CN103456752A - Cmos图像传感器及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种器件包括二极管，该二极管包括位于半导体衬底中的第一、第二和第三掺杂区域。第一掺杂区域具有第一导电类型并且具有第一杂质浓度。第二掺杂区域具有第一导电类型并且具有比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。第二掺杂区域围绕第一掺杂区域。第三掺杂区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中第三掺杂区域与第一掺杂区域的一部分和第二掺杂区域的一部分重叠。本发明还公开了CMOS图像传感器及其形成方法。

Description

CMOS图像传感器及其形成方法
本申请要求于2012年5月31日提交的、名称为“CMOS Image Sensorand Methods of Manufacturing Same”、申请号为第61/653,748号的美国临时专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及CMOS图像传感器及其形成方法。
背景技术
图像传感器芯片（包括正面图像传感器芯片和背面照明（BSI）图像传感器芯片）广泛用于诸如照相机的应用中。在图像传感器芯片的形成过程中，图像传感器（诸如光电二极管）和逻辑电路形成在晶圆的硅衬底上，然后在晶圆的正面形成互连结构。在正面图像传感器芯片中，在互连结构上方形成滤色器和微透镜。在BSI图像传感器芯片的形成过程中，在互连结构形成之后，使晶圆减薄，并且在硅衬底的背面形成诸如滤色器和微透镜的背面结构。当使用图像传感器芯片时，光投射到图像传感器上，其中光被转变成电信号。
图像传感器芯片中的图像传感器响应于光子刺激产生电信号。图像传感器的满阱容量（full well capacity）和信噪比最好较大。为了提高图像传感器（诸如光电二极管）的满阱容量和信噪比，可以增加光电二极管的p型和/或n型区域的杂质浓度。但是，这种增加使得图像传感器的一些其他性能退化。例如，由于杂质浓度的增加，可能不利地提高暗电流和白像素性能。此外，由于杂质浓度变高，可能增大光电二极管的漏电流，其中漏电流形成在光电二极管和相邻的隔离区域之间。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种器件，包括：
半导体衬底；
二极管，包括：
位于所述半导体衬底中且具有第一导电类型的第一掺杂区域，其中，所述第一掺杂区域具有第一杂质浓度；
位于所述半导体衬底中且具有所述第一导电类型的第二掺杂区域，其中，所述第二掺杂区域具有比所述第一杂质浓度低的第二杂质浓度，并且所述第二掺杂区域环绕所述第一掺杂区域；以及
位于所述半导体衬底中且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第三掺杂区域，其中，所述第三掺杂区域与所述第一掺杂区域的一部分和所述第二掺杂区域的一部分重叠。
在可选实施例中，所述器件还包括包含所述二极管的图像传感器芯片，所述二极管在所述图像传感器芯片中是光电二极管。
在可选实施例中，所述器件还包括位于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域上方并且与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域接触的第四掺杂区域，其中，所述第三掺杂区域进一步位于所述第四掺杂区域上方并与所述第四掺杂区域接触，以及所述第四掺杂区域具有所述第一导电类型并具有高于所述第一杂质浓度和所述第二杂质浓度的杂质浓度。
在可选实施例中，所述第四掺杂区域与所述第二掺杂区域的第一部分重叠，并且所述第二掺杂区域的第二部分不与所述第四掺杂区域对准。
在可选实施例中，所述器件还包括：栅极电介质，与所述第一掺杂区域的一部分和所述第二掺杂区域的一部分重叠；栅电极，位于所述栅极电介质上方；以及，重掺杂区域，邻近所述栅极电介质，所述重掺杂区域具有所述第一导电类型并通过具有所述第二导电类型的沟道区域与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域分隔开，并且所述沟道区域与所述栅电极重叠。
在可选实施例中，所述器件还包括半导体隔离区域，所述半导体隔离区域包括掺杂有所述第二导电类型的杂质的半导体材料，其中，所述半导体隔离区域围绕所述第二掺杂区域。
在可选实施例中，所述第三掺杂区域与所述半导体隔离区域接触。
根据本发明的另一实施例，还提供了一种器件，包括：
半导体衬底；
栅极电介质，位于所述半导体衬底上方；
栅电极，位于所述栅极电介质上方；以及
光电二极管，位于所述半导体衬底中，其中，所述光电二极管包括：
第一掺杂区域，具有第一导电类型，所述第一掺杂区域具有第一杂质浓度；
第二掺杂区域，具有所述第一导电类型并围绕所述第一掺杂区域，所述第二掺杂区域具有比所述第一杂质浓度低的第二杂质浓度，并且所述栅电极与所述第一掺杂区域的部分和所述第二掺杂区域的部分重叠；以及
第三掺杂区域，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第三掺杂区域与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域重叠。
在可选实施例中，所述第一导电类型是n型。
在可选实施例中，所述器件还包括与所述光电二极管对准的滤色器和微透镜。
在可选实施例中，所述滤色器和所述微透镜位于所述半导体衬底的与所述栅电极相对的一侧。
在可选实施例中，所述第一掺杂区域的底面与所述第二掺杂区域的底面基本齐平。
在可选实施例中，所述第一掺杂区域的底面高于所述第二掺杂区域的底面。
在可选实施例中，所述器件还包括位于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域上方并与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域接触的第四掺杂区域，所述第四掺杂区域具有所述第一导电类型，其中，所述第四掺杂区域还位于所述第三掺杂区域下方并与所述第三掺杂区域接触，并且所述第四掺杂区域具有比所述第一杂质浓度和所述第二杂质浓度高的杂质浓度。
根据本发明的又一方面，还提供了一种方法，包括：
形成包括第一开口的第一注入掩模；
通过所述第一开口注入半导体衬底的第一部分以形成第一掺杂区域；
形成包括第二开口的第二注入掩模；
注入所述半导体衬底的第二部分以形成第二掺杂区域，其中，所述半导体衬底的第一部分被所述半导体衬底的第二部分围绕；以及
注入所述半导体衬底的表面层以形成导电类型与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的导电类型相反的第三掺杂区域，所述第三掺杂区域与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域形成二极管。
在可选实施例中，所述方法还包括：
在所述半导体衬底上方形成栅极介电层；
在所述栅极介电层上方形成栅电极层；以及
图案化所述栅极介电层和所述栅电极层以分别形成栅极电介质和栅电极，其中，所述栅电极与所述第一掺杂区域的一部分和所述第二掺杂区域的一部分重叠。
在可选实施例中，在形成所述栅极介电层和所述栅电极层之后以及在图案化的步骤之前，形成所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域。
在可选实施例中，在形成所述栅极介电层和所述栅电极层之前，形成所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域。
在可选实施例中，所述方法还包括：采用倾斜注入来注入所述半导体衬底以形成导电类型与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的导电类型相同的第四掺杂区域，所述第四掺杂区域与所述第三掺杂区域重叠并接触所述第三掺杂区域，并且所述第四掺杂区域与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域重叠并接触所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域。
在可选实施例中，所述方法还包括：注入所述半导体衬底以形成围绕所述第二掺杂区域的半导体隔离区域。
附图说明
为了更全面地理解实施例及其优点，现在将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中：
图1至图11是根据各种实施例的在制造图像传感器晶圆的中间阶段的截面图和俯视图。
具体实施方式
下面详细论述本发明的实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的构思。所论述的具体实施例是说明性的，而不用于限制本发明的范围。
根据各个实施例，提供了形成图像传感器晶圆/芯片的方法。示出了形成图像传感器晶圆/芯片的中间阶段。论述了实施例的多样性。在所有的各个附图和示例性实施例中，相似的参考标号用于表示相似的元件。
图1示出了图像传感器晶圆20，其包括半导体衬底22。在一些实施例中，半导体衬底22是晶体硅衬底。可选地，半导体衬底22由其他半导体材料诸如硅锗、硅碳、III-V族化合物半导体材料等形成。在一些实施例中，衬底22包括掺杂区域24，其可以轻掺杂为p型。而且，掺杂区域24可以是在初始衬底25上生长的外延区域，并且在外延期间具有原位掺杂的p型杂质。可选地，可以通过注入形成掺杂区域24。在一些实施例中，掺杂区域24是例如具有p型浓度在约1014/cm3和约1017/cm3之间的轻掺杂的p型（P-）区域。形成从衬底22的顶面延伸至衬底22内的沟槽26。
接下来，参照图2，形成并图案化光刻胶28，可以通过光刻胶28中的开口暴露出沟槽26。然后使用作为注入掩模的光刻胶28实施注入或多个注入32。在注入期间，将p型杂质注入至衬底22内，从而形成p型区域30。虽然p型区域30在图2中显示为彼此分离的离散区域，离散区域30可以是整个区域的部分，如图5B中的俯视图所示。p型区域30还被称为场（局部）轻掺杂（FLD）区域。p型区域30可以具有例如在约1014/cm3和约1020/cm3之间的p型杂质浓度。在p型区域30形成之后，去除光刻胶28。
图3示出了隔离区域36和深阱区域40的形成。隔离区域36在下文中还被称为浅沟槽隔离（STI）区域36。STI区域36的形成可以包括将介电材料填充至沟槽26（图2）内，然后实施化学机械抛光（CMP）以去除介电材料的多余部分，该多余部分位于衬底22上方。介电材料的余下部分形成STI区域36。
接下来，形成并图案化光刻胶34。可以通过光刻胶34中的开口暴露出STI区域36。然后实施注入或多个注入38以将p型杂质注入至衬底22内，从而形成深阱区域40。深阱区域40可以具有例如在约1014/cm3和约1020/cm3之间的p型杂质浓度。深阱区域40位于p型区域30下方。p型区域30和深阱区域40在下文中还被称为半导体隔离区域。然后去除光刻胶34。
接下来，参照图4，形成n型区域42。形成工艺包括形成并图案化光刻胶41，将n型杂质注入（由箭头39表示）至掺杂区域24内，然后去除光刻胶41。虽然示出了一个光刻胶41，n型区域42的形成可以包括形成并去除多个光刻胶，然后使用每一个光刻胶作为注入掩模来实施一个或多个n型注入。通过使用一个以上的光刻胶41，可以调整n型区域42的轮廓。例如，当多个光刻胶41中的开口43具有不同的尺寸时，可以使n型区域42的侧壁倾斜，从而n型区域42的下部可以比上部窄或宽。n型区域42在整个不同的深度可以具有基本一致的n型杂质浓度，其意味着n型区域42的顶部、中部和底部可以具有彼此接近的n型杂质浓度。例如，n型区域42中的最高n型杂质浓度与最低n型杂质浓度之间的比值可以小于10。在一些示例性实施例中，n型区域42可以具有例如在约1012/cm3和约1018/cm3之间的n型杂质浓度。在n型区域42形成之后去除光刻胶41。
图5A示出了n型区域46的形成。形成工艺包括形成并图案化光刻胶48，将n型杂质注入（由箭头51表示）至掺杂区域24内，然后去除光刻胶48。虽然示出了一个光刻胶48，n型区域域46的形成还包括形成并去除多个光刻胶，然后采用每一个光刻胶实施一个或多个n型注入。n型区域46在整个不同的深度可以具有基本一致的n型杂质浓度，其意味着n型区域46的顶部、中部和底部可以具有彼此接近的n型杂质浓度。例如，n型区域46中的最高n型杂质浓度与最低n型杂质浓度之间的比值可以小于10。此外，n型区域46可以具有在约1013/cm3和约1019/cm3之间的n型杂质浓度，其高于n型区域域42中的n型杂质浓度。
在一些实施例中，n型区域46的底面46A1与n型区域42的底面42A基本齐平。在可选的实施例中，n型区域46的底面位于46A2所示出的位置，其高于n型区域42的底面42A。在又一可选的实施例中，n型区域46的底面位于46A3所示出的位置，其低于n型区域42的底面42A。此外，n型区域46的横向尺寸W2小于n型区域42相应的横向尺寸W1。横向尺寸W1和W2还分别是光刻胶41和48中的开口的横向尺寸，分别如图4和图5A所示。
在一些实施例中，通过另外的注入（使用其他注入掩模，其未示出）形成另外的n型区域47。n型区域47可以被n型区域46围绕。n型区域47的n型杂质浓度还高于n型区域46的n型杂质浓度。在可选的实施例中，没有形成n型区域47。在又一实施例中，除n型区域47外，还可以形成另外的n型区域（未示出），并且被n型区域47围绕。该另外的n型区域的n型杂质浓度还可以高于n型区域47的n型杂质浓度。
图5B示出图5A中的结构的截面图，其中图5A中的截面图沿图5B中的剖面线5A-5A获得。在n型区域42和46的俯视图中，n型区域42环绕n型区域46。在一些实施例中，如图5B所示，n型区域42和46具有矩形俯视形状。在可选的实施例中，n型区域42和46可以具有任何其他合适的俯视形状，包括但不限于圆形、六边形、八边形等。如图5B所示，n型区域42和46结合在一起形成组合的n型区域，其中n型区域46形成n型区域的内部部分，而n型区域42形成组合的n型区域的外部部分。
在后续制造工艺中，可以具有一些热工艺，其导致n型区域42和46中的杂质向外扩散。但是，在向外扩散之后，从n型区域42的杂质浓度到n型区域46的杂质浓度仍然存在大幅的突然转变，因而n型区域42和46可以区分为是掺杂有不同杂质浓度的单独形成的区域。
参照图6，在衬底22及掺杂区域30、42和46上方形成栅极介电层49和栅电极层50。栅极介电层49可以包含氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、它们的组合、和/或它们的多层。栅电极层50是导电的或半导电的。在一些实施例中，电极层50由多晶硅形成。在可选的实施例中，栅电极层50由其他导电材料，诸如金属、金属硅化物、金属氮化物或它们的组合形成。
图7示出了根据可选的实施例的n型区域42和46的形成。在这些实施例中，在栅极介电层49和栅电极层50形成之后实施n型区域42、46和47的形成。注入的n型杂质因而穿透栅极介电层49和栅电极层50以形成n型区域42、46和47。还示意性地示出了用于注入的相应的光刻胶41和48。虽然光刻胶41和48示出在同一截面图中，然而它们可在不同的时间形成。
图案化栅极介电层49和栅电极层50以分别形成栅极电介质149和栅电极150。图8示出了最后得到的结构。在一些实施例中，实施n型注入54以形成n型区域52，其是衬底22的表面层。在n型注入54期间，进一步注入n型区域42的表面部分和n型区域46的表面部分以形成n型区域52。使注入54倾斜，从而n型区域52延伸到栅电极150下面并且与栅电极150重叠。在相应的结构中，n型区域52与n型区域42示出的左侧部分和n型区域46的一些部分重叠。n型区域52的杂质浓度可以大于n型区域42和46的杂质浓度。n型区域52还可以与n型区域46示出的右侧部分的一部分或全部重叠，其中虚线52A示出了根据各个实施例的n型区域52的右侧边缘的可能部分。在可选的实施例中，没有形成n型区域52，从而后续形成的p型区域56（图9）与n型区域42和46接触。
参照图9，实施p型注入55以形成p型区域56，其覆盖在n型区域52上方并且与n型区域52接触。在n型区域52没有形成的实施例中，p型区域56位于n型区域42和46上方并且与n型区域42和46接触。p型区域56的左侧边缘接触p型区域30并且可以延伸至p型区域30内。p型注入可以是垂直的，以便p型区域56的右侧边缘与栅电极150的左侧边缘对准。可选地，如图9所示，使p型注入55倾斜，以便p型区域56延伸到栅电极150的下方并且与栅电极150重叠。因而形成光电二极管58。光电二极管58包括作为光电二极管58的p侧的p型区域56，和作为光电二极管58的n侧的n型区域42和46（以及n型区域52，如果形成的话）。光电二极管58的n侧与p侧形成p-n结。此外，还可以通过注入步骤形成n型延伸区域59（轻掺杂的漏极/源极区域）。
图10示出了具有作为栅极堆叠件的栅极电介质149和栅电极150的晶体管60的剩余部分的形成。晶体管60的剩余部分还包括重掺杂的n型区域62、硅化物区域64和栅极间隔件70。重掺杂的n型区域62是晶体管60的源极或漏极区域（在下文中被称为源极/漏极区域）。另外，还形成接触塞66、层间电介质（ILD）68、阻隔保护氧化物（Resist Protective oxide，RPO）和接触蚀刻终止层（CESL）72等。
在图10中的最后得到的结构中，掺杂区域24的部分61形成晶体管60的沟道区域。光电二极管58和晶体管60用作同一图像传感器单元的光电二极管和转移栅晶体管。当晶体管60打开时，沟道61充当光电二极管58和源极/漏极区域62之间的电连接。因而，由光电二极管58产生的电荷可以流经沟道61至源极/漏极区域62，可以控制源自源极/漏极区域62的电荷并且将其处理为相应的图像传感器单元的电信号。当晶体管60关闭时，光电二极管58和源极/漏极区域62之间的电连接断开。
根据一些实施例，如图11所示，可以实施一些背面处理以形成晶圆20作为背面照明（BSI）图像传感器晶圆，其包括位于其中的多个图像传感器芯片。处理包括从背面减薄衬底22；形成重掺杂p型层74；形成BSI膜堆叠件76（其可以包括氧化物层、抗反射层、金属栅格等）；形成滤色器78；以及形成微透镜80。在可选的实施例（未示出）中，继续处理步骤以从图11中的结构形成前侧照明图像传感器晶圆，其中在图10中示出的结构上方形成金属层（未示出）、滤色器78和微透镜80。
虽然在示出的实施例中指定掺杂的半导体区域（诸如区域30、40、42、46、47、52、56等）的杂质类型，实施例的教导易于用于具有导电类型与这些掺杂的半导体区域的导电类型相反的器件的形成。
在实施例中，光电二极管58的n型区域包括内部部分46（图11）和围绕内部部分46的外部部分42，其中外部部分42的杂质浓度低于内部部分46的杂质浓度。因此，减少了光电二极管58至半导体隔离区域30和40（图11）的泄露。另一方面，因为外部部分42具有低杂质浓度，因此可以减少p型区域30和40的p型杂质浓度，这导致改进的暗电流和白像素性能。内部部分46的高杂质浓度还导致相应的图像传感器的满阱容量和信噪比较高。
根据实施例，一种器件包括二极管，其包括位于半导体衬底中的第一、第二和第三掺杂区域。第一掺杂区域具有第一导电类型，并且具有第一杂质浓度。第二掺杂区域具有第一导电类型，并且具有比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。第二掺杂区域围绕第一掺杂区域。第三掺杂区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中第三掺杂区域与第一掺杂区域的一部分和第二掺杂区域的一部分重叠。
根据其他实施例，一种器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的栅极电介质和位于栅极电介质上方的栅电极。在半导体衬底中设置光电二极管。光电二极管包括具有第一导电类型并且具有第一杂质浓度的第一掺杂区域、和围绕第一掺杂区域的具有第一导电类型的第二掺杂区域，其中第二掺杂区域具有比第一杂质浓度低的第二杂质浓度。栅电极与部分第一掺杂区域和部分第二掺杂区域重叠。二极管还包括具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第三掺杂区域，其中第三掺杂区域与第一掺杂区域和第二掺杂区域重叠。
根据又一实施例，一种方法包括形成具有第一开口的第一注入掩模；通过第一开口注入半导体衬底的第一部分以形成第一掺杂区域；形成具有第二开口的第二注入掩模；以及注入半导体衬底的第二部分以形成第二掺杂区域。半导体衬底的第一部分被半导体衬底的第二部分围绕。注入半导体衬底的表面层以形成导电类型与第一和第二掺杂区域的导电类型相反的第三掺杂区域，其中第三掺杂区域与第一掺杂区域和第二掺杂区域形成二极管。
尽管已经详细地描述了实施例及其优势，但应该理解，可以在不背离所附权利要求限定的实施例的主旨和范围的情况下，进行各种改变、替换和更改。而且，本申请的范围并不仅限于本说明书中描述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施例。作为本领域普通技术人员根据本发明应很容易理解，根据本发明可以利用现有的或今后开发的用于执行与本文所述相应实施例基本上相同的功能或者获得基本上相同的结果的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求预期在其范围内包括这样的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤。此外，每条权利要求构成单独的实施例，并且多个权利要求和实施例的组合在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种器件，包括：
半导体衬底；
二极管，包括：
位于所述半导体衬底中且具有第一导电类型的第一掺杂区域，其中，所述第一掺杂区域具有第一杂质浓度；
位于所述半导体衬底中且具有所述第一导电类型的第二掺杂区域，其中，所述第二掺杂区域具有比所述第一杂质浓度低的第二杂质浓度，并且所述第二掺杂区域环绕所述第一掺杂区域；以及
位于所述半导体衬底中且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第三掺杂区域，其中，所述第三掺杂区域与所述第一掺杂区域的一部分和所述第二掺杂区域的一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的器件，还包括包含所述二极管的图像传感器芯片，所述二极管在所述图像传感器芯片中是光电二极管。
3.根据权利要求1所述的器件，还包括位于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域上方并且与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域接触的第四掺杂区域，其中，所述第三掺杂区域进一步位于所述第四掺杂区域上方并与所述第四掺杂区域接触，以及所述第四掺杂区域具有所述第一导电类型并具有高于所述第一杂质浓度和所述第二杂质浓度的杂质浓度。
4.一种器件，包括：
半导体衬底；
栅极电介质，位于所述半导体衬底上方；
栅电极，位于所述栅极电介质上方；以及
光电二极管，位于所述半导体衬底中，其中，所述光电二极管包括：
第一掺杂区域，具有第一导电类型，所述第一掺杂区域具有第一杂质浓度；
第二掺杂区域，具有所述第一导电类型并围绕所述第一掺杂区域，所述第二掺杂区域具有比所述第一杂质浓度低的第二杂质浓度，并且所述栅电极与所述第一掺杂区域的部分和所述第二掺杂区域的部分重叠；以及
第三掺杂区域，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第三掺杂区域与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域重叠。
5.一种方法，包括：
形成包括第一开口的第一注入掩模；
通过所述第一开口注入半导体衬底的第一部分以形成第一掺杂区域；
形成包括第二开口的第二注入掩模；
注入所述半导体衬底的第二部分以形成第二掺杂区域，其中，所述半导体衬底的第一部分被所述半导体衬底的第二部分围绕；以及
注入所述半导体衬底的表面层以形成导电类型与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的导电类型相反的第三掺杂区域，所述第三掺杂区域与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域形成二极管。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
在所述半导体衬底上方形成栅极介电层；
在所述栅极介电层上方形成栅电极层；以及
图案化所述栅极介电层和所述栅电极层以分别形成栅极电介质和栅电极，其中，所述栅电极与所述第一掺杂区域的一部分和所述第二掺杂区域的一部分重叠。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述栅极介电层和所述栅电极层之后以及在图案化的步骤之前，形成所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述栅极介电层和所述栅电极层之前，形成所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域。
9.根据权利要求5所述的方法，还包括：
采用倾斜注入来注入所述半导体衬底以形成导电类型与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域的导电类型相同的第四掺杂区域，所述第四掺杂区域与所述第三掺杂区域重叠并接触所述第三掺杂区域，并且所述第四掺杂区域与所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域重叠并接触所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域。
10.根据权利要求5所述的方法，还包括：
注入所述半导体衬底以形成围绕所述第二掺杂区域的半导体隔离区域。
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