CN103377927B - 悬浮纳米线场效应晶体管及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种悬浮纳米线场效应晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上形成有栅极；在栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于第二侧墙和栅极之间，且第二侧墙的材料为金属；形成源极和漏极，在垂直栅极延伸方向源极和漏极横跨栅极、第一侧墙、第二侧墙；在形成源极和漏极之前或之后，在第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；去除源极和漏极之间的第二侧墙部分，使源极和漏极之间的石墨烯层部分呈悬浮状态，且源极和漏极之间的石墨烯层部分作为纳米沟道。本技术方案，当场效应晶体管处于关闭状态时，可以降低栅极和源极、漏极之间具有的漏电流；另外，由于石墨烯的导电性非常好，因此可以提高悬浮纳米线场效应晶体管的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及悬浮纳米线场效应晶体管及其形成方法。
背景技术
集成电路已经从单一的芯片上集成数十个器件发展为集成数百万器件。传统的集成电路的性能和复杂性已经远远超过了最初的想象。为了实现在复杂性和电路密度(在一定芯片面积上所能容纳的器件的数量)方面的提高，器件的特征尺寸，也称为“几何尺寸(geometry)”，随着每一代的集成电路已经越变越小。提高集成电路密度不仅可以提高集成电路的复杂性和性能，而且对于消费者来说也能降低消费。基于对集成电路芯片高密度、高速度、低功耗的需求，集成电路越来越向高密度、高速度、低功耗方向发展。
当集成电路中的场效应晶体管的特征尺寸减小到32nm以下时，传统的场效应晶体管的形成方法已不适应，提出了纳米线场效应晶体管。其中纳米线场效应晶体管是指沟道长度为纳米(nm)数量级的场效应晶体管，实际上，也就是沟道的长度短到与沟道的厚度可相比拟时的场效应晶体管。纳米线场效应晶体管具有高的电流开关比，同时受短沟道效应和漏致势垒降低效应影响较小。
图1～图4为现有技术中形成悬浮纳米线场效应晶体管的立体结构示意图，参考图1～图4，现有技术中，形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法包括：
参考图1，提供衬底10，利用热氧化在衬底10上形成氧化硅层(thermaloxide)11，在氧化硅层11上形成栅极12。
参考图2，形成第一介质层13，覆盖所述栅极12和氧化硅层11，通常第一介质层13的材料为氧化硅；在第一介质层13上形成第二介质层14，第二介质层14的材料为氮化硅。在第二介质层14上形成多晶硅层15。
结合参考图2和图3，对所述多晶硅层15进行形成源极151和漏极152的离子掺杂；接着，形成覆盖源极151和漏极152的光刻胶层，以该光刻胶层为掩膜干法刻蚀多晶硅层15，在源极151和漏极152之间形成位于栅极12侧墙位置的纳米沟道153，该纳米沟道153未掺杂。
参考图4，湿法刻蚀去除纳米沟道153和第一介质层13之间的第二介质层14，使纳米沟道153呈悬置状态。
现有技术形成的悬浮纳米线场效应晶体管，当场效应晶体管处于关闭状态时，栅极和源极、漏极之间具有较大的漏电流。
现有技术中，有许多关于纳米场线效应晶体管的专利以及专利申请，例如公开号为US2011315950A1的美国专利申请，然而，均没有解决以上技术问题。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术的悬浮纳米线场效应晶体管，当场效应晶体管处于关闭状态时，栅极和源极、漏极之间具有较大的漏电流。
为解决上述问题，本发明提供一种形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极；
在所述栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于第二侧墙和所述栅极之间，且所述第二侧墙的材料为金属；
形成源极和漏极，在垂直所述栅极延伸方向所述源极和漏极横跨所述栅极、第一侧墙、第二侧墙；
在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；
去除源极和漏极之间的第二侧墙部分，使源极和漏极之间的石墨烯层部分呈悬浮状态，且所述源极和漏极之间的石墨烯层部分作为纳米沟道。
可选的，所述金属为镍。
可选的，在所述栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙的方法包括：
形成介质层，覆盖所述栅极和衬底；
在所述介质层上形成金属层；
对所述金属层和介质层进行干法刻蚀形成第一侧墙和第二侧墙。
可选的，所述介质层为单层结构或叠层结构。
可选的，所述介质层为氧化硅层和氮化硅层的叠层结构，所述氮化硅层位于所述氧化硅层上。
可选的，形成金属层的方法为物理气相沉积或化学气相沉积。
可选的，形成源极和漏极、石墨烯层的方法包括：
在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；
形成多晶硅层，覆盖所述衬底、栅极、第一侧墙、第二侧墙和石墨烯层；
图形化所述多晶硅层，形成源极区域和漏极区域；
对所述源极区域和漏极区域进行离子掺杂，形成源极和漏极。
可选的，形成源极和漏极、石墨烯层的方法包括：
形成多晶硅层，覆盖所述衬底、栅极、第一侧墙和第二侧墙；
图形化所述多晶硅层，形成源极区域和漏极区域；
对所述源极区域和漏极区域进行离子掺杂，形成源极和漏极；
形成源极和漏极之后，在所述第二侧墙裸露在外的表面上形成石墨烯层。
可选的，图形化所述多晶硅层的方法为光刻、刻蚀。
可选的，形成石墨烯层的方法包括：
在所述衬底所在的腔室内通入CH4和H2的混合气体；
通入混合气体后，用激光扫描第二侧墙裸露在外的表面。
可选的，所述腔室内的压强范围为450torr～550torr。
可选的，所述CH4气体的流量为H2气体流量的两倍。
可选的，所述CH4气体的流量为8sccm～12sccm；所述H2气体流量为4sccm～6sccm。
可选的，所述激光的波长范围为450nm～600nm。
可选的，所述激光的扫描速度为40～60um/s。
可选的，所述栅极为多晶硅栅极。
可选的，去除第二侧墙的方法为湿法刻蚀。
可选的，所述栅极和所述衬底之间具有氧化硅层。
本发明还提供一种悬浮纳米线场效应晶体管，包括：
衬底，所述衬底上形成有栅极；
所述栅极周围具有第一侧墙；
源极和漏极，在垂直所述栅极延伸方向横跨所述栅极和第一侧墙；
位于所述源极和漏极之间的纳米沟道，所述纳米沟道的材料为石墨烯，所述纳米沟道两端与所述源极和漏极连接、呈悬浮状态。
可选的，所述源极、漏极和所述第一侧墙之间也具有石墨烯。
可选的，所述第一侧墙为叠层结构或单层结构。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本技术方案形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，提供具有栅极衬底，然后在栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于第二侧墙和所述栅极之间，且所述第二侧墙的材料为金属；接着，形成源极和漏极，在垂直所述栅极延伸方向所述源极和漏极横跨所述栅极、第一侧墙、第二侧墙；在形成源极和漏极之前或之后，在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；最后，去除源极和漏极之间的第二侧墙部分，使源极和漏极之间的石墨烯层部分呈悬浮状态，且所述源极和漏极之间的石墨烯层部分作为沟道。该方法简单易行；而且，由于石墨烯的导电性非常好，电阻低，可以用较小电流就可以实现对场效应晶体管的驱动，因此由石墨烯作为纳米沟道，当场效应晶体管处于关闭状态时，栅极和源极、漏极之间具有的漏电流也相应降低；另外，由于石墨烯的导电性非常好，因此可以提高悬浮纳米线场效应晶体管的性能。
本技术方案的悬浮纳米线场效应晶体管，由石墨烯作为纳米沟道，当场效应晶体管处于关闭状态时，可以降低栅极和源极、漏极之间具有的漏电流；另外，由于石墨烯的导电性非常好，因此可以提高悬浮纳米线场效应晶体管的性能。
附图说明
图1～图4为现有技术中形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法的立体结构示意图；
图5为本发明具体实施方式的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法的流程示意图；
图6～图14为本发明第一具体实施例的形成悬浮纳米线场效应晶体管方法的结构示意图；
图15～图17为本发明第二具体实施例的形成悬浮纳米线场效应晶体管方法的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
图5为本发明具体实施方式的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法的流程示意图，参考图5，本发明具体实施方式的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法包括：
步骤S51，提供衬底，所述衬底上形成有栅极；
步骤S52，在所述栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于第二侧墙和所述栅极之间，且所述第二侧墙的材料为金属；
步骤S53，形成源极和漏极，在垂直所述栅极延伸方向所述源极和漏极横跨所述栅极、第一侧墙、第二侧墙；
步骤S54，在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；
步骤S55，去除源极和漏极之间的第二侧墙部分，使源极和漏极之间的石墨烯层部分呈悬浮状态，且所述源极和漏极之间的石墨烯层部分作为纳米沟道。
图6～图14为本发明第一具体实施例的形成悬浮纳米线场效应晶体管方法的结构示意图，下面结合参考图5和图6～图14详述本发明第一具体实施例的形成悬浮纳米线场效应晶体管方法。
结合参考图5和图6，执行步骤S51，提供衬底20，所述衬底20上形成有栅极22。在第一具体实施例中，栅极22和所述衬底20之间具有氧化硅层21，该氧化硅层21位于整个衬底20的上表面，该上表面为栅极所在一侧的一面。本发明中，氧化硅层21无需位于整个衬底20的上表面，只要在栅极22和衬底20之间具有氧化硅层即可。本发明中，氧化硅层21主要起绝缘作用，该氧化硅层21可以由其他材料的介质层替换。第一具体实施例中，形成氧化硅层21的方法为热氧化，但氧化硅层21的形成方法不限于热氧化，也可以为化学气相沉积，由于热氧化方法工艺简单，第一实施例中采用热氧化方法形成氧化硅层。
第一实施例中，栅极22为多晶硅栅极。衬底20的材料可以为单晶硅(Si)、单晶锗(Ge)、硅锗(GeSi)、或碳化硅(SiC)；也可以是绝缘体上硅(SOI)或绝缘体上锗(GOI)；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等III-V族化合物。
结合参考图5和图8，执行步骤S52，在所述栅极22周围形成第一侧墙231和第二侧墙241，所述第一侧墙231位于第二侧墙241和所述栅极22之间，且所述第二侧墙241的材料为金属。具体的，在所述栅极22周围形成第一侧墙231和第二侧墙241的方法包括：
参考图7，形成介质层23，覆盖所述栅极22和衬底20，由于第一实施例中，衬底20的上表面具有氧化硅层21，因此，介质层23覆盖氧化硅层21和栅极22；其中，介质层23为单层结构或叠层结构，在介质层23为单层结构时，介质层23材料可以选择氧化硅或氮化硅等本领域技术人员公知的介质材料；在介质层23为叠层结构时，可以是两层以上的叠层结构，各层的材料根据实际需要进行选择；在第一实施例中，介质层23为氧化硅层和氮化硅层的叠层结构，所述氮化硅层位于所述氧化硅层上，即先形成氧化硅层，然后形成氮化硅层。继续参考图7，形成介质层23后，在介质层23上形成金属层24；形成金属层的方法为物理气相沉积或化学气相沉积，金属层的厚度范围为5nm～50nm。第一实施例中，金属层24的材料选用镍，但不限于镍，也可以为在激光的作用下可以迅速升温的其他金属，例如铜。
参考图8，对所述金属层24和介质层23进行干法刻蚀形成第一侧墙231和第二侧墙241，干法刻蚀后的介质层23为第一侧墙231，干法刻蚀后的金属层24为第二侧墙241。在第一实施例中，该干法刻蚀为等离子体刻蚀，刻蚀中使用的气体包括Cl2、Ar。
结合参考图5和图10，执行步骤S53，形成源极253和漏极254，在垂直所述栅极22延伸方向即垂直X方向所述源极253和漏极254横跨所述栅极22、第一侧墙231、第二侧墙241。具体的形成方法为：参考图9，形成多晶硅层，覆盖所述衬底20、栅极22、第一侧墙231和第二侧墙241；第一实施例中，多晶硅层覆盖所述衬底20上的氧化硅层21、栅极22、第一侧墙231和第二侧墙241；图形化所述多晶硅层，形成源极区域251和漏极区域252，源极区域251和漏极区域252在垂直所述栅极22延伸方向即垂直X方向横跨所述栅极22、第一侧墙231、第二侧墙241，图形化多晶硅层的方法为光刻、刻蚀；之后，参考图10，对所述源极区域和漏极区域进行离子掺杂，形成源极253和漏极254，在对源极区域和漏极区域进行离子掺杂时，需要形成掩膜层26，遮盖衬底20上形成的其他结构，暴露出源极区域和漏极区域；在第一实施例中，掩膜层26为光刻胶层，但本发明中，掩膜层26不限于光刻胶层，也可以为本领域技术人员公知的其他材料导电掩膜层。接着，参考图11，去除掩膜层26。
图13为图12中A-A方向的剖面结构示意图，结合参考图5和图12、图13，执行步骤S54，在所述第二侧墙241裸露在外的表面形成石墨烯层27。在该第一实施例中，形成源极253和漏极254之后，在所述第二侧墙241裸露在外的表面形成石墨烯层27，即在源极253和漏极254之间的第二侧墙241部分裸露在外的表面形成石墨烯层27。第一实施例中，形成石墨烯层的方法为激光诱导气相沉积(laser-inducedCVD)，具体的方法包括：在所述衬底20所在的腔室内通入CH4气体和H2气体，并且，在通入CH4气体和H2气体之前，腔室内的压强应非常小，压强的数量级为10-3torr；在腔室内通入CH4气体和H2气体后，用激光扫描第二侧墙241裸露在外的表面，第二侧墙241的材料为金属，因此第二侧墙上激光经过的位置温度急剧升高，CH4气体和H2气体可以在温度急剧升高的第二侧墙裸露在外的表面上反应形成石墨烯层27。在第一实施例中，通入CH4气体和H2气体后，腔室内的压强范围为450torr～550torr，CH4气体的流量为H2气体流量的两倍，所述CH4气体的流量为8sccm～12sccm；所述H2气体流量为4sccm～6sccm，可以选择CH4气体的流量为10sccm，H2气体流量为5sccm。第一实施例中，使用的激光的波长为532nm，但不限于532nm，可以为450nm～600nm。述激光的扫描速度为40～60um/s，可以选择50um/s。
图14为图12中A-A方向的剖面结构示意图，结合参考图5和图12、图14，执行步骤S55，去除源极253和漏极254之间的第二侧墙241部分，使源极253和漏极254之间的石墨烯层27部分呈悬浮状态，且所述源极253和漏极254之间的石墨烯层27部分作为纳米沟道。去除源极253和漏极254之间的第二侧墙241部分后，石墨烯层27仅在两端与源极253和漏极254连接，石墨烯层27和第一侧墙之间为间隙，从而石墨烯层27即纳米沟道处于悬浮状态。第一实施例中，去除源极253和漏极254之间的第二侧墙241部分的方法为湿法刻蚀，湿法刻蚀使用的溶液可以选择盐酸，但不限于盐酸。
图15～图17为本发明第二具体实施例的形成悬浮纳米线场效应晶体管方法的结构示意图，下面结合参考图5和图15～图17详述本发明第二具体实施例的形成悬浮纳米线场效应晶体管方法。
结合参考图5和图15，执行步骤S51和步骤S52，提供衬底20a，所述衬底20a上形成有栅极22a。在第一具体实施例中，栅极22a和所述衬底20a之间具有氧化硅层21a；在所述栅极22a周围形成第一侧墙231a和第二侧墙241a，所述第一侧墙231a位于第二侧墙241a和所述栅极22a之间，且所述第二侧墙241a的材料为金属。步骤S51和步骤S52与第一实施例相同，在此不做赘述。
继续结合参考图5和图15、图16，执行步骤S53和步骤S54，形成源极253a和漏极254a，在垂直所述栅极延伸方向所述源极253a和漏极254a横跨所述栅极22a、第一侧墙231a、第二侧墙241a；在所述第二侧墙241a裸露在外的表面形成石墨烯层27a。在第二实施例中，在形成源极253a和漏极254a之前，在所述第二侧墙241a裸露在外的表面形成石墨烯层27a；之后，再形成源极253a和漏极254a，相应的，源极253a和漏极254a也横跨所述石墨烯层27a。
在第二实施例中，形成石墨烯层27a的方法与第一实施例相同，在此不做赘述。形成源极253a和漏极254a的方法与第一实施例相同，在此不做赘述。第一实施例与第二实施例的不同在于，形成源极253a和漏极254a、石墨烯层27a的顺序进行了互换。相应的，第二实施例中，在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；形成多晶硅层，覆盖所述衬底、栅极、第一侧墙、第二侧墙和石墨烯层；图形化所述多晶硅层，形成源极区域和漏极区域；对所述源极区域和漏极区域进行离子掺杂，形成源极和漏极。
图17为图16中B-B方向的剖面结构示意图，之后，结合参考图5和图17，执行步骤S55，去除源极253a和漏极254a之间的第二侧墙241a部分，使源极253a和漏极254a之间的石墨烯层27部分呈悬浮状态，且所述源极253a和漏极254a之间的石墨烯层27部分作为纳米沟道。去除源极253和漏极254之间的第二侧墙241a部分后，石墨烯层27a在两端与源极253和漏极254连接，石墨烯层27a和第一侧墙231a之间为间隙，从而石墨烯层27a即纳米沟道处于悬浮状态。第二实施例中，去除源极253a和漏极254a之间的第二侧墙241a部分的方法与第一实施例相同。
本技术方案形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，提供具有栅极衬底，然后在栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于第二侧墙和所述栅极之间，且所述第二侧墙的材料为金属；接着，形成源极和漏极，在垂直所述栅极延伸方向所述源极和漏极横跨所述栅极、第一侧墙、第二侧墙；在形成源极和漏极之前或之后，在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；最后，去除源极和漏极之间的第二侧墙部分，使源极和漏极之间的石墨烯层部分呈悬浮状态，且所述源极和漏极之间的石墨烯层部分作为沟道。该方法简单易行；而且，由于石墨烯的导电性非常好，电阻低，可以用较小电流就可以实现对场效应晶体管的驱动，因此由石墨烯作为纳米沟道，当场效应晶体管处于关闭状态时，栅极和源极、漏极之间具有的漏电流也相应降低；另外，由于石墨烯的导电性非常好，因此可以提高悬浮纳米线场效应晶体管的性能。
参考图12和图14，本发明还提供一种悬浮纳米线场效应晶体管，包括：
衬底20，所述衬底20上形成有栅极22；
所述栅极22周围具有第一侧墙231；
源极253和漏极254，在垂直所述栅极22延伸方向横跨所述栅极22和第一侧墙231；栅极22和第一侧墙231之间还可以具有第二侧墙241，源极253和漏极254之间没有第二侧墙；
位于所述源极253和漏极254之间的纳米沟道，所述纳米沟道的材料为石墨烯27，所述纳米沟道两端与所述源极253和漏极254连接，所述纳米沟道与所述第一侧墙231之间为间隙，纳米沟道呈悬浮状态，
在第一实施例中，石墨烯仅位于源极和漏极之间，源极、漏极和所述第一侧墙之间没有石墨烯。所述第一侧墙为叠层结构或单层结构。
本发明第一实施的形成悬浮纳米线场效应晶体管方法中，关于结构和材料方面的内容可以援引于此，在此不对第一实施例的悬浮纳米线场效应晶体管做详细说明。
结合参考图16和图17，第二实施例中，所述源极、漏极和所述第一侧墙之间也具有石墨烯。其他与第一实施例相同，在此不做赘述。
本技术方案的悬浮纳米线场效应晶体管，由石墨烯作为纳米沟道，当场效应晶体管处于关闭状态时，可以降低栅极和源极、漏极之间具有的漏电流；另外，由于石墨烯的导电性非常好，因此可以提高悬浮纳米线场效应晶体管的性能。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (21)
1.一种形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有栅极；
在所述栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于第二侧墙和所述栅极之间，且所述第二侧墙的材料为金属；
形成源极和漏极，在垂直所述栅极延伸方向所述源极和漏极横跨所述栅极、第一侧墙、第二侧墙；
在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；
去除源极和漏极之间的第二侧墙部分，使源极和漏极之间的石墨烯层部分呈悬浮状态，且所述源极和漏极之间的石墨烯层部分作为纳米沟道。
2.如权利要求1所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述金属为镍。
3.如权利要求1所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，在所述栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙的方法包括：
形成介质层，覆盖所述栅极和衬底；
在所述介质层上形成金属层；
对所述金属层和介质层进行干法刻蚀形成第一侧墙和第二侧墙。
4.如权利要求3所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述介质层为单层结构或叠层结构。
5.如权利要求3所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅层和氮化硅层的叠层结构，所述氮化硅层位于所述氧化硅层上。
6.如权利要求3所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，形成金属层的方法为物理气相沉积或化学气相沉积。
7.如权利要求1所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，形成源极和漏极、石墨烯层的方法包括：
在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；
形成多晶硅层，覆盖所述衬底、栅极、第一侧墙、第二侧墙和石墨烯层；
图形化所述多晶硅层，形成源极区域和漏极区域；
对所述源极区域和漏极区域进行离子掺杂，形成源极和漏极。
8.如权利要求1所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，形成源极和漏极、石墨烯层的方法包括：
形成多晶硅层，覆盖所述衬底、栅极、第一侧墙和第二侧墙；
图形化所述多晶硅层，形成源极区域和漏极区域；
对所述源极区域和漏极区域进行离子掺杂，形成源极和漏极；
形成源极和漏极之后，在所述第二侧墙裸露在外的表面上形成石墨烯层。
9.如权利要求7或8所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，图形化所述多晶硅层的方法为光刻、刻蚀。
10.如权利要求1所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，形成石墨烯层的方法包括：
在所述衬底所在的腔室内通入CH4和H2的混合气体；
通入所述混合气体后，用激光扫描第二侧墙裸露在外的表面。
11.如权利要求10所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述腔室内的压强范围为450torr～550torr。
12.如权利要求10所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述CH4气体的流量为H2气体流量的两倍。
13.如权利要求10所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述CH4气体的流量为8sccm～12sccm；所述H2气体流量为4sccm～6sccm。
14.如权利要求10所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述激光的波长范围为450nm～600nm。
15.如权利要求10所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述激光的扫描速度为40～60um/s。
16.如权利要求1所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极。
17.如权利要求1所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，去除第二侧墙的方法为湿法刻蚀。
18.如权利要求1所述的形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，所述栅极和所述衬底之间具有氧化硅层。
19.一种悬浮纳米线场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上形成有栅极；
所述栅极周围具有第一侧墙；
源极和漏极，在垂直所述栅极延伸方向横跨所述栅极和第一侧墙；
位于所述源极和漏极之间的纳米沟道，所述纳米沟道与源极、漏极在栅极延伸方向上具有相对部分，所述纳米沟道的材料为石墨烯，所述纳米沟道两端与所述源极和漏极连接、呈悬浮状态，所述第一侧墙和所述源极之间、所述第一侧墙和所述漏极之间还具有第二侧墙。
20.如权利要求19所述的悬浮纳米线场效应晶体管，其特征在于，所述源极、漏极和所述第一侧墙之间也具有石墨烯，所述第二侧墙位于该石墨烯与第一侧墙之间。
21.如权利要求19所述的悬浮纳米线场效应晶体管，其特征在于，所述第一侧墙为叠层结构或单层结构。
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