CN103339223B - 陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法 - Google Patents

陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103339223B
CN103339223B CN201280007472.9A CN201280007472A CN103339223B CN 103339223 B CN103339223 B CN 103339223B CN 201280007472 A CN201280007472 A CN 201280007472A CN 103339223 B CN103339223 B CN 103339223B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic
layer
converter element
wave length
carrier layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280007472.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103339223A (zh
Inventor
U.利波尔德
D.艾泽特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to CN201510460432.5A priority Critical patent/CN105118913B/zh
Publication of CN103339223A publication Critical patent/CN103339223A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103339223B publication Critical patent/CN103339223B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/341—Silica or silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/368—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

说明一种具有活性的陶瓷层（2）的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外，陶瓷变换元件（1）包括载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。

Description

陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法
技术领域
说明一种陶瓷变换元件、一种具有陶瓷变换元件的半导体芯片以及一种用于制造陶瓷变换元件的方法。
发明内容
本发明的任务是说明一种陶瓷变换元件，其可容易地和简单地操作。
此外本申请的任务是，说明一种用于制造这样的陶瓷变换元件的方法。
本发明的另一任务是，说明一种半导体芯片，其适于发出暖白色范围中的混色的白光。
该任务通过具有权利要求1的特征的陶瓷变换元件、通过具有权利要求12的特征的发射辐射的半导体芯片以及通过具有权利要求15的步骤的方法来解决。
所述陶瓷变换元件、半导体芯片以及方法的优选扩展方案和实施方式分别在从属权利要求中说明。
陶瓷变换元件，尤其是包括：
－活性的陶瓷层，其适于将第一波长范围的电磁辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的电磁辐射，
－载体层，其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。
如果变换元件被设置用于发出例如白色的混合光——该混合光包括经变换的和未经变换的辐射，则载体层优选发射至少75％、特别优选地至少90％的第一和第二波长范围的辐射。
如果变换元件被设置用于将第一波长范围的辐射尽可能完全地转换成第二波长范围的辐射，则载体层优选发射至少75％、特别优选地至少90％的第二波长范围的辐射并且优选吸收第一波长范围的辐射，使得该辐射的最多10％可以穿透变换原件。在该实施方式情况下，载体层特别优选地布置朝向半导体芯片的输出偶合侧。
载体层被设置用于在机械上稳定活性的陶瓷层。有利地，通过使用载体层可以将活性的陶瓷层用于波长变换，所述陶瓷层本身并不是无支撑的。因此可能的是，活性的陶瓷层被构造得如此薄，使得可以使用较高的活性剂浓度并且因此可以与预先给定的半导体本体相组合地实现要达到的色点的较宽范围。
因此可能的是，借助于活性的陶瓷层的厚度来调整变换元件的变换作用，其中可以实现任意薄的活性层并且因此可以与预先给定的半导体本体相组合地实现较宽的色点范围。特别的优点在于，变换作用的调整不通过发光物质中的活性剂含量进行，而是通过活性的陶瓷层的厚度来进行。因此可以使用具有比较高的活性剂浓度的发光物质，如其例如在变换薄片情况下所使用的那样，所述变换薄片的发光物质以颗粒形式置入到硅树脂基质中。通过这种方式可以避免发光物质光色的不期望的改变，所述改变常常通过活性剂浓度的变化而引起。此外借助于薄的活性的陶瓷层一般可以实现变换元件的效率提高和更均匀的颜色分布。
根据一个实施方式，变换元件具有唯一的活性层和唯一的载体层。变换元件也可以由唯一的活性的陶瓷层和唯一的载体层构成。
此外也可能的是，变换元件包括多个活性层和多个载体层。它们优选交替地布置。
根据一个实施方式，变换元件由分别被另一载体层封装的活性层构成，也就是说在活性层的每个主侧上分别施加一个载体层。活性的陶瓷层在此情况下分别优选地与相应的载体层构造了共同的界面。对在两个一般为惰性的载体层之间的活性层的封装可以有利地提高陶瓷变换元件的寿命。
活性的陶瓷层例如可以具有以下发光物质之一或者由以下发光物质之一构成：用稀土金属掺杂的石榴石、用稀土金属掺杂的碱土硫化物、用稀土金属掺杂的硫化镓、用稀土金属掺杂的铝酸盐、用稀土金属掺杂的硅酸盐、如正硅酸盐、用稀土金属掺杂的氯硅酸盐、用稀土金属掺杂的碱土氮化硅、用稀土金属掺杂的氮氧化物和用稀土金属掺杂的氮氧化铝、用稀土金属掺杂的氮化硅、硅铝氧氮陶瓷（Sialone）。
作为发光物质尤其是可以使用石榴石，如氧化钇铝（YAG）、氧化镥铝（LuAG）和氧化铽铝（TAG）。
发光物质例如用以下活性剂之一掺杂：铈、铕、铽、镨、钐、锰。
根据变换元件的一个实施方式，活性层具有小于或等于100μm、优选小于或等于50μm、特别优选地小于或等于25μm的厚度。
根据一个实施方式，陶瓷的活性层具有发光物质，所述发光物质的活性剂具有在含2％和含5％之间的浓度。特别优选的，在该实施方式情况下使用YAG:Ce作为发光物质。
根据另一实施方式，陶瓷层的厚度和活性剂浓度的乘积大约处于恒定。特别优选的，陶瓷层的厚度和以百分比为单位的活性剂浓度的乘积为大约50μm－1。特别优选的，也在该实施方式情况下将YAG:Ce用作为发光物质。
根据变换元件的另一实施方式，载体层以及活性层由陶瓷材料构成。陶瓷载体层的材料适宜地被选择为，使得该材料在对于变换元件的制造所需的烧结温度情况下仅仅微弱地与活性层的发光材料起化学反应。例如发光物质的上面提到的材料中的一种适合作为陶瓷载体层的材料，但是该材料不具有活性剂。特别优选的，陶瓷载体层由没有活性剂的未掺杂的发光物质材料构成，该发光物质材料以用活性剂掺杂的方式用于活性层。此外，也可以将与所使用的发光物质相近的或兼容的物质用于载体层。
特别优选的，载体层基本上没有发光物质的活性剂离子。换句话说，载体层优选不具有或者仅仅具有可忽略的波长变换的特性。特别有利的，活性剂浓度除以载体层的总体积为活性的陶瓷层中的活性剂浓度的最大1/4。
特别有利的将石榴石发光物质、例如Y3Al5O12:Ce(YAG:Ce)用作为活性的陶瓷层的材料。具有由YAG:Ce构成的活性的陶瓷层的变换元件因此优选具有如下载体层，该载体层由没有活性剂的未掺杂的YAG构成。
此外，氧化铝也适合作为载体层的材料。氧化铝尤其是与YAG:Ce相近的或兼容的物质。
根据另一实施方式，陶瓷变换元件具有含50μm和含200μm之间的、优选80μm和200μm之间的厚度。
根据另一实施方式，陶瓷变换元件具有含50μm和含180μm之间的、优选80μm和180μm之间的厚度。
这样的陶瓷变换元件可以有利地特别简单地操作。
根据变换元件的一个实施方式，在活性层和载体层之间布置抑制层，该抑制层适于至少减少活性剂离子从活性的陶瓷层到载体层中的扩散。
特别有利地，抑制层被构造得非常薄。根据变换元件的一个实施方式，抑制层具有小于或等于5μm的厚度。
特别优选的，抑制层由陶瓷材料构成。
抑制层例如可以由氧化铝构成或者包含氧化铝。氧化铝尤其是可以适于至少减少铈从包含YAG:Ce的活性的陶瓷层扩散到未掺杂的YAG载体层中。
根据变换元件的另一实施方式，载体层具有散射中心，所述散射中心适于散射第一波长范围和/或第二波长范围的电磁辐射。作为散射中心，例如在陶瓷载体层内设置孔或颗粒。所述散射中心优选具有含1.5μm和含0.5μm之间的直径。特别优选的，散射中心具有如下折射率，所述折射率与载体层材料的折射率至少偏离0.1。作为散射中心例如可以使用颗粒，所述颗粒具有陶瓷材料或者由陶瓷材料构成，其中散射中心的陶瓷材料与载体层的陶瓷材料不同。所述颗粒优选地具有以下材料之一或者由以下材料之一构成：氧化铝、氧化硅、氧化钛。这样的颗粒尤其适合与由未掺杂的YAG构成的载体层结合使用。通过有针对性地将散射中心置入到载体层中，变换元件的辐射特性的均匀性可以得到改善。此外可以借助于散射中心实现变换元件在非激活状态下的中性的颜色印象。
根据另一实施方式，载体层具有至少一种颜料，所述颜料适于赋予变换元件特定的色彩。由此可以有利地实现变换元件的特定的颜色印象。
陶瓷变换元件优选地适于将半导体本体的辐射至少部分地转换成另一波长范围的辐射。
发射辐射的半导体芯片尤其是包括：
－半导体本体，其适于从辐射出射面发出第一波长范围的电磁辐射，和
－如已经描述的陶瓷变换元件。
特别有选的，陶瓷变换元件将半导体本体的辐射中的仅仅一部分转换成第二波长范围的辐射并且发射从半导体本体发出的辐射的另一部分。通过这种方式可以生成混色的、例如白色的光。
特别优选的，半导体本体发出来自蓝色光谱范围的光。特别优选的，陶瓷变换元件被设置用于将半导体本体的蓝光的一部分转换成黄色光谱范围的光。通过这种方式可以生成混色的白光。适于将蓝光转换成黄光的波长变换的活性的陶瓷层优选具有YAG:Ce作为发光物质。
根据半导体芯片的另一实施方式，半导体本体发出来自紫外光谱范围、优选在380nm至420nm之间的辐射。半导体本体的紫外光通过陶瓷变换元件优选转换成可见光。特别优选的，陶瓷变换元件在此情况下将半导体本体的辐射尽可能完全地转换成第二波长范围的辐射。为了生成白光，变换元件在此情况下一般包括至少两种不同的发光物质，例如一种物质将紫外辐射转换成蓝色辐射并且另一种物质将紫外辐射转换成黄色辐射。为了变换紫外光，优选采用掺杂有铕作为活性剂的发光物质。
陶瓷变换元件优选布置为，使得由半导体本体发出的辐射的大部分可以穿透变换元件。
特别优选的，变换元件的活性层直接接触地施加到半导体本体的辐射出射面上。通过这种方式，在运行中在活性的陶瓷层中由于斯托克斯位移（Stokes-Verschiebung）产生的热量可以通过半导体本体被导出。
根据另一实施方式，载体层背向半导体本体的辐射出射面。因此有利地可以实现，变换元件的配备有散射中心和/或颜料的载体层影响对于外部观察者来说的颜色印象。
特别优选的，发射辐射的半导体芯片发出具有含4000K和含6000K之间的色温的混色的白光。
根据一个实施方式，半导体芯片具有发出来自蓝色光谱范围的辐射的半导体本体以及陶瓷变换元件，该变换元件具有基于YAG:Ce发光物质的活性的陶瓷层。YAG:Ce陶瓷的钇的部分在此情况下可以由钆代替。通过在主晶格内由钆代替钇，主晶格的晶格常数发生改变，由此活性剂的发射波长经历朝向更长波长的位移。通过这种方式有利地可以提供如下的半导体芯片，所述半导体芯片发出具有普朗克曲线下方的色点的白光。
用于制造陶瓷变换元件的方法包括以下步骤：
－提供载体层或者作为载体层的基体的未烧结膜，
－施加作为活性的陶瓷层的基体的未烧结膜或者施加作为活性的陶瓷层的基体的粉末分布（Pulverdispersion）到载体层上或者到充当载体层的基体的未烧结膜上，和
－对层复合体进行烧结。
如果活性的陶瓷层和载体层分别应由陶瓷构成，则优选提供对应的未烧结膜作为载体层的基体。通过这种方式现在可以要么层压另一未烧结膜作为活性的陶瓷层的基体要么将对应的粉末分布作为活性的陶瓷层的基体施加到未烧结膜上。
所述粉末分布例如可以借助于喷涂或者沉淀来施加。
通过层压对应的未烧结膜可以实现由陶瓷载体层和活性的陶瓷层构成的任意的层复合体。在层压情况下，两个或者更多个未烧结膜通过施加压力或必要时施加温度来彼此连接。
为了实现任意厚的陶瓷载体层，也可以上下相叠地层压多个相同类型的未烧结膜作为载体层的基体。
抑制层也可以基于未烧结膜生成并且层压到层堆叠中。
尤其是为了生成特别薄的陶瓷层、例如陶瓷抑制层或者陶瓷活性层，可以通过喷涂或沉淀来对对应的载体材料进行镀层。
附图说明
本发明的其他有利实施方式和扩展方案从以下结合附图描述的实施例中得出。
图1至4分别示出根据各一个实施例的陶瓷变换元件的示意性截面图。
图5示出根据一个实施例的半导体芯片的示意性截面图。
图6示出根据一个实施例的具有半导体芯片的器件的示意性截面图。
图7示出不同陶瓷变换元件的色点cy和cy的取决于活性剂浓度的测量值。
图8示出具有活性层和陶瓷层的陶瓷变换元件内的和传统的陶瓷变换元件内的温度变化曲线的模拟值。
图9A至9C示出根据实施例的在三个不同方法阶段中的陶瓷变换元件的示意性截面图。
具体实施方式
相同的、相同类型的或者起相同作用的元件在附图中配备相同的附图标记。附图和附图中所示元件彼此之间的大小关系不应视为是按比例的。更确切地说，各个元件、尤其是层厚度可以为了更好的可表示性和/或为了更好的理解而被夸大地示出。
根据图1的实施例的陶瓷变换元件1具有活性的陶瓷层2，该陶瓷层2适于将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的辐射。为此，活性的陶瓷层2由经烧结的发光物质构成。所述发光物质可以例如是YAG：Ce。活性的陶瓷层2的厚度优选地明显处于100μm以下，特别优选地处于50μm以下在大约25μm。在使用这样的比较薄的活性的陶瓷层2的情况下，有利地可以使用具有高活性剂浓度的YAG：Ce作为发光物质，如也在变换薄片中使用的那样，在所述变换薄片的情况下发光物质颗粒嵌入在树脂中。
特别优选地，活性的陶瓷层2的厚度和以百分比为单位的活性剂浓度的乘积为大约50μm-1。这意味着，活性剂浓度在陶瓷层2的厚度为大约25μm的情况下具有大约2%的值。
此外，陶瓷变换元件1包括载体层3，该载体层对于第一和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。载体层3和活性的波长变换的陶瓷层2直接接触地上下相叠地施加并且因此构造了共同的界面。载体层3例如可以由未掺杂的陶瓷YAG材料构成。此外，氧化铝例如也适合作为载体层3的材料。
载体层3当前被设置为在机械上稳定薄的活性的陶瓷层2。载体层3将总的陶瓷变换元件1的厚度提高为，使得该陶瓷变换元件1优选具有80至180μm之间的厚度。
根据图2的实施例的陶瓷变换元件1与图1的陶瓷变换元件1不同地具有载体层3内的散射中心4。与载体层3的材料具有不同材料的例如孔或颗粒可以充当散射中心4。所述散射中心4在本实施例的情况下主要具有大约1μm的直径。通过将散射中心4有针对性地置入载体层3中，陶瓷变换元件1的辐射均匀性可以得到改善。此外，载体层3可以具有赋予其期望的色彩的颜料。
根据图3的实施例的陶瓷变换元件1具有活性的陶瓷层2，该陶瓷层2由两个载体层3封装。在此情况下分别在活性的陶瓷层2的主侧上与相应的主侧直接接触地布置载体层3。通过封装活性的陶瓷层2可以提高陶瓷元件的寿命。
根据图4的实施例的陶瓷变换元件1与根据图1至3的变换元件1不同地具有抑制层5。该抑制层5当前布置在活性的陶瓷层2与辐射可透过的载体层3之间。该抑制层5被设置用于阻碍活性剂离子从活性的陶瓷层2扩散到载体层3中。该抑制层5优选构造得非常薄并且具有小于或等于5μm的厚度。抑制层5的合适材料例如是氧化铝。
根据图5的实施例的半导体芯片具有带辐射生成区7的半导体本体6。半导体本体6的辐射生成区7适于在运行时生成第一波长范围的辐射，该辐射从半导体本体6的辐射出射面8发出。特别优选地，第一波长范围包括来自蓝色光谱范围的辐射。
此外，根据图5的半导体芯片包括陶瓷变换元件1，例如在图2中所描述的那样。此外还可能的是，根据图5的半导体本体6与另一变换元件1——例如根据图1、3和4所述的那样——组合成半导体芯片。
陶瓷变换元件1与活性的波长变换层2直接接触地施加到半导体本体6的辐射出射层8上。由此，由于斯托克斯位移在变换元件1的活性层2内产生的热量可以经由半导体本体6例如引出到在背侧安置的电接触。载体层3内的散射中心4当前优选地导致对于外部观察者来说中性的、例如白色的颜色印象。
根据图6的实施例的光电子器件具有半导体芯片，例如根据图5已经描述的那样。半导体芯片在此情况下以其与半导体本体6的辐射出射面8相对的背侧9固定在器件壳体11的凹陷10中。器件壳体11在此情况下充当将热量从半导体芯片导出的热沉，如由箭头表明的那样。
图7示出CIE标准色图的片段，该片段通过色点坐标cx和cy张开并且包括8000K和4000K之间的色温的色点之间的普朗克曲线Cp。此外在该片段中录入了半导体芯片的色点的测量值，例如根据图5已经描述的那样。
在此情况下，曲线C1（开放的方形）示出具有陶瓷变换元件1的半导体芯片的值，所述陶瓷变换元件1具有活性层2，该活性层2由具有不大于0.5%的低活性剂浓度的陶瓷YAG：Ce材料构成。陶瓷变换元件1在此情况下与发射蓝色的半导体本体相组合适于生成白光，并且在其总厚度上由活性的波长变换材料YAG：Ce构成。这些色点主要处于CIE标准色图的冷白色范围中的普朗克曲线的上方。具有陶瓷变换元件1的半导体芯片的测量值处于普朗克曲线下方，其中所述陶瓷变换元件1相反地具有高掺杂的YAG：Ce，该高掺杂的YAG：Ce具有活性的陶瓷层2的至少2%的活性剂浓度。需要较高的活性剂浓度，以便实现4000K至6000K之间的色温。
图8示出变换元件1的活性的陶瓷层2的温度T取决于厚度d的变化曲线。曲线T1（实线）在此情况下示出如根据本发明所设置的层状的变换元件1的温度变化曲线，而虚线T2示出取决于块状形式的传统的陶瓷变换元件的厚度d的温度变化曲线。在此情况下可以看出，层状的变换元件1内的温度较低，尤其是其最大温度。这在高的功率密度情况下有利地导致较低的光学损失。
根据图9A至9C示例性地进一步阐述用于制造层状的陶瓷变换元件1的方法。
在第一方法步骤中，提供未烧结膜12作为陶瓷载体层3的基体（图9A）。未烧结膜一般由相应的陶瓷粉末、粘合剂以及添加物质浇铸到载体膜上。为了实现任意厚度的陶瓷载体层3，在此情况下可以将多个未烧结膜12作为载体层3的基体上下相叠地堆叠和层压。在层压情况下，用压力和温度将未烧结膜12彼此连接。
替代于作为陶瓷载体层3的基体的未烧结膜12，也可以提供载体层3本身。
在下一步骤中，在图9A至9C的实施例情况下提供另一未烧结膜13作为抑制层5的基体并且布置在载体层3的未烧结膜12上。替代于此地，也可以通过施加粉末分布作为陶瓷抑制层5的基础来配备作为载体层3的基体的未烧结膜12。
此外将作为活性的陶瓷层2的基体的未烧结膜14布置到作为抑制层5的基体的未烧结膜13上。替代于此地也可以借助于施加粉末分布来生成活性的陶瓷层2的基体。
在下一步骤中，不同的未烧结层12、13、14经由烧结方法彼此连接并且转换成具有陶瓷载体层3、活性的陶瓷层2和陶瓷抑制层5的层状的陶瓷复合体，如在图9C中示意性示出的那样。
通过加速的烧结过程，活性剂离子从活性的陶瓷层2向载体层3的扩散可以有利地减小，尤其是在不设置抑制层5的情况下。
本申请要求德国申请DE 10 2011 010 118.7的优先权，其公开内容通过回引结合于此。
本发明不通过根据实施例的描述而被限于该描述。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每种组合，这尤其是包含权利要求书中的特征的每种组合，即使当该特征或者该组合本身没有明确地在权利要求书或实施例中说明时也是如此。

Claims (16)

1.陶瓷变换元件（1），具有：
－活性的陶瓷层（2），其适于将第一波长范围的电磁辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的电磁辐射，
－载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的，其中在活性的陶瓷层（2）和载体层（3）之间布置抑制层（5），该抑制层（5）适于减少活性剂离子从活性的陶瓷层（2）到载体层（3）中的扩散，而且抑制层（5）和载体层（3）由陶瓷材料构成。
2.根据权利要求1所述的陶瓷变换元件（1），其具有唯一的活性的陶瓷层（2）和唯一的载体层（3）。
3.根据权利要求1所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有以下发光物质之一：用稀土金属掺杂的石榴石、用稀土金属掺杂的碱土硫化物、用稀土金属掺杂的硫化镓、用稀土金属掺杂的铝酸盐、用稀土金属掺杂的硅酸盐、用稀土金属掺杂的正硅酸盐、用稀土金属掺杂的氯硅酸盐、用稀土金属掺杂的碱土氮化硅、用稀土金属掺杂的氮氧化物和用稀土金属掺杂的氮氧化铝、用稀土金属掺杂的氮化硅、硅铝氧氮陶瓷。
4.根据前述权利要求1-3之一所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有小于或等于100μm的厚度。
5.根据权利要求4所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有小于或等于50μm的厚度。
6.根据权利要求5所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）具有小于或等于25μm的厚度。
7.根据前述权利要求1-3之一所述的陶瓷变换元件（1），其中活性的陶瓷层（2）由具有活性剂的发光物质构成，所述活性剂的浓度具有在含2％和含5％之间的值。
8.根据前述权利要求1-3之一所述的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷变换元件（1）具有在含200μm和含50μm之间的厚度。
9.根据权利要求8所述的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷变换元件（1）具有在含180μm和含50μm之间的厚度。
10.根据前述权利要求1-3之一所述的陶瓷变换元件（1），其中抑制层（5）具有不大于5μm的厚度。
11.根据前述权利要求1-3之一所述的陶瓷变换元件（1），其中
－载体层（3）具有散射中心（4），所述散射中心由陶瓷颗粒构成，其中陶瓷颗粒的材料与载体层的陶瓷材料不同，并且
－散射中心（4）适于对第一波长范围的电磁辐射和/或第二波长范围的电磁辐射进行散射。
12.根据前述权利要求1-3之一所述的陶瓷变换元件（1），其中载体层（3）具有颜料。
13.发射辐射的半导体芯片，具有：
－半导体本体（6），其适于从辐射出射面（8）发出第一波长范围的电磁辐射，和
－根据前述权利要求之一的陶瓷变换元件（1），其具有活性的陶瓷层（2），所述活性的陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。
14.根据权利要求13所述的发射辐射的半导体芯片，其中变换元件（1）的活性的陶瓷层（2）直接接触地施加到半导体本体（6）的辐射出射面（8）上。
15.根据权利要求13所述的发射辐射的半导体芯片，其发出具有在含4000K和含6000K之间的色温的混色的白光。
16.用于制造根据权利要求1-12之一所述的陶瓷变换元件（1）的方法，具有步骤：
－提供载体层（3）或者作为载体层（3）的基体的未烧结膜（12），
－施加作为活性的陶瓷层（2）的基体的未烧结膜（14）或者施加作为活性的陶瓷层（2）的基体的粉末分布到载体层（3）上或者到充当载体层（3）的基体的未烧结膜（12）上，和
－对层复合体进行烧结。
CN201280007472.9A 2011-02-02 2012-01-17 陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法 Active CN103339223B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510460432.5A CN105118913B (zh) 2011-02-02 2012-01-17 陶瓷变换元件、具有它的半导体芯片及其制造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011010118.7 2011-02-02
DE102011010118A DE102011010118A1 (de) 2011-02-02 2011-02-02 Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
PCT/EP2012/050624 WO2012104141A1 (de) 2011-02-02 2012-01-17 Keramisches konversionselement, halbleiterchip mit einem keramischen konversionselement und verfahren zur herstellung eines keramischen konversionselements

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510460432.5A Division CN105118913B (zh) 2011-02-02 2012-01-17 陶瓷变换元件、具有它的半导体芯片及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103339223A CN103339223A (zh) 2013-10-02
CN103339223B true CN103339223B (zh) 2015-09-09

Family

ID=45491613

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280007472.9A Active CN103339223B (zh) 2011-02-02 2012-01-17 陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法
CN201510460432.5A Active CN105118913B (zh) 2011-02-02 2012-01-17 陶瓷变换元件、具有它的半导体芯片及其制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510460432.5A Active CN105118913B (zh) 2011-02-02 2012-01-17 陶瓷变换元件、具有它的半导体芯片及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9076933B2 (zh)
JP (2) JP5738438B2 (zh)
KR (1) KR101552780B1 (zh)
CN (2) CN103339223B (zh)
DE (1) DE102011010118A1 (zh)
WO (1) WO2012104141A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012202927B4 (de) * 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012104274A1 (de) 2012-05-16 2013-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements, keramisches Konversionselement und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102012109650A1 (de) 2012-10-10 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, optoelektronisches Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
DE102013104132A1 (de) * 2013-04-24 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102013105533A1 (de) 2013-05-29 2014-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anorganisches optisches Element und Verfahren zur Herstellung eines anorganischen optischen Elements
DE102013218451A1 (de) 2013-09-14 2015-03-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Konversionselement für ein optisches oder optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014100771A1 (de) 2014-01-23 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements und Licht emittierendes Bauelement
MY177277A (en) 2014-03-03 2020-09-10 Covalent Mat Corporation Wavelength converting member
DE102014112883A1 (de) 2014-09-08 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102015105474A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverterbauteil für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
CN110094647A (zh) * 2018-01-29 2019-08-06 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 一种波长转换装置、发光组件及照明装置
DE102018204163A1 (de) 2018-03-19 2019-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement für LED-Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Farbwiedergabe
DE102018128753A1 (de) * 2018-11-15 2020-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines konversionselements, konversionselement und strahlungsemittierendes bauelement
US10873009B2 (en) * 2018-11-21 2020-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Barrier layer functioned novel-structure ceramic converter materials and light emitting devices

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010010484A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. An optical element for a light emitting device and a method of manufacturing thereof

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2812142A1 (fr) 2000-07-21 2002-01-25 Microcid Sa Transpondeur passif et lecteur pour une identification sans contact de tels transpondeurs
DE10122718C2 (de) 2001-05-10 2003-04-17 Schott Glas Verfahren zur Erzeugung einer Streulichtschicht auf einer transparenten Kochplatte sowie dessen Verwendung
US6825054B2 (en) * 2001-11-21 2004-11-30 Paul Valentine Light emitting ceramic device and method for fabricating the same
US7554258B2 (en) * 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
US20070267646A1 (en) 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
DE102005030128B4 (de) * 2004-06-28 2011-02-03 Kyocera Corp. Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
US7879258B2 (en) 2005-03-14 2011-02-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor in polycrystalline ceramic structure and a light-emitting element comprising same
CN101288342B (zh) * 2005-04-20 2010-05-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括陶瓷发光转换器的照明系统
US7514721B2 (en) * 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
CN101473453B (zh) * 2006-01-20 2014-08-27 科锐公司 通过在空间上隔开荧光片转换固态光发射器内的光谱内容
RU2407110C2 (ru) * 2006-01-24 2010-12-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство
DE102006037730A1 (de) * 2006-08-11 2008-02-14 Merck Patent Gmbh LED-Konversionsleuchtstoffe in Form von keramischen Körpern
US7521862B2 (en) 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
US8728835B2 (en) * 2008-01-15 2014-05-20 Koninklijke Philips N.V. Light scattering by controlled porosity in optical ceramics for LEDs
JP5289126B2 (ja) * 2008-03-24 2013-09-11 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ光源及びｌｅｄ光源の色度調整方法
DE102008054029A1 (de) * 2008-10-30 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5107882B2 (ja) * 2008-12-11 2012-12-26 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
US20100289044A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength conversion for producing white light from high power blue led
EP2531571A1 (en) 2010-02-04 2012-12-12 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
TWI486254B (zh) * 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010010484A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. An optical element for a light emitting device and a method of manufacturing thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US9076933B2 (en) 2015-07-07
JP2015165588A (ja) 2015-09-17
KR20130115342A (ko) 2013-10-21
JP5738438B2 (ja) 2015-06-24
WO2012104141A1 (de) 2012-08-09
DE102011010118A8 (de) 2012-12-13
KR101552780B1 (ko) 2015-09-11
US20130320384A1 (en) 2013-12-05
DE102011010118A1 (de) 2012-08-02
CN105118913A (zh) 2015-12-02
JP2014504807A (ja) 2014-02-24
JP6223381B2 (ja) 2017-11-01
CN105118913B (zh) 2018-03-30
CN103339223A (zh) 2013-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103339223B (zh) 陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法
RU2455731C2 (ru) Осветительная система, содержащая монолитный керамический люминесцентный преобразователь
JP6257764B2 (ja) 発光半導体コンポーネント及びその製造方法並びに当該発光半導体コンポーネントを備えた波長変換素子の製造方法
CN104100933B (zh) 一种波长转换装置及其制作方法、相关发光装置
JP5631745B2 (ja) 透光性セラミックプレートを備える発光装置
EP2290033B1 (en) Composite phosphor powder, light emitting device using the same and method for manufacturing composite phosphor powder
KR102606173B1 (ko) 세라믹 파장 컨버터 어셈블리 및 이를 제조하는 방법
CN101238592B (zh) 转换波长的转换器材料，发光的光学元件以及它们的制造方法
JP5397944B2 (ja) 蛍光体含有複合シート
EP2386527B1 (en) Wavelength converting member, and light-emitting device
TW200307025A (en) Wavelength-converting reaction-resin , its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
CN108351444A (zh) 荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法
SG189315A1 (en) Resin sheet laminated body, method for producing same, and method for producing led chip with phosphor-containing resin sheet using same
EP2811001A1 (en) Phosphor matrix composite powder minimizing light scattering, and led structure containing same
CN103811645A (zh) 覆盖有荧光体层的光半导体元件及其制造方法、光半导体装置及其制造方法
CN105579553A (zh) 波长转换器以及具有所述波长转换器的发光器件
JP2015090887A (ja) 発光素子及び発光装置
WO2015195820A1 (en) Method of making a ceramic wavelength converter assembly
US9360189B2 (en) Ceramic conversion element, optoelectronic component comprising a ceramic conversion element, and methods for producing a ceramic conversion element
JP5107882B2 (ja) 光半導体封止用シート
CN108291090A (zh) 树脂组合物、其片状成型物、以及使用其得到的发光装置和其制造方法
US11101414B2 (en) Method for manufacturing wavelength conversion member, and method for manufacturing light emitting device
CN106025043A (zh) 一种基于新概念的有种植棱角及渗透扩散层的荧光体和发光器件
WO2007024359A1 (en) A phosphor prepared by mixing aluminum garnet and silicate with the addition of rare-earth meaterials

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant