CN103348263A - 放射线检测器 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种放射线检测器，该放射线检测器的闪烁体层与基板之间的紧贴力、及防湿体与基板之间的紧贴力都很优异，并在冷热环境及高温高湿环境下具有较高的可靠性。放射线检测器(11)包括：具有像素(17)的阵列基板(12)；形成在像素(17)上的闪烁体层(13)；以覆盖闪烁体层(13)的方式形成的导电性的防湿体(15)；以及粘接防湿体(15)与阵列基板(12)的粘接层(16)，阵列基板(12)至少划分成有源区A及粘接区B，在有源区A中，在闪烁体层(13)的形成面上设置有有机树脂保护膜(26a)，在粘接区B中，在粘接层(16)的形成面上设置有无机保护膜(26b)。

Description

放射线检测器
技术领域
本申请中所记载的实施方式全都涉及检测放射线的放射线检测器。
背景技术
作为新一代X射线诊断用检测器，已开发出使用有源矩阵的平面形的X射线检测器。通过对照射到该X射线检测器上的X射线进行检测，从而输出X射线拍摄图像或实时的X射线图像作为数字信号。在该X射线检测器中，通过闪烁体层将X射线转换成可见光、即荧光，并用非晶硅(a-Si)光电二极管或CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)等光电转换元件将该荧光转换成信号电荷，从而获得图像。
作为闪烁体层的材料，一般使用碘化铯(CsI)：纳(Na)、碘化铯(CsI)：铊(Tl)、碘化钠(NaI)、或氧硫化钆(Gd2O2S)等各种材料，根据用途、需要特性而分别使用。
对于闪烁体层，通过切割等形成槽，或利用蒸镀法以形成柱状结构的方式进行堆积，从而能够提高分辨率特性。
出于提高荧光的利用效率、改善分辨率的目的，有时会在闪烁体层的上部形成有反射膜。反射膜用于对闪烁体层发出的荧光中、朝向光电转换元件侧的相反侧的荧光进行反射，从而使到达光电转换元件侧的荧光增大。
作为形成反射膜的示例，已知有将银合金或铝等荧光反射率高的金属层成膜在闪烁体层上的方法、或涂布形成由TiO2等光散射性物质和粘合剂树脂构成的光漫反射性的反射膜的方法等。而且，不将反射膜形成于闪烁体膜上，而将具有铝等金属表面的反射板与闪烁体层密接来反射荧光的方式也正在实用化。
此外，对于用于保护闪烁体层、反射层(或反射板等)免受外部气氛的影响、从而抑制因湿度等引起的特性变差的防湿构造，在将检测器制成实用的产品方面成为了重要的组成因素。特别是在将相对于湿度的劣变程度较高的材料CsI：Tl膜或CsI：Na膜制成闪烁体层时，要求较高的防湿性能。
作为现有的防湿结构，具有将AL箔等帽状的防湿体在周边部与基板进行粘接密封，以确保防湿性能的结构。
若对将该AL帽状的防湿体在其檐部与基板进行粘接密封的结构、与使用聚对苯二亚甲基等有机膜的防湿体的结构进行比较，则前者的防湿性能明显优于后者。另外，通过以导电性材料覆盖阵列基板的大部分，从而利用屏蔽效果还能获得降低噪声特性的效果。
在上述放射线检测器中，在基板上呈矩阵状地形成有包含光电二极管等光电转换元件和开关元件(TFT)的像素，而该基板可分为以下几个区域：在上部形成有闪烁体层的像素区域即有源区；覆盖闪烁体层的防湿体经由粘接层与基板相粘接的粘接区；对从有源区伸出的布线与基板的外部电路进行电连接的引出片衬垫(TAB Pad)部等。
尽管利用真空蒸镀法等在有源区上形成有例如CsI：Tl膜等闪烁体层，但是闪烁体层和基板之间的紧贴力对于后续的工序及产品出厂之后的可靠性而言是极其重要的。在紧贴力较弱的情况下，会产生因闪烁体层从基板剥离而导致的特性劣化、面内的特性偏差，因而，对于产品而言会成为致命的状态。特别是在闪烁体层上形成有由TiO2微粒和粘合剂树脂构成的涂布·干燥类的反射膜的情况下，由于反射膜干燥时所产生的应力、产品放置在高温或低温状态下的热膨胀差所引起的应力等，会导致闪烁体层容易从基板上剥离。因而，为了确保紧贴力，闪烁体层所附着的基板最表层的材质十分重要。
另一方面，在粘接区中，粘接层的材质与基板之间的紧贴力十分重要。对于该紧贴力，不仅需要确保其初始状态，还要抑制其在高温高湿状态下、冷热状态下的劣化，需要确保其长时间的防湿可靠性。紧贴力的劣化与防湿密封性的降低相关联，并与来自防湿体和粘接层之间的界面的透湿、来自粘接层和基板之间的界面的透湿、或来自粘接层本身的透湿相关，引起内部的Cs：Tl膜等闪烁体层的特性劣化。
一般而言，适用于确保相对于粘接层的紧贴力的基板的最表层材质、与适用于确保相对于CsI：Tl蒸镀膜等闪烁体层的紧贴力的基板的最表层材质是不同的。因此，对于用于基板表层的现有材质，其与闪烁体层之间的紧贴力和/或其与防湿体之间的紧贴力不足，因而容易导致在冷热环境下或在高温高湿环境下缺乏可靠性的结果。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2009-128023号公报
附图说明
图1是表示一个实施方式的放射线检测器的立体图。
图2是图1的放射线检测器的剖视图。
图3是图1的放射线检测器的防湿体即AL帽的示意图，(a)是俯视图，(b)是侧视图。
图4是表示其他实施方式的放射线检测器的剖视图。
图5是表示另一个实施方式的放射线检测器的剖视图。
图6是表示实施例1的结果的俯视图。
图7是表示实施例2的测定方法的示意图。
图8是表示实施例2的结果的曲线图。
具体实施方式
实施方式的放射线检测器的特征在于，包括基板、闪烁体层、防湿体、及粘接层，上述基板至少被划分成有源区和粘接区，具备：光电转换元件，该光电转换元件位于上述有源区内，将荧光转换为电信号；有机树脂保护层，该有机树脂保护层位于上述有源区内的最表层；以及无机保护膜，该无机保护膜位于上述粘接区的最表层，上述闪烁体层以覆盖上述光电转换元件的方式形成在上述有机树脂保护层上，将放射线转换为上述荧光，上述防湿体以覆盖上述闪烁体层的方式形成，上述粘接层形成在上述无机保护层上，粘接上述防湿体和上述基板。
接下来，对于几个实施方式的放射线检测器，参照附图进行说明。
(放射线检测器的整体结构)
图1是表示一个实施方式的放射线检测器的立体图，图2是该放射线检测器的剖视图。
放射线检测器11是对放射线图像即X射线图像进行检测的X射线平面传感器，例如一般用于医疗用途等。
如图1及图2所示，该放射线检测器11包括：阵列基板12，该阵列基板12是形成有将荧光转换为电信号的光电转换元件的基板；闪烁体层13，该闪烁体层13设置于该阵列基板12的一个主面即表面上，将入射的X射线转换为荧光；反射膜14，该反射膜14设置在该闪烁体层13上，将来自闪烁体层13的荧光反射至阵列基板12侧；防湿体15，该防湿体15设置在闪烁体层13及反射膜14上，用于保护以免受外部气体及湿度的影响；以及粘接层16，该粘接层16粘接防湿体15与阵列基板12。
(阵列基板12)
阵列基板12将由闪烁体层13从X射线转换成可见光的荧光转换成电信号，包括：玻璃基板10；呈矩阵状形成在该玻璃基板10上的像素17；沿行方向配置的多条控制线(或栅极线)18；沿列方向配置的多条信号线(或信号线)19；与各控制线18电连接的未图示的控制电路；以及与各信号线19电连接的未图示的放大/转换部。
另外，在各像素17内分别配置有作为光电转换元件的光电二极管21。这些光电二极管21配置于闪烁体层13的下部。
各像素17还包括：作为与光电二极管21电连接的开关元件的薄膜晶体管(TFT)22；以及作为对经光电二极管21转换的信号电荷进行蓄积的电荷蓄积部的未图示的蓄积电容。然而，蓄积电容不是必需的，有时候光电二极管21的电容可兼用作蓄积电容。
各薄膜晶体管22起到使荧光向光电二极管21入射所产生的电荷积累和释放的开关功能。对于薄膜晶体管22，使用作为非晶半导体的非晶硅(a-Si)、或使用作为多晶半导体的多晶硅(P-Si)等半导体材料来至少构成其一部分。
将图1所示的控制线18在各像素17间沿行方向进行设置，并将其与相同行的各像素的薄膜晶体管22的栅极电极(未图示)进行电连接。
将图1所示的信号线(信号线)19在各像素17间沿列方向进行设置，并将其与相同列的各像素的薄膜晶体管22的源极电极(未图示)进行电连接。
控制电路控制各薄膜晶体管22的动作状态、即控制导通和截止，安装于阵列基板10的表面的沿行方向的侧缘。
放大/转换部具有：多个电荷放大器，该多个电荷放大器例如分别与各信号线19对应设置；并联/串联转换器，该并联/串联转换器与上述电荷放大器电连接；以及模数转换器，该模数转换器与该并联/串联转换器电连接。
(保护膜26a，26b)
如图2所示，为了保护像素17等，在阵列基板12的有源区A上形成有保护膜26a。如下文实施例1所述，由于考虑到保护膜26a与闪烁体层13的紧贴性，因而使用有机树脂来形成该保护膜26a，优选使用丙烯酸类、聚乙烯或聚丙烯、丁醛类等热塑性树脂，最好是丙烯酸类树脂。
另一方面，在阵列基板12上形成有粘接层16的粘接区B中，形成有用于提高紧贴力的保护膜26b。该保护膜26b如下文中实施例2所述的那样由无机膜所形成。
(闪烁体层13)
闪烁体层13将入射的X射线转换成可见光、即荧光，例如是使用碘化铯(CsI)：铊(Tl)、或碘化钠(NaI)：铊(Tl)等并利用真空蒸镀法形成为柱状构造；或是将氧硫化钆(Gd2O2S)荧光体粒子与粘合剂相混合，来涂布在阵列基板12上进行烧成和固化，之后，再通过利用切割器进行切割等来形成槽部，从而形成为四棱柱状等。
这些柱之间也可封入有大气、或防氧化用的氮气(N2)等惰性气体，或也可为真空状态。
例如，闪烁体层13能使用如下结构：使用CsI：Tl的蒸镀膜，膜厚度为大约600μm，CsI：Tl的柱状构造结晶的柱(pillar)的粗细在最表面为8～12μm左右。
(反射膜14)
对于形成在闪烁体层13上的反射膜14，其反射向光电二极管的相反侧发出的荧光，增大到达光电二极管的荧光光量。
可以列举出以下反射膜14：即，将银合金或铝等荧光反射率较高的金属成膜在闪烁体层13上而形成的反射膜14；将具有铝等金属表面的反射板紧贴到闪烁体层13而形成的反射膜14；通过涂布由TiO2等光散射性物质和粘合剂树脂构成的漫反射性的反射层而形成的反射膜14等。
具体而言，能应用以下材料作为光反射材料：即，利用溶剂将平均粒径0.3μm左右的TiO2微粉末与丁醛类等粘合剂树脂进行混合涂布，将其涂布到闪烁体层13上并使其干燥。对于涂布，例如使用涂布机(dispenser)并利用XY平台的驱动来重复线涂布，从而能够形成为区域状。
此外，根据放射线检测器11所要求的分辨率、亮度等特性，也能够省略反射膜14。
(防湿体15)
防湿体15用于使闪烁体层13、反射膜14不受外部气氛的影响，用于抑制因湿度等而引起的特性劣化。
防湿体15是例如通过将厚度为0.1mm的AL合金箔(AlN30-O材)冲压成型为在周边部具有5mm宽度的檐部33的结构，来形成为帽状(参照图3(a)、(b))。防湿体15的材质不限于AL(铝)或AL合金，也能使用AL或AL合金与树脂的层叠膜，无机膜与树脂的层叠膜(例如凸版印刷株式会社生产的GX膜)等透湿性较低(水蒸气阻挡性较高)的原材料。
(粘接层16)
粘接层16是通过将含有添加剂的粘接剂涂布到檐部33而形成的。即，为了使檐部33与阵列基板12的周边区域进行粘接密封，例如将AL帽上下翻转并放置到粘接托盘上，利用丙酮等对檐部33进行清洗，再进行UV/O3处理，之后，利用涂布机涂布粘接剂，从而形成粘接层16。
作为粘接剂，如下文所述，能够使用UV固化型(Nagase ChemteX株式会社生产XNR5516ZHV-B1：粘度400Pa·s)。
(防湿体15与阵列基板12的粘合)
为了粘合防湿体15与阵列基板12，例如在对AL帽的檐部33涂布粘接剂后、将阵列基板12上下翻转并进行了位置对齐的状态下，将其放置到减压粘合装置中，关闭腔体以在减压状态下进行合体，从而在图2所示的区域B处，对由AL帽构成的防湿体15与带有膜的阵列基板12进行减压贴合。接着，从基板的背面侧进行UV照射，来固化粘接剂。之后，再进行60℃×3小时的加热固化。
若所使用的基板的尺寸是例如17英寸□，则能够使得蒸镀CsI：Tl膜的有源区A的区域大概成为430mm□，粘接密封AL帽的防湿体15的粘接区B的区域成为440mm□～450mm□。
(本实施方式的效果)
在阵列基板12中，使覆盖闪烁体层13的有源区A的基板最表层采用有机树脂的保护膜26a，从而能够确保闪烁体层13与阵列基板12的紧贴力。其结果是，在后续的反射膜14的制造工序中，能使得不易发生因反射膜的应力而导致闪烁体膜剥离的现象。另外，即使在高温高湿环境下或在温度变化激烈的环境下，也能维持闪烁体层13与阵列基板12之间较强的紧贴力，能获得可靠性较高的产品。
另一方面，在阵列基板12中，对于形成粘接层16的粘接区B，使最表层采用无机材质的保护膜26b，从而提高粘接层16与阵列基板12的紧贴力，能够抑制因高温高湿而引起的劣化。其结果是，能确保防湿结构的密封部的高可靠性。
因而，能够提供一种在闪烁体层13与阵列基板12之间的紧贴力、及防湿体15的粘接层16与阵列基板12之间的紧贴力这两方面可靠性较高的放射线检测器11。
(其他的实施方式)
图4、图5示出了代替阵列基板12的最表层的保护膜的其他实施方式。
在图4所示的放射线检测器20中，横跨阵列基板12上的有源区A和粘接区B这两者而形成有无机材质的保护膜28b，并进一步在有源区A的区域的无机的保护膜28b上形成有有机树脂的保护膜28a，除此以外与图2所示的放射线检测器11的结构相同。
另外，在图5所示的放射线检测器30中，横跨阵列基板12上的有源区A和粘接区B这两者而形成有有机树脂的保护膜29a，并进一步在粘接区B的区域的有机树脂的保护膜29a上形成有无机材质的保护膜29b，除此以外与图2所示的放射线检测器11的结构相同。
上述放射线检测器20，30也能获得与放射线检测器11相同的效果。
实施例
[实施例1]
(评价阵列基板12的最表层与闪烁体层13之间的紧贴力)
接下来，调查通过改变阵列基板12的最表层保护膜而对阵列基板12与闪烁体层13之间的紧贴力造成的影响。
首先，为了测定与闪烁体层13之间的紧贴力，在覆盖了由有机硅类有机膜构成的最表层保护膜材质的基板上，在基板的成膜温度为大约150℃下，蒸镀相当于600μm厚的CsI：Tl膜。
在形成蒸镀膜之后，准备反射膜A(TiO2微细粒子、丁缩醛类树脂粘合剂、有机溶剂)、反射膜B(TiO2微细粒子、丁缩醛类树脂粘合剂、增塑剂、有机溶剂)这两种，作为实际使用的由TiO2反射粒子、粘合剂、溶剂构成的反射膜14。使用涂布装置以三种水平的重量(干燥重量：32mg、63mg、95mg)来滴下上述涂液，并对由干燥时的收缩应力所引起的CsI：Tl膜与基板的剥离状况进行调查。
其结果如图6所示。
从图6可知，对于反射膜A中的干燥重量为63mg、95mg的涂液、及反射膜B中的干燥重量为32mg、63mg、95mg的涂液，CsI：Tl膜会在图中的「×」的部位脱离基板。与此相对，对于反射膜A中的干燥重量为32mg的涂液，不会观察到CsI：Tl膜脱离基板。
另外，采用反射膜A作为反射膜，使用丙烯酸类、有机硅类、Si-N类、Si-O类保护膜作为基板的最表层材质，事先分弱、中、强三个阶段来实施被期待有助于提高紧贴力的UV/O3处理，然后，将对作为闪烁体的CsI：Tl膜与基板之间的剥离情况的比例进行测定的结果示出在表1中。
[表1]
表1.反射膜涂液的定量滴下与干燥后的闪烁体膜剥离
Figure BDA00003599267800091
根据上述表格的结果可知，对于基板最表层而言，相比无机膜材质，有机树脂类特别是丙烯酸类与闪烁体之间的紧贴力比较优异。
此外，尽管在表1中未示出，但在基板的最表层是有机树脂层的情况下，并不限于丙烯酸类，聚乙烯、聚丙烯、丁缩醛类等热塑性树脂与闪烁体之间的紧贴力也优于有机硅类、环氧类等热固化性树脂与闪烁体之间的紧贴力。
如上所述，可知，树脂类保护膜与CsI：Tl膜等闪烁体层13之间的紧贴力明显较为有利。另外，在树脂类保护膜中，丙烯酸类等热塑性有机树脂优于有机硅类等热固化性有机树脂。
可以推测其原因如下：在蒸镀CsI：Tl膜时，伴随有例如150℃左右的基板加热，因而，在蒸镀时基板表层会发生软化，从而能获得蒸镀膜与表层之间的应力缓和及确保紧贴力的效果。此外，丙烯酸的软化点大多在120℃左右。
另一方面，对于热固化性的有机硅类树脂，在蒸镀CsI：Tl膜时的150℃左右的温度下会发生一定程度的固化，或者即使不发生固化也不会如热塑性树脂那样发生软化，因而，若基于蒸镀膜的能量来进行考虑，则认为可能难以获得充分的紧贴力。
另外，若基于闪烁体层13的观点来进行考虑，CsI：Tl或CsI：Na的蒸镀膜呈柱状结构(柱状晶体结构)，在柱间具有间隙，因此，因光导向效果而具有良好的分辨率特性，另一方面，由于缺少膜的面方向上的相互支撑，因而，与阵列基板12之间的紧贴力有劣化的趋势。
因此，对于上述柱状结构的闪烁体层13，如本实施方式那样，形成闪烁体层13的有源区由有机树脂保护膜构成的效果更好。
[实施例2]
(评价防湿体15的粘接层16与阵列基板12之间的紧贴力)
为了评价防湿体15的粘接层16与阵列基板12之间的紧贴力而制作具有以下结构的紧贴力样品：即，将在表面形成有保护层材质的基板分割成小片，以保护层侧夹着粘接剂相对的方式进行粘合。
粘接剂使用Nagase ChemteX株式会社生产的UV固化型粘接剂XNR5516ZHV-B1。另外，预先实施被期待会有助于提高紧贴力的UV/O3处理。
如图7所示，对于在表面形成有规定的保护层42的、具有2mm×5mm这一尺寸的小片侧基板41，利用涂布机涂布大约1mg左右的粘接剂，并使其与形成有相同的保护层42的、具有4cm□这一尺寸的中片侧基板44相对，并在此状态下进行贴合，以获得粘接层43。在施加约200gf的力来进行挤压之后，从小片侧基板41的背面侧照射3J/cm2的365nm的UV，以使其固化。之后，再进行60℃×3小时的加热固化。使用以下模式来测定与粘接层43之间的紧贴力：即，使用图7所示的数字测力计来从侧面按压小片侧基板41，并保持小片剥离时的峰值强度。该紧贴力调查还追踪经过60℃-90%RH高温高湿实验后的紧贴力变化。
图8中示出在使用各种材质作为保护层42的情况下、小片侧基板41与粘接层43之间的紧贴力的测定结果。此外，尽管粘接剂A和粘接剂B都是环氧类UV固化型粘接剂，但是添加材料、填料等的种类、添加量不同。
关于与粘接层43之间的紧贴力，其明显不同于实施例1中的闪烁体层13与阵列基板12之间的紧贴力的趋势，即，基板的最表层为无机保护膜时的、与粘接层43之间的紧贴力明显优于基板的最表层为有机保护膜时的、与粘接层43之间的紧贴力。
另外，对于经过60℃-90%RH的高温高湿实验后的紧贴力的劣化，也可判定为在使用无机保护膜时较小，优于使用有机树脂保护膜的情况。
[实施例3]
(放射线检测器的特性评价)
基于实施例1和实施例2的结果，如下所述那样改变阵列基板12的最表层保护膜材料，来制作实际的放射线检测器。
首先，作为本实施例，制作图4所示结构的放射线检测器20。
在阵列基板12上，利用等离子CVD法形成膜厚为2μm左右的氮化硅的无机膜作为保护膜28b，并在其上层层叠形成有厚度为2.5μm左右的丙烯酸类树脂膜作为保护膜28a。对于丙烯酸类树脂，使用感光性材料，并将其设计为直接使用光刻法对粘接区B进行去除后的图案。
利用上述工序，对于要形成CsI：Tl闪烁体层13的有源区A，丙烯酸树脂类有机树脂的保护膜28a成为最上层，而对于与防湿体15相粘接的粘接区B，氮化硅类的无机材质的保护膜28b成为最上层。
另一方面，作为比较例，还同时制作了以下两个样品：去除引出片衬垫部(TAB Pad)27等而在整个表面上残留有机树脂保护膜(比较例1)的样品；在整个表面上残留有无机材质的保护膜的样品(比较例2)。
表2中一览示出了试作样品的阵列基板最上层材质。除上述阵列基板最上层材质之外，实施例、比较例1、比较例2的其他构成要素和工序都相同。
[表2]
表2试作样品的最上层保护膜材质
本实施例 比较例1 比较例2
有源区A 丙烯酸类有机膜 丙烯酸类有机膜 氮化硅类无机膜
粘接区B 氮化硅类无机膜 丙烯酸类有机膜 氮化硅类无机膜
在制造工序中，在涂布反射膜14后的干燥阶段，比较例2的样品会在闪烁体层13的CsI：Tl膜和阵列基板12的表面之间产生膜浮起(剥落而产生间隙的状态)。该膜浮起状态是稍许有振动就会产生剥落的水平，无法经受后续的工序。
与此相对，本实施例与比较例1的样品中，反射膜14的形成工序中没有异常现象，之后，前进至粘接密封AL帽的工序。对本实施例与比较例1都进行减压粘贴，而且一般而言，也不会在UV固化、热固化过程中发生异常情况。
之后，为了比较上述样品的可靠性，实施60℃-90%RH×500h的高温高湿实验与-20℃×2h/60℃×2h的冷热循环实验，其结果是，比较例1的样品会在两个角部附近在AL帽与阵列基板12的粘接部产生剥离。作为对剥离部进行调查的结果，可知会在粘接层16/阵列基板12的界面产生剥离现象。
另一方面，在实施例的样品中，完全未观察到粘接部的异常现象。进一步追加高温高湿和冷热实验，在对60℃-90%RH累计100h、-20℃×2h/60℃×2h的冷热实验重复累计60次之后，在粘接密封部也未发生异常。
该结果与上述实施例2的结果也相符合。因而，通过将实施例的阵列基板12的最表层设为氮化硅类的保护膜，从而其与粘接层16的紧贴力及其耐高温高湿性能都明显优于比较例1的样品。
虽然对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式仅作为示例呈现，而并非要对发明范围进行限定。其新的实施方式可通过其它各种方式进行实施，在不脱离发明要旨的范围内，可进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形均包含在发明的范围和要旨中，并且包含在专利权利要求所记载的发明及其等同范围内。
附图标记
10   玻璃基板
11   放射线检测器
12   阵列基板
13   闪烁体层
14   反射膜
15   防湿体
16   粘接层
17   像素
18   控制线(栅极线)
19   信号线(信号线)
20   放射线检测器
21   光电二极管
22   薄膜晶体管(TFT)
26a  保护膜
26b  保护膜
27   引出片衬垫(TAB Pad)
28a  保护膜
28b  保护膜
29a  保护膜
29b  保护膜
30   放射线检测器
33   檐部

Claims (6)

1.一种放射线检测器，其特征在于，包括：
基板，该基板至少划分成有源区和粘接区，具备：光电转换元件，该光电转换元件位于所述有源区内，将荧光转换为电信号；有机树脂保护层，该有机树脂保护层位于所述有源区内的最表层；以及无机保护膜，该无机保护膜位于所述粘接区的最表层；
闪烁体层，该闪烁体层以覆盖所述光电转换元件的方式形成在所述有机树脂保护层上，将放射线转换为所述荧光；
防湿体，该防湿体以覆盖所述闪烁体层的方式形成；以及
粘接层，该粘接层形成在所述无机保护层上，粘接所述防湿体和所述基板。
2.如权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
所述有机树脂保护膜是由热塑性有机树脂形成的。
3.如权利要求1或2所述的放射线检测器，其特征在于，
所述无机保护膜是由氮化硅、氧化硅、碳化硅及其复合材料中的任一种形成的。
4.如权利要求1或2所述的放射线检测器，其特征在于，
所述粘接层是由UV固化型粘接剂形成的。
5.如权利要求3所述的放射线检测器，其特征在于，
所述粘接层是由UV固化型粘接剂形成的。
6.如权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
还具有反射膜，该反射膜形成在所述闪烁体层与所述防湿体之间，对所述荧光进行反射。
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