CN103492952A - 光刻设备、用于维护光刻设备的方法以及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光刻设备，具有多个独立可控辐射源单元，每个独立可控辐射源单元提供图案化的辐射束的一部分；控制系统，配置成监测每一个独立可控辐射源单元的性能参数；和更换机构，配置成在控制系统确定判断条件已经基于监测的性能参数被满足时以替代单元更换独立可控辐射源单元中的一个。

Description

光刻设备、用于维护光刻设备的方法以及器件制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年4月21日递交的美国临时申请第61/477,980号的权益，在此通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及一种光刻设备、一种用于维护光刻设备的方法以及一种制造器件的方法。
背景技术
光刻设备是施加期望的图案到衬底或一部分衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)、平板显示器以及具有精细特征的其它装置或结构的制造中。在传统的光刻设备中，可以将称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生对应于IC、平板显示器或其它装置的单层的电路图案。可以将这一图案转移到衬底(例如硅晶片或玻璃板)(的一部分)上，例如经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
除了电路图案，图案形成装置还可以用于产生其它图案，例如彩色滤光片图案或点矩阵。替代传统的掩模，图案形成装置可以包括图案形成阵列，该图案形成阵列包括产生电路或其它可应用图案的独立可控元件的阵列。与传统的基于掩模的系统相比，这样的“无掩模”系统的优点是，可以更加快速地设置和/或更换图案，且成本较小。
因此，无掩模系统包括可编程图案形成装置(例如空间光调制器、对比度装置等)。使用独立可控元件的阵列对可编程图案形成装置进行(例如以电子方式或光学方式)编程，用于形成期望的图案化的束。可编程图案形成装置的类型包括微反射镜阵列、液晶显示器(LCD)阵列、光栅光阀阵列、自发射对比度装置的阵列等。
发明内容
在使用多个例如以阵列形式布置的自发射对比度装置提供图案化辐射束的光刻设备中，可以使用相对大量的自发射对比度装置。通常，光刻设备内安装的自发射对比度装置数量越大，则每个时刻在衬底上可以投影图案的区域越大。因此，自发射对比度装置的数量越大，可以预期的光刻设备的生产率越高。
然而，可以包括辐射源的自发射对比度装置可使用的寿命是相当有限的。当自发射对比度装置停止正确地运行时，其可能在通过图案化辐射束在衬底上形成的图案中导致错误。由此，光刻设备的操作停止，例如以便更换自发射对比度装置的阵列或单个的自发射对比度装置。
这个过程花费相当多的时间，因为操作者将需要进入光刻设备的相关部分，移除已有的自发射对比度装置的阵列或单个自发射对比度装置，安装新的阵列或新的自发射对比度装置，执行对准过程以便确保自发射对比度装置的阵列或单个自发射对比度装置正确地对准，重新组装所有被移除的部件以提供对自发射对比度装置的阵列的访问并在可以重新开始操作光刻设备之前执行校准过程。
光刻设备内的自发射对比度装置的数量越大，则自发射对比度装置中的任一个失效的可能性越大，由此导致执行不希望的快速的且有效的更换操作。
由此，在光刻设备内可以有效地使用的自发射对比度装置的数量存在限制。尤其地，虽然通过使用更大数量的自发射对比度装置可以提高光刻设备的名义上的生产率，但是如上所述，在实践中光刻设备的总的生产率可能由于更换已经失效的自发射对比度装置损失的时间而降低。
因此，例如期望提供一种光刻设备，其使用自发射对比度装置，其中光刻设备的生产率可以提高，维持或不会显著降低。
根据本发明一个实施例，提供一种光刻设备，配置成将图案化辐射束投影到衬底上，包括：
多个辐射源单元，每个辐射源单元包括配置成提供图案化辐射束的一部分的辐射源；
控制系统，配置成监测辐射源单元的至少一个性能参数；和
更换机构，配置成响应于来自控制系统的指令操作以使用替代单元来更换辐射源单元中的至少一个；
其中控制系统配置成如果判断条件(criterion)基于辐射源单元之一的所监测的性能参数被满足，则控制更换机构更换至少一个辐射源单元。
根据本发明一个实施例，提供一种用于维护光刻设备的方法，光刻设备包括多个辐射源单元，每个辐射源单元包括配置成提供将被投影到衬底上的图案化辐射束的一部分的辐射源，所述方法包括：
监测辐射源单元的至少一个性能参数；和
基于监测的结果使用更换机构以替代单元更换辐射源单元中的至少一个；
其中更换机构操作以在判断条件基于辐射源单元之一的所监测的性能参数被满足时更换辐射源单元。
根据本发明一个实施例，提供一种器件制造方法，包括：
使用光刻设备将图案化辐射束投影到相继的衬底上；和
在使用光刻设备期间使用此处所述的方法维护光刻设备。
附图说明
将参照示意的附图仅通过示例描述本发明的实施例，在附图中相应的参考标记可以表示相应的元件，并且在附图中：
图1显示根据本发明的实施例的光刻设备的一部分；
图2显示根据本发明的实施例的图1的光刻设备的一部分的俯视图；
图3显示根据本发明的实施例的光刻设备的一部分的高度示意透视图；
图4显示根据本发明的实施例通过根据图3的光刻设备投影到衬底上的投影的示意俯视图；
图5示意地示出根据本发明的实施例的光刻设备的一部分；
图6示出图5中示出的布置的变形形式；和
图7示出图5中示出的布置的另一变形形式。
具体实施方式
本发明的一个实施例涉及一种光刻设备，其可以包括可编程图案形成装置，该可编程图案形成装置可以例如由自发射对比度装置的阵列构成。关于这样的光刻设备的其他信息可以在PCT专利申请出版物第WO2010/032224A2号中找出，其通过引用将其全部内容并入本文。
图1示意地示出光刻设备的一部分的示意的侧向剖视图。在该实施例中，光刻设备具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件，如下面进一步讨论的，但是这不是必须的。光刻设备1包括用以保持衬底的衬底台2和用以在达6个自由度上移动衬底台2的定位装置3。衬底可以是涂覆有抗蚀剂的衬底。在一个实施例中，衬底是晶片。在一个实施例中，衬底是多边形(例如矩形)衬底。在一个实施例中，衬底是玻璃板。在一个实施例中，衬底是塑料衬底。在一个实施例中，衬底是箔片(foil)。在一个实施例中，光刻设备适于辊到辊(roll-to-roll)制造。
光刻设备1还包括多个独立可控自发射式对比度装置4，其配置成发射多个束。在一个实施例中，自发射式对比度装置4是辐射发射二极管，例如发光二极管(LED)、有机LED(OLED)、聚合物LED(PLED)，或激光二极管(例如，固态激光器二极管)。在一实施例中，每一独立可控元件4是蓝紫激光二极管(例如Sanyo型号no.DL-3146-151)。这样的二极管可以由诸如Sanyo,Nichia,Osram和Nitride等公司供应。在一实施例中，二极管发射例如具有约365nm或约405nm的波长的UV辐射。在一实施例中，二极管可以提供从0.5-200mW的范围选出的输出功率。在一实施例中，激光二极管(裸管芯)的尺寸是从100-800微米的范围选出的。在一实施例中，激光二极管具有从0.5-5平方微米的范围选出的发射面积。在一实施例中，激光二极管具有从5-44度的范围选出的发散角。在一实施例中，二极管具有用以提供大于或等于大约6.4×108W/(m2.sr)的总的亮度的配置(例如，发射面积、发散角、输出功率等)。
自发射式对比度装置4布置在框架5上并且可以沿Y方向和/或X方向延伸。虽然示出了一个框架5，但是光刻设备可以具有多个框架5，如图2所示。在框架5上还布置有透镜12。框架5和因此自发射式对比度装置4和透镜12在X-Y平面中是基本上静止的。可以通过致动器7沿着Z方向移动框架5、自发射式对比度装置4以及透镜12。可替代地，或另外地，可以通过与该特定的透镜相关的致动器沿着Z方向移动透镜12。可选地，每个透镜12可以设置有致动器。
自发射式对比度装置4可以配置成发射束，投影系统12、14和18可以配置成将束投影到衬底的目标部分上。自发射式对比度装置4和投影系统形成光学装置列。光刻设备1可以包括用于相对于衬底移动光学装置列或其一部分的致动器(例如电机11)。在其上布置有场透镜14和成像透镜18的框架8可以是能够借助于致动器旋转的。场透镜14和成像透镜18的组合形成了可移动的光学装置9。在使用中，框架8围绕其自身的轴线10旋转，例如沿着由图2中的箭头指示的方向。通过使用致动器(例如电机11)使框架8围绕轴线10旋转。另外，可以通过电机7使框架8沿着Z方向移动，使得可移动的光学装置9可以相对于衬底台2移位。
孔结构13其中具有孔，可以定位在透镜12的上方且在透镜12和自发射式对比度装置4之间。孔结构13可以限制透镜12、相关联的自发射式对比度装置4的衍射效应、和/或邻近的透镜12/自发射式对比度装置4的衍射效应。
所示出的设备可以通过旋转框架8和同时在光学装置列的下面移动衬底台2上的衬底而被使用。在透镜12、14和18基本上彼此对准时，自发射式对比度装置4可以发射束穿过这些透镜12、14和18。通过移动透镜14和18，束在衬底上的像被在衬底的一部分之上进行扫描。通过同时在光学装置列的下面移动衬底台2上的衬底，承受自发射式对比度装置4的图像的衬底部分也移动。通过在控制器的控制之下，高速地接通和/或关断自发射式对比度装置4(例如，在其被关断时，没有输出或具有低于阈值的输出；在其被接通时，具有高于阈值的输出)，可以在衬底的抗蚀剂层中对期望的图案进行成像，其中控制器控制光学装置列或其一部分的旋转、控制自发射式对比度装置4的强度以及控制衬底的速度。
图2示出具有自发射式对比度装置4的图1的光刻设备的示意性俯视图。如同图1中显示的光刻设备1那样，光刻设备1包括用于保持衬底17的衬底台2、用于在达6个自由度上移动衬底台2的定位装置3、用于确定自发射式对比度装置4和衬底17之间的对准以及用于确定衬底17是否相对于自发射式对比度装置4的投影处于水平的对准/调平传感器19。如图所示，衬底17具有矩形形状，然而，另外或可替代地，可以处理圆形的衬底。
自发射式对比度装置4布置在框架15上。自发射式对比度装置4可以是辐射发射二极管，例如激光二极管，例如蓝紫色激光二极管。如图2所示，自发射式对比度装置4可以布置到在X-Y平面中延伸的阵列21中。
所述阵列21可以是细长的线。在一实施例中，所述阵列21可以是自发射式对比度装置4的一维阵列。在一实施例中，所述阵列21可以是自发射式对比度装置4的两维阵列。
可以提供可旋转框架8，其可以沿着由所述箭头显示的方向旋转。旋转框架可以设置有透镜14、18(如在图1中所示)，以提供每个自发射式独立对比度装置4的图像。所述设备可以设置有致动器，用于相对于衬底旋转包括框架8和透镜14、18的光学装置列。
图3示出在其周界上设置有透镜14、18的旋转框架8的高度示意的透视图。多个束(在本示例中是10个束)入射到透镜之一上并被投影到通过衬底台2保持的衬底17的目标部分上。在一个实施例中，多个束沿直线布置。通过使用致动器(未示出)可以围绕轴线10旋转可旋转框架。由于可旋转框架8的旋转，束将入射到相继的透镜14、18(场透镜14和成像透镜18)上，并且将入射到每一个相继的透镜上而被偏转，由此以便沿衬底17的表面的一部分行进，如参照图4更详细地介绍的。在一个实施例中，通过相应的源，即自发射式对比度装置，例如激光二极管(图3中未示出)产生每个束。在如图3所示的布置中，通过分段反射镜30偏转束并使得束拢在一起以便减小束之间的距离，由此允许大量的束被通过同一透镜投影并实现下面将要讨论的分辨率要求。
随着可旋转框架的旋转，束入射到相继的透镜上，并且每一次由束照射透镜，束入射到透镜表面上的位置是移动的。因为束根据束入射到透镜上的位置而被不同地投影到衬底上(利用例如不同的偏转)，因此束(当到达衬底时)将使用下面的透镜的每个通道执行扫描运动。参照图4进一步解释这个原理。图4示出可旋转框架8的一部分的高度示意俯视图。第一组束用B1表示，第二组束用B2表示，第三组束用B3表示。每组束被通过可旋转框架8的相应的透镜组14、18投影。当可旋转框架8旋转时，束B1在扫描运动中被投影到衬底17上，由此扫描区域A14。类似地，束B2扫描区域A24，束B3扫描区域A34。在通过相应的致动器旋转可旋转框架8的同时，衬底17和衬底台沿方向D移动，这在图2中可以表示为沿X轴线，由此在区域A14、A24、A34中基本上垂直于束的扫描方向。由于借助于第二致动器沿方向D的移动(例如，衬底台通过相应的衬底台电机的移动)，在通过可旋转框架8的相继的透镜投影束时束的相继扫描被投影，从而基本上彼此邻接，由此得到对于束B1的每个相继扫描的基本上邻接的区域A11、A12、A13、A14(如图4所示，区域A11、A12、A13之前被扫描，A14被当前扫描)，得到对于束B2的每个相继扫描的区域A21、A22、A23、A24(如图4所示，区域A21、A22、A23之前被扫描，A24被当前扫描)，得到对于束B3的每个相继扫描的区域A31、A32、A33、A34(如图4所示，区域A31、A32、A33之前被扫描，A34被当前扫描)。由此，衬底在旋转可旋转框架8同时沿方向D的移动可以覆盖衬底表面的区域A1、A2以及A3。多个束通过同一透镜的投影允许在较短的时段内处理整个衬底(以可旋转框架8的相同的旋转速度)，因为对于每一次透镜的通过，多个束使用每个透镜扫描衬底，由此允许对于相继的扫描沿方向D的位移增加。从不同角度看，对于给定的处理时间，当通过同一透镜将多个束投影到衬底上时，可旋转框架的旋转速度可以减小，由此可以减小由于高的旋转速度带来的例如可旋转框架的变形、磨损、振动、扰动或紊流等效应。在一个实施例中，多个束与透镜14、18的旋转的切向成角度地布置，如图4所示。在一个实施例中，多个束布置成使得每个束与相邻的束的扫描路径重叠或邻接。
可以在容差的缓和中发现通过同一透镜每次投影多个束的方面的进一步的效果。由于透镜的容差(定位、光学投影等)，相继区域A11、A12、A13、A14(和/或区域A21、A22、A23以及A24和/或区域A31、A32、A33和A34)的位置可以显示相对于彼此的一定程度的定位误差。因此，相继区域A11、A12、A13、A14之间的一定程度的重叠可能是需要的。在例如一个束有10％重叠的情况下，处理速度可以因此比单个束每次通过同一透镜的情形减小同样的10％。在每次有5个或更多个束被投影通过同一透镜的情形中，对于每5个或更多个投影线来说将提供相同的10％的重叠(类似地参照上面的一个束的示例)，因此将总的重叠以大约5或更多倍减小至2％或更少，由此对总的处理速度具有明显更低的影响。类似地，投影至少10个束可以将重叠减小大约10倍。因而，可以通过将多个束每次通过同一透镜投影的特征减小容差对衬底的处理时间的影响。附加地或替代地，可以允许更多的重叠(因而更大的容差带)，因为在将多个束每次通过同一透镜投影的情况下，其对处理的影响低。
替代地或附加地，每次通过同一透镜投影多个束，可以使用隔行扫描技术，但是这种技术需要透镜之间的相对更苛刻的匹配。因此，通过多个透镜中的同一透镜每次投影到衬底上的至少两个束具有共同的间隔，并且光刻设备可以布置成操作第二致动器以便相对于光学装置列移动衬底，从而使得后一投影束被投影在间隔中。
为了减小在如图4所示的方向D上在组中的相继束之间的距离(由此，例如实现方向D上更高的分辨率)，这些束可以在方向D上相对于彼此斜对角地布置。通过在光学路径上设置分段式反射镜30可以进一步减小所述间隔，分段式反射镜30的每个段用以反射这些束中的相应的一个，这些段布置成相对于多个束入射到反射镜上时束之间的间隔来减小多个束被反射镜反射时之间的间隔。这样的效果也可以通过多个光纤实现，每个束入射到多个光纤中的对应的一个，所述光纤布置成沿光学路径相对于光纤上游的束之间的间隔减小光纤下游的束之间的间隔。
此外，通过使用具有多个输入的集成的光学波导回路可以实现这样的效果，每个输入用于接收多个束中的相应的一个。集成的光学波导回路被布置成沿光学路径相对于集成的光学波导回路上游的束之间的间隔减小集成的光学波导回路下游的束之间的间隔。
可以提供用于控制投影到衬底上的图像的聚焦的系统。可以设置该布置以调节在如上所述的一种布置中通过光学装置列的部分或全部投影的图像的聚焦。
在本发明的一个实施例中，自发射对比度装置中的每一个可以设置在相应的独立可控辐射源单元内。每一个这样的独立可控辐射源单元可以包括辐射源，该辐射源配置成提供投影到衬底上的图案化的辐射束的一部分，如上所述。
光刻设备可以包括控制系统，其在使用期间监测独立可控辐射源单元的至少一个性能参数，如下面进一步讨论的。控制系统可以配置成使得，如果判断条件基于独立可控辐射源单元的被监测的性能参数被满足，则该单元被识别为更换。换句话说，控制系统可以监测独立可控辐射源单元的性能，以便预测辐射源单元的潜在失效，使得其可以在失效之前被更换。
这可以是有利的，因为其可以帮助确保在至少大多数情况下独立可控辐射源单元在失效之前被更换。在失效之前更换独立可控辐射源单元可以是有益的，因为，如果这样的单元在图案曝光到衬底上的过程中失效，则形成在衬底上的图案可能包括一个或更多个误差，这可能导致衬底或形成在衬底上的器件之一的报废或需要重新加工，或器件的一个或更多个的故障。
此外，监测独立可控辐射源单元中的每一个的至少一个性能参数使得控制系统能够有效地预测何时可能发生失效或故障。因此，如果作为在辐射被投影到衬底上的第一时间段期间监测的结果，认为应该更换独立可控辐射源单元，则可以在第二时间段期间更换独立可控辐射源单元，在所述第二时间段中，光刻设备在任何情况下不将图案化辐射束投影到衬底上。因此，不带来光刻设备的更长的停工时间。相比于其中每一次独立可控辐射源单元停止操作时光刻设备的操作都被暂停的设备，这可以提高光刻设备的生产率。
根据一个实施例，光刻设备可以包括更换机构，该更换机构配置成移除独立可控辐射源单元，并在其位置上放置或安装替代单元。具体地，更换机构可以配置成响应于判断条件基于独立可控辐射源单元的被监测的性能参数被满足响应于来自控制系统的指令操作以更换独立可控辐射源单元中的一个。因此，提供自动化的系统以识别将要被更换的一个或更多个独立可控辐射源单元并实现被识别的单元的更换。
在某些布置中，独立可控辐射源单元可以被独立地更换。在这种情况下，当认为特定的独立可控辐射源单元应该被更换时，更换机构可以用于更换特定的独立可控辐射源单元。
在一个布置中，多个独立可控辐射源单元可以安装在光刻设备内作为组合的单元。在这样的布置中，更换机构可以配置成在确定应该更换组合的单元内的任一个独立可控辐射源单元时更换这个组合的单元。被更换的组合的单元可以被离线报废。替代地，可以更换已经被认为要更换的独立可控辐射源单元，并且组合的单元随后被变成可用的以重新安装在光刻设备中。在这种布置中，例如，如果确定可用的寿命有可能低于特定阈值，则可以同时更换一个或更多个其他的独立可控辐射源单元。可以在移除组合的单元之前基于上面讨论的被监测的性能参数或基于独立可控辐射源单元的操作时间做出这个确定。
相比于执行此过程的操作者，提供这种自动的更换机构可以显著地缩短更换独立可控辐射源单元所需的时间。例如，机器人系统可以设置在光刻设备内，包括设置在人工操作者难以触及的位置，并且可以配置成迅速地将独立可控辐射源单元与光刻设备断开并在其位置插入替代单元。
为了便于在光刻设备内配置这种更换机构，可以适当地配置一个或多个独立可控辐射源单元和在光刻设备内用以容纳独立可控辐射源单元的一个或更多个容纳位置。
例如，可以给独立可控辐射源单元或容纳位置或这两者设置合适的夹持机构，以便在使用期间将独立可控辐射源单元以物理方式紧固至光刻设备。这种夹持机构可以包括例如可致动的物理夹持装置、电磁夹持装置、真空夹持装置或任何其他合适的机构。
此外，独立可控辐射源单元和容纳位置可以设置有适当地配置的电触点以便提供电力给独立可控辐射源单元，以便操作辐射源。此外，可以设置一个或更多个附加的电触点，以便根据需要在独立可控辐射源单元和光刻设备的其余部分之间提供控制信号。
光刻设备可以使用超过一种类型的独立可控辐射源单元。在这种布置中，一种类型的独立可控辐射源单元可以比另一种类型的独立可控辐射源单元具有短得多的可用寿命。在那种情况下，仅需要监测和更换一种类型的独立可控辐射源单元。
虽然本说明书描述的是可以例如包括辐射发射二极管作为辐射源的独立可控辐射源单元的监测和更换，但是辐射源的替换的布置也可以使用此处描述的实施例监测和更换。因此，尤其地，本发明的一个实施例可以用于具有多个不必独立可控的辐射源单元的光刻设备。例如，辐射源单元的阵列可以与分离的调制器结合使用。此外，可以使用替代的辐射源，其中适当地修正光刻设备的其他部件。例如，辐射源单元可以包括电子源或离子源。
图5示意地示出根据本发明一个实施例的光刻设备的一部分的布置。如图所示，每个独立可控辐射源单元40可以安装在光刻设备内的容纳位置41。如图所示，容纳位置41可以包括夹持装置42，用以在使用光刻设备期间将独立可控辐射源单元40紧固在容纳位置内。
提供给独立可控辐射源单元40的一个或更多个电极43可以配置成与提供给容纳位置41的一个或更多个电极44相对应或相遇，例如将来自电源45的电力提供给独立可控辐射源40内的辐射源47。电源45可以通过控制系统46控制，如下文所述。虽然在图5中没有示出，但是如果需要可以设置一个或更多个附加的电极，以在控制系统46和独立可控辐射源单元40之间提供控制信号。
可以提供更换机构50，其配置成在控制系统46的指令下操作以将独立可控辐射源单元40移出容纳位置41。例如，当这种独立可控辐射源单元被移出时，更换机构50可以将其移至处置单元51。随后，更换机构可以例如从包含多个更换独立可控辐射源单元的容仓52获得更换独立可控辐射源单元40’，并将更换独立可控辐射源单元40’安装到容纳位置41，由此使得光刻设备的操作复位或继续。
虽然上面的说明书描述的是在从容仓52移出替代单元40’之前移除一个独立可控辐射源单元40和将替代单元40’安装在容纳位置41，但是这些步骤不必按次序以这种方式执行。例如，更换机构50可以配置成从容仓52移除新的独立可控辐射源单元40’并且在移除已有的独立可控辐射源单元40的同时将新的独立可控辐射源单元40’安装在容纳位置41。这可以使得能够实现更快的更换过程。
如图5所示，更换机构50和独立可控辐射源单元40可以分别设置有可释放的连接器53、54，以使得独立可控辐射源单元40能够暂时连接至更换机构50用于从容纳位置41移动至处置单元51和从容仓52移动至容纳位置41。任何合适的可释放连接器都可以使用，例如物理夹持装置、电磁夹持装置或真空夹持装置。
在一种布置中，独立可控辐射源单元40是可以相互交换的。例如，设置在容仓52内的独立可控辐射源单元40中的任一个可以用于更换在任何容纳位置41的任意独立可控辐射源单元40。这种布置可以减小对在容仓52内不同位置处存储例如不同类型的大量替代独立可控辐射源单元40的要求。
设置用以识别将要被更换的独立可控辐射源单元和用于更换独立可控辐射源单元的自动系统(例如如上面描述并在图5中示出的系统)可以明显地防止或减少由于更换失效的独立可控辐射源单元导致的停工时间。例如，使用例如上述的更换机构50可以允许在10秒至大约30秒量级的时间跨度内更换独立可控辐射源单元40。在这样的布置中，可以在将新的衬底装载至光刻设备中的时间段期间执行对于要更换的独立可控辐射源单元的更换。换句话说，可以在没有图案化辐射束被投影到衬底上的时间段期间更换独立可控辐射源单元中的一个。因此，可以在引起光刻设备的额外的停工时间的情况下实施独立可控辐射源单元的更换。
在这样的布置中，可以在不增加光刻设备由于更换失效的独立可控辐射源单元引起的停工时间的情况下增加可以被使用的独立可控辐射源单元的数量(提高光刻设备的潜在的生产率)。例如，光刻设备可以包括相对大量的独立可控辐射源单元并预期可能需要相对频繁地更换一个独立可控辐射源单元。因此，当监测性能参数显示独立可控辐射源单元可能需要更换时，可以将该更换针对于下一次方便的机会(例如装载新的衬底时)列入计划。这可以允许在光刻设备没有额外的停工时间的情况下在单元失效之前更换单元。
在上述的布置中，单个的更换机构50可能是足够的。在这种情况下，更换机构50可以配置成使得它可以在光刻设备内的多个容纳位置41中的任一个处更换独立可控辐射源单元40。
在一替代的布置中，可以设置多于一个的更换机构50。在这种的布置中，每个更换机构50可以配置成能够从光刻设备内的相应的容纳位置41更换独立可控辐射源单元40。因此，可以减小每个更换机构50的移动范围。
作为另一个替换例，多个更换机构50中的每一个可以配置成使得其可以从任一个容纳位置41更换独立可控辐射源单元。在这种情况下，设置多个更换机构50可以允许同时更换多于一个独立可控辐射源单元40。如果预期在需要一次更换时可以识别多于一个独立可控辐射源单元40时，这是期望的。因此，同时更换多于一个独立可控辐射源单元40可以有助于确保在可用的时间期间(例如在将新的衬底装载到光刻设备内期间)执行全部必要的更换。
在一个实施例中，控制系统46可以配置成监测由电源45提供给独立可控辐射源单元40的电流。尤其地，控制系统46可以配置成监测供给至独立可控辐射源单元40的辐射源的电流，以便提供特定强度的输出辐射束。
例如，可以提供辐射强度检测器60(例如二极管)从而测量独立可控辐射源单元40输出的辐射束的强度。在一个实施例中，可以使用来自辐射强度传感器60的反馈通过控制系统46控制独立可控辐射源单元40，使得在从独立可控辐射源单元40输出辐射束时，其具有基本上恒定的辐射强度。在这种情况下，由控制系统46监测的性能参数可以是提供输出辐射束的所需强度所必需的电流。
可以在系统内的任何适当位置设置辐射强度检测器60。在一个示例中，辐射强度检测器60可以位于衬底支撑装置处并配置成使得其可以监测多于一个辐射源单元的输出。在附加的或替换的布置中，辐射强度检测器60可以位于光学装置列内并配置成使得其可以监测光学装置列内的全部独立可控辐射源单元的输出。在具有多个分离的光学装置列的光刻设备中，可以为每个光学装置列设置辐射强度检测器60。
通常，可以预期，需要提供给独立可控辐射源单元40内的辐射源47的电流将随着时间而增大，直到辐射源47失效为止。因此，控制系统46可以配置成识别，一旦用于提供特定强度的输出辐射束的、提供给独立可控辐射源单元的电流超过给定阈值，则独立可控辐射源单元40需要更换。
在一个实施例中，可以给光刻设备内的全部独立可控辐射源单元40设定阈值。例如，在首次安装独立可控辐射源单元40时，可以将该阈值设定为提供特定强度输出辐射束所需要的预期的电流的给定比例。例如，在首次安装独立可控辐射源单元40时，这可以对应于所需的平均电流。
在一个示例中，该阈值可以设定为所需的预期初始电流的130％。因此该阈值可以是在安装独立可控辐射源单元40之前预定的。因此，无论何时任意独立可控辐射源单元40所需用以提供输出辐射束的所需强度的电流超过所述阈值，该独立可控辐射源单元40可以被识别为需要更换。
在替换的布置中，控制系统46可以在独立可控辐射源单元40首次安装在光刻设备内时识别每个独立可控辐射源单元40所需的电流并且可以基于每个独立可控辐射源单元40所需的初始电流值保留每个独立可控辐射源单元40的相应的阈值。
例如，控制系统46可以包括存储器，所述存储器配置成在其首次安装时存储每个独立可控辐射源单元所需的初始电流以便提供每个独立可控辐射源单元40的应该被更换条件下的阈值电流和/或输出辐射束的期望的辐射强度。
替换地或附加地，每个独立可控辐射源单元40通过控制系统46监测的性能参数可以是提供给在每个独立可控辐射源单元40内的辐射源47的电流与输出辐射束的所形成的辐射强度的比值。如果光刻设备配置成提供来自每个独立可控辐射源单元40的变化强度的辐射束，则这可以是更有用的性能参数。
提供给辐射源47的电流和输出辐射强度之间的关系可以是非线性的。因此，可以在提供至辐射源47的特定水平的电流条件下、在特定辐射强度水平条件下或两者中任一个的范围上监测该比值。
控制系统46可以识别独立可控辐射源单元40应该被更换的比值的阈值可以对于光刻设备内的所有的独立可控辐射源单元40是公共的，例如在独立可控辐射源单元40首次安装到光刻设备中的时候设定为期望比值的固定百分比。替换地，可以基于独立可控辐射源40首次安装在光刻设备中时的比值的初始值为每个独立可控辐射源单元40存储一个阈值。
图6示出在图5中示出的布置的变形形式。如图所示，在该实施例中，辐射强度传感器60安装在独立可控辐射源单元40内或独立可控辐射源单元40上，其中独立可控辐射源单元可以简化该布置以确定通过每个独立可控辐射源单元40的辐射源47提供的辐射束的强度。
图7示出图5和图6中示出的布置的另一变形形式。如图所示，在该实施例中，与图6中示出的布置一起使用的辐射强度传感器60安装在独立可控辐射源单元40内或独立可控辐射源单元40上。然而，代替将所测量的强度提供给外部控制系统46或除此之外，在该实施例中，独立可控辐射源单元40包括控制单元61，该控制单元61响应于由辐射强度传感器60检测的所测量的辐射强度控制提供给辐射源47的电流。因此，例如，控制单元61可以配置成提供反馈机制以帮助确保提供给辐射源47的电流使得在使用时通过独立可控辐射源单元40输出的辐射束中提供基本上恒定的辐射强度。
如图7所示，控制单元61可以配置成提供控制信号给光刻设备的中央控制器62。在一个布置中，提供给中央控制器62的控制信号可以对应于提供给辐射源47的电流。因此，中央控制器62可以如上所述监测电流以便确定应该何时更换独立可控辐射源单元。
替换地或附加地，独立可控辐射源单元40内的控制单元61可以监测提供给辐射源47的电流并如上面所述那样，可以基于针对整个光刻设备设定的阈值或针对独立可控辐射源单元设定的独立的阈值，例如基于在独立可控辐射源单元首次安装时所需的电流，来识别应该何时更换独立可控辐射源单元40。在这种情况下，从控制单元61提供给中央控制器62的控制信号可以仅是用以识别独立可控辐射源单元40应该被更换的标志。
因此，随后中央控制器62可以由此指示更换机构50更换独立可控辐射源单元40。这种布置可以有益地简化独立可控辐射源单元40和中央控制器62之间的通信。然而，这种布置的独立可控辐射源单元40可以具有更大的复杂性并因此可能更加昂贵。
在这种布置中，控制系统将是分布式的控制系统，其由在每个独立可控辐射源单元40和中央控制器62中的控制单元61的组合构成。
更换机构50、独立可控辐射源单元40以及容纳位置41可以配置成使得独立可控辐射源单元40可以以特定的想要的精确度安装在光刻设备内。尤其地，可以期望，确保由独立可控辐射源单元40提供的输出辐射束的位置相对于光刻设备的其他部分被定位在大约1μm的精度内。辐射束指向的精确度的控制也可以是需要的。例如，辐射束定位角可以控制在大约1mrad精度内。
在一种实施方式中，独立可控辐射源单元40可以设置有一个或更多个外部参考表面48。这些可以配置成与光刻设备的每一个容纳位置41处的对应的参考表面49配合。因此，例如，参考表面48、49可以配合，也就是相遇(meet)，以便在独立可控辐射源单元40在想要的精度内安装在容纳位置41内时精确地限定独立可控辐射源单元40的外部表面的位置和方向。
虽然如图5示意地示出的布置包括在每个容纳位置处的两个参考表面49，与独立可控辐射源单元40上的对应的一对外部参考表面48配合，但是可以使用替换的布置。尤其地，可以提供一组或更多组附加的对应的参考表面48、49以便在独立可控辐射源安装在容纳位置41内时限定独立可控辐射源单元的外部表面的位置和方向。例如，在如图5示意地示出的布置中，附加的参考表面49可以设置到平行于图中的平面布置的容纳位置41，并且布置成与设置在独立可控辐射源单元40上的对应的外部参考表面48配合以便相对于容纳位置41在垂直于和/或平行于图的平面的方向上限定独立可控辐射源单元40的位置。
在这样的布置中，每个独立可控辐射源单元40可以配置成使得输出辐射束相对于独立可控辐射源单元40的一个或更多个外部参考表面48的位置和/或方向位于所需的容差内。结果，当独立可控辐射源单元40安装在容纳位置41时，输出辐射束相对于容纳位置41的参考表面49和因此相对于光刻设备的其他部分的位置可以在想要的精度范围内。
为了帮助确保独立可控辐射源40的输出辐射束相对于其一个或更多个外部参考表面48的位置和/或方向在想要的容差内，可以在使用之前，即在被放置到光刻设备的容仓52之前，检查独立可控辐射源单元40。此外，独立可控辐射源单元40可以设置有调节机构，例如一个或更多个可移动的光学元件，其可以使得能够基于所述检查来调节独立可控辐射源单元输出的辐射束的位置和/或方向，以便帮助确保其在相对于所述一个或更多个外部参考表面48测量的时候位于所需容差内。
替换地或附加地，更换机构50可以设置有传感器70以测量从独立可控辐射源单元40输出的辐射束的位置和/或方向。例如，传感器70可以测量相对于光刻设备内的固定点或位置的位置。因此，在将独立可控辐射源单元40安装至光刻设备内的容纳位置41的过程期间，更换机构50可以测量从被安装的单元输出的辐射束的位置和/或方向。
更换机构50随后可以配置成在相对于容纳位置41固定独立可控辐射源单元40的位置之前调节整个独立可控辐射源单元的位置和/或方向，直到输出辐射束的位置和/或方向在所需要的容差内为止。与上述的布置相比，这种布置可以降低安装独立可控辐射源单元40的成本。然而，更换机构50的成本和复杂度可能较高。
光刻设备可以借助于上述的系统来进行维护。尤其地，在必要的情况下，可以更换独立可控辐射源单元40。尤其地，所述系统可以使得能够在独立可控辐射源单元40失效之前识别应该被更换的独立可控辐射源单元40，同时还有助于确保在合适的时机更换辐射源单元40，例如在光刻设备的其他停工时间期间，或在图案化辐射束没有投影到衬底上的时间段期间，例如在装载新衬底期间。因此，光刻设备可以在被用于将图案化辐射束投影到衬底上以便在衬底上形成器件的同时进行维护。
根据一种器件制造方法，可以由图案被投影到的衬底制造例如显示器、集成电路或任何其他器件等器件。
根据本发明的另外实施例由以下编号的各个方面提供：
1.一种光刻设备，配置成将图案化的辐射束投影到衬底上，所述光刻设备包括：
多个辐射源单元，每个辐射源单元包括配置成提供图案化的辐射束的一部分的辐射源；
控制系统，配置成监测辐射源单元的至少一个性能参数；和
更换机构，配置成响应于来自控制系统的指令操作以使用替代单元来更换辐射源单元中的至少一个；
其中控制系统配置成，如果判断条件基于辐射源单元之一的所监测的性能参数被满足，则控制更换机构更换至少一个辐射源单元。
2.根据方面1所述的光刻设备，其中控制系统配置成控制更换机构仅更换判断条件基于所监测的性能参数被满足所对应的辐射源单元。
3.根据方面1所述的光刻设备，其中控制系统配置成控制更换机构更换包括判断条件基于所监测的性能参数被满足所对应的辐射源单元的多个辐射源单元。
4.根据方面1-3中任一项所述的光刻设备，其中为至少一个所监测的性能参数设定阈值；和当辐射源单元的所监测的性能参数超过所述阈值时，控制系统确定应该更换该辐射源单元。
5.根据方面4所述的光刻设备，其中为光刻设备中的全部辐射源单元设定对于至少一个性能参数的单个阈值。
6.根据方面4所述的光刻设备，其中为每个辐射源单元设定对于至少一个性能参数的阈值。
7.根据方面6所述的光刻设备，其中对于每个辐射源单元的至少一个性能参数的阈值被设定为当首次安装辐射源单元时所确定的性能参数的初始值的特定比例。
8.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，配置成使得在操作中，存在第一时间段和第二时间段，在第一时间段期间，辐射被投影到衬底上，在第二时间段期间，辐射不被投影到衬底上；和控制系统被配置成使得，当控制系统基于第一时间段期间的监测确定辐射源单元中的至少一个辐射源单元应该被更换时，控制系统控制更换机构在随后的第二时间段更换该至少一个辐射源单元。
9.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，其中由控制系统监测的至少一个参数包括为用以输出给定强度的辐射的辐射源而需要提供给每个辐射源单元的辐射源的电流水平。
10.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，其中由控制系统监测的至少一个参数包括供给至每个辐射源单元的辐射源的电流与由辐射源输出的辐射强度的比值。
11.根据方面9或10所述的光刻设备，其中控制系统包括在辐射源单元外部的电流传感器，所述电流传感器配置成测量提供给辐射源单元的电流。
12.根据方面9-11中任一项所述的光刻设备，其中控制系统包括在辐射源单元外部的辐射强度传感器，所述辐射强度传感器配置成测量由辐射源单元输出的辐射的强度。
13.根据方面9-11中任一项所述的光刻设备，其中每个辐射源单元包括辐射强度传感器，所述辐射强度传感器配置成测量由辐射源输出的辐射的强度并将表示所测量的辐射强度的控制信号提供给控制系统。
14根据方面9或10所述的光刻设备，其中每个辐射源单元包括：
传感器，用以测量提供给辐射源的电流和测量由辐射源输出的辐射的强度；和
控制单元，配置成根据传感器的测量来确定是否已经满足更换辐射源单元的判断条件，
其中光刻设备的控制系统包括中央控制器和辐射源单元的控制单元中的每一个，所述辐射源单元的控制单元配置成当相应的控制单元确定已经满足更换辐射源单元的判断条件时发送控制信号给中央控制器，和
中央控制器配置成控制更换机构以基于来自辐射源单元的控制单元的控制信号更换辐射源单元。
15.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，其中辐射源单元中的每一个是独立可控辐射源单元。
16.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，其中更换机构配置成使得其能够更换任一个辐射源单元。
17.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，包括多个更换机构，每一个更换机构配置成在控制系统的控制下被操作以使用替代单元更换相应的多个辐射源单元中的一个，
其中光刻设备配置成使得每一个辐射源单元能够通过所述多个更换机构中的至少一个来更换。
18.根据方面17所述的光刻设备，其中光刻设备可以配置成使得辐射源单元中的至少一个能够通过所述多个更换机构中的一个来更换。
19.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，还包括容仓，所述容仓配置成存储多个替代辐射源单元，其中更换机构配置成从容仓移除辐射源单元并用它更换已经在光刻设备中使用的辐射源单元。
20.根据方面19所述的光刻设备，其中光刻设备配置成使得容仓内辐射源单元中的任一个能够用于更换光刻设备内所使用的辐射源单元中的任一个。
21.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，还包括处置单元，所述处置单元配置成容纳已经被更换的辐射源单元，
其中更换机构配置成将已经被更换的辐射源单元放置在处置单元中。
22.根据前述方面中任一项所述的光刻设备，其中每个辐射源单元包括至少一个外部参照表面；
光刻设备包括多个容纳位置，所述容纳位置配置成容纳辐射源单元中的相应的一个；和
每个容纳位置包括与辐射源单元的至少一个参照表面互补的至少一个参照表面，并且配置成使得当辐射源单元固定在容纳位置时，所述参照表面相遇使得辐射源单元相对于容纳位置的位置和/或方向与特定的期望的位置和/或方向相符。
23.根据方面22所述的光刻设备，其中每个辐射源单元形成为使得所述单元内的辐射源的位置和/或方向相对于辐射源单元的至少一个外部参照表面被预先确定在预定的精度范围内，可选地，使得任何位置误差小于1μm和/或任何辐射束指向误差小于1mrad。
24.根据方面22或23所述的光刻设备，其中更换机构配置成将替代辐射源单元放置在容纳位置中，使得容纳位置的参照表面与辐射源单元的参照表面相遇。
25.根据方面1-21中任一项所述的光刻设备，包括多个容纳位置，所述容纳位置配置成容纳辐射源单元中的相应的一个，
其中更换机构包括用以确定从辐射源单元输出的辐射束的位置和/或方向的传感器；并且配置成使得，当将替代辐射源单元放置在容纳位置中时，更换机构使用来自传感器的信息以定位辐射源单元使得辐射束相对于容纳位置的位置和/或方向与预定位置和/或方向相符的程度在预定精度范围内，可选地，使得任何位置误差小于1μm和/或任何辐射束指向误差小于1mrad。
26.一种用于维护光刻设备的方法，所述光刻设备包括多个辐射源单元，每个辐射源单元包括配置成提供被投影到衬底上的图案化的辐射束的一部分的辐射源，所述方法包括：
监测辐射源单元的至少一个性能参数；和，
基于监测的结果使用更换机构以替代单元更换辐射源单元中的至少一个；
其中更换机构被操作用以在判断条件基于辐射源单元之一的所监测的性能参数被满足时更换辐射源单元。
27.一种器件制造方法，包括：
使用光刻设备将图案化的辐射束投影到相继的衬底上；和
在使用光刻设备期间使用方面26的方法维护光刻设备。
尽管在本文中具体参照的是将光刻设备用在制造集成电路中，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(例如，一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
术语“透镜”在情况允许的情形中，可以指的是多种类型的光学部件中任一种，包括折射、衍射、反射、磁性、电磁以及静电光学部件或其组合。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。以外，机器可读指令可以以两种或多种计算机程序的形式实现。两种或多种计算机程序可以存储在一个或更多个不同的存储器中和/或数据存储介质中。
上面的说明书是为了说明而不是限制性的。因此，本领域技术人员应该清楚，在不脱离权利要求限定的范围的情况下可以对本发明做出修改。

Claims (19)

1.一种光刻设备，配置成将图案化的辐射束投影到衬底上，所述光刻设备包括：
多个辐射源单元，每个辐射源单元包括配置成提供图案化的辐射束的一部分的辐射源；
控制系统，配置成监测辐射源单元的至少一个性能参数；和
更换机构，配置成响应于来自控制系统的指令来操作以用替代单元更换辐射源单元中的至少一个；
其中控制系统配置成，如果判断条件基于辐射源单元之一的所监测的性能参数被满足，则控制更换机构更换至少一个辐射源单元。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中控制系统配置成控制更换机构更换包括判断条件基于所监测的性能参数被满足所对应的辐射源单元的多个辐射源单元。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的光刻设备，其中为至少一个所监测的性能参数设定阈值；且当辐射源单元的所监测的性能参数超过所述阈值时，控制系统确定应该更换该辐射源单元。
4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中为每个辐射源单元设定对于至少一个性能参数的阈值。
5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中对于每个辐射源单元的至少一个性能参数的所述阈值被设定为在首次安装辐射源单元时所确定的性能参数的初始值的特定比例。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，配置成使得在操作中，存在第一时间段和第二时间段，在第一时间段期间，辐射被投影到衬底上，在第二时间段期间，辐射不被投影到衬底上；和
控制系统被配置成使得，当控制系统基于第一时间段期间的监测确定辐射源单元中的至少一个应该被更换时，控制系统控制更换机构在随后的第二时间段中更换至少一个辐射源单元。
7.根据前述权利要求任一项所述的光刻设备，其中由控制系统监测的至少一个参数包括供给至每个辐射源单元的辐射源的电流与由辐射源输出的辐射强度的比率。
8.根据权利要求7所述的光刻设备，其中每一个辐射源单元包括：
传感器，用以测量被提供给辐射源的电流和用以测量由辐射源输出的辐射的强度；和
控制单元，配置成根据传感器的测量确定是否已经满足更换辐射源单元的判断条件，
其中光刻设备的控制系统包括中央控制器和辐射源单元的控制单元中的每一个，
辐射源单元的控制单元配置成当相应的控制单元确定已经满足更换辐射源单元的判断条件时发送控制信号给中央控制器，和
中央控制器配置成控制更换机构以基于来自辐射源单元的控制单元的控制信号更换辐射源单元。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中每一个辐射源单元是独立可控辐射源单元。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中更换机构配置成使得其能够更换任一个辐射源单元。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，包括多个更换机构，每一个更换机构配置成在控制系统的控制下被操作以用替代单元更换相应的多个辐射源单元中的一个，
其中光刻设备配置成使得每一个辐射源单元能够通过更换机构中的至少一个更换。
12.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，还包括容仓，所述容仓配置成存储多个替代辐射源单元，
其中更换机构配置成从容仓移除辐射源单元并用它更换已经在光刻设备中使用的辐射源单元。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，还包括处置单元，所述处置单元配置成容纳已经被更换的辐射源单元，
其中更换机构配置成将已经被更换的辐射源单元放置在处置单元中。
14.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中每个辐射源单元包括至少一个外部参照表面；
光刻设备包括配置成容纳辐射源单元中的相应的一个的多个容纳位置；且
每个容纳位置包括与辐射源单元的至少一个参照表面互补的至少一个参照表面，并且配置成使得当辐射源单元固定在容纳位置时这些参照表面相遇使得辐射源单元相对于容纳位置的位置和/或方向与特定的期望的位置和/或方向相符。
15.根据权利要求14所述的光刻设备，其中每个辐射源单元被形成为使得该单元内辐射源的位置和/或方向相对于辐射源单元的至少一个外部参照表面被预先确定在预定的精度范围内，可选地，使得任何位置误差小于1μm和/或任何辐射束指向误差小于1mrad。
16.根据权利要求14或15所述的光刻设备，其中更换机构配置成将替代辐射源单元放置在容纳位置，使得容纳位置的参照表面与辐射源单元的参照表面相遇。
17.根据权利要求1-13中任一项所述的光刻设备，包括多个容纳位置，所述容纳位置配置成容纳辐射源单元中的相应的一个，
其中更换机构包括用以确定从辐射源单元输出的辐射束的位置和/或方向的传感器；并且配置成使得，当将替代辐射源单元放置在容纳位置中时，更换机构使用来自传感器的信息以定位辐射源单元使得辐射束相对于容纳位置的位置和/或方向在预定精度范围内与预定位置和/或方向相符，可选地，使得任何位置误差小于1μm和/或任何辐射束指向误差小于1mrad。
18.一种用于维护光刻设备的方法，所述光刻设备包括多个辐射源单元，每个辐射源单元包括辐射源，所述辐射源配置成提供被投影到衬底上的图案化的辐射束的一部分，所述方法包括：
监测辐射源单元的至少一个性能参数；和
基于监测的结果使用更换机构用替代单元更换辐射源单元中的至少一个；
其中更换机构被操作用以在判断条件基于辐射源单元之一的所监测的性能参数被满足时更换辐射源单元。
19.一种器件制造方法，包括：
使用光刻设备将图案化的辐射束投影到相继的衬底上；和
在使用光刻设备期间使用权利要求18所述的方法来维护光刻设备。
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