CN103429433A

CN103429433A - 包括用于减少基底中表面缺陷的可剥离牺牲层的薄膜

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Publication number: CN103429433A
Application number: CN2012800136513A
Authority: CN
Inventors: 罗伯特·伊夫森; 卡尔·拉科什; 达米安·彼得·塔芬; 多米尼克·霍伊
Original assignee: DuPont Teijin Films US LP
Current assignee: DuPont Teijin Films US LP
Priority date: 2011-03-17
Filing date: 2012-03-13
Publication date: 2013-12-04
Anticipated expiration: 2032-03-13
Also published as: CN103429433B; JP2014514182A; GB201104565D0; WO2012123699A1; JP6526732B2; KR20190094481A; US10106706B2; KR20140017605A; JP6513331B2; EP2686167A1; JP2017105205A; US20140008026A1; KR102130258B1; US11028291B2; EP2686167B1; US20190085216A1

Abstract

包括聚酯基底层和设置在该聚酯基底层的一个或两个表面上的可剥离牺牲层的共挤出双轴取向复合膜，其中，所述可剥离牺牲层包含乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物。

Description

包括用于减少基底中表面缺陷的可剥离牺牲层的薄膜

技术领域

本发明涉及具有可剥离牺牲保护层的聚酯薄膜（特别是聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜），还涉及其生产方法。

背景技术

双轴取向聚酯薄膜的有利的机械性能、尺寸稳定性和光学性能是众所周知的。这些性能使得聚酯薄膜应用于电子和光电子器件（设备）中，所述器件（设备）包括电致发光（EL）显示器件（设备）（特别是有机发光二极管显示（OLED）器件）、电泳显示器件（电子纸）、光电池和半导体器件（通常，如有机场效应晶体管、薄膜晶体管和集成电路）。对于这些和其它应用，有时有必要为深加工聚酯薄膜提供非常光滑且平整的表面，来确保例如随后施加的涂层如导电涂层或阻挡涂层的完整性，以避免其中的开裂或针孔。在柔性电子或光电子显示设备的制造中，例如，可以通过溅射技术将导电层如氧化铟锡（ITO）设置在薄膜基底上，而不均匀的基底表面可以造成导电层的不均匀和/或不连续，取决于电子设备的类型，导致产生例如不均匀的导电性或像素良率问题（pixel yield problems）。

已知通过提供中间平面化层来降低随后施加至基底上的层中的缺陷，例如，如在WO-03/087247-A中所教导的。可选的方法是提供易于从基底表面剥离的可剥离牺牲保护层，以保护基底表面避免在储存或运输过程中损伤、污染和/或破碎。随后，将牺牲保护层从基底剥离以在即将深加工或安装基底之前留下清洁的表面。例如，WO-2009/105427-A披露了包括聚烯烃基底和可剥离层的复合光学补偿薄膜，该可剥离层包含多种含有其它聚烯烃、聚酯、和离子交联聚合物的聚合材料。EP-0345884-A披露了聚碳酸酯板表面上的共挤出可剥离聚烯烃或聚酰胺薄膜以避免损失聚碳酸酯中的挥发性UV稳定剂，以防止生产设备流出大量稳定剂，并且在处理和运输过程中保护聚碳酸酯表面。EP-0663867-A教导了通过涂覆和层压技术为多层聚合本体提供可剥离牺牲层。可剥离表层的其它披露包括US-4540623和US-7396632。然而，现有技术主要集中在防止储存或运输过程中基底表面的外部破碎或物理损坏的需要方面。

期望提供聚酯薄膜，其中，膜的一个或两个表面表现出最小的表面缺陷或无表面缺陷（低的内在工艺缺陷）、和高的表面清洁度（即，低的外部破碎）。

发明内容

根据本发明，提供了共挤出双轴取向复合膜，所述复合膜包括聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的可剥离牺牲层，其中，所述可剥离牺牲层包含乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物；并且其中，聚酯衍生自：（i）一种或多种二醇；（ii）一种或多种芳族二羧酸；和（iii）可选地，一种或多种式为C_nH_2n(COOH)₂的脂族二羧酸，其中n为2至8，其中，基于聚酯中二羧酸组分的总量，所述芳族二羧酸以从约80mol%至约100mol%的量存在于所述聚酯中。

除去可剥离牺牲层后，可以以术语“外在”和“内在”粗糙度描述基底表面的清洁度和光滑度。如在本文中使用的，术语“外在”粗糙度是指由储存和/或运输过程中基底遭受的空气携带（air-borne）碎片和/或装运损坏导致的粗糙度。如在本文中使用的，术语“内在”粗糙度是指存在于基底本身或作为薄膜处理过程结果的粗糙度。基底的内在粗糙度包括由可剥离的牺牲层的出现或除去所引起的任何粗糙度。

根据本发明的复合膜表现出以下优点：

（i）薄膜是通过共挤出制造的，因此它的生产过程比其中将牺牲层施加至完成的基底上的两步法更经济和有效。因此，可剥离牺牲层不仅可从聚酯基底上剥离而且还是与聚酯基底共挤出的。

（ii）在用于制造双轴取向聚酯薄膜的常规条件下，可剥离牺牲层可靠地是可挤出并可加工的，并且是可以以均匀的厚度且没有MD线挤出的。复合膜因此表现出良好的可卷绕性并且能够形成膜的均匀的卷，这是对于一些传统可剥离牺牲层而言的问题。

（iii）可剥离牺牲层易于从聚酯基底剥离，但是界面粘合强度并不会低到使牺牲层在复合膜的制造过程中、储存过程中或运输过程中自然地从基底剥离，这可能是对于传统的可剥离牺牲层而言的问题。此外，传统地可以通过在基底和可剥离层之间使用中间连接层来调节其间的界面粘附，而本发明的优点在于不需要中间连接层，这在制造过程中提供经济效率和工艺效率。

（iv）可剥离牺牲层易于从聚酯基底剥离，特别是在卷对卷（辊对辊）工艺中，剥离时没有在聚酯基底表面留下它本身的剩余物或残余物，另外没有破坏聚酯基底表面，而这对于传统可剥离的牺牲层而言可能成为问题。因此，本发明的可剥离牺牲层表现出简单且干净的剥离。

（v）可剥离牺牲层执行防止聚酯基底在储存或运输过程中损坏或外部破碎的所需功能直到聚酯基底即将被使用或被进一步处理。然而，可剥离牺牲层必须保持，或至少不会显著劣化其下面的聚酯基底的内在表面光滑度，以及基底的其它性能（如浊度）。许多可剥离牺牲层的问题在于它们赋予下面的基底表面显著的附加纹理或粗糙度或其它缺陷，这些缺陷在没有可剥离层的情况下不会出现。例如，然而，本发明人不想被理论所束缚，认为可剥离牺牲层的聚合物基体中存在的凝胶或其它微粒可引起其下面的基底层的凹陷，除去牺牲层后所述凹陷仍然存在。本发明优选的可剥离牺牲层减少了这种问题。

（iv）此外，本发明优选的可剥离牺牲层可以有利地降低薄膜内在表面缺陷。因此，当与不存在可剥离层的相同条件下制造的相同的聚酯基底相比，加工过程中存在可剥离层可以改善聚酯基底的表面光滑度。以下对这种表面缺陷进行了更加详细的讨论，并且所述缺陷包括，例如，可以在薄膜的制造过程中出现的刮擦、夹点缺陷（pinch-point defect）、光滑圆形缺陷、胶化、斑纹、流线、MD线、模具线和处理标记（例如，作为薄膜生产线辊上的表面缺陷的结果）。夹点缺陷是破坏随后施加层的主要来源，因而减少夹点缺陷是本发明的特别目的。与例如光滑圆形缺陷相比，它们对随后施加层具有更大的破坏性影响。

非常出乎意料地，本发明的双轴取向聚酯基底层和EMAA可剥离层表现出这种各种性能的组合。

双轴取向复合膜是自支撑薄膜或薄片，其是指在没有支撑基底的情况下薄膜或薄片能够独立存在。根据本发明，聚酯基底和可剥离层也是自支撑的。

如在本文中使用的，术语“聚酯”包括最简单形式的聚酯均聚物，或化学和/或物理改性的聚酯均聚物。术语“聚酯”进一步包括共聚酯。共聚酯可以是无规共聚酯、交替共聚酯或嵌段共聚酯。在一个优选的实施方式中，组成所述聚酯的一种或多种二羧酸是一种或多种芳族二羧酸。在一个优选的实施方式中，聚酯仅包含一种二醇和一种二羧酸，其优选是芳族二羧酸。

芳族二羧酸优先选自对苯二甲酸，间苯二甲酸，邻苯二甲酸，1,4-、2,5-、2,6-或2,7-萘二甲酸，并且优选对苯二甲酸或2,6-萘二甲酸，优选2,6-萘二甲酸。二醇优先选自脂肪族或环脂族二醇，例如乙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇和1,4-环己烷二甲醇，优选脂肪族二醇。聚酯优选仅包含一种二醇，优选乙二醇。脂族二羧酸可以是琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸或癸二酸。优选的均聚酯是2,6-萘二甲酸或对苯二甲酸与乙二醇的聚酯。本领域技术人员将理解适合在本发明中使用的聚酯是不溶于水的。

聚酯树脂是基底的主要组分，并且构成基底的总重量的按重量计至少50%、优选按重量计至少65%、优选按重量计至少80%、优选按重量计至少90%、并且优选按重量计至少95%。

制造基底的聚酯的特性粘度（IV）通常为至少约0.58、更通常为至少约0.60、并且通常为不超过约0.70。在一个优选的实施方式中，PET聚酯具有从约0.6至约0.65范围内的IV，并且PEN聚酯具有从约0.58至约0.68范围内的IV。在一个可替代的实施方式中，可以由具有较高特性粘度的聚酯制造基底，例如，具有至少约0.70的IV的聚酯，并且在又一个实施方式中，具有至少约0.80，并且通常不超过约0.90的IV的聚酯。

由所述一种或多种二羧酸或它们的低级烷基（不超过6个碳原子）二酯与一种或多种二醇可以获得聚酯。通常，在上达至约295℃的温度下，通过缩聚或酯交换以已知的方式容易地形成聚酯。在一个实施方式中，使用本领域熟知的常规方法，例如，使用流化床如氮流化床或使用旋转真空干燥器的真空流化床，使用固态聚合以将特性粘度提高到期望值。

在一个实施方式中，基底可进一步包含UV吸收剂。UV吸收剂具有比聚酯高得多的消光系数以使由UV吸收剂而不是聚酯吸收大部分的入射UV光。UV吸收剂通常将吸收能以热量消散，从而避免聚合物链的分解，并且改善聚酯对UV光的稳定性。一般地，UV吸收剂是一种有机UV吸收剂，并且适合的实例包括在Encyclopaedia of Chemical Technology,Kirk-Othmer，第三版，John Wiley Sons，23卷，615至627页所披露的那些。UV吸收剂的具体实例包括二苯甲酮类、苯并三唑类（US-4684679、US-4812498和US-4681905）、苯并噁嗪酮类（US-4446262、US-5251064和US-5264539）和三嗪类（US-3244708、US-3843371、US-4619956、US-5288778和WO 94/05645）。UV吸收剂可以结合在根据本文所描述的一种方法的薄膜中。在一个实施方式中，UV吸收剂可化学地结合在聚酯链中。例如，EP-A-0006686、EP-A-0031202、EP-A-0031203和EP-A-0076582描述了将二苯甲酮结合在聚酯中。将上述有关UV吸收剂的文献具体教导的内容通过引用结合于此。在一个特别优选的实施方式中，由三嗪类，更优选由羟基苯基三嗪，特别优选式（II）的羟基苯基三嗪提供本发明中的改善的UV稳定性：

其中，R是氢、C₁-C₁₈烷基、由卤素或C₁-C₁₂烷氧基取代的C₂-C₆烷基、或苄基，并且R¹是氢或甲基。R优选为C₁-C₁₂烷基或苄基，更优选为C₃-C₆烷基，并且特别优选为己基。优选地，R¹为氢。特别优选的UV吸收剂是以Tinuvin^TM1577FF为名的商购自Ciba-Additives的2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-(己基)氧基-苯酚。

相对于基底的总重量，UV吸收剂的量按重量计优选在0.1%至10%、更优选在0.2%至7%、进一步优选在0.6%至4%、特别优选在0.8%至2%、并且更特别优选在0.9%至1.2%的范围内。

基底还可以包含抗氧化剂，其可以作为所述UV稳定剂的附加物或代替物存在。可以使用大范围的抗氧化剂，如通过捕获自由基或通过分解过氧化物起作用的抗氧化剂。适当的自由基捕获型抗氧化剂包括受阻酚、仲芳胺和受阻胺（如Tinuvin^TM770（Ciba-Geigy））。适合的过氧化物分解型抗氧化剂包括三价磷化合物，如亚膦酸酯/盐（phosphonite）、亚磷酸酯/盐（phosphite）（例如，磷酸三苯基酯和亚磷酸三烷基酯）和硫代增效剂（例如，硫代二丙酸的酯，如硫代二丙酸二月桂酯）。优选受阻酚抗氧化剂。优选的受阻酚是以Irganox^TM1010（Ciba-Geigy）之名商购的的四-(亚甲基3-(4′-羟基-3′,5′-二叔丁基苯基)丙酸酯)甲烷。其它适合的商购的受阻酚包括Irganox^TM1035、1076、1098和1330（Ciba-Geigy）、Santanox^TM R（Monsanto）、Cyanox^TM抗氧化剂（American Cyanamid）和Goodrite^TM抗氧化剂（BF Goodrich）。存在于基底中的抗氧化剂的浓度优选在聚酯的50ppm至5000ppm的范围内、更优选在300ppm至1500ppm的范围内、尤其在400ppm至1200ppm的范围内、并且特别在450ppm至600ppm的范围内。可以使用一种以上抗氧化剂的混合物，在这种情况下，混合物的总浓度优选在上述范围内。可以通过常规方法进行将抗氧化剂结合在基底中，并且特别在直接酯化或酯交换反应结束时，在缩聚反应之前，优选通过与获得聚酯的单体反应物混合进行结合。

聚酯基底可进一步包含通常用于聚酯薄膜制造中任意的其它添加剂。因此，可适当加入添加剂如交联剂、染料、填料、颜料、空隙剂、润滑剂、自由基清除剂、热稳定剂、阻燃剂和抑制剂、防粘连剂、表面活性剂、滑动助剂、光泽改良剂、助降解剂（prodegradents）、粘度改进剂和分散稳定剂。可以以常规方式将这些组分引入聚合物中。例如，通过与获得成膜聚合物的单体反应物混合，或者可以通过翻滚混合或干混或通过在挤出机中混合使这些组分与聚合物混合，随后冷却，并且通常粉碎成颗粒或薄片。还可以使用母料技术。

特别地，基底可包含颗粒状填料，其可改善制造过程中的处理和卷绕性，并且可用于调节光学性质。例如，颗粒状填料可以是颗粒状无机填料（例如，金属或类金属氧化物如氧化铝、氧化钛、滑石和二氧化硅（特别是沉淀二氧化硅或硅藻土（diatomaceous silica）和硅胶）；煅烧磁土和碱金属盐如钙和钡的碳酸盐和硫酸盐）。存在的任何无机填料都应该是精细分散的，并且它们的体积分布的中值粒径（相当于所有颗粒体积的50%的等价球径，在关于体积%对颗粒直径（通常称为“D(v,0.5)”值）的累积分布曲线上读出）优选在0.01μm至5μm、更优选在0.05μm至1.5μm、并且特别地在0.15μm至1.2μm的范围内。按体积计优选至少90%、更优选至少95%的无机填料颗粒在体积分布的中值粒径±0.8μm、并且特别地在±0.5μm的范围内。可通过电子显微镜、库尔特粒度仪、沉降分析法和静态或动态光散射测定填料颗粒的粒径。优选基于激光衍射的技术。

通常，由于大部分基底的最终用途要求良好美感的外观，因而聚酯基底是光学透明的。优选基底具有a%的分散可见光（浊度），其不超过15%，优选不超过10%，优选不超过6%，更优选不超过3.5%，更优选不超过1.5%，并且特别地不超过1.0%，和/或至少80%，优选至少85%，更优选至少约90%的可见区（400nm至700nm）光的总透射率（TLT）。在此实施方式中，基底中的任何填料通常仅以少量，按重量计一般不超过层的0.5%，并且优选小于层的0.2%的量存在，并且填料优选为二氧化硅。在此实施方式中，改善了薄膜的卷绕性（即，当薄膜卷绕成卷时，不存在结块或粘连）而没有不能接受的降低浊度或其它光学性能。

在一个可选的实施方式中，基底是不透明的。不透明薄膜优选表现出至少0.4、优选至少0.5、优选至少0.6、优选至少0.7、优选至少1.0并且优选至少1.5的透射光密度（TOD），并且在一个实施方式中优选至少2.0、优选至少3.0、并且优选至少4.0的透射光密度（TOD）。根据需要，不透明薄膜可以是有颜色的，并且在一个实施方式中，基底是白色、灰色或黑色的。适当的增白剂包括如在上文中提及的那些颗粒无机填料、不相容树脂填料、或者两种以上此类填料的混合物。适当的遮光剂（opacifyingagents）包括碳黑，或金属填料如铝粉，如本领域已知的。

聚酯基底的特性粘度通常低于用于制造它的聚酯的特性粘度，并且由聚酯原料制备双轴取向聚酯薄膜的过程中，IV下降可约为0.15，特别是对于具有相对高初始IV的聚酯而言。然而，IV下降通常小于约0.06。在一个实施方式中，聚酯基底的IV至少约0.52，优选至少约0.60，并且通常不超过约0.70。典型地，PET基底具有在约0.57至约0.65范围内的、并且优选至少约0.60的IV。PEN基底具有约0.52至约0.68范围内的、并且优选至少约0.60的IV。在一个可替代的实施方式中，聚酯基底具有较高的特性粘度，例如，具有至少约0.70、优选至少约0.75、并且通常不超过约0.80的IV。

聚酯基底优选地表现出低收缩量，在150℃、30分钟内优选不超过3%、优选不超过2%、优选不超过1.5%、并且优选不超过1.0%，特别是在薄膜的机器方向（纵向维度），并且优选在基底的两个维度（即，纵向维度和横向维度）方向。当进行后续处理调节时，例如可以用于例如制造电子显示设备的涉及升温的加工（如由溅射来沉积随后的层）时，基底不应该经历不可接受的空间扭曲（如卷曲）。

可剥离层包含乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物（并且适当地由乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物组成，或基本上由乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物组成）。在一个优选的实施方式中，甲基丙烯酸以共聚物的约2wt%至约15wt%范围内的量、更优选以约2wt%至约10wt%、并且优选以约7wt%至约10wt%范围内的量存在于共聚物中。在一个可选的实施方式中，甲基丙烯酸以从约2wt%至约7wt%的范围内的量存在于共聚物中。共聚物优选是支链的且是随机的。合适的EMAA共聚物包括树脂（DuPont），特别是

grades0411HS和0908HS。可选地，共聚物已经部分或完全与金属盐反应，在链中的酸基团之间或相邻的链之间形成离子性交联。这种共聚物被称为离子交联聚合物，在本文中限定为主要由非极性重复单元与较小比例（通常不超过约15wt%）的含金属盐的甲基丙烯酸单元组成的聚合物。优选的离子交联聚合物是被碱金属或锌部分地或完全中和的乙烯和甲基丙烯酸的共聚物。合适的可商购的化合物包括

树脂（DuPont），特别是1605和1652等级。金属阳离子通常选自碱金属如锂和钠。还可以使用锌或镁。典型地，金属阳离子以不超过约15mol%的量存在。优选地，EMAA共聚物不是离子交联聚合物且不包含金属离子。

在一个优选的实施方式中，EMAA共聚物的熔融温度为至少约90℃、并且优选不超过约250℃、优选不超过约200℃、优选不超过约150℃、更优选不超过约120℃。在进一步优选的实施方式中，EMAA共聚物的维卡（VICAT）软化点为至少约60℃、并且通常在从约60℃至约110℃的范围内，更通常在从约70℃至约100℃的范围内。

通过本领域熟知的常规共挤出技术完成形成复合膜。一般地说，方法包括在从约280℃至约300℃的范围内的温度下挤出熔融聚合物的层、使挤出物骤冷（淬火）并使骤冷（淬火）后的挤出物取向的步骤。可以通过本领域已知的用于生产取向膜的任何方法（例如，管状方法或平膜方法）进行取向。通过在薄膜平面内两个互相垂直的方向上拉拔进行双轴取向，以获得机械性能和物理性能的满意的组合。在管状方法中，可以通过以下步骤进行同时双轴取向：挤出热塑性聚合物管，该管随后被骤冷（淬火）、重新加热，然后通过内部气压膨胀以诱导横向取向，并且以诱导纵向取向的速度退出。在优选的平膜法中，将通过狭缝式模具挤出成膜聚合物并且迅速在低温铸鼓上骤冷（淬火）以确保将基底聚酯骤冷（淬火）成无定形态。随后，通过在高于基底聚酯的玻璃化转变温度的温度下以至少一个方向拉伸骤冷（淬火）后的挤出物进行取向。可以通过以下步骤进行连续取向：首先一个方向上通常是纵向，即，通过薄膜拉伸机的前进方向上拉伸展平的骤冷（淬火）后的挤出物，然后在横向拉伸。经过一系列的旋转辊或在两对夹辊之间来方便地实现挤出物的向前拉伸，然后可以在展幅设备中实现横向拉伸。通常拉伸会使得取向膜在拉伸方向或每一拉伸方向上的尺寸是其初始尺寸的2至5倍、更优选2.5至4.5倍。典型地，在高于聚酯的T_g，优选高于T_g约15℃的温度下进行拉伸。如果只需要在一个方向上取向，则可以使用较大的拉伸比（例如，上达至约8倍）。不是必须在机器方向和横向进行相等的拉伸，尽管这是要求平衡的性能所优选的。

拉伸的膜可以是，并且优选在高于基底聚酯的玻璃化转变温度但低于它们的熔融温度的温度下、在尺寸支撑下通过热固定而尺寸稳定的，以诱导需要聚酯的结晶。在热固定过程中，可以在横向方向上（TD）通过称为“内束”（toe-in）的操作进行小量的尺寸松弛。内束可包括2%至4%的尺寸收缩，但是由于要求低的线张力并且薄膜控制和卷绕成为问题，因此难以实现处理或机器方向（MD）上类似尺寸的松弛。根据薄膜的组成和要求的最终的热收缩，实际的热固定温度和时间将改变，但是不应选择使得薄膜韧性如耐撕裂性（tear resistance）显著降低的温度和时间。在这些约束下，通常期望为约180℃至245℃的热固定温度。热固定之后，通常将薄膜迅速骤冷（淬火）以诱导要求基底聚酯的结晶性。

在一个实施方式中，可通过使用在线松弛阶段（on-line relaxationstage）进一步稳定薄膜。可替代地，可以离线进行松弛处理。在此另外的步骤中，在低于热固定阶段的温度下加热薄膜，并且使用降低很多的MD和TD张力。由薄膜经受的张力是低张力，并且基于薄膜宽度，通常小于5kg/m、优选小于3.5kg/m、更优选在1kg/m至约2.5kg/m的范围内、并且通常在1.5kg/m至2kg/m的范围内。对于控制薄膜速度的松弛过程，薄膜速度的降低（以及因此应变松弛（strain relaxation））通常在0至2.5%、优选在0.5%至2.0%的范围内。在热稳定步骤中在薄膜的横向维度上没有增加。用于热稳定步骤的温度可根据所要求的最终薄膜性能的组合而不同，较高温度给出较好的（即较低）的剩余收缩性能。通常期望135℃至250℃、优选150℃至230℃、更优选170℃至200℃的温度。加热持续时间将取决于所使用的温度，但是通常在10秒至40秒的范围内，优选使用20秒至30秒的持续时间。可通过多种方法进行此热稳定处理，方法包括平面和垂直构造，并且亦或为分离的加工步骤的“离线法”，亦或为薄膜连续制造方法的“在线法”。由此加工的薄膜与在没有这种热固定后松弛的情况下生产的薄膜相比将表现出较小的热收缩。

亦或通过多孔口模具的独立孔口同时共挤出各成膜层，其后使仍处于熔融状态的层结合；亦或优选地，通过单通道的共挤出，其中各聚合物的熔融流首先在连接至模具歧管的通道内结合，其后在流线流动且没有混合的条件下从模具孔口一起挤出从而产生多层薄膜，该膜如以上所述进行取向和热固定。因此，本领域技术人员会理解将可剥离牺牲层直接设置在所述聚酯基底的一个或两个表面上，即，没有任何中间层。

复合膜的厚度优选在从约5μm至约750μm的范围内，并且更优选不超过约500μm，并且通常在约12μm至250μm之间。基底层的厚度优选在从约5μm至约500μm的范围内，并且通常在约12μm至300μm之间。可剥离层的厚度优选在从约2μm至约200μm的范围内，并且通常不超过约100μm，并且通常在约5μm至50μm之间，并且在优选的实施方式中在约5μm至25μm之间。优选地，基底层构成复合膜的总厚度的大于50%、优选至少60%、优选至少70%、并且优选至少80%，但是通常不超过为总厚度的约95%。在一个实施方式中，基底层构成约75%至约95%的复合膜的总厚度。可剥离层通常最终成为废膜，并且如果该层太厚就会使其变得不经济，但是可剥离层必须具有足够的厚度和机械强度使其能够容易且干净地剥离。

如在本文中测定的，可剥离牺牲层对聚酯基底的粘合强度使得剥离力优选在约5gF至约250gF（克力）的范围内，优选至少约10gF、优选至少约20gF、优选至少约35gF、通常至少约50gF、并且通常不超过约200gF。

在本发明中，去除可剥离层之后，主要通过两种方法分析聚酯基底的内在表面粗糙度。

分析内在“微观粗糙度”的第一种方法，即，主要表面缺陷之间的背景表面粗糙度，如在本文中所描述的进行测定，并且优选地由常规参数Ra和/或Rq表征。优选地，聚酯基底表现出小于10nm、优选小于7nm、优选小于5nm、优选小于2nm和优选小于1nm的Ra值。

分析内在“微观粗糙度”的第二种方法使用分析主要内在表面缺陷的大面积度量衡。聚酯基底中主要的内在表面缺陷可分为如下缺陷（1）至（3）：

（1）由聚酯基底内的内含物引起的缺陷，例如，这种缺陷可由存在填料、微晶、降解物和凝胶（通常为具有不同于本体聚合物母体的分子量或流变性的难处理聚合物的区域（例如，交联的、支化的或降解的聚合物））引起，并且这种缺陷可被分类为“夹点”（pinch-point）缺陷和“光滑圆形缺陷”：

（a）以中央顶点两侧碗状凹陷为特征的夹点缺陷（参见图1A）。认为这种缺陷由位于基底表面相对较近的位置处的包含物引起，并且在薄膜制造的拉伸步骤中产生较大的局部应力/应变（stress/strain）区域。

（b）以没有碗状凹陷的中央顶点为特征的光滑圆形缺陷（参见图1B）。认为这种缺陷由位于基底内相对较深的位置处的包含物引起。

（2）以中央碗状凹陷（有时伴随碗状凹陷周围区域隆起）为特征的凹陷（参见图2）。发明人认为这种缺陷主要由可剥离牺牲层的瑕疵（如胶化特征或类胶化特征）引起。

（3）以球形表面特征或凸脊的延长区域（有时与隆脊两边的浅谷相关）为特征的类胶化特征或斑纹（参见图3）。发明人认为这种缺陷由挤出事件引起，如由模唇边缘流体扰动和挤出的降解聚合物引起。

一旦去除可剥离的牺牲层，聚酯基底优选表现出以下内在表面粗糙度性能的一种或多种，特别地其中通过以上（1a）、（1b）、（2）和（3）定义的主要内在表面缺陷评价内在表面粗糙度，并且其中将峰高值表示为本文中限定的Rp参数，并且将碗状凹陷深度值表示为本文中限定的Rv参数，并且在如下文描述的LAM技术中通过相位移干涉测量法（PSI）或垂直扫描干涉测量法（VSI）测定参数：

（i）具有高于和/或低于（如本文中定义的）薄膜平面大于约0.25μm且小于约30μm的与膜平面成直角的垂直振幅（即，波峰和波谷）的所有缺陷的数量（N_DT），为每31×33cm薄膜表面积不超过1000个、优选不超过750个、优选不超过500个、优选不超过约400个、优选不超过约300个、优选不超过200个、优选不超过100个、优选不超过75个、优选不超过50个、并且优选不超过25个。

（ii）具有大于约0.25μm且小于约30μm的峰高的夹点峰（1a）的数量（N_PP）为每31×33cm薄膜表面积不超过100个、优选不超过80个、优选不超过70个、优选不超过60个、优选不超过50个、优选不超过40个、优选不超过30个、并且优选不超过20个。

（iii）具有大于约0.25μm且小于约30μm的类胶化特征或斑纹（3）的数量（N_GS）为每31×33cm薄膜表面积不超过10个、优选不超过5个、优选不超过2个、并且优选0个。

（iv）参数（N_DT）的改进（Δ-N_DT）（相对于在没有可剥离层的情况下制造的聚酯基底对照），其中将Δ-N_DT定义为

[对照基底的N_DT]/[本发明的可剥离基底的N_DT]

Δ-N_DT优选至少为2、优选至少为4、优选至少为6、优选至少为7、优选至少为10。

（v）参数（N_PP）的改进（Δ-N_PP）（相对于在没有可剥离层的情况下制造的聚酯基底对照），其中Δ-N_PP定义为：

[对照基底的N_PP]/[本发明的可剥离基底的N_PP]

Δ-N_PP至少为2、优选至少为4、优选至少为6、优选至少为7、优选至少为10。

（vi）参数（N_GS）的改进（Δ-N_GS）（相对于在没有可剥离层的情况下制造的聚酯基底对照），其中Δ-N_GS定义为：

[对照基底的N_GS]/[本发明的可剥离基底的N_GS]

Δ-N_GS至少为2、优选至少为4、优选至少为6、优选至少为7、优选至少为10。

如果需要，本文中描述的用于测定内在微观粗糙度的技术还可用于测定归因于外在粗糙度的缺陷的水平（lateral）尺寸。在本文中将这种外在缺陷定义为具有正形态（即，薄膜平均表面水平以上的特征）且基本上没有负形态（即，薄膜平均表面水平以下的特征）的不规则形状特征。如果需要，可在每31×33cm薄膜表面积具有大于7.14μm的最小水平尺寸的外在缺陷（如以上定义）的数值（N_E）方面表征薄膜，并且在如下文中所描述的LAM技术中通过单帧干涉测量法（SFI）测定所述数值。

本发明的复合膜可有利地用于需要表现出高清洁度和高光滑度的高质量、无缺陷聚酯基底的任何应用中。因此，复合膜可有利地用于提供清洁的聚酯基底，基底适用于制造电子或光电设备如电致发光（EL）显示器件（特别是有机发光二极管显示（OLED）器件）、电泳显示器件（电子纸）、光电（PV）池和半导体器件（通常如有机场效应晶体管、薄膜晶体管和集成电路），特别是制造柔性设备。其它应用包括提供光学薄膜、医疗装置和装饰性膜。

随后施加的层可以是阻挡层，即，向气体和溶剂渗透提供高阻力的层，通常在升高的温度下以溅射法施加阻挡层。阻挡层可以是有机或无机的，对于沉积在其上的层应该表现出良好的亲和性，并且能够形成光滑表面。例如，在US-6198217中披露了适用于形成阻挡层的材料。

随后施加的层可以是通常在升高的温度下以溅射方法施加的导电层。

根据本发明进一步的方面，提供了将包含乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物的层用作在共挤出双轴取向的复合膜中的可剥离牺牲层，所述复合膜进一步包括如在本文中所描述的聚酯基底层，其中，所述EMAA层设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上。

根据本发明的进一步的方面，提供了使用包含乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物的层作为共挤出双轴取向复合物可剥离的牺牲层，所述复合膜进一步包含如在本文中所描述的聚酯基底层，其中，所述EMAA层设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上用于以下目的：

（i）在运输和/或储存过程中，保护所述聚酯基底层表面免于损坏和/或污染和/或破碎；和/或

（ii）相对于在除了没有所述可剥离牺牲层外的相同条件下制造的相同聚酯基底，降低所述聚酯基底的内在表面缺陷。

根据本发明的进一步的方面，提供了在运输和/或储存过程中保护基底表面免于损坏和/或污染和/或破碎的方法，所述方法包括以下步骤：

（i）提供包括聚酯基底层和设置在它的一个或两个表面上的可剥离牺牲层的共挤出双轴取向复合膜，所述可剥离牺牲层包含如在本文中所定义的乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物；和

（ii）在使用或深加工所述基底之前，从所述基底除去所述可剥离牺牲层。

根据本发明的进一步的方面，提供了减少施加至基底的功能层（特别是导电层或阻挡层）中缺陷的方法，所述方法包括以下步骤：

（i）提供包括聚酯基底层和设置在它的一个或两个表面上的可剥离牺牲层的共挤出双轴取向复合膜，所述可剥离牺牲层包含如在本文中所定义的乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物；

（ii）从所述基底上除去所述可剥离牺牲层；和

（iii）将所述功能层施加在所述基底上。

根据本发明的进一步的方面，提供了源自由本文所定义的并且已经除去所述可剥离牺牲层的共挤出双轴取向复合膜的电子或光电设备（器件）、光学薄膜、医疗装置或装饰性膜。

根据本发明的进一步的方面，提供了包括聚酯基底层的电子或光电设备（器件），其中，所述聚酯基底层源自包括聚酯基底层和设置在它的一个或两个表面上的可剥离牺牲层的共挤出双轴取向复合膜，所述可剥离的牺牲层包含如在本文中所定义的乙烯-甲基丙烯酸（EMAA），其中，在结合入或制造所述电子或光电设备（器件）之前或过程中，已经将所述可剥离牺牲层从所述复合膜除去。

根据本发明的进一步的方面，提供了制造电子或光电设备（器件）、光学薄膜、医疗装置或装饰性膜的方法，所述方法包括以下步骤：

（ii）在所述电子或光电设备（器件），或者医疗装置中使用所述基底前，或者在所述光学薄膜或装饰性膜中使用所述基底前，或将使用所述基底用作所述光学薄膜或装饰性膜之前，将所述可剥离牺牲层从所述基底除去。

电子或光电设备（器件）可进一步包括设置在所述聚酯基底上的阻挡层或导电层。特别感兴趣的电子或光电设备（器件）选自电致发光（EL）显示器件（特别是有机发光二极管显示（OLED）器件）、电泳显示器件（电子纸）、光电（PV）池和半导体器件（通常，如有机场效应晶体管、薄膜晶体管和集成电路），特别是柔性设备。

性能测量

以下分析用来表征本文中所描述的薄膜：

（i）根据标准测试方法ASTM D1003，使用M57D球形浊度仪（Diffusion Systems）通过测定穿过薄膜总厚度的总透光率（TLT）和浊度（散射透射可见光的百分数（%））来评价透明度。

（ii）使用麦克白密度仪TR927（获自Dent and Woods Ltd,Basingstoke,UK）在透射模式下测定透射光密度（TOD）。

（iii）根据ASTM D5225-98（2003），通过溶液粘度测定法在25℃下在Viscotek^TM Y-501C对比粘度计（例如，参见Hitchcock,Hammons-Yauin American Laboratory(August1994)″The dual-capillary method formodern-day viscometry″）上使用按重量计0.5%的聚酯在邻氯酚中的溶液测定特性粘度，并且使用Billmeyer单点法来计算特性粘度（单位：dL/g）。

η=0.25η_red+0.75(lnη_rel)/c

其中：

η=特性粘度（dL/g），

η_rel=相对粘度，

c=浓度（g/dL），并且

η_red=比浓粘度（reduced viscosity）（dL/g），其等于（η_rel-1）/c（也表示为η_sp/c，其中η_sp为比粘度）。

（iv）评价在相对于薄膜的机器方向和横向方向的特定方向上切割并标记的用于目测的、尺寸为200mm×10mm的薄膜样品的热收缩。样品的较长尺寸（即，200mm尺寸）对应于要测试收缩的薄膜方向，即，对于评价机器方向的收缩，将测试样品的200mm尺寸沿着薄膜的机器方向取向。在将样品加热至150℃的预定温度（通过将其放置在该温度下的加热烘箱中）并保持30分钟的间隔后，将其冷却至室温并手动再次测量它的尺寸。计算热收缩并表示为原始长度的百分率。

（v）取决于所使用的聚合物，在本文中根据ASTM D1238或ISO-1133测定熔体流动指数（MFI）。根据ASTM D1238，在190℃的温度和2.16kg的质量下分析在本发明中使用的EMAA共聚物。对于在本发明中使用的EMAA共聚物，适合的MFI的范围在从约0.5g/10min至约50g/10min、优选从约1g/10min至约25g/10min、通常从约2g/10min至约20g/10min、并且更通常从约2g/10min至约15g/10min的范围内。

（vi）由Mercer122D标准尺测定层厚度。

（vii）MD线是由不佳的薄膜厚度轮廓和/或卷轴屈曲引起的卷轴上的局部高点或环形带。模具线是机器方向上的直线，在成膜过程中模具线保持在熔体的相同位置上。流线是在成膜过程中不会保持在熔体的相同位置上的机器方向或横向的线，它们被认为是由引起聚合物结壳（curtain）中扰动的聚合球形凝胶（交联的）的瞬时存在或迁移出现引起的。由肉眼（即，没有显微镜）通过外观检查定性评估薄膜中存在的这些缺陷中的每一缺陷。

（viii）在薄膜中划痕是低幅度（通常上达至约1000nm深并且上达至约1000nm宽）的细长的凹陷。它们被认为是由薄膜制造中所使用的模具或滚筒的不完整性引起的，或由薄膜处理引起的。在本文中，将划痕分类为内在表面缺陷，并且通过光学显微镜（放大2.5×）定性评估它们在薄膜中的存在。当然，由储存或运输过程中的装运损坏引起的外在表面缺陷也可以包括薄膜表面的划痕，但在本文中没有测定这种缺陷。

（ix）使用手剥离测试初步评估可剥离性，其中用剪刀切断可剥离的薄膜以协助分层，然后通过手拉使可剥离层脱离基底。此粗糙测试对适合于进行进一步分析和研究的薄膜提供了廉价的初步表明。薄膜的分级如下：

等级1：整体除去可剥离层，在基底上没有残存可剥离层中的残余物的迹象。

等级2：整体除去可剥离层，在基底上留下可见的残余物斑点。

等级3：当剥离时，可剥离层破碎。

等级4：可剥离层不能从基底上除去。

（x）如下在SST-3密封强度测试仪（RDM测试仪器）上测定剥离力。使用厚薄膜工具从网状物上切割10mm宽的薄膜条。如果可剥离层是良好粘附的，将一块胶带（Tesa4104）用于从PET基底掀起可剥离层。然后，将可剥离层附着于设备上钳口（upper jaw）的双面胶带上，并且将PET基底附着于下钳口的双面胶带上。将钳口移动分开前的读数设定为零，然后钳口以240mm/min移动分开。记录所记录的用于分离层的力（克力）的峰值。结果是三次测量的平均值。在样品之间重新设定装置以重新设定峰。

（xi）使用本领域中熟知的使用常规非接触、白光、相位移干涉测量技术、使用采用波长604nm的光源的Wyko NT3300表面轮廓仪表征选定的远离任何主要表面缺陷的视场（以下定义的）中基底表面的“微观粗糙度”。参照WYKO表面轮廓仪技术参考资料手册（Veeco Process Metrology,Arizona,US,June1998；将其公开通过引用结合于此），使用此技术可获得的特性数据包括：

平均参数-粗糙度平均值（Ra）：在评价区域内测得的和从平均表面测得的高度偏差的绝对值的算术平均值。

平均参数-均方根粗糙度（Rq）：在评价区域内测得的和从平均表面测得的高度偏差的均方根平均值。

峰-谷值（PV₉₅）：可从正表面高度和负表面高度作为称为平均表面平面的表面高度的函数的频率分布中获得此参数。数值PV₉₅是峰-谷高度差，其包括分布曲线（通过略去最高和最低的2.5%的数据点）中的95%的峰-谷表面高度数据。PV₉₅参数提供了表面高度的总峰-谷扩展的统计显著的度量。

根据常规技术，相对于样品表面面积的平均水平或“平均表面”测量了粗糙度参数和峰高值。（聚合薄膜表面不可能是完全平坦的，并且经常具有穿过其表面的平缓起伏。平均表面是一种平面，其中心地穿过波动和表面高度偏离，划分轮廓，使得在平均表面之上和之下存的体积相等。）通过在表面轮廓仪的“视场”内扫描薄膜表面的离散区域（在主要缺陷之间且远离主要缺陷）来进行表面轮廓分析。可以使用离散视场，或通过扫描连续视场以形成阵列来分析薄膜样品。本文进行的分析利用了WykoNT3300表面轮廓仪的全分辨率，其中每个视场包括480×736个像素。为了测量Ra和Rq，使用具有50倍放大率的物镜来提高分辨率。得到的视场具有90μm×120μm的尺寸，像素尺寸为0.163μm。将在表面面积的相同部分上五次连续扫描的结果合并以给出平均值。使用10%的调制阈值（使用者决定的基于最小可接受的信噪比的参数）进行测量，即，低于阈值的数据点被确定为不可靠数据。

（xii）使用Wyko SSP9910单帧干涉仪通过大面积计量法（LAM）分析基底表面的微观粗糙度，所述干涉仪还配备有PSI和VSI能力以达到对于最大轮廓峰高（Rp）和最大轮廓碗状凹陷磨损深度（Rv）的参数的值（如在平均表面测定的，定义为在评价区域中最高峰（或碗状凹陷/波谷）的高度（或深度））。薄膜的测量面积为31×33cm。

该技术的第一步为：以SFI（单帧干涉测量）模式进行测量来产生低放大率（×2.5）图以确定在研究的薄膜区域中主要缺陷的位置。在SFI模式中，将调制阈值设置为1%，并且将截止阈值（选择定义组成主要缺陷的最小垂直振幅的另一个使用者决定的参数）设置在平均表面以上0.25μm。技术人员将理解与SFI模式中的峰面积相比，一些横向较小的缺陷像素尺寸较大，因此，由于较大的像素区域，在此低放大率下测定的峰高（在像素内平均）加权向下。因此，将SFI模式中的内在缺陷定义为具有至少0.25μm的峰高和跨越大于2个相邻像素（1像素=3.57μm）的那些；并且将外在缺陷视为跨越至少3个相邻但不一定是共直线的像素（在至少一个横向尺寸中为7.14μm）的那些。在本文中，根据反射率曲线区分内在和外在缺陷（外在缺陷表现出不同于聚酯基质的反射率曲线，并且通常显示出较低的反射率）。还可以根据缺陷的横向剖面区分内在和外在缺陷。技术的第一步产生薄膜表面中所有使用者定义的缺陷的（x,y）-坐标系。

该技术的第二步为：在相位移干涉测量（PSI）模式或垂直扫描干涉测量模式（VSI）中使用相同设备复查薄膜表面以产生高放大率（×25）图。技术人员将理解PSI模式通常适用于其中相邻像素之间的高度差不会导致数据丢失的较光滑的表面。相反，VSI模式更适用于相对粗糙的表面以避免这种数据丢失。在第二步中，仪器回访通过在第一步中确定的（x,y）-坐标系所确定的缺陷，以产生关于已确定主要缺陷位于其中的薄膜样品的那些区域的更精确信息，并且主要内在表面缺陷是此时的主要兴趣。在PSI模式中，将截止阈值设置在平均表面以上0.25μm，并且将调制阈值设置为10%。在VSI模式中，将截止阈值也设置在0.25μm，并且将调制阈值设置为0.2%。在PSI模式中，相对较高的调制阈值意味着可从“数据丢失”区域推断出外在缺陷。内在缺陷被认为是覆盖至少9个相邻但不一定共直线的像素（1像素=0.35μm）的那些，并且峰高至少为0.25μm。本文所描述的N_DT值、N_PP值和N_GS值由PSI扫描或VSI扫描（视情况而定）而获得，并且尤其由PSI扫描获得。

（xiii）使用XPS和静态SIMS光谱学，分别采用Kratos″Axis Ultra″仪器和Ion-Tof″ToFSIMS IV″仪器进行进一步表面分析。分析的目的在于确定剥离可剥离层后聚酯基底上的可剥离牺牲层中的任何残余物的存在。

X射线电光子光谱（XPS）是测量存在于材料中的元素组成、经验式、元素的化学和电子状态的定量光谱技术。通过使用X射线照射材料激发材料来获得XPS光谱同时测量动能以及从材料的顶部1至10nm发射的电子数目。检测极限为在1000个原子中约为1个原子（除H，即，0.1原子百分数或1000ppm）。次级离子质谱法（SIMS）是涉及使用初级离子束溅射材料表面并且分析发射的次级离子的技术。将质谱仪用于测定次级离子以确定材料表面的元素组成和/或分子组成。静态SIMS是用于材料表面原子单层分析的方法，并且具有约1nm的典型采样深度。通常，SSIMS不用作独立分析的定量技术，但可有效地用于通过分析峰面积比率来比较一系列类似样品的表面，所述峰面积比率作为存在于那些表面的确定物质相对量的测量。通过切断和撕破涂覆聚酯基底来产生新鲜的剥离表面。分析剥离的两面。使用清洁的不锈钢剪刀从主要用于分析的样品（ca.10cm×15cm）中切出小块（ca.1cm×1cm）。使用小块无硅酮双面胶带，将用于分析的样品固定在合适的试样架上。一直使用清洁的不锈钢镊子，处理用于分析的样品。对于XPS分析，使用单色化的Al kαX射线，从约300μm×700μm的椭圆区域记录数据。以160eV的通过能记录全谱扫描以确定表面上存在的所有元素；这些结果也用于定量表面的组成。也以20eV的通过能记录高分辨率光谱以确定具体元素的化学环境。以相对原子百分数组成给出结果。计算与测定的原子百分数组成（X）有关的、原子百分数单位中的扩展不确定度（Y），用于使用表达式为Y=mX+c（其中，m=0.027和c=0.14）全谱扫描条件分析的聚合物和有机材料。所报导的扩展不确定度基于标准不确定度乘以k=2的覆盖系数，提供约95%的置信水平。对于SSIMS分析，从每一在所有情况下具有上达至m/z 2000的高质量分辨率（m/Δm约6000）样品的新鲜区域记录正和负离子谱。

（xiv）根据ASTM D3418，通过差示扫描热法（DSC）测定熔融温度。

（xv）通过ASTM D1525测定维卡软化点。

具体实施方式

通过以下实施例来进一步说明本发明。实施例并不用来限制如上所述的本发明。可以对细节进行更改而不偏离本发明的范围。

实施例

实施例1至23

尝试制造具有AB层状结构的一系列共挤出薄膜。包含未填充PET的聚合物组合物与一系列聚合物（见表1）共挤出，在冷却的滚筒上注塑，可选地，预热至80℃至81℃的温度，并且在挤出方向伸展至约为其初始寸的3.4倍。在可能的情况下，将薄膜加热至约95℃的温度，使其通过110℃的温度的展幅机，在此将薄膜在其横向方向拉伸到其原始尺寸的约3.6倍，然后，通过在三个限定温度（225℃、225℃和190℃）的区域内连续加热来热固定双轴取向的薄膜（采用常规方法以10.8m/min的薄膜卷速度，在三个区域中的每一区域停留时间约为40秒）。表1描述了制造方法和生成的薄膜。

表1

用于层A的聚合物的熔体流动指数的测试方法为：

(a)ASTM D1238；使用190℃的温度和2.16kg的质量

(b)ISO 1133；使用230℃的温度和2.16kg的质量

(c)ISO 1133；使用200℃的温度和5kg的质量

(d)ASTM D1238；使用200℃的温度和5kg的质量

可制造双轴取向复合膜，其表现出适当的机械强度且在制造过程中有很小或没有层内分层，使用本文描述的手动剥离测试对薄膜进行分析。在此测试中，实施例1至4和9满足等级1；实施例5满足等级2；而将其余的实施例分级为等级3或4，或者为不能够制造出双轴取向复合膜。然后，根据本文所描述的方法测定实施例1至5和9的剥离力，并将结果列于以下表2中。

剥离之后，立即测定了实施例1至5和9的聚酯基底的浊度、TLT和Ra，并将结果报导于以下表2中，连同测定了由相当于实施例的基底的单层PET薄膜组成的对照薄膜。实施例1至5的浊度值为优异，而实施例9的浊度相当差。同样地，实施例1至5的表面微观粗糙度的Ra值都相较实施例9的Ra值低得多，表明聚丙烯可剥离层在复合膜的制造或储存过程中，或者在实施剥离的过程中不利地附加一些额外的纹理或粗糙度或其它缺陷。

如在本文所描述的，通过光学显微镜评估薄膜表面上存在的划痕。对照薄膜的表面表现出大量的划痕，而实施例1至5和9的新鲜剥离的表面显示无刮擦。

表2

实施例	手动剥离测试（等级）	剥离力（克力）	TLT(%)	浊度(%)	Ra(nm)
						对照	-	-	84.6	0.47	0.98
1	1	202	84.9	1.51	0.8
						2	1	63.8	86.6	1.09	4.01
3	1	176	85.2	0.64	3.31
						4	1	60	85.4	0.81	1.33
5	2	29	85.5	1.5	-
						9	1	5.3	85.3	9.55	81.4

实验证明EMAA可剥离层独特且出乎意料地显示出需要的组合性能。

通过在上文中所描述的XPS和SSIMS技术也分析了实施例1和2的薄膜，以确定在剥离可剥离层后即刻存在于基底上的任何化学残余物。在两种分析中，对于实施例1或实施例2，没有在PET基底上发现可剥离层的任何化学残余物的证据。

在XPS分析中，新鲜剥离的PET基底表面的化学成分（测定为相对原子百分数组成）和高分辨率光谱符合那些通常观察到的PET薄膜。因此，新鲜剥离表面的碳的相对原子百分数的测量水平落在PET表面72.0-76.4原子%的典型的范围内。新鲜剥离的PET基底表面的C1s和O1s高分辨率光谱也为典型的干净的PET，示出在预期比例内的C-C、C-O、O-C=O。

在SSIMS分析中，从新鲜剥离的PET基底表面记录的光谱与原始PET层存在的相一致。

实施例24至26

特别地，通过在上文中所述的LAM技术测定内在表面粗糙度进一步的研究了来自于第一系列实验的EMAA涂覆的实施例。实施例25（0908HS）和实施例26（Nucrel0411HS）为根据实施例1和2制造的共挤出薄膜。实施例24是组成共挤出双层PET薄膜的对照实施例，在所述PET薄膜中，两个层具有与实施例1中的基底层的相同组成，另外，以与实施例1相同的方式进行处理。实施例24的总厚度和每层厚度与实施例25和26中的共挤出薄膜中的那些厚度相同，以便提供类似的处理条件。因此，实施例24的薄膜由薄PET层A和厚PET层B组成。在通过手动剥离牺牲层EMAA层后，直接分析实施例25和26中的聚酯基底表面。在制造之后，直接分析对照实施例24中的聚酯基底的薄PET层A表面。在以下表3中示出结果。由PSI扫描获得N_DT值、N_PP值和N_GS值。使用实施例24作为对照薄膜来计算实施例25和26中的Δ-N_DT值、Δ-N_PP值和Δ-N_GS值。以标准成膜流程制造所有这三个实施例，并且没有采用特别步骤以提供清洁的环境或减少空气中的尘埃和碎片的量。

表3

实施例	N_DT	Δ-N_DT	N_PP	Δ-N_PP	N_GS	Δ-N_GS	N_E
								实施例24	2796	-	366	-	43	-	76
实施例25实施例26	718443	3.96.3	6354	5.86.8	00	→∞→∞	1336

表3中的数据表明可剥离层不仅保护聚酯基底免于外在破碎（和由这种外在破碎引起的损伤），而且所述可剥离层还出乎意料地改善（即，降低）了基底的内在表面粗糙度。

实施例27和28

使用LAM技术进一步研究了EMAA涂覆的实施例。实施例27为进一步的对照实施例，并且由与在（对照）实施例24中的共挤出双层膜中的PET层具有相同组成的未填充PET的单层组成。实施例28是对应于实施例26的共挤出薄膜，所述薄膜包括与实施例27中的未填充PET相同的基底层和可剥离牺牲层Nucrel

0411HS。在实施例27和28的PET层具有相同的厚度，并且由相同（主要）的挤出机获得。如前且在通过手动剥离牺牲层后立即分析实施例28中的PET基底的表面，然后，与在制造后立即进行分析的实施例27中的PET单层薄膜的表面比较。结果呈现于以下表4中。由于在薄膜制造过程中采用了另外的步骤以提供清洁的环境，表4中的绝对缺陷值低于表3中的值。然而，数据证实了从实施例24和26的比较中观察到的出乎意料的结果。

表4

实施例	N_DT	Δ-N_DT	N_PP	Δ-N_PP	N_GS	Δ-N_GS	N_E
								实施例27	94	-	22	-	33	-	36
实施例28	81	1.16	4	5.5	1	33	6

。

Claims

1.一种共挤出双轴取向复合膜，所述复合膜包括聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的可剥离牺牲层，其中，所述可剥离牺牲层包含乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物；并且其中所述聚酯衍生自：（i）一种或多种二醇；（ii）一种或多种芳族二羧酸；和（iii）可选地，一种或多种式C_nH_2n(COOH)₂的脂族二羧酸，其中n为2至8，其中，基于所述聚酯中二羧酸组分的总量，所述一种或多种芳族二羧酸以80mol%至100mol%的量存在于所述聚酯中。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其中，所述甲基丙烯酸以所述共聚物的约2wt%至约15wt%的范围存在于所述EMAA共聚物中。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜，其中，所述EMAA共聚物是一种包含较少比例的含金属盐单元的甲基丙烯酸的离子交联聚合物。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述EMAA共聚物是选自乙烯和用金属阳离子部分或完全中和的甲基丙烯酸的共聚物的离子交联聚合物。

5.根据权利要求3或4所述的薄膜，其中，所述金属选自碱金属、镁和锌。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述基底层的厚度在约5μm约500μm的范围内和/或所述可剥离层的厚度在约2μm至约200μm的范围内。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述可剥离牺牲层对所述聚酯基底的粘合强度使得剥离力在从约20gF至约250gF的范围内。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述基底具有不超过15%的浊度和/或至少80%的可见区光（400nm至700nm）的总光透射（TLT）。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述聚酯基底表现出在150℃下30分钟以上不超过3%的收缩。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，组成所述聚酯的一种或多种所述二羧酸是一种或多种芳族二羧酸，并且一种或多种所述二醇选自一种或多种脂族和环脂族二醇。

11.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述基底的聚酯选自聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜，其中，所述聚酯基底表示出小于10nm的Ra。

13.一种在运输和/或储存过程中保护基底的表面免于损伤和/或污染和/或破碎的方法，所述方法包括以下步骤：

（i）提供共挤出复合膜，所述复合膜包括聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的根据权利要求1至12中的任一项所述的可剥离牺牲层；和

14.一种减少施用至基底上的功能层中的缺陷的方法，所述方法包括以下步骤：

（i）提供共挤出复合膜，所述复合膜包括聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的根据权利要求1至12中的任一项所述的可剥离牺牲层；

（ii）从所述基底上除去所述可剥离牺牲层；和

（iii）将所述功能层施用在所述基底上。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述功能层是导电层或阻挡层。

16.一种电子或光电设备、光学薄膜、医疗装置或装饰性膜，源自如权利要求1至12中的任一项所限定的共挤出双轴取向复合膜，已经从所述复合膜除去所述可剥离牺牲层。

17.一种包括聚酯基底层的根据权利要求16所述的电子或光电设备，其中，所述聚酯基板层源自共挤出复合膜，所述复合膜包括所述聚酯基底层和设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上的根据权利要求1至12中的任一项所述的可剥离层，其中在结合入所述电子或光电子设备中或制造所述电子或光电子设备的之前或过程中，从所述复合物移除所述可剥离牺牲层。

18.一种进一步包括阻挡层或导电层的根据权利要求16或17所述的电子或光电设备，其中，将所述阻挡层或导电层设置在所述电子或光电设备中的所述聚酯基底上。

19.一种根据权利要求16、17或18所述的电子或光电设备，选自电致发光（EL）显示器、电泳显示器、光电池和半导体器件。

20.包含乙烯-甲基丙烯酸（EMAA）共聚物的层作为共挤出双轴取向复合膜中的可剥离牺牲层的用途，所述复合膜进一步包括如在权利要求1至12中的任一项所限定的聚酯基底层，其中，将所述EMAA层设置在所述聚酯基底层的一个或两个表面上。