CN103515512A - Led二次封装工艺以及通过该工艺制造的led像素管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LED二次封装工艺以及通过该工艺制造的LED像素管,涉及LED封装技术领域;LED二次封装工艺包括步骤:将LED晶片固定在引线支架的灯杯中;将晶片焊点与引线支架的支架焊线区焊接;将焊好线的引线支架进行第一次散光封装;一次封装固化后在模腔内进行第二次透镜封装;对在模腔内完成透镜封装后的透镜材料进行固化;LED像素管包括两引线支架以及与其中一引线支架连接的灯杯,灯杯内设有LED晶片,所述引线支架为两层封装结构,里层为散光封装层,外层为透镜封装层;本发明的有益效果是:本发明的LED二次封装工艺与LED像素光具有两次封装过程,提供一种具有良好光学效果的可实现大视角、配光曲线圆润、角度重合度高的LED像素管。

Description

LED二次封装工艺以及通过该工艺制造的LED像素管
【技术领域】
本发明涉及LED封装技术领域,更具体是说,本发明涉及一种LED二次封装工艺以及通过该工艺制造的LED像素管。
【背景技术】
随着LED作为新一代光源日益深入人们的工作和生活,其应用越来越广泛。其中LED户外显示屏大量应用,拉动了LED像素管的需求,由于户外显示屏对显示的清晰度和视角的要求,所以相比较于一般的LED,作为LED显示屏的主要元器件,LED像素管需要具有可视角度大,角度偏差小,配光曲线重合度高的特点。
一般的LED封装工艺制造的LED像素管配光曲线尖峰突出,易造成峰值点的偏离,这样一是影响显示屏的清晰度和视角;二是使产品测试离散率较高,降低了成品出货率,增加了库存积压,提高了生产成本。
【发明内容】
本发明的目的在于有效克服上述技术的不足,提供了一种使LED管具有良好光学效果的LED封装工艺。
本发明的技术方案是这样实现的,其改进之处在于:它包括以下步骤:
a)、晶片固定
在引线支架的灯杯中点上LED晶片固定胶,再将LED晶片放置于引线支架的灯杯中,此后将引线支架送入烤箱中以150-160℃烘烤55-65分钟进行固化;
b)、焊线
将晶片的焊点用金线与引线支架的支架焊接区焊接;
c)、第一次散光封装
将步骤b中焊接好的引线支架进行第一次散光封装,然后将进行散光封装的引线支架送入烤箱以115-130℃烘烤55-65分钟进行固化,从而使LED晶片发光形成均匀的漫反射;
d)、第二次透镜封装
利用二极管注胶设备将已配制好并脱泡后的抗UV环氧树脂注入选用的TPX模腔,然后将已第一次封装的引线支架植入已注胶的模腔,此后将引线支架放入烤箱中以120-130℃的温度烘烤55-65分钟;
e)、固化
对在模腔内完成透镜封装后的透镜材料进行固化;
优选的,所述步骤c中,进行散光封装的胶水为环氧树脂,环氧树脂中含有光线扩散剂,,且扩散剂与环氧树脂的重量配比为3~6:100;
优选的,所述的环氧树脂由双组分A胶和B胶组成,其重量配比为A胶:B胶=1:1~1.02;
优选的,所述烤箱为热风循环烤箱;
优选的,所述步骤a中,引线支架送入烤箱中以155℃烘烤60分钟进行固化为最佳;
优选的,所述步骤c中,引线支架送入烤箱以123℃烘烤60分钟进行固化为最佳;
优选的,所述步骤d中,引线支架放入烤箱中以125℃的温度烘烤60分钟为最佳。
本发明的另一个目的在于提供一种通过上述工艺制造的LED像素管,该LED像素管包括两引线支架以及与其中一引线支架连接的灯杯,于所述灯杯内设有LED晶片,其改进之处在于:所述引线支架为两层封装结构,里层为散光封装层,外层为透镜封装层;
上述结构中,所述LED晶片通过一键合金丝与另一引线支架连接;
上述结构中,所述引线支架的采用SPCC铁质材料,该引线支架的表面镀银。
本发明的有益效果在于:本发明的LED二次封装工艺具有两次封装过程,第一次为散光封装,封装的胶水中填充了适量的光线扩散剂,使LED晶片发光形成均匀的光强角度分布;第二次为透镜封装;本发明还提供一种具有良好光学效果的可实现大视角、配光曲线圆润、角度重合度高的LED像素管;LED像素管光强角度分布曲线改善后,优化了显示屏的显示效果,同时光学参数的离散率缩小,节约了生产成本,有利于大批量生产;本发明提供的新型LED像素管的功耗小、亮度高,没有紫外线和红外线的辐射,也没有散发热量,对人体无害。
【附图说明】
图1为本发明的LED二次封装工艺的实施例流程图;
图2为本发明的LED像素管示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1
参照图1所示,本发明揭示了一种LED二次封装工艺,它包括以下步骤:
a)、晶片固定
在引线支架的灯杯中点上LED晶片固定胶,再将LED晶片放置于引线支架的灯杯中,此后将引线支架送入热风循环烤箱中以155℃烘烤60分钟进行固化;
b)、焊线
将晶片的焊点与引线支架的支架焊接区焊接;
c)、第一次散光封装
将步骤b中焊接好的引线支架进行第一次散光封装,然后将进行散光封装的引线支架送入热风循环烤箱以123℃烘烤60分钟进行固化,从而使晶片发光形成均匀的漫反射;
进行散光封装的胶水为环氧树脂,环氧树脂中含有光线扩散剂,该光线扩散剂为扩散性填料,且扩散性填料与环氧树脂的重量配比为3~6:100;
所述的环氧树脂由双组分A胶和B胶组成,其重量配比为A胶:B胶=1:1~1.02;
d)、第二次透镜封装
利用二极管注胶设备将已配制好并脱泡后的抗UV环氧树脂注入选用的TPX模腔,然后将已一次封装的引线支架植入已注胶的模腔,此后将引线支架放入热风循环烤箱中以125℃的温度烘烤60分钟;
e)、固化
对在模腔内完成透镜封装后的透镜材料进行固化。
实施例2
参照图1所示,本发明揭示了一种LED二次封装工艺,它包括以下步骤:
a)、晶片固定
在引线支架的灯杯中点上LED晶片固定胶,再将LED晶片放置于引线支架的灯杯中,此后将引线支架送入热风循环烤箱中以160℃烘烤55分钟进行固化;
b)、焊线
将晶片的焊点与引线支架的支架焊接区焊接;
c)、第一次散光封装
将步骤b中焊接好的引线支架进行第一次散光封装,然后将进行散光封装的引线支架送入热风循环烤箱以130℃烘烤65分钟进行固化,从而使晶片发光形成均匀的漫反射;
进行散光封装的胶水为环氧树脂,环氧树脂中含有光线扩散剂,该光线扩散剂为扩散性填料,且扩散性填料与环氧树脂的重量配比为3~6:100;
所述的环氧树脂由双组分A胶和B胶组成,其重量配比为A胶:B胶=1:1~1.02;
d)、第二次透镜封装
利用二极管注胶设备将已配制好并脱泡后的抗UV环氧树脂注入选用的TPX模腔,然后将已一次封装的引线支架植入已注胶的模腔,此后将引线支架放入热风循环烤箱中以130℃的温度烘烤65分钟;
e)、固化
对在模腔内完成透镜封装后的透镜材料进行固化。
参照图2所示,本发明还揭示了一种通过上述工艺制造出的LED像素管,该新型LED像素管包括两引线支架1以及与其中一引线支架连接的灯杯2,引线支架1的采用SPCC铁质材料,表面镀银;灯杯内设有LED晶片3,LED晶片3通过一键合金丝4与另一引线支架连接;引线支架1为两层封装结构,其第一层为散光封装层5,第二层为透镜封装层6。
因此,本发明提供了一种具有良好光学效果的可实现大视角、配光曲线圆润、角度重合度高的LED像素管;LED像素管光强角度分布曲线改善后,优化了显示屏的显示效果,同时光学参数的离散率缩小,节约了生产成本,有利于大批量生产;本发明提供的新型LED像素管的功耗小、亮度高,没有紫外线和红外线的辐射,也没有散发热量,对人体无害。
以上所描述的仅为本发明的较佳实施例,上述具体实施例不是对本发明的限制。在本发明的技术思想范畴内,可以出现各种变形及修改,凡本领域的普通技术人员根据以上描述所做的润饰、修改或等同替换,均属于本发明所保护的范围。

Claims (10)

1.一种LED二次封装工艺,其特征在于:它包括以下步骤:
a)、晶片固定
在引线支架的灯杯中点上LED晶片固定胶,再将LED晶片放置于引线支架的灯杯中,此后将引线支架送入烤箱中以150-160℃烘烤55-65分钟进行固化;
b)、焊线
将晶片的焊点与引线支架的支架焊接区焊接;
c)、第一次散光封装
将步骤b中焊接好的引线支架进行第一次散光封装,然后将进行散光封装的引线支架送入烤箱以115-130℃烘烤55-65分钟进行固化,从而使晶片发光形成均匀的漫反射;
d)、第二次透镜封装
利用二极管注胶设备将已配制好并脱泡后的抗UV环氧树脂注入选用的TPX模腔,然后将已第一次封装的引线支架植入已注胶的模腔,此后将引线支架放入烤箱中以120-130℃的温度烘烤55-65分钟;
e)、固化
对在模腔内完成透镜封装后的透镜材料进行固化。
2.根据权利要求1所述的一种LED二次封装工艺,其特征在于:所述步骤c中,进行散光封装的胶水为环氧树脂,环氧树脂中含有光线扩散剂,该光线扩散剂为扩散性填料,且扩散性填料与环氧树脂的重量配比为3~6:100。
3.根据权利要求2所述的一种LED二次封装工艺,其特征在于:所述的环氧树脂由双组分A胶和B胶组成,其重量配比为A胶:B胶=1:1~1.02。
4.根据权利要求1所述的一种LED二次封装工艺,其特征在于:所述烤箱为热风循环烤箱。
5.根据权利要求1所述的一种LED二次封装工艺,其特征在于:所述步骤a中,引线支架送入烤箱中以155℃烘烤60分钟进行固化为最佳。
6.根据权利要求1所述的一种LED二次封装工艺,其特征在于:所述步骤c中,引线支架送入烤箱以123℃烘烤60分钟进行固化为最佳。
7.根据权利要求1所述的一种LED二次封装工艺,其特征在于:所述步骤d中,引线支架放入烤箱中以125℃的温度烘烤60分钟为最佳。
8.一种实施权利要求1的工艺的LED像素管,包括两引线支架以及与其中一引线支架连接的灯杯,于所述灯杯内设有LED晶片,其特征在于:所述引线支架为两层封装结构,里层为散光封装层,外层为透镜封装层。
9.根据权利要求8所述的LED像素管,其特征在于:所述LED晶片通过一键合金丝与另一引线支架连接。
10.根据权利要求8所述的LED像素管,其特征在于:所述引线支架的采用SPCC铁质材料,该引线支架的表面镀银。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104078552B (zh) * 2014-05-21 2017-01-25 深圳莱特光电股份有限公司 一种红外发光二极管
CN110185999A (zh) * 2019-06-05 2019-08-30 东莞可见优照明电器有限公司 一种烤箱的照明装置
CN111312882A (zh) * 2020-03-02 2020-06-19 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005332951A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN101202316A (zh) * 2006-12-15 2008-06-18 东泰升电子(上海)有限公司 发光二极管均匀发光工艺
JP2009259913A (ja) * 2008-04-14 2009-11-05 Sharp Corp チップ部品型led
US20100044731A1 (en) * 2007-01-15 2010-02-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
CN101752464A (zh) * 2008-12-17 2010-06-23 四川柏狮光电技术有限公司 白光二极管柔光处理工艺
CN101894898A (zh) * 2010-06-13 2010-11-24 深圳雷曼光电科技股份有限公司 一种led及其封装方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005332951A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN101202316A (zh) * 2006-12-15 2008-06-18 东泰升电子(上海)有限公司 发光二极管均匀发光工艺
US20100044731A1 (en) * 2007-01-15 2010-02-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
JP2009259913A (ja) * 2008-04-14 2009-11-05 Sharp Corp チップ部品型led
CN101752464A (zh) * 2008-12-17 2010-06-23 四川柏狮光电技术有限公司 白光二极管柔光处理工艺
CN101894898A (zh) * 2010-06-13 2010-11-24 深圳雷曼光电科技股份有限公司 一种led及其封装方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104078552B (zh) * 2014-05-21 2017-01-25 深圳莱特光电股份有限公司 一种红外发光二极管
CN110185999A (zh) * 2019-06-05 2019-08-30 东莞可见优照明电器有限公司 一种烤箱的照明装置
CN111312882A (zh) * 2020-03-02 2020-06-19 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片的封装结构及封装方法

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