CN103424686A - 用于测试集成电路的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于测试集成电路的系统和方法。根据实施例，一种测试集成电路的方法包括：经由第一输入引脚接收集成电路上的电源电压；经由该第一输入引脚向布置在集成电路上的电路提供电力；将电源电压与内部生成的电压作比较；基于该比较来生成数字输出值；以及将数字输出值施加到集成电路的引脚。

Description

用于测试集成电路的系统和方法
技术领域
本发明通常涉及电子电路和方法，并且更具体地涉及用于测试集成电路的系统和方法。
背景技术
因为一些移动电话现在被配置成跨多个频带使用多个标准来进行操作，所以在移动通信系统中的越来越多的频带和标准增加了移动电话的设计复杂度。此外，移动电话还可以包括全球定位系统（GPS）接收器。在很多移动电话中，通过在可以使用天线开关耦合到单个天线的多个信号路径内使用多个射频（RF）发射器和接收器来实现这些多个频带和标准。然而，在移动电话内引入越来越多的频带可能造成与由于在移动电话的电路内和在天线开关本身内产生失真产物而导致的干扰有关的一些问题。
在一些情况下，可以使用在集成电路基板上布置的一个或多个MOS开关晶体管来实现这些天线开关。为了最小化失真产物，可以将MOS开关晶体管的基板偏置成负电压，和/或可以使用一个或多个升压电路诸如电荷泵电路来将栅极驱动电话驱动为在本地可用电源电压以上。根据一般的实践，对天线开关进行测试以确保功能和性能。一种测试RF开关的方式是以DC验证其总功能。然而，这样的测试可能没有检测到在正常操作条件下可能使RF开关的RF性能劣化的开关晶体管或升压电路中的缺陷。
发明内容
根据实施例，一种测试集成电路的方法包括：经由第一输入引脚接收集成电路上的电源电压；经由该第一输入引脚向布置在该集成电路上的电路提供电力；将该电源电压与内部生成的电压作比较；基于该比较生成数字输出值；以及向集成电路的引脚施加该数字输出值。
在以下的附图和描述中阐述了本发明的一个或多个实施例的细节。从描述和附图中并且从权利要求书中，本发明的其他特征、目的和优点将是显而易见的。
附图说明
为了更全面地理解本发明及其优点，现在对结合附图进行的下面描述进行参考，在附图中：
图1图示了传统RF开关电路；
图2图示了配置成测量电压调节器的输出电压的实施例RF开关电路；
图3a-b图示了用于电压调节器测试的实施例测试波形；
图4图示了配置成执行基板电压测量的实施例RF开关；
图5图示了配置成执行调节器输出电流测量的实施例RF开关；
图6图示了配置成执行基板电流测量的实施例RF开关；
图7图示了配置成执行基板漏电检测测量的实施例RF开关；以及
图8图示了耦合到实施例被测器件的实施例测试系统。
在不同图中相应的数字和符号通常指相应的部件，除非另外指示。附图被绘制以明确地图示优选实施例的相关方面，并且不必按比例绘制。为了更清楚地图示特定实施例，指示相同结构、材料或处理步骤的变化的字母可以在图号之后。
具体实施方式
以下详细讨论本优选实施例的做出和使用。然而，应当认识到，本发明提供了可以在各种特定背景中实现的很多可应用的发明概念。所讨论的特定实施例仅仅说明用于做出和使用本发明的特定方式，并且不限制本发明的范围。
将关于特定背景（即测试天线开关）中的优选实施例来描述本发明。本发明还可适用于诸如RF基带开关和放大器的其他电路和系统的可测试性。
图1图示了传统CMOS RF开关100的框图。NMOS开关晶体管102耦合到输入端口RFIN和输出端口RFOUT。ESD电阻器104和106分别耦合到输入端口RFIN和输出端口RFOUT以提供ESD保护。驱动器110经由栅极电阻器107来驱动开关晶体管102的栅极。栅极电阻器107可以用于确保开关晶体管102的栅极对于栅极电阻器107的电阻以及开关晶体管102的栅源和栅漏电容的1/RC时间常数以上的频率来说是“浮置”的。栅极在较高频处所看到的该高阻抗使得能够在超过晶体管102的阈值电压的信号幅度处保持晶体管导通和截止。通过低压差（LDO）调节器108提供驱动器110的正电源端子Vpos，并且通过电荷泵112来提供驱动器110的负电源端子Vneg。此外，开关晶体管102的基板电压Vsub可以被偏置为负电压。为了图示的清楚，仅示出了一个开关晶体管102，然而天线开关可以具有多个开关晶体管。例如，根据特定的系统及其规格，典型的RF开关可以具有在5个和12个之间的RF输入以及在1个和3个之间的RF输出。实施例系统和方法可以应用于的RF开关系统和方法的其他示例在2011年12月11日提交的标题为“System and Method for a Radio Frequency Switch”美国专利申请序列号13/325,860中进行了描述，该申请的全部内容通过引用合并于此。
一种用于增强RF CMOS开关的谐波性能的方法是施加接近特定器件的可靠性准则可安全地容许的最大栅源电压的栅源电压。然而，如果超过该限制，则即使稍微增加的栅电压也可能导致长期的器件损坏。另一方面，如果栅源电压过低，则在开关的操作期间可能产生更高的失真。
因为外部电源电压通常具有宽的电压容限，例如10%，所以片上电压调节器和电荷泵可以用于产生控制电压。此外，因为在诸如蜂窝电话的高容量消费商品中使用的很多天线开关中芯片面积和引脚数受限制，所以不提供额外测试焊盘以对在很多高容量部件中的内部调节器和其他内部控制电压生成电路的性能进行测试。这样，通常采用间接测试来对电路进行测试，诸如图1中示出的电路。例如，一种可以用于测试LDO调节器电压的传统方法是测量器件的电源电流和RF开关晶体管102的插入损耗。在一些情况下，可能需要例如0.4V的一些裕度来避免超过开关器件的最大允许栅源电压。
在实施例中，使用片上比较器来测量与电源电压和/或从电源电压得到的电压有关的参数。例如，在一些实施例中，比较器可以具有耦合到电源分压的参考输入和耦合到被测电压的测量输入。在测试期间，可以通过如下精确地控制电源电压：在生产测试期间在电源引脚上使用Kelvin（开尔文）连接以在进行测量的同时将电源电压控制为精密容限。通过使得可经由以其他方式专用于芯片的操作的串行接口获得比较器的输出，可以在集成电路上没有专用测试引脚的情况下实现对内部电压和电流的测试。
在一些实施例中，可以通过在测试期间使输入参考电压或电源电压斜变（ramp）来执行分检（go-no-go）测试，使得可以获得更准确的参数。替代地，可以使用更复杂的模数转换器来实现更快的测量时间。比较器或模数转换器的输出可以连接到耦合到接口总线的数据寄存器。此外，该接口总线可以根据已知的标准串行接口并且使用非标准接口来进行操作，已知的标准串行接口诸如串行外设接口（SPI）、RF前端移动产业处理器接口RFFE-Mipi或者其他接口标准。替代地，可以用例如并行接口的其他类型的数字接口来实现接口总线。
图2图示了根据本发明的实施例的RF开关IC 120。与图1类似，RF开关IC 120具有开关晶体管102、LDO调节器108、串行接口114、电荷泵112和栅极驱动器110。IC 120还具有比较器122，由电阻器R1和R2构成的第一分压器耦合在VDD和GND之间，以及由电阻器R3和R4构成的第二电阻分压器耦合在调节器输出Vpos和接地之间。在实施例中，第二分压器的输出向LDO调节器108提供反馈电压Vfb，并且第一分压器的输出Vref可以用作用于比较器122的参考电压。替代地，可以直接地或经由另一分压电路来测量LDO调节器108的输出，和/或VDD可以直接用作参考电压。比较器122的输出被示出为经由信号Vselftest耦合到串行接口114。可以使用本领域中已知的电路设计技术来构造LDO调节器108、电荷泵112、栅极驱动缓冲器110、比较器122和串行接口114，并且这里将不详细描述。此外，LDO调节器108可以从主芯片电源、逻辑电源、专用电源或其他类型的电源接收其电力。
在实施例中，LDO调节器108以大约1.5V的Vreg产生调节电压，该调节电压用作栅极驱动器110的正电源并且用作用于电荷泵112的输入参考电压。电荷泵112进而生成大约-3V的基板电压Vsub和大约-1.5V的负栅极驱动电压Vneg。在一些实施例中，开关晶体管102被制造在耦合到电压Vsub的隔离阱中。该隔离阱可以布置在半导体基板内。在一些实施例中，电源电压VDD可以标称地设置在大约2.5V和大约5V之间。替代地，LDO调节器108和电荷泵112可以根据具体应用及其规格生成其他电压范围中的其他电压。VDD的操作范围还可以具有不同的标称操作范围。
在实施例中，通过将反馈电压Vfb与电源分压Vref作比较来测量LDO调节器108输出电压Vpos。可以通过在引脚VDD处施加预定电压并且经由串行接口114监视比较器122的输出来验证电压Vpos。在实施例中，可以使电源电压VDD斜变，以便更精确地确定电压Vpos，如图3a和图3b中所示。
应当认识到，图2的RF开关实施例仅仅是可以使用实施例系统和方法进行测试的系统的一个示例。在本发明的替代实施例中，可以实现其他系统。例如，在一个实施例中，LDO调节器108的输出可以用于向主IC电源、逻辑电源或向其他类型的电源提供电力。在其他实施例中，LDO调节器108的输出可以用于对一个或多个特定电路进行供电。
图3a-b图示了波形图，该波形图示出了在电压调节器反馈电压Vfb、电源分压Vref、比较器122输出电压Vselftest和在图3a-b中表示为Vin的电源电压之间的关系。当Vin从1V增加到5V时，分压Vref示出了从0.24V到1.2V的相应增加。对于直到大约2.3V的输入电压，反馈电压Vfb线性向上增加，并且然后当LDO调节器108进入其顺从范围（compliance range）时开始在大约0.8V处达到平稳。比较器122输出电压Vselftest在大约3.2V输入电压下从逻辑低转变为逻辑高，这大体上与Vref具有约等于Vfb的电压的点相对应。替代地，比较器122可以以低电平有效（active low）的模式进行操作，并且当Vref超过Vfb时从逻辑高转变为逻辑低。这发生的点是当Vpos=Vin*(R2*(R3+R4))/(R4*(R1+R2))，其中R1、R2、R3和R4表示图2的R1、R2、R3和R4的电阻值，并且Vpos是图2的LDO调节器108的输出电压。
在实施例中，缩放分压器电阻器，使得R1=3R2并且R3=R4。可以使用具有在大约100kΩ和大约1MΩ之间的值的多晶硅电阻器来实现R1至R4。替代地，可以根据具体应用及其规格来使用其他电阻器类型、分量值和/或比率。此外，在一些实施例中，比较器122包括滞后以便减少在Vref非常接近Vfb时的比较器振动。可以使用施密特触发器或本领域中已知的其他电路技术来实现这样的滞后。在本发明的替代实施例中，还可以使用匹配的二极管、二级管连接的CMOS晶体管或其他器件来实现电阻器R1至R4。
在实施例中，串行接口114可以控制RF开关晶体管102，以便减少接口引脚的数目。串行接口114还可以控制IC 120的其他方面。例如，串行接口可以经由信号Venable来启用或禁用LDO调节器108，和/或通过经由控制信号Vctrl激活栅极驱动器110来控制RF开关晶体管102的状态。
在一些实施例中，经由电阻器104和106来将开关晶体管102的源极和漏极偏置为接地，使得系统在不使用隔直电容器（DC blocking capacitor）的情况下是可操作的。替代地，可以在一些实施例中使用隔直电容器。为了进一步增强RF开关晶体管102的截止特性，电荷泵112可以用来将基板电压Vsub偏置为负电压。
图4图示了使用比较152来进一步测量基板电压Vsub的实施例系统150。在实施例中，在VDD和Vsub之间耦合由电阻器R5和R6构成的另一分压器。可以通过改变VDD并且监视比较器152的输出来测量电荷泵112的输出电压Vsub。在其他实施例中，电阻器R5和R6还可以耦合在调节的电压Vpos和Vsub之间。
图5图示了使用电流测量电路161来测量LDO调节器108的输出电流的实施例系统160，该电流测量电路161包括放大器164和电阻器R7-R11以及比较器162，比较器162的输出经由信号Vselftest_current耦合到串行接口114。通过电阻器R11的电流可以被转换成与Vref作比较的电压VM。在实施例中，可以通过扫描VDD并且经由串行接口114监视比较器162的输出来确定通过R11的电流。可以提供电阻器R12和电容器C1来使电流测量电路与电荷泵112解耦合。
在一些情况下，晶体管的轻微栅极损害（例如，由于过电压而导致）可能引起轻微增加的漏电流，而不立即影响器件的RF性能。这样的增加的漏电流可能由初始的器件缺陷或者由在制造之后（例如，在器件处理期间）发生的ESD事件而造成。一种可以检测这样的漏电的方法是通过测量基板电流漏电。
图6图示了实施例系统170，在该实施例系统170中使用由放大器174和电阻器R20-R24构成的电流测量器件171以及比较器172来测量从电荷泵输出Vsub到开关晶体管102的基板连接的基板漏电流，比较器172的输出经由信号Vselftest_subcurrent耦合到串行接口114。在实施例中，通过扫描VDD并且经由串行接口114监视比较器162的输出来测量基板电流。
可以检测开关晶体管102的器件失效所用的另一方式是通过在将负电压施加到开关晶体管102的基板的同时，在DC条件下监视开关晶体管102的栅电压或源电压。在一些器件失效的情况下，由电荷泵112生成的负电压Vsub从而将晶体管102的源极和/或漏极拉到负电压。在图7的实施例中，IC 180包括将RFOUT处的电压与接地电势作比较的比较器182。
在一个实施例中，RFOUT处的电压经由R30和C2耦合到比较器182的输入。这些组件提供了RFOUT的低通滤波版本，并且在比较器182的输入处提供了ESD保护。替代地，可以将电压Vstest与例如大约-0.5V的电压的轻微负电压作比较，或者可以将电压Vstest与由在VDD和诸如Veg和Vsub的生成的负电压之间耦合的分压器所生成的可变电压作比较。替代地，可以使用除了-0.5V的其他阈值电压。在实施例中，如果电压Vstest被确定为小于比较器182的阈值电压，则认为开关晶体管102被损坏。可以经由串行接口114来监视比较器182的状态。
在采用多个开关晶体管的实施例中，可以在每个RF开关晶体管上单独执行漏电测试，并且每个测试的结果由内部分检逻辑来解释。在这样的实施例中，每个开关的源极和/或漏极可以被复用到比较器182。替代地，可以使用多个测试比较器。
应当理解，图2、图4、图5、图6和图7中示出的实施例并不互相排斥，并且可以以各种组合来组合在一起。例如，一个实施例器件可以包括测试电路，该测试电路被配置成执行对LDO调节器108的输出、LDO调节器108的输出电流、由电荷泵112生成的输出电压、开关晶体管102的基板电压的实施例测试，并且通过监视开关晶体管102的源极和/或漏极来执行实施例器件漏电测试。
图8图示了耦合到被测器件204的测试系统202。在实施例中，被测器件204可以是实施例天线开关集成电路，该实施例天线开关集成电路具有将输入信号IO2、IO3、IO4和IO5耦合到公共输出信号IO1的MOS开关208、210、212和214。串行接口/LDO调节器/电荷泵电路控制开关208、210、212和214，并且包含这里的实施例中描述的实施例测试电路。测试系统202具有测试接口电路220、数模转换器（D/A）222和测试控制器224。在实施例中，测试控制器224向被测器件204中的块206提供测试数据和测试时钟信号，并且向测试接口220和D/A转换器222提供控制信号。在测试期间，D/A转换器222可以向被测器件204提供电源电压VDD，并且测试接口220可以监视耦合到被测器件204的信号IO1、IO2、IO3、IO4和IO5和/或向该信号IO1、IO2、IO3、IO4和IO5提供测试电压。
在一些实施例中，测试系统202可以驻留在晶片测试器、集成电路测试器或用于测量被测器件204的性能的其他测试系统中。替代地，测试系统202可以驻留在板级测试器上和/或驻留在目标系统中，以便提供对被测器件204的功能测试或诊断支持。
根据实施例，一种测试集成电路的方法包括：经由第一输入引脚接收集成电路上的电源电压；经由该第一输入引脚向布置在集成电路上的电路提供电力；将电源电压与内部生成的电压作比较；基于该比较来生成数字输出值；以及将数字输出值施加到集成电路的引脚。在一些实施例中，向电路提供电力可以包括：向主电源提供电力或者向逻辑电源提供电力。
在一些实施例中，将电源电压与内部生成的电压作比较通过比较器或者模数转换器来执行。此外，将电源电压与内部生成的电压作比较可以通过使用电阻分压器对电源电压进行划分来执行，或者通过将电源电压与内部电压调节器的节点作比较来执行。在实施例中，内部电压调节器的节点可以是内部电压调节器的反馈电压。
在实施例中，将电源电压与内部生成的电压作比较包括：将电源电压与电荷泵的输出电压作比较，并且将电源电压与电荷泵的输出电压作比较可以包括：将电源分压与电荷泵输出分压作比较。
在一些实施例中，该方法进一步包括：基于内部电流来产生内部生成的电压。该内部生成的电压可以通过将在内部调节器电路的输出和内部调节器电路的负载之间的电流转换成内部生成的电压来产生。在一些实施例中，内部调节器电路的负载可以是电荷泵。
根据其他实施例，一种测试MOS开关的方法包括：将MOS开关的基板泵送为负电压；将MOS开关的输出节点与参考电压作比较；以及当MOS开关的输出节点小于参考电压时，确定失效测试条件。在实施例中，MOS开关的基板可以包括布置在半导体基板中的阱。
根据另一实施例，一种集成电路包括第一电路、数字接口、数据转换器，该数据转换器具有耦合到电源电压的第一输入、耦合到第一电路的第二输入以及耦合到数字接口的输出，其中，数字接口在测试模式中是可读取的。数据转换器可以包括比较器，和/或数字接口可以包括串行接口。
在一些实施例中，第一电路包括电压调节器，数据转换器的第一输入经由分压器耦合到电源电压，并且数据转换器的第二输入耦合到调节器的反馈电压。数字接口可以被配置成指示数据转换器在测试模式中的输出状态。
在实施例中，第一电路包括电压调节器，数据转换器的第一输入经由分压器耦合到电源电压，集成电路进一步包括与电压调节器的输出串联耦合的电流测量电路，并且数据转换器的第二输入耦合到电流测量电路的输出。在一些实施例中，电流测量电路包括差分放大器，该差分放大器具有耦合到电流测量电阻器的输入。
在实施例中，第一电路包括电荷泵，数据转换器的第一输入经由第一分压器耦合到电源电压，并且数据转换器的第二输入耦合到电荷泵的输出。数据转换器的第二输入可以经由第二分压器来耦合到电荷泵的输出，该第二分压器耦合在电源电压和电荷泵的输出之间。
在实施例中，第一电路包括电荷泵，数据转换器的第一输入经由第一分压器耦合到电源电压，集成电路进一步包括与电荷泵的输出和半导体开关的基板连接串联耦合的电流测量电路，并且数据转换器的第二输入耦合到电流测量电路的输出。
根据另一实施例，一种集成电路包括半导体开关、数字接口、比较器，该比较器具有耦合到参考电压的第一输入、耦合到半导体开关的基板连接的第二输入以及耦合到数字接口的输出。参考电压可以小于或等于接地电压。在实施例中，数字接口被配置为基于比较器是否指示基板连接的电压大于参考电压来指示是否存在第一故障条件。该第一故障条件可以包括基板漏电条件。
根据另一实施例，集成开关系统包括：电压调节器、数字接口、电源输入、电荷泵、RF开关和测量接口电路。测量接口电路可以包括比较器，该比较器具有耦合到电源输入的第一输入、耦合到参数测量节点的第二输入以及耦合到数字接口的输出。数字接口包括串行接口，并且RF开关可以包括多个RF开关。
在实施例中，比较器的第一输入经由分压器耦合到电源输入，并且比较器的第二输入耦合到电压调节器的反馈节点。在一些实施例中，比较器的第一输入经由分压器耦合到电源输入，并且测量接口电路进一步包括与电压调节器的输出串联耦合的电流测量电路。比较器的第二输入可以耦合到电流测量电路。
在实施例中，电流测量电路包括与电压调节器的输出串联耦合的电阻器以及放大器，该放大器具有耦合到电阻器的第一端子的正输入、耦合到电阻器的第二端子的负输入以及耦合到比较器的第二输入的输出。
在实施例中，比较器的第一输入经由分压器耦合到电源输入，并且测量接口电路进一步包括电流测量电路，该电流测量电路与电荷泵的输出和RF开关的基板连接串联耦合。
在一些实施例中，比较器的第一输入经由第一分压器耦合到电源输入，并且比较器的第二输入耦合到第二分压器，该第二分压器耦合在电荷泵的输出和电源输入之间。
一些实施例的优点包括下述能力：在不必使用专用测试引脚的情况下，通过使用外部电源电压作为参考，在器件级生产测试期间以及板级应用测试期间，监视集成电路的内部电压和电流。一些实施例有利地允许对内部生成的参考基准和/或泄漏电流与规定范围的小偏差的检测，该小偏差稍后可能产生现场失效和/或性能劣化。在一些情况下，这些内部生成的参考基准和/或泄漏电流可能另外不是直接或间接可得到用于测量。
依赖于电阻器、二极管和/或CMOS分压器而不是依赖于片上生成的电压的实施例的优点包括增加的可靠性、较低的功耗和减少的测试时间，因为不需要测试附加测试支持的参考电压生成器。
在一些实施例中，对RF开关的耗时的RF测试是不必要的，从而有利地减少了测试时间和测试成本。其他优点包括使用DC测试来检测对RF开关晶体管的损坏的能力。
尽管已经参考说明性实施例描述了本发明，但是该描述并不意在在限定性的意义上进行解释。在参考本说明书时，说明性实施例以及本发明的其他实施例的各种修改和组合对于本领域的技术人员来说将是明显的。因此，意在所附权利要求包含任何这样的修改或实施例。

Claims (36)

1.一种测试集成电路的方法，所述方法包括：
经由第一输入引脚接收所述集成电路上的电源电压；
经由所述第一输入引脚向布置在所述集成电路上的电路提供电力；
将所述电源电压与内部生成的电压作比较；
基于所述比较来生成数字输出值；以及
将所述数字输出值施加到所述集成电路的引脚。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述电源电压与内部生成的电压作比较包括使用比较器。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述电源电压与内部生成的电压作比较包括使用模数转换器。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述电源电压与内部生成的电压作比较包括使用电阻分压器来对电源电压进行划分。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述数字输出值施加到所述集成电路的引脚包括经由串行数据接口来传送数字输出值。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述电源电压与内部生成的电压作比较包括将所述电源电压与内部电压调节器的节点作比较。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述内部电压调节器的节点是所述内部电压调节器的反馈电压。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述电源电压与内部生成的电压作比较包括将所述电源电压与电荷泵的输出电压作比较。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述电源电压与电荷泵的输出电压作比较包括将电源分压与电荷泵输出分压作比较。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：基于内部电流来产生所述内部生成的电压。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，基于内部电流来产生所述内部生成的电压包括将在内部调节器电路的输出和所述内部调节器电路的负载之间的电流转换成所述内部生成的电压。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述内部调节器电路的负载包括电荷泵。
13.一种测试MOS开关的方法，所述方法包括：
将所述MOS开关的基板泵送为负电压；
将MOS开关的输出节点与参考电压作比较；以及
当所述MOS开关的所述输出节点小于所述参考电压时，确定失效测试条件。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述MOS开关的所述基板包括布置在半导体基板中的阱。
15.一种集成电路，包括：
第一电路；
数字接口；以及
数据转换器，所述数据转换器具有耦合到电源电压的第一输入、耦合到所述第一电路的第二输入以及耦合到所述数字接口的输出，其中，所述数字接口在测试模式中是可读取的。
16.根据权利要求15所述的集成电路，其中，所述数据转换器包括比较器。
17.根据权利要求15所述的集成电路，其中，所述数字接口包括串行接口。
18.根据权利要求15所述的集成电路，其中：
所述第一电路包括电压调节器；
所述数据转换器的所述第一输入经由分压器耦合到所述电源电压；并且
所述数据转换器的所述第二输入耦合到所述调节器的反馈电压。
19.根据权利要求18所述的集成电路，其中，所述数字接口被配置成指示所述数据转换器在所述测试模式中的输出状态。
20.根据权利要求15所述的集成电路，其中：
所述第一电路包括电压调节器；
所述数据转换器的所述第一输入经由分压器耦合到所述电源电压；
所述集成电路进一步包括与所述电压调节器的输出串联耦合的电流测量电路；并且
所述数据转换器的所述第二输入耦合到所述电流测量电路的输出。
21.根据权利要求20所述的集成电路，其中，所述电流测量电路包括差分放大器，所述差分放大器具有耦合到电流测量电阻器的输入。
22.根据权利要求15所述的集成电路，其中：
所述第一电路包括电荷泵；
所述数据转换器的所述第一输入经由第一分压器耦合到所述电源电压；并且
所述数据转换器的所述第二输入耦合到所述电荷泵的输出。
23.根据权利要求22所述的集成电路，其中，所述数据转换器的所述第二输入经由第二分压器来耦合到所述电荷泵的输出，所述第二分压器耦合在所述电源电压和所述电荷泵的输出之间。
24.根据权利要求15所述的集成电路，其中：
所述第一电路包括电荷泵；
所述数据转换器的所述第一输入经由第一分压器耦合到所述电源电压；
所述集成电路进一步包括与所述电荷泵的输出和半导体开关的基板连接串联耦合的电流测量电路；并且
所述数据转换器的所述第二输入耦合到所述电流测量电路的输出。
25.一种集成电路，包括：
半导体开关；
数字接口；以及
比较器，所述比较器具有耦合到参考电压的第一输入、耦合到所述半导体开关的基板连接的第二输入以及耦合到所述数字接口的输出。
26.根据权利要求25所述的集成电路，其中，所述参考电压小于或等于接地电压。
27.根据权利要求25所述的集成电路，其中，所述数字接口被配置为基于所述比较器是否指示所述基板连接的电压大于所述参考电压来指示是否存在第一故障条件。
28.根据权利要求27所述的集成电路，其中，所述第一故障条件包括基板漏电条件。
29.一种集成开关系统，包括：
电压调节器；
数字接口；
电源输入；
电荷泵；
RF开关；以及
测量接口电路，所述测量接口电路包括比较器，所述比较器具有耦合到所述电源输入的第一输入、耦合到参数测量节点的第二输入以及耦合到所述数字接口的输出。
30.根据权利要求29所述的集成开关系统，其中，所述数字接口包括串行接口。
31.根据权利要求29所述的集成开关系统，其中，所述RF开关包括多个RF开关。
32.根据权利要求29所述的集成开关系统，其中：
所述比较器的所述第一输入经由分压器耦合到所述电源输入；并且
所述比较器的所述第二输入耦合到所述电压调节器的反馈节点。
33.根据权利要求29所述的集成开关系统，其中：
所述比较器的所述第一输入经由分压器耦合到所述电源输入； 
所述测量接口电路进一步包括与所述电压调节器的输出串联耦合的电流测量电路；并且
所述比较器的第二输入耦合到所述电流测量电路。
34.根据权利要求33所述的集成开关系统，其中，所述电流测量电路包括：
电阻器，所述电阻器与所述电压调节器的输出串联耦合；以及
放大器，所述放大器具有耦合到所述电阻器的第一端子的正输入、耦合到所述电阻器的第二端子的负输入以及耦合到所述比较器的所述第二输入的输出。
35.根据权利要求29所述的集成开关系统，其中：
所述比较器的所述第一输入经由分压器耦合到所述电源输入；并且
所述测量接口电路进一步包括电流测量电路，所述电流测量电路与所述电荷泵的输出和所述RF开关的基板连接串联耦合。
36.根据权利要求29所述的集成开关系统，其中：
所述比较器的所述第一输入经由第一分压器耦合到所述电源输入；并且
所述比较器的第二输入耦合到第二分压器，所述第二分压器耦合在所述电荷泵的输出与所述电源输入之间。
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