CN103408942B - 一种功率型led封装用的有机硅材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种功率型LED封装用的有机硅材料，由以下组分制得，含乙烯基和钛元素的硅聚合物、含硅氢键和钛元素的硅聚合物、固化催化剂和抑制剂。另外提供了一种功率型LED封装用的有机硅材料的制备方法，并公开了含乙烯基和钛元素的硅聚合物、含硅氢键和钛元素的硅聚合物的具体的制备过程。本发明提供的有机硅材料具有较高的折光率（折光率达到1.53-1.65），高透明度、优良的耐紫外老化和热老化能力等特点，是功率型LED的理想封装材料。
Description
技术领域
本发明涉及有机硅材料，更具体地，涉及一种功率型LED封装用的有机硅材料及其制备方法。
背景技术
近几年国内外LED技术和市场飞速发展，其中LED的发光效率增长100倍，成本下降10倍，开始广泛应用于大面积图文显示全彩屏、状态指示、标志照明、信号显示、液晶显示器的背光源、汽车组合尾灯及车内照明等等方面，其发展前景已经吸引全球照明大厂家先后加入LED光源及市场开发中。因此，LED被誉为21世纪新光源，有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。
半导体LED要作为照明光源，常规产品的光通量与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比距离甚远。因此，功率型LED要得到更广泛的应用，关键就是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级，而功率型LED获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型LED的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增大芯片面积，加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的发光通量。除了芯片外，器件的封装技术也举足轻重，目前功率型LED的封装技术也需进一步提高，从结构设计、材料技术及工艺技术等多方面入手，提高产品的封装取光效率。
功率型LED封装技术主要应满足以下两点要求：一是新型封装结构要提高光电功率转化效率；其二是要采用导电和光学性能优良的材料，减少热阻、降低芯片结温，保证功率型LED的光电性能和可靠性。
在功率型LED封装材料的选择上，主要考虑到以下几个方面：
（1）为了能够有效的减少界面折射带来的光损失，尽可能提高取光效率，要求封装材料的折光指数尽可能高。例如，如果折光指数从1.5增加到1.6，取光效率能提高约20％。因此理想封装材料的折光指数应该尽可能的接近GaN的折光指数（2.3），而目前的环氧和硅树脂的折光指数一般都低于1.5。
（2）由于LED芯片发出的光要透过封装材料传送到外部空间，因此要求封装材料的透光率要高，因此理想封装材料的透光率应该尽可能接近100%。
（3）LED在使用过程中，光、热等往往会引起封装材料的老化，从而严重影响到LED的使用寿命，因此封装材料要有良好的耐热和光老化行为。
（4）此外，作为一种封装材料，还要求其具有一定的硬度和强度等力学性能以及良好的操作性能。
传统用来作为封装材料的环氧树脂，耐热性比较差，可能会出现在LED芯片本身的寿命到达前，环氧树脂就已经出现变色的情况，因此为了提高散热性，必须让更多的电流获得释放。除此之外，不仅因为热现象会对环氧树脂产生影响，甚至短波长也会对环氧树脂造成一些问题，这是因为环氧树脂容易被白光LED中的短波长光线破坏，即使低功率的白光LED就已经会造成环氧树脂的破坏，况且高功率的白光LED所含的短波长的光线更多，恶化自然也加速，甚至有些产品在连续点亮后的使用寿命不到5,000小时。因此，为了克服因为旧有封装材料环氧树脂所带来的变色困扰，许多LED封装业者都开始尝试放弃环氧树脂，而改用硅树脂作为封装的材料。
由于有机硅材料具有出色的耐热老化和耐紫外老化的性能，被认为是用于大功率白光LED封装的最佳材料，因此采用高透明的硅胶取代环氧树脂等传统封装材料是功率型LED封装的必然要求。有机硅LED封装材料，固化后透明度非常高，具有优良的电性能、耐高低温（-50℃～250℃）以及耐水、耐臭氧、耐弧、耐气候老化等性能，可以在低温（-50℃）条件下保持其弹性，还具有耐腐蚀、耐烧蚀、耐辐射和自熄的性能，克服了环氧树脂、聚氨酯等传统封装材料使用中的缺点。
例如公开号CN101066446A的专利文献公开了一种“一种有机硅电子灌封材料”。所述的有机硅材料系由：乙烯基封端聚甲基苯基硅氧烷、乙烯基甲基硅树脂、聚甲基氢苯基硅氧烷、催化剂和抑制剂混合而成，且其质量比例(以乙烯基封端聚甲基苯基硅氧烷为参照)为：乙烯基封端聚甲基苯基硅氧烷100份，乙烯基甲基硅树脂10～30份，聚甲基氢苯基硅氧烷5～20份，催化剂0.1～2份，抑制剂0.05～2份。但该专利只能制造出弹性材料产品，没有树脂硬体产品，且按以上的比例做出的产品硬度低，折光率不高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有高折光指数、高透光率、硬度高的功率型LED封装用的有机硅材料。
为了实现以上发明目的，首先提供一种功率型LED封装用的有机硅材料，由以下组分制得，按重量份计：
制备方法为：取含乙烯基和钛元素的硅聚合物和含硅氢键和钛元素的硅聚合物，加入固化催化剂，加入抑制剂，搅拌均匀，即得。
所述的含乙烯基和钛元素的硅聚合物结构如下：
（R3SiO0.5)m(R2SiO)n(RSiO1.5)x(SiO2)y(TiO2)z
上式所述聚合物是由两种或两种以上结构为RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a的硅单体与（R2O）2（R3）2Ti钛酸酯络合物混合缩聚而成，a为0～4，但不等于4，m≠0，0＜z：（m+n+x+y+z）≤0.1，1≤（3m+2n+x）：（m+n+x+y+z）＜2，其中所述的两种或两种以上结构为RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a的硅单体中的R为链烯基，其他种的R为1～6碳的烷基或芳基，R1、R2为1～6碳的烷基，R3为乙酰丙酮基或者三乙醇胺基。
所述的含硅氢键和钛元素的硅聚合物结构如下：
（R43SiO0.5)h(R42SiO)i(R4SiO1.5)j(SiO2)k(TiO2)L
上式所述聚合物是由两种或两种以上结构为R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b的硅单体与（R2O）2（R3）2Ti钛酸酯络合物混合缩聚而成，b为0～4，但不等于4，h≠0，0＜L：（h+i+j+k+L）≤0.1，1≤（3h+2i+j）：（h+i+j+k+L）＜2，其中所述的由两种或两种以上结构为R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b的硅单体中的R4至少有一种氢基，其他种的R4为1～6碳的烷基、链烯基或芳基，R5、R2为1～6碳的烷基，R3为乙酰丙酮基或者三乙醇胺基。
所述的固化催化剂为铂金含量为2000ppm—50000ppm的铂络合物。
所述的抑制剂为含N、P、S的有机化合物或含Sn、Pb、Hg、Bi、As的重金属离子化合物或含炔基及多乙烯基的化合物。
所述的有机硅原料的折光率为1.53-1.65。
根据需要再提供一种功率型LED封装用的有机硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.含乙烯基和钛元素的硅聚合物的制备：
S11.在反应装置中加入含乙烯基的有机硅单体（含乙烯基的RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a）、有机硅单体（RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a）、钛酸酯络合物、脂肪醇、有机溶剂及有机金属化合物水解催化剂，混合均匀；
S12.温度在20℃～70℃时滴加蒸馏水，滴加时间控制在2小时之内；
S13.缓慢升温至80～90℃反应，反应2～6小时，滴加含乙烯基的有机硅单体（含乙烯基的RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a）和有机硅单体（RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a），反应小时6～8小时；
S14.萃取分层，取树脂与溶剂部分加入有机金属化合物在80～110℃，再反应6～8小时；
S15.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂；
S16.加入固化催化剂，混合均匀；
S2.含硅氢键和钛元素的硅聚合物的制备：
S21.在反应装置中加入含硅氢键的有机硅单体（含硅氢键的R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b）、有机硅单体（R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b）、钛酸酯络合物、脂肪醇、有机溶剂及有机金属化合物水解催化剂，混合均匀；
S22.温度在20℃～70℃时滴加蒸馏水，滴加时间控制在2小时之内；
S23.缓慢升温至80～90℃反应，反应2～6小时，滴加含硅氢键的有机硅单体（含硅氢键的R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b）和有机硅单体（R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b），反应小时6～8小时；
S24.萃取分层，取树脂与溶剂部分加入有机金属化合物在80～110℃，再反应6～8小时；
S25.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂；
S26.加入抑制剂，混合均匀；
S3.取含乙烯基和钛元素的硅聚合物和含硅氢键和钛元素的硅聚合物，加入催化剂，加入抑制剂，搅拌均匀，即得。
所述的含硅氢键的有机硅单体为乙烯基含氢双封头或四甲基四氢基环四硅氧烷；所述的含乙烯基的有机硅单体为乙烯基二甲基乙氧硅烷或甲基乙烯基二氯硅烷；所述的有机硅单体为三甲基一氯硅烷、甲基三乙氧基硅烷、苯基三氯硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、甲基苯基二乙氧基硅烷、二苯基二氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷中的一种或几种；所述的钛酸酯络合物为双三乙醇胺二异丙基钛酸酯或二（乙酰丙酮基）钛酸二异丙酯；脂肪醇为1－4个碳的饱和醇包括同分异构体；有机溶剂为苯、甲苯、二甲苯、环己烷、环己酮或甲苯环己酮中的一种或几种；有机金属化合物水解催化剂为辛酸锌、苯甲酸锌、对叔丁基苯甲酸锌、月桂酸锌、硬脂酸锌、乙酰丙酮锌、氯化铝、高氯酸铝、磷酸铝、三异丙氧基铝、乙酰丙酮铝、丁氧基二（乙基乙酰乙酸）铝、锌酸锡、环烷酸钴或环烷酸锡中的一种或几种。
根据需求再提供一种功率型LED，其特征在于，包括根据权利要求1所述的有机硅材料，重均分子量在2000～10000。
本发明与现有技术相比，主要的特点有如下几点：
（1）在硅树脂的制备过程中，通过控制乙烯基硅氧烷或氢基乙烯基硅氧烷的加料顺序，在树脂合成的后阶段加入乙烯基硅氧烷或氢基硅氧烷，使乙烯基或氢基暴露在树脂微凝胶的外部，从而使树脂的固化更充分。
（2）通过低官能度硅氧烷与高官能度硅氧烷的交替加料顺序，使树脂中的苯基分布均匀和树脂微观结构均匀，有效提高了树脂交联后的透光率和硬度。
（3）本发明最重要的一点是在所述硅树脂引入了钛元素，具有高折光率（折光率达到1.53-1.65）、优良的耐紫外老化和热老化能力等特点，是功率型LED的理想封装材料。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步详细说明本发明。除非特别说明，本发明采用的试剂、设备和方法为本技术领域常规市购的试剂、设备和常规使用的方法。
实施例1
S1.（低硬度）含乙烯基和钛元素的硅聚合物的制备的合成步骤如下：
S11.在3000ml四口烧瓶中加入三甲基一氯硅烷17.7克、乙烯基二甲基乙氧基硅烷20克、甲基三乙氧基硅烷57克、苯基三氯硅烷152.3克、正硅酸乙酯124.8克、双三乙醇胺二异丙基钛酸酯92.5克、丁醇100克、二甲苯1000克及1克三异丙氧基铝，搅拌均匀；
S12.温度在30℃时滴加700克蒸馏水，滴加过程控制温度不超过70℃，滴加时间控制在2小时之内；
S13.滴加完80℃反应2小时后，滴加乙烯基二甲基乙氧基硅烷20克、甲基乙烯基二氯硅烷28.2克、甲基苯基二乙氧基硅烷109.2克、二苯基二氯硅烷131.6克，滴加时间控制在1小时之内；
S14.滴加完反应4小时后，滴加乙烯基二甲基乙氧基硅烷38克、三甲基一氯硅烷17克，滴加1小时；
S15.滴加完80℃反应6小时，倒出分层，取树脂与溶剂部分加1克三异丙氧基铝，在80℃下再反应6小时；
S16.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂后得含乙烯基和钛元素的硅聚合物的制备；
S2.（低硬度）含硅氢键和钛元素的硅聚合物合成步骤如下：
S21.在3000ml四口烧瓶中加入三甲基一氯硅烷17.7克、含氢双封头10.2克、乙烯基二甲基乙氧基硅烷26克、苯基三氯硅烷169.2克、正硅酸乙酯83.2克、双三乙醇胺二异丙基钛酸酯92.5克、异丙醇100克、二甲苯1100克及0.6克月桂酸锌，搅拌均匀；
S22.温度在25℃时滴加700克蒸馏水，滴加过程控制温度不超过70℃，滴加时间控制在2小时之内；
S23.滴加完80℃反应2小时后，滴加四甲基四氢基环四硅氧烷40.8克、甲基苯基二乙氧基硅烷84克、二苯基二氯硅烷131.6克，滴加1小时；
S24.滴加完80℃反应4小时后，滴加含氢双封头剂20克、滴加30分钟；
S25.滴加完80℃反应6小时，萃取分层，取树脂与溶剂部分加0.6克月桂酸锌，在80℃下再反应6小时；
S26.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂后得含硅氢键和钛元素的硅聚合物。
S3.取含乙烯基和钛元素的硅聚合物的制备、含硅氢键和钛元素的硅聚合物各30克加甲基乙烯基硅氧烷配位的铂金催化剂(3000pm)0.20克，甲基乙炔基醇小滴管一滴，搅拌均匀，即得。
实施例2
S1.（高硬度）含乙烯基和钛元素的硅聚合物的制备的合成步骤如下：
S11.在3000ml四口烧瓶中加入三甲基一氯硅烷17.7克、乙烯基二甲基乙氧基硅烷22克、甲基三乙氧基硅烷71.2克、乙烯基三乙氧基硅烷38克、苯基三氯硅烷143.8克、正硅酸乙酯166.4克、二（乙酰丙酮基）钛酸二异丙酯116.6克、异丙醇100克、二甲苯1200克及0.7克三异丙氧基铝，搅拌均匀；
S12.温度在30℃时滴加850克蒸馏水，滴加过程控制温度不超过70℃，滴加时间控制在2小时之内；
S13.滴加完80℃反应2小时后，滴加乙烯基二甲基乙氧基硅烷32克、甲基乙烯基二氯硅烷28.2克、甲基苯基二乙氧基硅烷84克滴加时间控制在1小时之内；
S14.滴加完反应4小时后，滴加乙烯基二甲基乙氧基硅烷34.4克、三甲基一氯硅烷17克，滴加1小时；
S15.滴加完80℃反应6小时，倒出分层，取树脂与溶剂部分加0.7克三异丙氧基铝，在80℃下再反应6小时；
S16.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂后得含乙烯基和钛元素的硅聚合物的制备；
S2.（高硬度）含硅氢键和钛元素的硅聚合物合成步骤如下：
S21.在3000ml四口烧瓶中加入三甲基一氯硅烷16.2克、含氢双封头31.6克、苯基三氯硅烷262.9克、正硅酸乙酯99.8克、二（乙酰丙酮基）钛酸二异丙酯116.6克、异丙醇100克、二甲苯1100克及0.6克月桂酸锌，搅拌均匀；
S22.温度在25℃时滴加900克蒸馏水，滴加过程控制温度不超过70℃，滴加时间控制在2小时之内；
S23.滴加完80℃反应2小时后，滴加甲基氢基二氯硅烷69克、乙烯基三乙氧基硅烷45.6克，滴加30分钟；
S24.滴加完80℃反应4小时后，滴加含氢双封头剂30克、滴加30分钟；
S25.滴加完80℃反应6小时，萃取分层，取树脂与溶剂部分加0.6克月桂酸锌，在80℃下再反应6小时；
S26.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂后得含硅氢键和钛元素的硅聚合物。
S3.取含乙烯基和钛元素的硅聚合物30克、含硅氢键和钛元素的硅聚合物60克加甲基乙烯基硅氧烷配位的铂金催化剂(3000pm)0.30克，甲基乙炔基醇小滴管2滴，搅拌均匀，即得。
实施例3
S1.含钛元素的苯基乙烯基弹性体聚合物合成步骤如下：
S11.在3000ml四口烧瓶中加入甲基乙烯基二氯硅烷84.6克、甲基苯基二乙氧基硅烷252克、二苯基二氯硅烷273.2克、苯基三氯硅烷84.6克、二（乙酰丙酮基）钛酸二异丙酯116.6克、800克二甲苯及1克苯甲酸锌，搅拌均匀；
S12.温度在30℃时滴加800克蒸馏水，滴加过程控制温度不超过70℃，滴加时间控制在2小时之内；
S13.缓慢升温至90℃反应，反应3小时，滴加52克乙烯基二甲基乙氧基硅烷，滴加1小时，再反应6小时；
S14.萃取分层，取树脂与溶剂部分加1克苯甲酸锌，在80℃下再反应6小时；
S15.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂后得含钛元素的苯基乙烯基弹性体聚合物；
S2.含钛元素的苯基硅氢键弹性体聚合物合成步骤如下：
S21.在3000ml四口烧瓶中加入甲基苯基二乙氧基硅烷168克、四甲基四氢基环四硅氧烷60克、甲基乙烯基二氯硅烷28.2克、二苯基二氯硅烷222.6克、苯基三氯硅烷84.6克、二（乙酰丙酮基）钛酸二异丙酯116.6克、900克二甲苯及1克苯甲酸锌，搅拌均匀；
S22.温度在25℃时滴加800克蒸馏水，滴加过程控制温度不超过70℃，滴加时间控制在2小时之内；；
S23.缓慢升温至80～90℃反应，反应3小时，滴加26.8克含氢双封头，滴加30分钟，再反应6小时；
S24.萃取分层，取树脂与溶剂部分加1克苯甲酸锌，在80℃下再反应6小时；
S25.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂后得含钛元素的苯基氢基弹性体聚合物。
S3.取含钛元素的苯基乙烯基弹性体聚合物、含钛元素的苯基氢基弹性体聚合物各30克加铂金催化剂(3000pm)0.20克，甲基乙炔基醇小滴管一滴，搅拌均匀，即得。
实施例4性能测试
取实施例1、2、3三种产品分别经150℃烘烤1小时后，做各种性能测试，其结果如表1所示：
表1实施例1、2、3产品性能比较表
Claims (7)
1.一种功率型LED封装用的有机硅材料，其特征在于，由以下组分制得，按重量份计：
制备方法为：取含乙烯基和钛元素的硅聚合物和含硅氢键和钛元素的硅聚合物，加入固化催化剂，加入抑制剂，搅拌均匀，即得，
所述的含乙烯基和钛元素的硅聚合物结构如下：
(R3SiO0.5)m(R2SiO)n(RSiO1.5)x(SiO2)y(TiO2)z
上式所述聚合物是由两种或两种以上结构为RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a的硅单体与(R2O)2(R3)2Ti钛酸酯络合物混合缩聚而成，a为0～4，但不等于4，m≠0，0＜z：(m+n+x+y+z)≤0.1，1≤(3m+2n+x)：(m+n+x+y+z)＜2，所述的两种或两种以上结构为RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a的硅单体中的R至少有一种为链烯基，其他种的R为链烯基、1～6碳的烷基或芳基，R1、R2为1～6碳的烷基，R3为乙酰丙酮基或者三乙醇胺基，
所述的含硅氢键和钛元素的硅聚合物结构如下：
(R43SiO0.5)h(R42SiO)i(R4SiO1.5)j(SiO2)k(TiO2)L
上式所述聚合物是由两种或两种以上结构为R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b的硅单体与(R2O)2(R3)2Ti钛酸酯络合物混合缩聚而成，b为0～4，但不等于4，h≠0，0＜L：(h+i+j+k+L)≤0.1，1≤(3h+2i+j)：(h+i+j+k+L)＜2，所述的由两种或两种以上结构为R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b的硅单体中的R4至少有一种为氢基，其他种的R4为氢基、1～6碳的烷基、链烯基或芳基，R5、R2为1～6碳的烷基，R3为乙酰丙酮基或者三乙醇胺基。
2.根据权利要求1所述的功率型LED封装用的有机硅材料，其特征在于，所述的固化催化剂为铂金含量为2000ppm—50000ppm的铂络合物。
3.根据权利要求1所述的功率型LED封装用的有机硅材料，其特征在于，所述的抑制剂为含N、P、S的有机化合物或含Sn、Pb、Hg、Bi、As的重金属离子化合物或含炔基及多乙烯基的化合物。
4.根据权利要求1所述的功率型LED封装用的有机硅材料，其特征在于，所述的有机硅材料的折光率为1.53-1.65。
5.一种根据权利要求1所述的功率型LED封装用的有机硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.含乙烯基和钛元素的硅聚合物的制备：
S11.在反应装置中加入含乙烯基的RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a、RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a、钛酸酯络合物、脂肪醇、有机溶剂及有机金属化合物水解催化剂，混合均匀；
S12.温度在20℃～70℃时滴加蒸馏水，滴加时间控制在2小时之内；
S13.缓慢升温至80～90℃反应，反应2～6小时，滴加含乙烯基的RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a和RaSi(OR1)4-a或RaSiCl4-a，反应小时6～8小时；
S14.萃取分层，取树脂与溶剂部分加入有机金属化合物在80～110℃，再反应6～8小时；
S15.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂；
S16.加入固化催化剂，混合均匀；
S2.含硅氢键和钛元素的硅聚合物的制备：
S21.在反应装置中加入含氢基的R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b、R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b、钛酸酯络合物、脂肪醇、有机溶剂及有机金属化合物水解催化剂，混合均匀；
S22.温度在20℃～70℃时滴加蒸馏水，滴加时间控制在2小时之内；
S23.缓慢升温至80～90℃反应，反应2～6小时，滴加含硅氢键的R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b和R4bSi(OR5)4-b或R4bSiCl4-b，反应小时6～8小时；
S24.萃取分层，取树脂与溶剂部分加入有机金属化合物在80～110℃，再反应6～8小时；
S25.反应结束后脱色、水洗、过滤、脱去未反应物和溶剂；
S26.加入抑制剂，混合均匀；
S3.取含乙烯基和钛元素的硅聚合物和含硅氢键和钛元素的硅聚合物，加入催化剂，加入抑制剂，搅拌均匀，即得。
6.根据权利要求5所述的功率型LED封装用的有机硅材料的制备方法，其特征在于，所述的钛酸酯络合物为双三乙醇胺二异丙基钛酸酯或二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯；脂肪醇为1－4个碳的饱和醇包括同分异构体；有机溶剂为苯、甲苯、二甲苯、环己烷、环己酮或甲苯环己酮中的一种或几种；有机金属化合物水解催化剂为辛酸锌、苯甲酸锌、对叔丁基苯甲酸锌、月桂酸锌、硬脂酸锌、乙酰丙酮锌、氯化铝、高氯酸铝、磷酸铝、三异丙氧基铝、乙酰丙酮铝、丁氧基二(乙基乙酰乙酸)铝、锌酸锡、环烷酸钴或环烷酸锡中的一种或几种。
7.一种功率型LED，其特征在于，包括根据权利要求1所述的有机硅材料。
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| CN201310188543.6A CN103408942B (zh) | 2013-05-20 | 2013-05-20 | 一种功率型led封装用的有机硅材料及其制备方法 |
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