CN112799255A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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严允晟
刘菁
曲凯莉
梁楚尉
刘子琪
李婷
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TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种显示面板及显示装置，其包括多个数据信号线、多个共享信号线以及多个子像素，每个所述子像素包括第一像素电极以及第二像素电极；其中，所述第一像素电极与所述数据信号线电连接以具有第一像素电压，所述第二像素电极与所述数据信号线以及所述共享信号线电连接以具有第二像素电压，当所述子像素处于低灰阶状态时，所述第二像素电压与所述第一像素电压具有第一比值；当所述子像素处于高灰阶状态时，所述第二像素电压与所述第一像素电压具有第二比值，所述第二比值大于所述第一比值；相较于现有技术，本发明可以实现在显示面板低灰阶时扩大视角，在显示面板高灰阶时具有较大的穿透率。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示面板技术越来越成熟，液晶显示面板由于其具有重量轻、体积小和厚度薄等特点，已广泛地被用在各种大中小尺寸的显示设备中。目前，市场上对应液晶显示产品的性能要求朝着高对比度和宽视野角度等特性发展。目前能够实现宽视野角度要求的技术主要有三种方式：扭转向列型液晶显示设备、共平面切换型液晶显示设备和多畴垂直配向模式液晶显示设备。其中，多畴垂直配向模式液晶显示设备由于在量产性和显示特性等方面的优越性，成为市场上主流的液晶显示设备之一。
传统的垂直配向模式液晶显示面板由于液晶分子双折射率差异较大，进而导致大视角色偏严重。而现有技术中，通过将传统的4畴子像素分为main/sub(主/次)区，以形成8畴子像素，使得同一个子像素内主区的4个畴与次区的4个畴的液晶分子转动角度不同，可以有效改善色偏。
目前，实现8畴子像素的主流方法有3T技术(即包括main TFT、sub TFT以及shareTFT，其中，main TFT和sub TFT的尺寸相同，分别给main/sub区充电，同时，share TFT给sub区漏电，使main/sub区电压具有一定差异，以使得main/sub区对应的液晶分子具有不同的液晶偏转角度)，请参照图1，为现有的显示面板中LCS-灰阶曲线示意图，其中，LCS为sub区的像素电压与main区的像素电压的比值，测得在低灰阶(0灰阶)时，LCS值为接近0.8；在高灰阶(255灰阶)时，LCS值接近0.75，进而使得子像素在低灰阶时LCS高，使得main/sub区对应的液晶分子的偏转角度差异小，使得低灰阶时显示面板的视角范围受限，而视角范围受限将不利于显示，而子像素在高灰阶时LCS低，使得main/sub区对应的液晶分子的偏转角度差异大，但是将会使得穿透率降低，同样不利于显示，因此，现有技术难以使得显示面板分别在低灰阶和高灰阶时的穿透率和视角达到均衡。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，能够解决现有技术中无法均衡穿透率和视角的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，其包括：
多个数据信号线，多个所述数据信号线用于提供像素电压；
多个共享信号线，多个所述共享信号线用于提供共享电压信号；以及
多个子像素，每个所述子像素包括第一像素电极以及第二像素电极；
其中，所述第一像素电极与所述数据信号线电连接以具有第一像素电压，所述第二像素电极与所述数据信号线以及所述共享信号线电连接以具有第二像素电压，当所述子像素处于低灰阶状态时，所述第二像素电压与所述第一像素电压具有第一比值；当所述子像素处于高灰阶状态时，所述第二像素电压与所述第一像素电压具有第二比值，所述第二比值大于所述第一比值。
在本发明的一种实施例中，当所述像素电压为正极性时，所述共享电压信号为第一电压，当所述像素电压为负极性时，所述共享电压信号为第二电压，所述第一电压与所述第二电压不同。
在本发明的一种实施例中，所述第一电压小于所述第二电压。
在本发明的一种实施例中，所述第一电压为4V，所述第二电压为12V。
在本发明的一种实施例中，当所述子像素的灰阶大于70灰阶时，所述第二像素电压与所述第一像素电压的比值随所述子像素的灰阶的提高而增大。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括公共电极层，所述公共电极层具有第一公共电压，当所述像素电压为正极性时，所述第二像素电压与所述第一公共电压的差值的绝对值为第三值，当所述像素电压为负极性时，所述第二像素电压与所述第一公共电压的差值的绝对值为第四值，且所述第三值等于所述第四值。
在本发明的一种实施例中，所述第一公共电压包括直流电信号。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板包括相对设置的阵列基板、彩膜基板以及设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层；其中，所述阵列基板包括像素电极层，所述像素电极层包括位于同层的所述第一像素电极和所述第二像素电极，所述彩膜基板包括所述公共电极层，且所述像素电极层与所述公共电极层相对设置。
在本发明的一种实施例中，所述第一像素电极以及所述第二像素电极各自沿所述共享信号线呈轴对称分布。
根据本发明的上述目的，提供一种显示装置，所述显示装置包括背光源以及所述显示面板，所述背光源连接于所述显示面板，并用于为所述显示面板提供背光。
本发明的有益效果：在本发明中，当子像素处于低灰阶状态时，第二像素电压与第一像素电压具有第一比值；当子像素处于高灰阶状态时，第二像素电压与第一像素电压具有第二比值，第二比值大于第一比值，进而使得显示面板在低灰阶时LCS低，即在低灰阶显示时，使得第一像素电极以及第二像素电极所对应的液晶分子的偏转角度差异大，使得显示面板获得较大范围的视角，而在高灰阶时LCS高，即在高灰阶显示时，使得第一像素电极以及第二像素电极所对应的液晶分子的偏转角度差异较小，使得子像素的穿透率趋于均一，进而获得更大的穿透率，提高了显示面板的显示效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有的LCS-灰阶的曲线示意图；
图2为本发明实施例提供的一子像素的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一子像素的等效电路图；
图5为本发明实施例提供的LCS-灰阶的曲线示意图；
图6为本发明实施例提供的共享电压信号-像素电压的波形图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，针对现有的垂直配向模式液晶显示面板，请参照图1，为现有的显示面板中LCS-灰阶曲线示意图，其中，LCS为sub区的像素电压与main区的像素电压的比值)，测得在低灰阶(0灰阶)时，LCS值为接近0.8；在高灰阶(255灰阶)时，LCS值接近0.75，进而使得子像素在低灰阶时LCS高，使得main/sub区对应的液晶分子的偏转角度差异小，使得低灰阶时所述显示面板的视角范围受限，而子像素在高灰阶时LCS低，使得main/sub区对应的液晶分子的偏转角度差异大，但是将会使得穿透率降低，同样不利于显示，因此，现有技术难以满足显示面板在低灰阶时具有较好的视角以及在高灰阶时具有较高的穿透率的要求。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，请参照图2，所述显示面板包括多个数据信号线30、多个共享信号线40以及多个子像素，且图2中仅示出其中一个子像素的结构示意图为例以作说明，其中，多个所述数据信号线30用于提供像素电压Vs，多个所述共享信号线40用于提供共享电压信号Vg，每个所述子像素包括第一像素电极12以及第二像素电极23。
其中，所述第一像素电极12与所述数据信号线30电连接以具有第一像素电压，所述第二像素电极23与所述数据信号线30以及所述共享信号线40电连接以具有第二像素电压；当所述子像素处于低灰阶状态时，所述第二像素电压与所述第一像素电压具有第一比值；当所述子像素处于高灰阶状态时，所述第二像素电压与所述第一像素电压具有第二比值，所述第二比值大于所述第一比值。
本发明实施例中，所述第二比值大于所述第一比值，进而使得所述显示面板在低灰阶时LCS低，即在低灰阶显示时，使得所述第一像素电极12以及所述第二像素电极23所对应的液晶分子的偏转角度差异大，使得所述显示面板获得较大范围的视角，而在高灰阶时LCS高，即在高灰阶显示时，使得所述第一像素电极12以及所述第二像素电极23所对应的液晶分子的偏转角度差异较小，使得所述子像素的穿透率趋于均一，进而获得更大的穿透率，以满足所述显示面板在低灰阶时具有较好的视角以及在高灰阶时具有较高的穿透率的要求，提高了所述显示面板的显示效果。
进一步地，请参照图2、图3以及图4，在本发明实施例中，所述显示面板包括垂直配向模式液晶显示面板，所述显示面板包括相对设置的阵列基板60和彩膜基板50、设置于所述阵列基板60和所述彩膜基板50之间的液晶层70，其中，所述阵列基板60可以是薄膜晶体管阵列基板(TFT Array基板)；所述阵列基板60的材料可以是如玻璃基板的硬质基板或其他非硬质的材料。所述彩膜基板50可以是CF(color filter，彩色滤光片)基板；所述彩膜基板50的材料可以是如玻璃基板的硬质基板或其他非硬质的材料。彩膜基板50设置在阵列基板60的上方，所述阵列基板60与所述彩膜基板50可对盒设置，所述液晶层70设置在所述阵列基板60和所述彩膜基板50之间。在所述显示面板不通电状态下，所述液晶层70中的液晶分子的长轴垂直于所述阵列基板60以及所述彩膜基板50；在所述显示面板通电时，所述液晶层70中的液晶分子的长轴相对于所述阵列基板60以及所述彩膜基板50倾斜一定的角度。
进一步的，所述彩膜基板50可包括第一衬底基板51。所述第一衬底基板51可以是玻璃材料制成的硬质衬底基板；所述第一衬底基板51也可以是薄膜材料制成的软质衬底基板。在所述第一衬底基板51上依次设置有彩膜层52以及公共电极层53。
进一步的，所述阵列基板60可包括第二衬底基板61。所述第二衬底基板61可以是玻璃材料制成的硬质衬底基板；所述第二衬底基板61也可以是薄膜材料制成的软质衬底基板。在所述第二衬底基板61上依次设置有薄膜晶体管阵列层62以及像素电极层63。
所述像素电极层63与所述公共电极层53相对设置，且所述液晶层70位于所述像素电极层63以及所述公共电极层53之间，当对所述像素电极层63以及所述公共电极层53通电时，会在所述像素电极层63和所述公共电极层53之间产生电场，所述液晶层70内的液晶分子在电场的作用下会发生偏转。
承上，在本发明实施例中，所述显示面板包括多个子像素，且本发明实施例提供的图示中仅以其中一个所述子像素的结构为例，且每个子像素包括第一子像素10以及第二子像素20，进一步地，所述第一子像素10包括第一薄膜晶体管11以及第一像素电极12，所述第二子像素20包括第二薄膜晶体管21、共享薄膜晶体管22以及第二像素电极23，其中，所述第一薄膜晶体管11、所述第二薄膜晶体管21以及所述共享薄膜晶体管22皆位于所述薄膜晶体管阵列层62，所述第一像素电极12以及所述第二像素电极23皆位于所述像素电极层63，即每个所述子像素中的所述第一像素电极12以及所述第二像素电极23与所述公共电极层53之间形成电场，以控制所述液晶层70中的液晶分子的偏转；具体地，所述第一子像素10还包括第一液晶电容Clc1以及第一存储电容Cst1，所述第二子像素20还包括第二液晶电容Clc2以及第二存储电容Cst2，且所述第一液晶电容Clc1可由所述第一像素电极12与所述公共电极层53组成，所述第二液晶电容Clc2可由所述第二像素电极23与所述公共电极层53组成，所述公共电极层53电连接至CFcom，使得所述公共电极层53具有第一公共电压，进而在所述第一液晶电容Clc1和所述第二液晶电容Clc2中形成电场，以控制所述液晶层70中的液晶分子的偏转。
所述第一存储电容Cst1以及所述第二存储电容Cst2的一端分别电连接至所述第一薄膜晶体管11的漏极112以及所述第二薄膜晶体管21的漏极212，所述第一存储电容Cst1以及所述第二存储电容Cst2的另一端均电连接至Acom(通入所述阵列基板60的第二公共电压)。
进一步地，在所述第一子像素10中，所述第一薄膜晶体管11的源极111与所述数据信号线30电性连接，所述第一薄膜晶体管11的漏极112与所述第一像素电极12电性连接，所述第一薄膜晶体管11的栅极与扫描信号线80电性连接，进而在所述扫描信号线80中扫描信号的驱动下，所述第一薄膜晶体管11导通，所述第一薄膜晶体管11将所述数据信号线30中的像素电压Vs传输至所述第一像素电极12，以使所述第一像素电极12具有第一像素电压。
在所述第二子像素20中，所述第二薄膜晶体管21的源极211与所述数据信号线30电性连接，所述第二薄膜晶体管21的漏极212与所述第二像素电极23电性连接，所述第二薄膜晶体管21的栅极与所述扫描信号线80电性连接，进而在所述扫描信号线80中扫描信号的驱动下，所述第二薄膜晶体管21导通，所述第二薄膜晶体管21将所述数据信号线30中的所述像素电压Vs传输至所述第二像素电极23。
所述共享晶体管22的源极221与所述第二薄膜晶体管21的漏极212电性连接，所述共享薄膜晶体管22的漏极222与共享信号线40电性连接，所述共享薄膜晶体管22的栅极与所述扫描信号线80电性连接，进而在所述扫描信号线80中扫描信号的驱动下，所述共享薄膜晶体管22导通，所述共享薄膜晶体管22根据所述共享电压信号Vg对所述第二薄膜晶体管21进行放电，进而对所述第二子像素20进行漏电，以使得所述第二子像素电极23具有第二像素电压。
进一步地，所述显示面板还包括驱动模组，所述共享信号线40与所述驱动模组电性连接，以向所述共享薄膜晶体管22传输所述共享电压信号Vg。
其中，所述第一像素电极12等分成四个区域，且沿所述共享信号线40呈轴对称分布，所述第一像素电极12包括位于所述共享信号线40两侧的各两个区域，所述第二像素电极23等分成四个区域，且沿所述共享信号线40呈轴对称分布，所述第二像素电极23包括位于所述共享信号线40两侧的各两个区域，以形成本发明实施例提供的八畴像素结构。
需要说明的是，所述第一薄膜晶体管11与所述第二薄膜晶体管21的尺寸相同，以分别向所述第一子像素10以及所述第二子像素20传输所述像素电压Vs，以使所述第一像素电极12具有第一像素电压，同时，为了实现视角范围的扩大，改善色偏现象，所述共享薄膜晶体管22根据所述共享电压信号Vg对所述第二薄膜晶体管21进行放电，进而对所述第二子像素20进行漏电，以使得所述第二子像素电极23具有第二像素电压，进而使得所述第一像素电压与所述第二像素电压具有差异，使得所述第一子像素10所对应的液晶分子的偏转角度与所述第二子像素20所对应的液晶分子的偏转角度具有差异，进而可以扩大视角范围。
在本发明实施例中，当所述像素电压Vs为正极性时，即电性为正，所述共享电压信号Vg为第一电压，当所述像素电压Vs为负极性时，即电性为负，所述共享电压信号Vg为第二电压，且所述第一电压与所述第二电压不同，以使得所述第二比值大于所述第一比值，可向所述共享信号线40内通入交流方波信号。
请参照图5，其中曲线B为对所述共享信号线40采用现有的供电方式得出了LCS与灰阶的关系曲线，具体地，对所述共享信号线40通入直流电信号，取所述共享电压信号Vg恒为9V，经模拟得到曲线B，其中，所述子像素在低灰阶时LCS高，且LCS为80％左右，所述子像素在高灰阶时LCS低，且LCS值为76％左右，进而无法满足LCS在低灰阶时低(具有较好的视角)以及在高灰阶时高(具有较高的穿透率)的要求。
在本发明实施例中，所述第一电压与所述第二电压不同，具体地，所述第一电压小于所述第二电压，请参照图5以及图6，取所述第一电压为4V，所述第二电压为12V，经模拟得到曲线A，其中，所述子像素在低灰阶时LCS低，且LCS值为70％左右，所述子像素在高灰阶时LCS高，且LCS值为77％左右，进而可以满足LCS在低灰阶时低(具有较好的视角)以及在高灰阶时高(具有较高的穿透率)的要求，进一步地，当所述子像素的灰阶大于70灰阶时，所述第二像素电压与所述第一像素电压的比值(即LCS)随所述子像素的灰阶的提高而增大。
另外，所述公共电极层53具有所述第一公共电压，且所述第一公共电压为直流电信号，为恒定值，而现有技术中对所述共享信号线40采用直流电的供电方式，则当所述像素电压Vs分别为正极性和负极性时，皆通过一恒定的共享电压信号Vg对所述第二薄膜晶体管21进行放电，形式单一，将使得所述第二像素电压与所述第一公共电压的差值的绝对值分别在所述像素电压Vs为正极性和负极性时相差较大，进而将影响所述第二像素电压在所述像素电压Vs分别为正负极性时的对称性，降低了显示效果。
而本发明实施例中，所述第一电压与所述第二电压不同，通过选择合适的所述第一电压以及所述第二电压，可使得当所述像素电压Vs为正极性时，所述第二像素电压与所述第一公共电压的差值的绝对值为第三值，当所述像素电压Vs为负极性时，所述第二像素电压与所述第一公共电压的差值的绝对值为第四值，且所述第三值等于所述第四值，即使得所述第二像素电压在所述像素电压Vs分别为正极性和负极性时具有对称性，以提高所述显示面板的显示均一性，进而提高了显示效果，进一步地，所述第一电压以及所述第二电压的数值，即所述共享电压信号Vg可根据所述像素电压Vs与第二薄膜晶体管21的I-V曲线，进行模拟得到，在此不作限定。
因此，本发明实施例可以实现所述显示面板在低灰阶显示时，使得所述第一子像素10以及所述第二子像素20所对应的液晶分子的偏转角度差异较大，使得所述显示面板具有较大的视角范围，而在高灰阶显示时，使得所述第一子像素10以及所述第二子像素20所对应的液晶分子的偏转角度差异较小，使得所述第二子像素20的穿透率与所述第一子像素10的穿透率大致相同，进而获得更大的穿透率，提高了所述显示面板的显示效果，且本发明实施例中可通过选择合适的共享电压信号Vg，以保证所述第二像素电压在所述像素电压Vs分别为正极性和负极性时的对称性。
另外，本发明实施例还提供一种显示装置，且所述显示装置包括上述实施例中所述的显示面板以及连接于所述显示面板至少一侧的背光源，以用于为所述显示面板提供背光。
综上所述，本发明实施例提供一种显示面板及具有该显示面板的显示装置，通过在所述像素电压Vs分别在正极性和负极性时，向所述共享信号线40通入不同的电压信号，进而使得在所述显示面板显示低灰阶时具有低的LCS，以扩大显示面板的视角范围，在所述显示面板显示高灰阶时具有高的LCS，以提高所述显示面板的穿透率，并可以保持所述第二像素电压在所述像素电压Vs为正负极性时的对称性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
多个数据信号线，多个所述数据信号线用于提供像素电压；
多个共享信号线，多个所述共享信号线用于提供共享电压信号；以及
多个子像素，每个所述子像素包括第一像素电极以及第二像素电极；
其中，所述第一像素电极与所述数据信号线电连接以具有第一像素电压，所述第二像素电极与所述数据信号线以及所述共享信号线电连接以具有第二像素电压，当所述子像素处于低灰阶状态时，所述第二像素电压与所述第一像素电压具有第一比值；当所述子像素处于高灰阶状态时，所述第二像素电压与所述第一像素电压具有第二比值，所述第二比值大于所述第一比值。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，当所述像素电压为正极性时，所述共享电压信号为第一电压，当所述像素电压为负极性时，所述共享电压信号为第二电压，所述第一电压与所述第二电压不同。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电压小于所述第二电压。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电压为4V，所述第二电压为12V。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，当所述子像素的灰阶大于70灰阶时，所述第二像素电压与所述第一像素电压的比值随所述子像素的灰阶的提高而增大。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括公共电极层，所述公共电极层具有第一公共电压，当所述像素电压为正极性时，所述第二像素电压与所述第一公共电压的差值的绝对值为第三值，当所述像素电压为负极性时，所述第二像素电压与所述第一公共电压的差值的绝对值为第四值，且所述第三值等于所述第四值。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一公共电压包括直流电信号。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括相对设置的阵列基板、彩膜基板以及设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层；其中，所述阵列基板包括像素电极层，所述像素电极层包括位于同层的所述第一像素电极和所述第二像素电极，所述彩膜基板包括所述公共电极层，且所述像素电极层与所述公共电极层相对设置。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素电极以及所述第二像素电极各自沿所述共享信号线呈轴对称分布。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括背光源以及如权利要求1至9任一项所述的显示面板，所述背光源连接于所述显示面板，并用于为所述显示面板提供背光。
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