体的制作]

导磁率测定用成形体如下制作。即，用外径7mm、内径3mm的环形模具裁切20片磁性层。将这些磁性层重叠，在成形压力0.1MPa×模具温度85℃×成形时间1分钟的条件下进行成形，制作外径7mm、内径3mm、厚度1.4mm的圆筒环形导磁率测定用成形体（同轴管试验用成形物）。

[复数导磁率的测定]

对制作的成形体，使用材料常数测定装置通过网络分析仪测定频率100MHz中的复数导磁率测定用成形体的复数导磁率的实数部分μ’。

[难燃性的测定]

难燃性通过难燃标准UL94V的垂直燃烧试验评价片材的自己消火性，即难燃特性。测定方法依照UL94V进行。具体而言，准备宽12.5mm、长100mm的试片，在垂直支承的试片的下端放置10秒钟燃烧器火焰后，拿开火焰。测定拿开火焰后的消火时间。

实施例1：

在环已酮中溶解有20重量%的苯乙烯系弹性体（密度0.9g/cm³）的溶液（日立化成工业株式会社制TF-4200E）中，按照除去溶剂后的体积比率为：粒状磁铁矿（户田工业株式会社制MAT305密度5.0g/cm³）为40Vol%、苯乙烯系弹性体为28vol%、导电性碳（KetjenBlack International株式会社制科琴黑EC密度1.6g/cm³）为8Vol%、纤维状碳〔东丽（有）制Trayca TS12短纤维006-C〕为8Vol%、作为难燃剂的聚磷酸三聚氰胺（三和化学公司制MPP-A、密度1.8g/cm³）为8Vol%、氢氧化镁（协和化学制KISUMA5A、密度2.4）为8Vol%的方式进行称量、混合，使用SMT公司制粉末均化器以每分钟15000转的速度搅拌60分钟，得到浆料。此时，为了进行粘度调节，添加与弹性体溶液相同体积的乙基环已酮。将得到的浆料进行真空脱泡处理后，使用刮刀涂布于载体膜上，在有机溶剂干燥后，制作片材厚度为50μm的片材。再将得到的片材在温度120℃、压力60MPa、加压时间2分钟的条件下进行成形，剥离载体膜，得到厚30μm的导电层。得到的片材的表面电阻为460Ω/□。另外，为片材表面光滑且弯曲性优异的片材。

与导电层的制造同样的操作，在环已酮中溶解有20重量%的苯乙烯系弹性体（密度0.9g/cm³）的溶液（日立化成工业株式会社制TF-4200E）中，按照除去溶剂后的体积比率为：苯乙烯系弹性体为40vol%、对铁硅铝磁合金进行扁平化而得到的平均粒径为50μm的磁性粉末（密度6.9）为44Vol%、作为难燃剂的聚磷酸三聚氰胺（三和化学社制、MPP-A、密度1.8g/cm³）为8Vol%、氢氧化镁（协和化学制KISUMA5A、密度2.4）为8Vol%的方式进行称量、混合，使用SMT公司制粉末均化器以每分钟15000转的速度搅拌60分钟，得到浆料。将得到的浆料进行真空脱泡处理后，使用刮刀涂布于载体膜上，在有机溶剂干燥后，制作片材厚度为90μm的片材。再将得到的片材在温度120℃、压力60MPa、加压时间2分钟的条件下进行成形，得到厚70μm的磁性层。得到的磁性层在100MHz中的导磁率μ’为43。

将上述导电层和磁性层重叠，得到总厚度为100μm的层叠片材。对得到的片材，使用长75mm、宽2.3mm、厚35μm、阻抗为50Ω的微带线通过网络分析仪测定S参数，测定透过损耗S21得到的结果是，500MHz的透过损耗S21为3dB，3GHz的S21为14dB，低通滤波特性优异。

另外，将涂布干燥后的片材厚度为50μm的导电层和涂布干燥后的厚度为70μm的磁性层重叠，在温度120℃、压力60MPa、加压时间2分钟的条件下成形的片材也具有同样的厚度和低通滤波特性。

实施例2：

按照导电性碳（Ketjen Black International株式会社制科琴黑EC密度1.6g/cm³）为12.5Vol%、纤维状导电碳（东丽株式会社短纤维TraycaTS15006-C密度1.5）为12.5Vol%、粒状磁铁矿〔户田工业（有）制MAT305〕为20vol%、作为难燃剂的聚磷酸三聚氰胺（三和化学社制、MPP-A、密度1.8g/cm³）为8Vol%、氢氧化镁（协和化学制KISUMA5A、密度2.4）为8Vol%的方式变更掺合比例，与实施例1同样地操作，制作加热压缩成形后的板厚为30μm的导电层。得到的片材的表面电阻为100Ω/□。

磁性层中，除了将铁硅铝磁合金扁平化而得到的平均粒径为50μm的磁性粉末（密度6.9）设定为40Vol%并且变更树脂量以外，与实施例1同样地操作，得到加压成形后的板厚为70μm的磁性层。得到的片材在100MHz中的导磁率μ’为40。

与实施例1同样地操作，将导电层和磁性层重叠，得到总厚度为100μm的层叠片材。使用微带线测定该层叠片材的导磁损耗（S21）时，S21在500MHz中为2.9dB、在3GHz中为17dB，低通滤波特性优异。

实施例3：

按照碳纳米管（保土谷化学工业株式会社制，NT-7密度1.5）为5Vol%、粒状磁铁矿（户田工业（有）制MAT305）为45vol%、作为难燃剂的聚磷酸三聚氰胺（三和化学社制、MPP-A、密度1.8g/cm³）为10Vol%、氢氧化镁（协和化学制KISUMA5A、密度2.4）为10Vol%的方式变更掺合比例，与实施例1同样地操作，得到加压成形后的板厚为30μm的导电层。得到的导电层的表面电阻为4700Ω/□。

磁性层中，除了将羰基铁（Internal Specialty products公司制R1470密度7.8）设定为60Vol%并且变更树脂的量以外，与实施例1同样地操作，得到加热压缩成形后的板厚为70μm的磁性层。得到的磁性层在100MHz中的导磁率μ’为7。

与实施例1同样地操作，将导电层和磁性层重叠，得到总厚度为100μm的层叠片材。使用微带线测定该层叠片材的导磁损耗时，S21在500MHz中为2.1dB、在3GHz中为11dB，低通滤波特性优异。

实施例4：

按照碳纳米管（保土谷化学工业株式会社制，NT-7密度1.5）为12.5Vol%、粒状磁铁矿（户田工业（有）制MAT305）为35vol%、作为难燃剂的聚磷酸三聚氰胺（三和化学社制、MPP-A、密度1.8g/cm³）为8Vol%、氢氧化镁（协和化学制KISUMA5A、密度2.4）为8Vol%的方式变更掺合比例，与实施例1同样地操作，得到加压成形后的板厚为30μm的导电层。得到的导电层的表面电阻为600Ω/□。

磁性层中，除了将铁硅铝磁合金进行扁平化而得到的平均粒径为50μm的磁性粉末（密度6.9）设定为38Vol%并且变更树脂的量以外，与实施例1同样地操作，得到加压成形后的板厚为70μm的磁性层。得到的片材在100MHz中的导磁率μ’为25。

与实施例1同样地操作，将导电层和磁性层重叠，得到总厚度为100μm的层叠片材。使用微带线测定该层叠片材的的导磁损耗时，S21在500MHz中为2.7dB、在3GHz中为12dB，低通滤波特性优异。

实施例5：

与实施例1同样，在片材中的掺合量中，做出如下变更：导电性碳（Ketjen Black International株式会社制科琴黑EC密度1.6g/cm³）为12.5Vol%、纤维状导电碳（东丽株式会社短纤维Trayca TS15006-C密度1.5）为12.5Vol%、作为难燃剂的聚磷酸三聚氰胺（三和化学社制、MPP-A、密度1.8g/cm³）为20Vol%、氢氧化镁（协和化学制KISUMA5A、密度2.4）为20Vol%，与实施例1同样地操作，制作加热压缩成形后的板厚为30μm的导电层。得到的导电层的表面电阻为150Ω/□。

磁性层中，在实施例1的掺合比例中，除了将软铁氧体粉末（户田工业株式会社制、BSN-714（密度5.1））设定为60Vol%并且变更树脂的量以外，与实施例1同样地操作，得到加压成形后的板厚为70μm的磁性层。

与实施例1同样地操作，将导电层和磁性层重叠，得到总厚度为100μm的层叠片材。得到的片材在100MHz中的导磁率μ’为4。使用微带线测定该层叠片材的导磁损耗时，S21在500MHz中为1.9dB、在3GHz中为13dB，低通滤波特性优异。

实施例6：

与实施例1同样，在片材中的掺合量中，做出如下变更：树脂2（在巴川制纸所制酚醛系热固性树脂115B中，导电性碳（帝人株式会社制碳纤维Raheama R-301、密度2.2g/cm³））为22Vol%、作为难燃剂的聚磷酸三聚氰胺（三和化学社制、MPP-A、密度1.8g/cm³）为3Vol%、氢氧化镁（协和化学制KISUMA5A、密度2.4）为16Vol%，与实施例1同样地操作，制作加热压缩成形后的板厚为25μm的导电层。得到的导电层的表面电阻为100Ω/□。

磁性层中，在实施例1的掺合比例中，除了使用树脂2（巴川制纸所制酚醛系热固性树脂115B）以外，与实施例4同样地操作，得到加压成形后的板厚为75μm的磁性层。

与实施例1同样地操作，将导电层和磁性层重叠，得到总厚度为100μm的层叠片材。得到的片材在100MHz中的导磁率μ’为25。使用微带线测定该层叠片材的导磁损耗时，S21在500MHz中为3.0dB、在3GHz中为18dB，低通滤波特性优异。

实施例7：

与实施例1同样，根据片材中的导电层和磁性层掺合，制作未添加作为难燃剂的聚磷酸三聚氰胺（三和化学社制、MPP-A、密度1.8g/cm³）和氢氧化镁（协和化学制KISUMA5A、密度2.4）及粒状磁铁矿（户田工业株式会社制MAT305密度5.0g/cm³）的导电层和磁性层层叠而成的片材。得到的片材的厚度为100μm，导电层的表面电阻为110Ω/□，磁性层在100MHｚ中的导磁率为25。使用微带线测定导磁损耗时，S21在500MHz中为3.0dB、在3GHz中为17dB，低通滤波特性优异。

比较例1：

与实施例1同样地操作，形成单层磁性层。磁粉是铁、铝、硅的重量比为85:6:9，长宽比为15～20，密度为6.9的扁平金属粉末的平均粒径50μm和平均粒径75μm的两种粉末，按照重量比2:1混合而成，得到以溶剂干燥后的体积成为46Vol%的方式进行了调节的膜厚125μm的片材。将得到的片材在温度120℃、压力60MPa、加压时间2分钟的条件下进行加热压缩成形，但由于厚度为115μm，因此在温度130℃、压力90MPa、加压时间5分钟的条件下进行加热压缩成形，得到板厚为100μm的片材。所得到的片材的柔性低。另外，片材在100MHz中的导磁率μ’为50。另外，为了使扁平状磁性粉末进行高填充，利用单层磁性层得到良好的低通滤波特性，需要进行平均粒径不同的磁性粉末的预混或提高成形温度和压力，延长加压时间，加工繁琐，因此，不适合大规模生产。

使用微带线测定该单层磁性片材的导磁损耗时，S21在500MHz中为3dB、在3GHz下为14dB，低通滤波特性优异。

比较例2：

除了导电碳的总体积设定为4Vol%以外，按照与实施例1同样的掺合比例得到片材。所得到的导电层的表面阻抗的值高，为9600Ω/□。使用微带线测定该层叠片材的导磁损耗，其结果是，S21在500MHz中为1dB、在3GHz中为1.5dB，作为低通滤波特性，3GHz中的导磁损耗非常低。

比较例3～5：

与实施例2同样地操作，使用表2的磁粉，按照表1的掺合制作片材。表1中表示各种特性。

在使用微带线测定比较例3～5的片材中的层叠片材的导磁损耗时，满足S21在500MHz中为3dB以下、且在3GHz中为10dB以上这两个条件的低通滤波特性未得到满足，特性存在问题。

比较例6：

与实施例5同样地操作，制作导电层片材单层，测定片材厚度为30μm，表面电阻为150Ω/□的片材的导磁损耗S21。其结果是，500MHz中的导磁损耗S21为3.5dB，3GHz中的S21为13dB，低域的500MHz中的导磁损耗大，传输信号减少。

比较例7：

变更导电性填料，与比较例6同样地操作，制作导电层片材单层。所得到的片材的特性如表1所示。

比较例8：

与实施例1的导电层片材同样地操作，得到如下单层片材（厚度100μm），即，在环已酮中溶解有20重量%的苯乙烯系弹性体（密度0.9g/cm³）的溶液（日立化成工业株式会社制TF-4200E）中，除去溶剂后的体积比率为：羰基铁（International Specialty Products公司制R1470、密度7.8g/cm³）为50Vol%、苯乙烯系弹性体为24vol%、导电性碳（Ketjen Black International株式会社制科琴黑EC密度1.6g/cm³）为4Vol%、纤维状碳（东丽（有）制Trayca TS12短纤维006-C）为6Vol%。所得到的片材的表面电阻为250Ω/□。其结果是，该片材在500MHz中的导磁损耗S21为3.6dB，在3GHz中S21为14dB时，低域的500MHz中的导磁损耗大，传输信号减少。

[表1]

[表2]

密度

工业上的实用性

本发明的电磁波干扰抑制体即使在片材的导磁率低的情况下也具有优异的特性，因此，近场中的低通滤波特性优异，适合于电磁波干扰抑制用片材。

Claims

1.一种电磁波干扰抑制体，其在由导电性填料和树脂构成的导电层上层叠有由软磁性粉末和树脂构成的磁性层，其特征在于：

所述导电层的表面电阻为100～5000Ω/□。

2.如权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：

所述磁性层的100MHz的复数磁导率的实数部分为3～45。

3.如权利要求1或2所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：

所述导电性填料为导电碳，导电性填料的含量为5～25Vol%。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：

所述软磁性粉末选自羰基铁、磁铁矿、尖晶石型铁氧体、铁硅铝磁合金中的一种以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：

层叠有厚度为20～100μm的导电层和厚度为50～200μm的磁性层。

6.如权利要求1～5中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：

厚度为100μm以下的所述电磁波干扰抑制体的通过微带线测定得到的透过损耗在500MHz中为3dB以下，在3GHz中为10dB以上。