CN103400563A - 阵列基板及液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板，其包括像素单元、公共电极、数据线、与数据线相交且互相平行的第一扫描线和第二扫描线；像素单元包括第一像素电极、第二像素电极、第一开关、第二开关、第三开关和控制电路；第一扫描线与第一开关和第二开关的控制端连接，以提供扫描信号；数据线与第一开关和第二开关的输入端连接；第一像素电极与第一开关的输出端连接；第二像素电极与第二开关的输出端连接；第三开关的控制端与第二扫描线连接，以提供扫描信号；第三开关的第一端与第二像素电极连接，第三开关的第二端与控制电路连接。本发明还提供一种液晶显示装置。本发明通过增加一个控制电路，以改善液晶显示装置的大视角色偏，消除残影提高显示质量。

Description

阵列基板及液晶显示装置
技术领域
本申请涉及显示设备技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
背景技术
TFT-LCD包括阵列基板，阵列基板上矩阵设置有多个分别对应R、G、B的像素区域，还设置有控制像素区域的扫描线、数据线、TFT以及存储电容和液晶电容等。
在目前的TFT-LCD中，特别是采用垂直取向（VA）液晶模式的大尺寸LCD中，普遍存在大视角色偏（Color Shift）的问题。
为改善此问题，目前的普遍做法是将一个像素区域分成主分区A和子分区B两个分区，两个分区的交界处不透光，在同一视频讯号(灰阶)下，使两区电压不同，呈现不同的γ（伽马）曲线。两区合成的γ曲线在大视角下与正视角差异减小，明显改善大视角色偏的问题。
图1是现有技术TFT-LCD的阵列基板中电荷共享08（ChargingSharing，CS）电路的示意图。请参阅图1，每个像素区域包括数据线110、第一扫描线120、第二扫描线130、第一像素电极140、第二像素电极150、第一薄膜晶体管TFT_A、第二薄膜晶体管TFT_B、第三薄膜晶体管TFT_C。数据线110与第一薄膜晶体管TFT_A和第二薄膜晶体管TFT_B的源极连接，第一像素电极140与第一薄膜晶体管TFT_A的漏极连接，第二像素电极150与第二薄膜晶体管TFT_B的漏极连接；第二扫描线130与第三薄膜晶体管TFT_C的栅极连接以提供扫描信号，第三薄膜晶体管TFT_C的漏极与第二像素电极550连接，第三薄膜晶体管TFT_C的源极通过电容Cs1与公共电极连接。
TFT-LCD的驱动为逐步行扫描驱动，扫描至第n行时，第一扫描线120上的信号Vgn为高电位（第二扫描线130上的信号Vgn+1为低电位），第一薄膜晶体管TFT_A和第二薄膜晶体管TFT_B打开（第三薄膜晶体管TFT_C关闭），数据线110开始对与第一像素电极140相连的第一存储电容Cst_A和第一液晶电容Clc_A、以及与第二像素电极150相连的第二存储电容Cst_B和第二液晶电容Clc_B充电，第一像素电极140的像素电压（VA）和第二像素电极150的像素电压（VB）均被充至数据线110上的电压Vd。当扫描至第n+1行时，第一扫描线120上的信号Vgn切换为低电位，第二扫描线130上的信号Vgn+1切换为高电位，第一薄膜晶体管TFT_A和第二薄膜晶体管TFT_B关闭，第三薄膜晶体管TFT_C打开，第二像素电极150的像素电压（VB）开始通过第一电容Cs1向公共电极漏电，从而使第二像素电极150的像素电压（VB）发生变化，进而使第一像素电极140的像素电压（VA）和第二像素电极150的像素电压（VB）不同，达到低色偏（Low Color Shift）效果。设VA和VB分别为A区和B区的像素电压，则其比值VB/VA=(Cst_B+Clc_B)/(Cst_B+Clc_B+2Cs1)是设计时一个极为关键的参数，其中，电容Cs1的作用极为关键，其值决定了VB/VA值的大小。
图2是图1中电容Cs1常用的一种结构示意图。请参阅图2，电容Cs1依次包括第一金属层M1、绝缘层SiNx、半导体层AS（a-si）和第二金属层M2。其中，第一金属层M1和第二金属层M2对应为阵列基板的栅极金属层和源极金属层，即在阵列基板上溅射栅极金属层以形成薄膜晶体管的金属栅极时，在该栅极金属层上蚀刻形成第一金属层M1，在阵列基板上溅射源极金属层以形成薄膜晶体管的金属源极时，在该源极金属层上蚀刻形成第二金属层M2；绝缘层SiNx对应为阵列基板上的栅极绝缘层；半导体层AS对应为阵列基板上的TFT半导体层，即在阵列基板上形成TFT的半导体层时，通过光刻等工艺形成TFT所需的半导体层时，也通过光刻等工艺形成电容的半导体层AS。在实际阵列基板中，M2一般与像素电极电压相连，M1一般与公共电极走线相连。
图3是电容Cs1的C-V（电容-电压）曲线示意图。请参阅图3，电容Cs1的C-V曲线图的特点是正半周的电容值大于负半周的电容值，其中，当像素电极的电压（如VB、VA）大于公共电极电压（Vcom）为正半周，像素电极的电压小于公共电极电压（Vcom）则为负半周。对每个像素区域而言，正半周和负半周交替是驱动TFT-LCD时的一个基本要求。理想情况，最好是正负半周的VB/VA保持一致，但是实际上一般会出现Cs1（正半周）>Cs1(负半周)或反过来的情况，则导致VB/VA值正半周较负半周小。
因此，CS08这种低色偏电路在实际应用中存在的VB/VA值正负半周不对称的问题，除了影响低色偏效果，还可能会带来诸如残影（ImageSticking）等影响面板显示品质的问题。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及液晶显示装置，能够补偿正负半周两个分区的电压比值不等的问题，进而改善液晶显示装置的大视角色偏，消除残影提高显示质量。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，所述阵列基板包括像素单元、公共电极走线、数据线、以及与所述数据线相交且互相平行的第一扫描线和第二扫描线；所述像素单元包括第一像素电极、第二像素电极、第一开关、第二开关和第三开关，所述像素单元还包括控制电路；所述第一开关与所述第二开关均包括控制端、输入端和输出端，所述第一扫描线与所述第一开关和第二开关的控制端连接，以对所述第一开关和第二开关提供扫描信号，所述数据线与所述第一开关和第二开关的输入端连接，所述第一像素电极与所述第一开关的输出端连接，所述第二像素电极与所述第二开关的输出端连接，所述第三开关包括控制端、第一端和第二端，所述第二扫描线与所述第三开关的控制端连接，以对所述第三开关提供扫描信号，所述第二像素电极与第三开关的第一端连接，所述控制电路与所述第三开关的第二端连接；其中，在正极性反转和负极性反转时，所述控制电路在所述第三开关导通时作用于所述第二像素电极，以改变所述第二像素电极的电压，且所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等，以使得在正极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值，和在负极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值相等。
其中，所述控制电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容与第二电容的结构相同，均依次包括第一金属层、绝缘层、半导体层以及第二金属层，所述第一电容的第二金属层和所述第二电容的第一金属层与所述第三开关的第二端连接，所述第一电容的第一金属层和所述第二电容的第二金属层与所述公共电极走线连接；在正极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容减小，在负极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容增加，所述第一电容在正极性反转时的电容值大于在负极性反转时的电容值，所述第二电容在正极性反转时的电容值小于在负极性反转时的电容值，以使得在正极性反转时所述第一电容的电容值与第二电容的电容值之和与在负极性反转时所述第一电容和第二电容的电容值之和相等，进而使得所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等。
其中，所述第一开关、第二开关以及第三开关均为薄膜晶体管，分别为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为所述第三薄膜晶体管的栅极、源极和漏极。
其中，所述第一开关、第二开关以及第三开关分别为第一达林顿管或三极管、第二达林顿管或三极管以及第三达林顿管或三极管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为第三达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极。
其中，一个所述像素单元所对应的所述第二扫描线与相邻下一个像素单元所对应的第一扫描线为同一条扫描线。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括相对设置的第一基板、第二基板，以及夹持在所述第一基板和第二基板之间的液晶层；其特征在于，所述第二基板包括：像素单元、公共电极走线、数据线、以及与所述数据线相交且互相平行的第一扫描线和第二扫描线；所述像素单元包括第一像素电极、第二像素电极、第一开关、第二开关和第三开关，所述像素单元还包括控制电路；所述第一开关与所述第二开关均包括控制端、输入端和输出端，所述第一扫描线与所述第一开关和第二开关的控制端连接，以对所述第一开关和第二开关提供扫描信号，所述数据线与所述第一开关和第二开关的输入端连接，所述第一像素电极与所述第一开关的输出端连接，所述第二像素电极与所述第二开关的输出端连接，所述第三开关包括控制端、第一端和第二端，所述第二扫描线与所述第三开关的控制端连接，以对所述第三开关提供扫描信号，所述第二像素电极与第三开关的第一端连接，所述控制电路与所述第三开关的第二端连接；其中，在正极性反转和负极性反转时，所述控制电路在所述第三开关导通时作用于所述第二像素电极，以改变所述第二像素电极的电压，且所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等，以使得在正极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值，和在负极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值相等。
其中，所述控制电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容与第二电容的结构相同，均依次包括第一金属层、绝缘层、半导体层以及第二金属层，所述第一电容的第二金属层和所述第二电容的第一金属层与所述第三开关的第二端连接，所述第一电容的第一金属层和所述第二电容的第二金属层与所述公共电极走线连接；在正极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容减小，在负极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容增加，所述第一电容在正极性反转时的电容值大于在负极性反转时的电容值，所述第二电容在正极性反转时的电容值小于在负极性反转时的电容值，以使得在正极性反转时所述第一电容的电容值与第二电容的电容值之和与在负极性反转时所述第一电容和第二电容的电容值之和相等，进而使得所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等。
其中，所述第一开关、第二开关以及第三开关均为薄膜晶体管，分别为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为所述第三薄膜晶体管的栅极、源极和漏极。
其中，所述第一开关、第二开关以及第三开关分别为第一达林顿管或三极管、第二达林顿管或三极管以及第三达林顿管或三极管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为第三达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极。
其中，一个所述像素单元所对应的所述第二扫描线与相邻下一个像素单元所对应的第一扫描线为同一条扫描线。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过增加一个控制电路，使第二像素电极的电压与第一像素电极的电压的比值恒定，从而改善液晶显示装置的大视角色偏，消除残影提高显示质量。
附图说明
图1是现有技术TFT-LCD的阵列基板中电荷共享电路的电路示意图；
图2是图1中电容Cs1常用的一种结构示意图；
图3是图1中电容Cs1的C-V（电容-电压）曲线示意图；
图4是本发明液晶显示装置一实施方式的结构示意图；
图5是图4中像素单元的像素等效电路图；
图6是图5中控制电路的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。
本发明旨在提供一种阵列基板，以及一种由该阵列基板构成的液晶显示装置，其包括多个像素单元。
请参阅图4，图4是本发明液晶显示装置一实施方式的结构示意图。液晶显示装置40包括相对设置的第一基板410、第二基板420、夹持在第一基板和第二基板之间的液晶层（图未示），其中，第一基板410为CF（Color Filter，彩色滤光片）基板，公共电极430设置于CF基板410，第二基板420为TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）阵列基板。
图5是图4中像素单元的像素等效电路图。请参阅图4和图5，以一个像素单元为例，在本实施例中，液晶显示装置40的TFT阵列基板420包括：像素单元421、公共电极走线440、数据线510、与数据线510相交且互相平行的第一扫描线520和第二扫描线530。
像素单元421包括第一像素电极540、第二像素电极550、第一开关560、第二开关570、第三开关580和控制电路590；其中，第一开关560与第二开关570均包括控制端、输入端和输出端。
第一扫描线520与第一开关560和第二开关570的控制端连接，以对第一开关560和第二开关570提供扫描信号；数据线510与第一开关560和第二开关570的输入端连接；第一像素电极540与第一开关560的输出端连接，且第一像素电极540还与并联连接的第一存储电容Cst_1和第一液晶电容C1c_1连接，第二像素电极550与第二开关570的输出端连接，且第二像素电极550还与并联连接的第二存储电容Cst_2和第二液晶电容C1c_2连接。其中，第一液晶电容C1c_1为第一像素电极540和第一基板410的公共电极430之间夹有液晶分子而构成的等效电容，第二液晶电容C1c_2为第二像素电极550和第一基板410的公共电极430之间夹有液晶分子而构成的等效电容；第一存储电容Cst_1由第一像素电极540和设置于第二基板420上的公共电极走线440构成，第二存储电容Cst_2由第二像素电极550和设置于第二基板420上的公共电极走线440构成。
第三开关580包括控制端、第一端和第二端，第三开关580的控制端与第二扫描线530连接，以对第三开关580提供扫描信号，第三开关580的第一端与第二像素电极550连接，第三开关的第二端与控制电路590连接。
请一并参阅图6，图6图5中控制电路的结构示意图。控制电路590包括第一电容Cs1和第二电容Cs2，第一电容Cs1与第二电容Cs2的结构相同，均依次包括第一金属层M1、绝缘层SiNx、半导体层AS以及第二金属层M2，第一电容Cs1的第二金属层M2和第二电容Cs2的第一金属层M1与第三开关580的第二端连接，第一电容Cs1的第一金属层M1和第二电容Cs2的第二金属层M2与第二基板420上的公共电极走线440连接。其中，第一金属层M1和第二金属层M2对应为阵列基板的栅极金属层和源极金属层，即在阵列基板上溅射栅极金属层以形成薄膜晶体管的金属栅极时，在该栅极金属层上蚀刻形成第一金属层M1，在阵列基板上溅射源极金属层以形成薄膜晶体管的金属源极时，在该源极金属层上蚀刻形成第二金属层M2；绝缘层SiNx对应为阵列基板上的栅极绝缘层；半导体层AS对应为阵列基板上的TFT半导体层，即在阵列基板上形成TFT的半导体层时，通过光刻等工艺形成TFT所需的半导体层时，也通过光刻等工艺形成电容的半导体层AS。
在正极性反转和负极性反转时，控制电路590在第三开关580导通时作用于第二像素电极550，以改变第二像素电极550的电压，且控制电路580在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等，以使得在正极性反转时第二像素电极550和公共电极走线440之间的电压差与第一像素电极540和公共电极走线440之间的电压差的比值，和在负极性反转时第二像素电极550和公共电极走线440之间的电压差与第一像素电极540和公共电极走线440之间的电压差的比值相等。
请继续参阅图5，以第一开关560、第二开关570、第三开关580均为薄膜晶体管为例进行说明。第一开关560、第二开关570、第三开关580分别为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管，第一开关560的控制端、输入端和输出端分别对应为第一薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，第二开关570的控制端、输入端和输出端分别对应为第二薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，第三开关580的控制端、第一端和第二端分别对应为第三薄膜晶体管的栅极、漏极和源极。
TFT-LCD的驱动为逐步扫描驱动，扫描至第n行时，第一扫描线520（即第一扫描线Gn）上的信号Vgn为高电平，此时第二扫描线530（即第二扫描线Gn+1）上的信号Vgn+1为低电平，第一薄膜晶体管560、第二薄膜晶体管570被打开，而第三薄膜晶体管580关闭，数据线510开始对并联连接的第一存储电容Cst_1和第一液晶电容C1c_1、以及并联连接的第二存储电容Cst_2和第二液晶电容C1c_2充电，从而使得第一像素电极540和第二像素电极550获得相同的电压。当扫描到n+1行时，第二扫描线530上的信号Vgn+1为高电平，第一扫描线520上的信号Vgn切换为低电平，此时，第一第薄膜晶体管560、第二薄膜晶体管570被关闭，第三薄膜晶体管580打开，由于第二像素电极550与公共电极走线440之间存在压差，第二像素电极550通过第一电容Cs1和第二电容Cs2向公共电极走线440放电，从而改变第二像素电极550的电压。
在第三薄膜晶体管580导通的情况下，在正极性反转时，即当第二像素电极550的电压大于公共电极走线440之间的电压时，第一电容Cs1处于正半周，第二电容Cs2处于负半周，第一电容Cs1的电容值大于第二电容Cs2电容值，第二像素电极550的电压通过第一电容Cs1和第二电容Cs2减小；在负极性反转时，即当第二像素电极550的电压小于公共电极走线440之间的电压时，第一电容Cs1处于负半周，第二电容Cs2处于正半周，第一电容Cs1的电容值小于第二电容Cs2电容值，第二像素电极550的电压通过第一电容Cs1和第二电容Cs2增加；由于第一电容Cs1和第二电容Cs2的结构和容值都相同，因此能够使得在正极性反转和负极性反转时，第一电容Cs1和第二电容Cs2的电容值之和保持恒定，即控制电路590在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等，进而使在正极性反转时第二像素电极550和公共电极走线440之间的电压差与第一像素电极540和公共电极走线440之间的电压差的比值，和在负极性反转时第二像素电极550和公共电极走线440之间的电压差与第一像素电极540和公共电极走线440之间的电压差的比值相等。
当扫描到第n+2行时，第二扫描线530上的信号Vgn+1为低电平，第三薄膜晶体管580被关闭，第二像素电极550通过第一电容Cs1和第二电容Cs2向公共电极走线440停止放电，第二像素电极550上的电压保持到下一帧显示。此时，像素单元421所对应的第二扫描线530与相邻下一个像素单元所对应的第一扫描线为同一条扫描线。
值得注意的是，在本发明中，第二基板420上的公共电极走线440和第一基板410上的公共电极430也可以不直接相连，而是通过两个不同的电压源提供电压，但严格保证两个电压源的电压大小相等。其中，向公共电极430和公共电极走线440提供的电压值优选为大于等于5V小于等于7V；向第一扫描线520和第二扫描线530提供的电压优选为大于等于20V小于等于30V。
在本实施例中，第一开关560、第二开关570、第三开关580均为薄膜晶体管，同样地，第一开关560、第二开关570、第三开关580也可以为三极管、达林顿管或其它的晶体管代替以形成其它实施例，第一开关560的控制端、输入端和输出端分别对应为第一达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，第二开关570的控制端、输入端和输出端分别对应为第二达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，第三开关580的控制端、第一端和第二端分别对应为第三达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极。
另外，在本实施例中，控制电路590为第一电容Cs1和第二电容Cs2，控制电路590也可以为两个或多个与第一电容Cs1和第二电容Cs2组成结构、连接方式、容值相同的电容以保证当第三开关导通时在正极性发转和负极性反控制电路590的有效电容的电容值相等，从而形成其他形式的实施例，本发明不作具体限定。
请继续参阅图5，图5是阵列基板的像素单元一实施方式的像素等效电路图。像素单元包括第一像素电极540、第二像素电极550、第一开关560、第二开关570、第三开关580和控制电路590；其中，第一开关560与第二开关570均包括控制端、输入端和输出端。具体实现过程如上述实施例所述，此处不赘述。
上述方案，通过增加一个控制电路，使第二像素电极的电压与第一像素电极的电压的比值恒定，以改善液晶显示装置的大视角色偏，消除残影提高显示质量。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括像素单元、公共电极走线、数据线、以及与所述数据线相交且互相平行的第一扫描线和第二扫描线；
所述像素单元包括第一像素电极、第二像素电极、第一开关、第二开关和第三开关，所述像素单元还包括控制电路；所述第一开关与所述第二开关均包括控制端、输入端和输出端，所述第一扫描线与所述第一开关和第二开关的控制端连接，以对所述第一开关和第二开关提供扫描信号，所述数据线与所述第一开关和第二开关的输入端连接，所述第一像素电极与所述第一开关的输出端连接，所述第二像素电极与所述第二开关的输出端连接，所述第三开关包括控制端、第一端和第二端，所述第二扫描线与所述第三开关的控制端连接，以对所述第三开关提供扫描信号，所述第二像素电极与第三开关的第一端连接，所述控制电路与所述第三开关的第二端连接；
其中，在正极性反转和负极性反转时，所述控制电路在所述第三开关导通时作用于所述第二像素电极，以改变所述第二像素电极的电压，且所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等，以使得在正极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值，和在负极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值相等。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述控制电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容与第二电容的结构相同，均依次包括第一金属层、绝缘层、半导体层以及第二金属层，所述第一电容的第二金属层和所述第二电容的第一金属层与所述第三开关的第二端连接，所述第一电容的第一金属层和所述第二电容的第二金属层与所述公共电极走线连接；
在正极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容减小，在负极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容增加，所述第一电容在正极性反转时的电容值大于在负极性反转时的电容值，所述第二电容在正极性反转时的电容值小于在负极性反转时的电容值，以使得在正极性反转时所述第一电容的电容值与第二电容的电容值之和与在负极性反转时所述第一电容和第二电容的电容值之和相等，进而使得所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一开关、第二开关以及第三开关均为薄膜晶体管，分别为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为所述第三薄膜晶体管的栅极、源极和漏极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一开关、第二开关以及第三开关分别为第一达林顿管或三极管、第二达林顿管或三极管以及第三达林顿管或三极管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为第三达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
一个所述像素单元所对应的所述第二扫描线与相邻下一个像素单元所对应的第一扫描线为同一条扫描线。
6.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括相对设置的第一基板、第二基板，以及夹持在所述第一基板和第二基板之间的液晶层；其特征在于，所述第二基板包括：
像素单元、公共电极走线、数据线、以及与所述数据线相交且互相平行的第一扫描线和第二扫描线；
所述像素单元包括第一像素电极、第二像素电极、第一开关、第二开关和第三开关，所述像素单元还包括控制电路；所述第一开关与所述第二开关均包括控制端、输入端和输出端，所述第一扫描线与所述第一开关和第二开关的控制端连接，以对所述第一开关和第二开关提供扫描信号，所述数据线与所述第一开关和第二开关的输入端连接，所述第一像素电极与所述第一开关的输出端连接，所述第二像素电极与所述第二开关的输出端连接，所述第三开关包括控制端、第一端和第二端，所述第二扫描线与所述第三开关的控制端连接，以对所述第三开关提供扫描信号，所述第二像素电极与第三开关的第一端连接，所述控制电路与所述第三开关的第二端连接；
其中，在正极性反转和负极性反转时，所述控制电路在所述第三开关导通时作用于所述第二像素电极，以改变所述第二像素电极的电压，且所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等，以使得在正极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值，和在负极性反转时所述第二像素电极和公共电极走线之间的电压差与所述第一像素电极和公共电极走线之间的电压差的比值相等。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述控制电路包括第一电容和第二电容，所述第一电容与第二电容的结构相同，均依次包括第一金属层、绝缘层、半导体层以及第二金属层，所述第一电容的第二金属层和所述第二电容的第一金属层与所述第三开关的第二端连接，所述第一电容的第一金属层和所述第二电容的第二金属层与所述公共电极走线连接；
在正极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容减小，在负极性反转时，在所述第二扫描线输入扫描信号以控制所述第三开关导通时，所述第二像素电极的电压通过所述第一电容和所述第二电容增加，所述第一电容在正极性反转时的电容值大于在负极性反转时的电容值，所述第二电容在正极性反转时的电容值小于在负极性反转时的电容值，以使得在正极性反转时所述第一电容的电容值与第二电容的电容值之和与在负极性反转时所述第一电容和第二电容的电容值之和相等，进而使得所述控制电路在正极性反转时的有效电容的电容值和在负极性反转时的有效电容的电容值相等。
8.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述第一开关、第二开关以及第三开关均为薄膜晶体管，分别为第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为所述第三薄膜晶体管的栅极、源极和漏极。
9.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述第一开关、第二开关以及第三开关分别为第一达林顿管或三极管、第二达林顿管或三极管以及第三达林顿管或三极管，所述第一开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第一达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第二开关的控制端、输入端和输出端分别对应为所述第二达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极，所述第三开关的控制端、第一端和第二端分别对应为第三达林顿管或三极管的基极、集电极和发射极。
10.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，
一个所述像素单元所对应的所述第二扫描线与相邻下一个像素单元所对应的第一扫描线为同一条扫描线。
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