CN103249245B - 高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供能抑制低频噪声的产生的高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备。通过将设置在电介质片材（18a）的表面上的线路部（20）和设置在电介质片材（18b）的表面上的线路部（21）交替连接来构成信号线路（S1）。接地导体（22）设置在电介质片材（18a）上，且从z轴方向俯视时，接地导体（22）与线路部（21）重叠、并且不与线路部（20）重叠。线路部（20）的特性阻抗与线路部（21）的特性阻抗不同。

Description

高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备

技术领域

本发明涉及高频信号线路及包括高频信号线路的电子设备，尤其涉及用于高频信号传输的高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备。

背景技术

作为现有高频信号线路，已知有例如专利文献1所记载的信号线路。图46是专利文献1所记载的信号线路500的分解图。

图46所示信号线路500包括主体512、接地导体530a、530b、534及信号线532。主体512通过将绝缘片522a～522d依次层叠来构成。

将信号线532设置在绝缘片522c上。将接地导体530a、530b设置在绝缘片522b上。接地导体530a、530b隔着狭缝S相对。从层叠方向俯视时，狭缝S与信号线532重叠。因而，接地导体530a、530b不与信号线532相对。

将接地导体534设置在绝缘片522d上，且接地导体534隔着绝缘片522c与信号线532相对。

在如上所述那样构成的信号线路500中，接地导体530a、530b不与信号线532相对，因此，难以在接地导体530a、530b与信号线532之间形成电容。因此，即使减小接地导体530a、530b与信号线532之间的层叠方向上的间隔，也能抑制它们之间形成的电容变得过大、且能抑制信号线532的特性阻抗与希望的特性阻抗偏离。其结果是，在信号线路500中能力图实现主体512的薄化。

然而，在专利文献1所记载的信号线路500中，如以下说明那样，容易产生较低频率的噪声。下面，设信号线路500的两端为端部540a、540b，设信号线路500的端部540a、540b之间的部分为线路部542。

如图46所示，信号线路500的线路部542具有均匀的截面结构。因此，线路部542中的信号线532的特性阻抗均匀。另一方面，例如，将端部540a、540b插入到电路基板的插孔中。此时，插孔内的端子与信号线532的两端相连接，因此，在这些连接部分中产生寄生阻抗。而且，端部540a、540b中的信号线532与电路基板插孔内的导体相对，因此，在端部540a、540b中的信号线532与电路基板插孔内的导体之间形成寄生电容。其结果是，端部540a、540b中的信号线532的特性阻抗变得与线路部542中的信号线532的特性阻抗不同。

此处，若端部540a、540b中的信号线532的特性阻抗与线路部542中的信号线532的特性阻抗不同，则在端部540a、540b中产生高频信号反射。由此，产生以端部540a、540b之间的距离作为1/2波长的低频驻波。其结果是，从信号线路500辐射出低频噪声。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际专利申请公开2011/018934号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

由此，本发明的目的在于提供能抑制低频噪声的产生的高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括：主体；信号线路，该信号线路通过将设置在所述主体的第一层上的第一线路部和设置在该主体的第二层上的第二线路部交替连接来构成；以及第一接地导体，该第一接地导体设置在所述第一层或第三层上，该第三层位于该第一层的与所述第二层所在一侧相反的一侧，且从该主体的主面的法线方向俯视时，该第一接地导体与所述多个第二线路部重叠、并且不与所述多个第一线路部重叠，所述第一线路部的特性阻抗与所述第二线路部的特性阻抗不同。

本发明的一实施方式所涉及的电子设备的特征在于，包括：壳体；以及设置在所述壳体内的高频信号线路，所述高频信号线路包括：主体；信号线路，该信号线路通过将设置在所述主体的第一层上的第一线路部和设置在该主体的第二层上的第二线路部交替连接来构成；以及第一接地导体，该第一接地导体设置在所述第一层或第三层上，该第三层位于该第一层的与所述第二层所在一侧相反的一侧，且从所述主体的主面的法线方向俯视时，该第一接地导体与所述多个第二线路部重叠、并且不与所述多个第一线路部重叠，所述第一线路部的特性阻抗与所述第二线路部的特性阻抗不同。

发明效果

根据本发明，能抑制低频噪声的产生。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的高频信号线路的外观立体图。

图2是实施方式1所涉及的高频信号线路的分解图。

图3是实施方式1所涉及的高频信号线路的截面结构图。

图4是实施方式1所涉及的高频信号线路的俯视图。

图5是实施方式1所涉及的高频信号线路的截面结构图。

图6是高频信号线路的连接器的外观立体图及截面结构图。

图7是从y轴方向和z轴方向俯视使用了高频信号线路的电子设备而得到的图。

图8是变形例1所涉及的高频信号线路的俯视图。

图9是表示仿真结果的曲线图。

图10是变形例2所涉及的高频信号线路的分解图。

图11是变形例3所涉及的高频信号线路的分解图。

图12是实施方式2所涉及的高频信号线路的分解图。

图13是实施方式2所涉及的高频信号线路的截面结构图。

图14是实施方式2所涉及的高频信号线路的俯视图。

图15是实施方式2所涉及的高频信号线路的截面结构图。

图16是变形例1所涉及的高频信号线路的分解图。

图17是表示仿真结果的曲线图。

图18是表示仿真结果的曲线图。

图19是变形例2所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图20是变形例3所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图21是变形例4所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图22是变形例5所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图23是变形例6所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图24是图23的高频信号线路的等效电路图。

图25是变形例7所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图26是图25的高频信号线路的等效电路图。

图27是变形例8所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图28是图27的高频信号线路的等效电路图。

图29是变形例9所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图30是图29的高频信号线路的等效电路图。

图31是变形例10所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图32是图31的高频信号线路的等效电路图。

图33是变形例11所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图34是图33的高频信号线路的等效电路图。

图35是变形例12所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图36是变形例13所涉及的高频信号线路的俯视图。

图37是表示仿真结果的曲线图。

图38是变形例14所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图39是变形例15所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图40是变形例16所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图41是从z轴方向俯视图40的高频信号线路的信号线路及接地导体而得到的图。

图42是变形例17所涉及的高频信号线路的外观立体图。

图43是变形例17所涉及的高频信号线路的分解立体图。

图44是变形例17所涉及的高频信号线路的等效电路图。

图45是变形例18所涉及的高频信号线路的分解图。

图46是专利文献1所记载的信号线路的分解图。

具体实施方式

下面，参照附图，对本发明的实施方式所涉及的高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备进行说明。

（实施方式1）

（高频信号线路的结构）

下面，参照附图，对本发明的实施方式1所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图1是实施方式1所涉及的高频信号线路10的外观立体图。图2是实施方式1所涉及的高频信号线路10的分解图。图3是实施方式1所涉及的高频信号线路10的截面结构图。图4是实施方式1所涉及的高频信号线路10的俯视图。图5是实施方式1所涉及的高频信号线路10的截面结构图。图5（a）是图4的A－A处的截面结构图。图5（b）是图4的B－B处的截面结构图。图5（c）是图4的C－C处的截面结构图。在图1至图5中，将高频信号线路10的层叠方向定义为z轴方向。此外，将高频信号线路10的长边方向定义为x轴方向，将正交于x轴方向及z轴方向的方向定义为y轴方向。

如图1至图3所示，高频信号线路10包括电介质单元体（主体）12、信号线路S1、接地导体22、24、连接器100a、100b及通孔导体B1～B4。

从z轴方向俯视时，电介质单元体12沿x轴方向延伸，且包含线路部12a及连接部12b、12c。如图2所示，电介质单元体12是从z轴方向的正方向侧到负方向侧将保护层14及电介质片材（绝缘体层）18（18a～18c）依次层叠来构成的挠性层叠体。下面，将电介质单元体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质单元体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。

线路部12a沿x轴方向延伸。连接部12b连接至线路部12a的x轴方向的负方向侧的端部，且呈矩形。连接部12c连接至线路部12a的x轴方向的正方向侧的端部，且呈矩形。连接部12b、12c的y轴方向宽度比线路部12a的y轴方向宽度要大。

从z轴方向俯视时，电介质片材18沿x轴方向延伸，且其形状与电介质单元体12相同。电介质片材18由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热可塑性树脂来构成。电介质片材18a、18c层叠后的厚度例如为50μm，电介质片材18b层叠后的厚度例如为150μm。下面，将电介质片材18的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质片材18的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。

此外，电介质片材18a包括线路部18a－a及连接部18a－b、18a－c。电介质片材18b包括线路部18b－a及连接部18b－b、18b－c。电介质片材18c包括线路部18c－a及连接部18c－b、18c－c。由线路部18a－a、18b－a、18c－a来构成线路部12a。由连接部18a－b、18b－b、18c－b来构成连接部12b。由连接部18a－c、18b－c、18c－c来构成连接部12c。

如图2所示，信号线路S1是设置在电介质单元体12内的线状导体，且沿x轴方向延伸。信号线路S1包括线路部20、21及通孔导体（层间连接导体）b1、b2。

线路部20、21设置在电介质单元体12的不同层（第一层及第二层）中。具体而言，线路部20设置在电介质片材18a的表面（第一层）上，线路部21设置在电介质片材18b的表面（第二层）上。

如图2至图4所示，线路部20是设置在电介质片材18a的线路部18a－a的表面上、且在x轴方向上以等间隔排列的长方形导体。线路部21是设置在电介质片材18b的线路部18b－a的表面上、且在x轴方向上以等间隔排列的长方形导体。但是，线路部20和线路部21在x轴方向上错开配置。而且，从z轴方向俯视时，线路部20的x轴方向的正方向侧端部与线路部21的x轴方向的负方向侧端部相重叠。从z轴方向俯视时，线路部20的x轴方向的负方向侧端部与线路部21的x轴方向的正方向侧端部相重叠。

此外，位于x轴方向的最负方向侧的线路部20的x轴方向的负方向侧端部位于连接部18a－b表面中央。同样，位于x轴方向的最正方向侧的线路部20的x轴方向的正方向侧端部位于连接部18a－c表面中央。位于x轴方向的最负方向侧的线路部20的x轴方向的负方向侧端部及位于x轴方向的最正方向侧的线路部20的x轴方向的正方向侧端部分别被用作外部端子。下面，将位于x轴方向的最负方向侧的线路部20的x轴方向的负方向侧端部及位于x轴方向的最正方向侧的线路部20的x轴方向的正方向侧端部称作外部端子16a、16b。在外部端子16a、16b的表面上实施镀金。

此外，如图4所示，线路部20的y轴方向宽度（线宽）W1比线路部21的y轴方向宽度（线宽）W2要大。此外，线路部20的x轴方向长度L1比线路部21的x轴方向长度L2要大。而且，线路部20的长度L1及线路部21的长度L2比在信号线路S1中传输的高频信号的波长的1/2要小。如上所述的线路部20、21由以银、铜为主成分的电阻率较小的金属材料来制作。

通孔导体b1沿z轴方向贯穿电介质片材18a，从而将电介质片材18a的表面和电介质片材18b的表面相连。而且，通孔导体b1的z轴方向的正方向侧端部与线路部20的x轴方向的正方向侧端部相连接。通孔导体b1的z轴方向的负方向侧端部与线路部21的x轴方向的负方向侧端部相连接。

通孔导体b2沿z轴方向贯穿电介质片材18a，从而将电介质片材18a的表面和电介质片材18b的表面相连。而且，通孔导体b2的z轴方向的正方向侧端部与线路部20的x轴方向的负方向侧端部相连接。通孔导体b2的z轴方向的负方向侧端部与线路部21的x轴方向的正方向侧端部相连接。通孔导体b1、b2由以银、铜为主成分的电阻率较小的金属材料来制作。另外，可使用在贯穿孔的内周面形成有镀膜等导体层的贯穿孔来替代通孔导体b1、b2。

如上所述，信号线路S1中，线路部20、21利用通孔导体b1、b2交替连接。由此，如图3所示，从y轴方向俯视时，信号线路S1呈一边沿z轴方向振动一边沿x轴方向前进的锯齿（zigzag）状。

如图2及图3所示，接地导体22（第一接地导体）设置在设有线路部20的电介质片材18a的表面上，从z轴方向（电介质单元体12的法线方向）俯视时，接地导体22与多个线路部21相重叠，并且不与多个线路部20相重叠。接地导体22由以银、铜为主成分的电阻率较小的金属材料来制作。下面，对接地导体22进行更为详细的说明。

如图2所示，接地导体22包括线路部22a及端子部22b、22c。线路部22a设置在线路部18a－a的表面上，且沿x轴方向延伸。但是，在线路部22a上设置有沿x轴方向排列的多个开口部Op1。在开口部Op1内不设有接地导体22。但是，在开口部Op1内设有线路部20。由此，线路部20在与接地导体22绝缘的状态下、被接地导体22所包围。由此，从z轴方向俯视时，接地导体22不与线路部20相重叠。此外，如图4所示，开口部Op1的x轴方向（沿线路部20的方向）长度L11比开口部Op1的y轴方向宽度W11要大。

在x轴方向上相邻的开口部Op1之间设有沿y轴方向延伸的桥接部Br1。由此，在线路部22a中，开口部Op1和桥接部Br1在x轴方向上交替排列。如图5（a）所示，从z轴方向俯视时，桥接部Br1与线路部21相重叠。如图2和图4所示，如上所述的线路部22a呈梯子状。

如图2所示，端子部22b设置在连接部18a－b的表面上，且呈包围外部端子16a的矩形框。端子部22b连接至线路部22a的x轴方向的负方向侧端部。端子部22c设置在连接部18a－c的表面上，且呈包围外部端子16b的矩形框。端子部22c连接至线路部22a的x轴方向的正方向侧端部。

如图2及图3所示，接地导体24（第二接地导体）设置在电介质片材18c的表面（第四层）上，从z轴方向（电介质单元体12的法线方向）俯视时，如图5（a）至图5（c）所示，与多个线路部20、21相重叠。接地导体24由以银、铜为主成分的电阻率较小的金属材料来制作。下面，对接地导体24进行更为详细的说明。

如图2所示，接地导体24包括线路部24a及端子部24b、24c。线路部24a设置在线路部18c－a的表面上，且沿x轴方向延伸。线路部24a是不设有开口部的整块状导体。由此，从z轴方向俯视时，线路部24a与线路部20、21相重叠。

端子部24b设置在连接部18c－b的表面上，且呈包围连接部18c－b的中央的矩形环。端子部24b连接至线路部24a的x轴方向的负方向侧端部。

端子部24c设置在连接部18c－c的表面上，且呈包围连接部18c－c的中央的矩形环。端子部24c连接至线路部24a的x轴方向的正方向侧端部。

通孔导体B1沿z轴方向贯穿电介质片材18a的线路部18a－a，在比信号线路S1更靠y轴方向的正方向侧处、在x轴方向上以排成一列的方式设置有多个该通孔导体B1。通孔导体B1的z轴方向的正方向侧端部连接至线路部22a的比桥接部Br1更靠y轴方向的正方向侧的部分。

通孔导体B2沿z轴方向贯穿电介质片材18b的线路部18b－a，在比信号线路S1更靠y轴方向的正方向侧处、在x轴方向上以排成一列的方式设置有多个该通孔导体B2。通孔导体B2的z轴方向的负方向侧端部连接至线路部24a。

如上所述的通孔导体B1、B2彼此相连接，从而构成1根通孔导体，并将接地导体22和接地导体24相连接。

通孔导体B3沿z轴方向贯穿电介质片材18a的线路部18a－a，在比信号线路S1更靠y轴方向的负方向侧处、在x轴方向上以排成一列的方式设置有多个该通孔导体B3。通孔导体B3的z轴方向的正方向侧端部连接至线路部22a的比桥接部Br1更靠y轴方向的负方向侧的部分。

通孔导体B4沿z轴方向贯穿电介质片材18b的线路部18b－a，在比信号线路S1更靠y轴方向的负方向侧处、在x轴方向上以排成一列的方式设置有多个该通孔导体B4。通孔导体B4的z轴方向的负方向侧端部连接至线路部24a。

如上所述的通孔导体B3、B4彼此相连接，从而构成1根通孔导体，并将接地导体22和接地导体24相连接。

如图5（a）及图5（b）所示，如上所述，信号线路S1及接地导体22、24中，接地导体22与线路部21之间的间隔比接地导体24与线路部21之间的间隔要小。具体而言，接地导体22与线路部21之间的间隔大致等于电介质片材18a的厚度，例如为10μm～100μm。在本实施方式中，线路部21与接地导体22之间的间隔为50μm。另一方面，线路部21与接地导体24之间的间隔大致等于电介质片材18b的厚度，例如为50μm～300μm。在本实施方式中，线路部21与接地导体24之间的间隔为150μm。即，将电介质片材18b的厚度设计成比电介质片材18a的厚度要大。此外，接地导体22、24的y轴方向宽度例如约为800μm。

保护层14覆盖电介质片材18a的大致整个表面。由此，保护层14覆盖接地导体22。保护层14例如由抗蚀材料等挠性树脂所形成。

此外，如图2所示，保护层14包括线路部14a及连接部14b、14c。线路部14a覆盖线路部18a－a的整个表面，从而覆盖线路部22a。

连接部14b连接至线路部14a的x轴方向的负方向侧端部，且覆盖连接部18a－b的表面。其中，在连接部14b中设有开口Ha～Hd。开口Ha是设置在连接部14b的大致中央的矩形开口。外部端子16a经由开口Ha向外部露出。此外，开口Hb是设在开口Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hc是设在开口Ha的x轴方向的负方向侧的矩形开口。开口Hd是设在开口Ha的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22b经由开口Hb～Hd向外部露出，从而发挥外部端子的功能。

连接部14c连接至线路部14a的x轴方向的正方向侧端部，且覆盖连接部18a－c的表面。其中，在连接部14c中设有开口He～Hh。开口He是设置在连接部14c的大致中央的矩形开口。外部端子16b经由开口He向外部露出。此外，开口Hf是设在开口He的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hg是设在开口He的x轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hh是设在开口He的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22c经由开口Hf～Hh向外部露出，从而发挥外部端子的功能。

连接器100a、100b分别安装在连接部12b、12c的表面上，且电连接至信号线路S1及接地导体22、24。连接器100a、100b的结构相同，因此，下面举出连接器100b的结构为例进行说明。图6是高频信号线路10的连接器100b的外观立体图及截面结构图。

如图1及图6所示，连接器100b包括连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108及外部导体110。连接器主体102呈矩形板上连结有圆筒的形状，且由树脂等绝缘材料来制作。

在连接器主体102的z轴方向的负方向侧的表面上，将外部端子104设置在与外部端子16b相对的位置处。在连接器主体102的z轴方向的负方向侧的表面上，将外部端子106设置在与经由开口Hf～Hh露出的端子部22c相对应的位置处。

中心导体108设置在连接器主体102的圆筒中心，且与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置在连接器主体102的圆筒内周面上，且与外部端子106相连接。外部导体110是维持接地电位的接地端子。

具有如上结构的连接器100b以外部端子104与外部端子16b相连接、外部端子106与端子部22c相连接的方式来安装在连接部12c的表面上。由此，信号线路S1与中心导体108电连接。此外，接地导体22、24与外部导体110电连接。

具有如上结构的高频信号线路10中，线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2不同。更详细而言，在接地导体22的开口部Op1内设置线路部20，因此，线路部20与接地导体22之间几乎不形成电容。另一方面，从z轴方向俯视时，线路部21与接地导体22相重叠，因此，线路部21与接地导体22之间形成有电容。由此，在线路部21与接地导体22之间形成的电容比在线路部20与接地导体22之间形成的电容要大。

此外，线路部20设置在比线路部21更远离接地导体24的位置处。因此，在线路部21与接地导体24之间形成的电容比在线路部20与接地导体24之间形成的电容要大。

由此，在线路部21与接地导体22、24之间形成的电容大小比在线路部20与接地导体22、24之间形成的电容大小要大。因此，线路部21的特性阻抗Z2比线路部20的特性阻抗Z1要低。特性阻抗Z1例如为70Ω，特性阻抗Z2例如为30Ω。此外，信号线路S1的整体特性阻抗例如为50Ω。

此外，在高频信号线路10中，信号线路S1两端（即，外部端子16a、16b）的特性阻抗Z3的大小在线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2之间。

如下所说明那样来使用高频信号线路10。图7是从y轴方向和z轴方向俯视使用了高频信号线路10的电子设备200而得到的图。

电子设备200包括高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、电池组（金属体）206及壳体210。

壳体210收纳高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、及电池组206。在电路基板202a上设置有例如包含天线的发送电路或接收电路。电路基板202b上设置有例如供电电路。电池组206例如为锂离子充电电池，具有其表面被金属覆层所覆盖的结构。从x轴方向的负方向侧到正方向侧依次排列电路基板202a、电池组206及电路基板202b。

插座204a、204b分别设置在电路基板202a、202b的z轴方向的负方向侧的主面上。插座204a、204b上分别连接有连接器100a、100b。由此，经由插座204a、204b，向连接器100a、100b的中心导体108施加在电路基板202a、202b之间传输且例如具有2GHz的频率的高频信号。此外，经由电路基板202a、202b及插座204a、204b，对连接器100a、100b的外部导体110维持接地电位。由此，高频信号线路10将电路基板202a、202b之间进行连接。

此外，如图7所示，电介质单元体12的表面（更确切而言，保护层14）与电池组206相接触。而且，电介质单元体12与电池组206通过粘接剂等进行固定。

（高频信号线路的制造方法）

下面，参照图2，对高频信号线路10的制造方法进行说明。下面，以制作1个高频信号线路10的情形为例进行说明，但实际上，通过层叠和切割大型电介质片材，从而同时制作多个高频信号线路10。

首先，准备电介质片材18，该电介质片材18由热可塑性树脂形成且在其整个表面上形成有铜箔。通过对电介质片材18的铜箔表面实施例如用于防锈的镀锌，来进行平滑化。铜箔厚度为10μm～20μm。

接着，利用光刻工序，在电介质片材18a的表面上形成图2所示线路部20和接地导体22。具体而言，在电介质片材18a的铜箔上印刷其形状与图2所示线路部20及接地导体22相同的抗蚀剂。然后，对铜箔实施蚀刻处理，从而将未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔除去。此后，除去抗蚀剂。从而，在电介质片材18a的表面上形成如图2所示的线路部20及接地导体22。

接着，利用光刻工序，在电介质片材18b的表面上形成图2所示线路部21。利用光刻工序，在电介质片材18c的表面上形成图2所示接地导体24。另外，此处的光刻工序与形成线路部20及接地导体22时的光刻工序相同，因此省略其说明。

接着，从背面侧对电介质片材18a、18b中要形成通孔导体B1～B4、b1、b2的位置照射激光束，从而形成贯穿孔。此后，将导电性糊料填充到在电介质片材18a、18b中形成的贯穿孔中。

接着，从z轴方向的正方向侧到负方向侧将电介质片材18a～18c依次层叠。然后，从z轴方向的正方向侧及负方向侧对电介质片材18a～18c施加热量及压力，从而将电介质片材18a～18c软化并压接形成一体化，并且，将填充至贯穿孔中的导电性糊料固化，形成图2所示通孔导体B1～B4、b1、b2。另外，可利用环氧类树脂等粘接剂代替热压接来将各电介质片材18进行一体化。另外，对于通孔导体B1～B4、b1、b2，不一定需要用导体完全填满贯穿孔，例如可通过仅沿贯穿孔内周面形成导体来形成通孔导体。

最后，通过涂布树脂（抗蚀剂）糊料，从而在电介质片材18a上形成保护层14。

（效果）

根据具有以上结构的高频信号线路10，能抑制低频噪声产生。更具体而言，在专利文献1所记载的信号线路500中，端部540a、540b中的信号线532的特性阻抗与线路部542中的信号线532的特性阻抗不同。因此，在端部540a、540b中产生高频信号的反射。由此，产生以端部540a、540b之间的距离作为1/2波长的低频驻波。其结果是，从信号线路500辐射出低频噪声。

另一方面，在高频信号线路10中，通过交替连接线路部20和线路部21来构成信号线路S1。线路部20设置在接地导体22的开口部Op1内，因此，不与接地导体22相对。另一方面，线路部21与接地导体22相对。因此，在线路部20与接地导体22之间形成的电容比在线路部21与接地导体22之间形成的电容要小。由此，线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2不同。具体而言，特性阻抗Z1比特性阻抗Z2要高。由此，信号线路S1的特性阻抗在特性阻抗Z1与特性阻抗Z2之间周期性变动。其结果是，在信号线路S1中，在线路部20和线路部21中产生短波长（即高频）驻波。另一方面，在外部电极16a、16b之间难以产生长波长（即低频）驻波。如上，在高频信号线路10中，能抑制低频噪声的产生。

另外，在高频信号线路10中，因线路部20和线路部21中产生的驻波而产生高频的噪声。通过将线路部20的长度L1及线路部21的长度L2设计得充分短，从而能将噪声频率设定成在信号线路S1中传输的高频信号的频带之外。为此，使得线路部20的长度L1及线路部21的长度L2比在信号线路S1中传输的高频信号的波长的一半要短即可。

从z轴方向的正方向侧俯视信号线路S1时，能看到长条形的线路部20。长条形的线路部20的电长度为在信号线路S1中传输的高频信号的波长的一半时，线路部20辐射出电磁波。由此，线路部20的电长度优选比在信号线路S1中传输的高频信号的波长的一半要短，若为1/8以下，则能更有效地抑制高频信号的泄漏。

此外，在高频信号线路10中，还基于以下说明的理由，使得线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2不同。更详细而言，线路部20设置在比线路部21更远离接地导体24的位置处。因此，在线路部20与接地导体24之间形成的电容比在线路部21与接地导体24之间形成的电容要小。由此，线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2不同。具体而言，特性阻抗Z1比特性阻抗Z2要高。

此外，在高频信号线路10中，信号线路S1两端的特性阻抗的大小在线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2之间。由此，在信号线路S1中，线路部20和线路部21中容易产生短波长的驻波，在信号线路S1的两端之间难以产生长波长的驻波。其结果是，在高频信号线路10中，更有效地抑制低频噪声的产生。

此外，在高频信号线路10中，通过调整线路部20与接地导体22之间的间隙的宽度G（参照图2及图4），从而能调整在线路部20与接地导体22之间形成的电容的大小。具体而言，若线路部20与接地导体22之间的间隙的宽度G减小，则在线路部20与接地导体22之间形成的电容增大。另一方面，若线路部20与接地导体22之间的间隙的宽度G增大，则在线路部20与接地导体22之间形成的电容减小。

此外，在高频信号线路10中，通过减小线路部20与接地导体22之间的间隙的宽度G，使得从线路部20出来的电力线易被接地导体22所吸收。其结果是，能抑制从线路部20辐射噪声。

此外，在高频信号线路10中，无需降低线路部20的特性阻抗Z1，就能力图降低信号线路S1的高频电阻。更详细而言，为了降低信号线路S1的高频电阻，可考虑增大信号线路S1的线宽。然而，若线路部21的线宽W2增大，则在线路部21与接地导体22、24之间形成的电容增大。因此，线路部21的特性阻抗Z2将变得过小。

因此，在高频信号线路10中，使得线路部20的线宽W1比线路部21的线宽W2要大。线路部20设置在比线路部21更远离接地导体24的位置处，并且不与接地导体22相对。由此，在线路部20与接地导体22、24之间形成的电容较小。因此，即使线路部20的线宽W1增大，在线路部20与接地导体22、24之间形成的电容的增加量也是微小的。其结果是，在高频信号线路10中，无需降低线路部20的特性阻抗Z1，就能力图降低信号线路S1的高频电阻。

此外，在高频信号线路10中，如下所说明那样，能力图使高频信号线路10薄化。更详细而言，从z轴方向俯视时，在接地导体22上设置有与线路部20重叠的开口部Op1。由此，线路部20不与接地导体22相对。因此，在线路部20与接地导体22之间仅形成较小电容。因而，能在将线路部20的特性阻抗Z1维持在规定特性阻抗（例如70Ω）的状态下，使线路部20与接地导体22接近。在本实施方式中，线路部20与接地导体22设置在同一电介质片材18a上。其结果是，能力图使高频信号线路10薄化。若实现了高频信号线路10的薄化，则能容易弯曲高频信号线路10。

此外，在高频信号线路10中，通过使桥接部Br1的x轴方向线宽W21变细，从而无需降低线路部21的特性阻抗Z2就能力图降低信号线路S1的高频电阻。更详细而言，若增大线路部21的线宽W2，则信号线路S1的高频电阻减小。然而，线路部21的特性阻抗Z2依赖于信号线路S1与桥接部Br1之间的相对面积（facingarea）的大小。具体而言，若信号线路S1与桥接部Br1之间的相对面积增大，则在信号线路S1与桥接部Br1之间形成的电容增大，因此，特性阻抗Z2将变得过小。因此，一边减小桥接部Br1的线宽W21、一边增大线路部21的线宽W2即可。由此，无需改变在信号线路S1与桥接部Br1之间形成的电容，就能力图降低信号线路S1的高频电阻。

此外，根据高频信号线路10，能抑制磁通从高频信号线路10泄漏。更详细而言，若线路部20中流过电流i1（参照图4），则产生以线路部20为中心轴来围绕线路部20的磁通。若这样的磁通泄漏到高频信号线路10外，则其它电路的信号线有可能与线路部20形成磁场耦合。其结果是，在高频信号线路10中，难以获得希望的特性。

因此，在高频信号线路10中，将线路部20设置在接地导体22的开口部Op1内。由此，使得线路部20与接地导体22接近。若线路部20中流过电流i1，则接地导体22中流过与该电流i1反向的反馈电流i2。由此，线路部20周围的磁通的围绕方向与接地导体22周围的磁通的围绕方向相反。在该情况下，线路部20与接地导体22之间的间隙中，磁通互相增强，与此相对，在比接地导体22更靠y轴方向的正方向侧及负方向侧的区域（即，高频信号线路10外的区域）中，磁通互相抵消。其结果是，能抑制磁通泄漏到高频信号线路10之外。

此外，在高频信号线路10中，还基于以下理由、能力图降低高频电阻。更详细而言，在接地导体22中，在比开口部Op1更靠y轴方向正方向侧的部分、以及比开口部Op1更靠y轴方向负方向侧的部分中流过反馈电流。因此，从降低高频电阻的观点来看，希望接地导体22中的、比开口部Op1更靠y轴方向正方向侧的部分的电阻值、以及比开口部Op1更靠y轴方向负方向侧的部分的电阻值较低。

因此，在高频信号线路10中，开口部Op1的宽度W11比开口部Op1的长度L11要小。由此，在接地导体22中，比开口部Op1更靠y轴方向正方向侧的部分的宽度、以及比开口部Op1更靠y轴方向负方向侧的部分的宽度增大。其结果是，在接地导体22中，比开口部Op1更靠y轴方向正方向侧的部分的电阻值、以及比开口部Op1更靠y轴方向负方向侧的部分的电阻值降低。

（变形例1）

下面，参照附图，对变形例1所涉及的高频信号线路10a进行说明。图8是变形例1所涉及的高频信号线路10a的俯视图。

高频信号线路10a与高频信号线路10之间的不同之处在于线路部20的形状及开口部Op1的形状。更详细而言，在高频信号线路10a中，在线路部20的x轴方向的两端附近设有锥度，使得线宽逐渐减小。由此，线路部20与线路部21相连接的部分中的线路部20的线宽比线路部20的x轴方向的中央部的线宽要小。

此外，在开口部Op1的x轴方向的两端附近设有锥度，使得y轴方向的宽度逐渐减小。由此，开口部Op1成为仿效线路部20的形状。

在具有以上结构的高频信号线路10a中，能抑制在线路部20和线路部21之间产生高频信号的反射。更详细而言，在线路部20的x轴方向的两端附近设有锥度，使得线宽逐渐减小。由此，线路部20的x轴方向的中央部与接地导体22之间产生静电电容，但是线路部20的x轴方向的两端经由通孔导体b1、b2连接至线路部21。线路部21与接地导体22相对，因此，具有强C（电容）性。由此，在线路部20的x轴方向的中央部中L（电感）性增强，在线路部20的x轴方向的两端附近处C性增强。其结果是，线路部20的x轴方向的两端附近的特性阻抗变得比线路部20的x轴方向的中央的特性阻抗要低，并且比线路部21的特性阻抗Z2要高。由此，能抑制在线路部20与线路部21的连接部分的特性阻抗发生较大变动。由此，能抑制在线路部20与线路部21之间产生高频信号的反射。

本申请的发明人制作了高频信号线路10a的模型，并利用计算机仿真来研究了高频信号线路10a的通过特性及反射特性。下面，对仿真所使用的模型的条件进行说明。

间隙的宽度G：200μm

桥接部Br1的线宽W21：100μm

开口部Op1的长度L11：3mm

开口部Op1的宽度W11：850μm

线路部20的线宽W1：450μm

线路部21的线宽W2：200μm

线路部21与接地导体22之间的间隔：50μm

线路部21与接地导体24之间的间隔：150μm

高频信号线路10a的整体长度：60mm

图9是表示仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量、横轴表示频率。根据图9可知，在高频信号线路10a中，2GHz的高频信号的通过特性为－0.3dB左右。从而，高频信号线路10a的通过特性是相同尺寸的一般三层型高频信号线路的通过特性的约1/3左右。

此外，根据图9，在高频信号线路10a中，1GHz～5GHz的高频信号的反射特性为－30dB以下。由此可知，在高频信号线路10a中，能抑制在较宽频带中、特性阻抗的变动。具体而言，对于1GHz～5GHz的高频信号，高频信号线路10a的特性阻抗为50Ω±2.5Ω左右。

（变形例2）

下面，参照附图，对变形例2所涉及的高频信号线路10b进行说明。图10是变形例2所涉及的高频信号线路10b的分解图。

如高频信号线路10b所示，可设有多个信号线路S1、S2。在高频信号线路10b中，与信号线路S1相对的接地导体24、以及与信号线路S2相对的接地导体24’可如图10所示那样由一个导体层来构成。

另一方面，与信号线路S1相对的接地导体22、以及与信号线路S2相对的接地导体22’优选为彼此不连接。由此，提高信号线路S1与信号线路S2之间的隔离特性。

（变形例3）

下面，参照附图，对变形例3所涉及的高频信号线路10c进行说明。图11是变形例3所涉及的高频信号线路10c的分解图。

高频信号线路10c与高频信号线路10之间的不同之处在于线路部21的位置。在高频信号线路10中，线路部21设置成比线路部20更靠z轴方向的负方向侧，但在高频信号线路10c中，线路部21设置成比线路部20更靠z轴方向的正方向侧。下面，以所涉及的不同之处为中心、对高频信号线路10c的结构进行说明。

在高频信号线路10c中，通过以从z轴方向的正方向侧到负方向侧依次排列的方式层叠电介质片材18d、18a、18b、18c，来构成电介质单元体12。

线路部20、21设置在电介质单元体12的不同层。具体而言，线路部20设置在电介质片材18a的表面（第一层）上，线路部21设置在电介质片材18d的表面（第二层）上。

此外，通孔导体b1、b2分别沿z轴方向贯穿电介质片材18d。通孔导体b1将线路部20的x轴方向的正方向侧端部和线路部21的x轴方向的负方向侧端部相连接。通孔导体b2将线路部20的x轴方向的负方向侧端部和线路部21的x轴方向的正方向侧端部相连接。

此外，外部端子16a设置在电介质片材18d的端子部18d－b上。外部端子16a经由通孔导体b13与位于x轴方向的最负方向侧的线路部20相连接。

此外，外部端子16b设置在电介质片材18d的端子部18d－c上。外部端子16b经由通孔导体b14与位于x轴方向的最正方向侧的线路部20相连接。

接地导体22设置在电介质片材18a的表面上，从z轴方向俯视时，接地导体22与线路部21相重叠。

接地导体24设置在电介质片材18c的表面上，从z轴方向俯视时，接地导体24与线路部20、21相重叠。

与高频信号线路10相同地，具有以上结构的高频信号线路10c也能使线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2不同。另外，在高频信号线路10c中，可以是特性阻抗Z1比特性阻抗Z2大，也可以是特性阻抗Z2比特性阻抗Z1大。

（实施方式2）

（高频信号线路的结构）

下面，参照附图，对本发明的实施方式2所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图12是实施方式2所涉及的高频信号线路10d的分解图。在图12中，排列示出了电介质片材18a的表面和背面。图13是实施方式2所涉及的高频信号线路10d的截面结构图。图14是实施方式2所涉及的高频信号线路10d的俯视图。图15是实施方式2所涉及的高频信号线路10d的截面结构图。图15（a）是图14的A－A处的截面结构图。图15（b）是图14的B－B处的截面结构图。图15（c）是图14的C－C处的截面结构图。在图12至图15中，将高频信号线路10d的层叠方向定义为z轴方向。此外，将高频信号线路10d的长边方向定义为x轴方向，将正交于x轴方向及z轴方向的方向定义为y轴方向。对于高频信号线路10d的外观立体图，援引图1。

如图12至图15所示，高频信号线路10d包括电介质单元体（主体）12、信号线路S1、接地导体22、25、连接器100a、100b及通孔导体B21、B22。

从z轴方向俯视时，电介质单元体12沿x轴方向延伸，且包含线路部12a及连接部12b、12c。如图12所示，电介质单元体12是从z轴方向的正方向侧到负方向侧将保护层14、电介质片材（绝缘体层）18a及保护层15依次层叠来构成的挠性层叠体。下面，将电介质单元体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质单元体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。

线路部12a沿x轴方向延伸。连接部12b连接至线路部12a的x轴方向的负方向侧的端部，且呈矩形。连接部12c连接至线路部12a的x轴方向的正方向侧的端部，且呈矩形。连接部12b、12c的y轴方向宽度比线路部12a的y轴方向宽度要大。

从z轴方向俯视时，电介质片材18a沿x轴方向延伸，且其形状与电介质单元体12相同。电介质片材18a由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热可塑性树脂来构成。电介质片材18a层叠后的厚度例如为50μm～500μm，在本实施方式中为150μm。下面，将电介质片材18a的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质片材18a的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。

此外，电介质片材18a包括线路部18a－a及连接部18a－b、18a－c。线路部18a－a构成线路部12a。连接部18a－b构成连接部12b。连接部18a－c构成连接部12c。

如图12所示，信号线路S1是设置在电介质单元体12内的线状导体，且沿x轴方向延伸。信号线路S1包括线路部20、21及通孔导体（层间连接导体）b1、b2。

线路部20、21设置在电介质单元体12的不同层。具体而言，线路部20设置在电介质片材18a的表面（第一层）上，线路部21设置在电介质片材18a的背面（第二层）上。

如图12至图14所示，线路部20是设置在电介质片材18a的线路部18a－a的表面上、且在x轴方向上以等间隔排列的长方形导体。线路部21是设置在电介质片材18a的线路部18a－a的背面上、且在x轴方向上以等间隔排列的长方形导体。但是，线路部20和线路部21在x轴方向上错开配置。而且，从z轴方向俯视时，线路部20的x轴方向的正方向侧端部与线路部21的x轴方向的负方向侧端部相重叠。从z轴方向俯视时，线路部20的x轴方向的负方向侧端部与线路部21的x轴方向的正方向侧端部相重叠。

此外，位于x轴方向的最负方向侧的线路部20的x轴方向的负方向侧端部位于连接部18a－b表面中央。同样，位于x轴方向的最正方向侧的线路部20的x轴方向的正方向侧端部位于连接部18a－c表面中央。位于x轴方向的最负方向侧的线路部20的x轴方向的负方向侧端部及位于x轴方向的最正方向侧的线路部20的x轴方向的正方向侧端部分别被用作外部端子。下面，将位于x轴方向的最负方向侧的线路部20的x轴方向的负方向侧端部及位于x轴方向的最正方向侧的线路部20的x轴方向的正方向侧端部称作外部端子16a、16b。在外部端子16a、16b的表面上实施镀金。

此外，如图14所示，线路部20的y轴方向宽度（线宽）W1比线路部21的y轴方向宽度（线宽）W2要大。此外，线路部20的x轴方向长度L1比线路部21的x轴方向长度L2要大。而且，线路部20的长度L1及线路部21的长度L2比在信号线路S1中传输的高频信号的波长的1/2要短。如上所述的线路部20、21由以银、铜为主成分的电阻率较小的金属材料来制作。

通孔导体b1沿z轴方向贯穿电介质片材18a，从而将电介质片材18a的表面和电介质片材18a的背面相连。而且，通孔导体b1的z轴方向的正方向侧端部与线路部20的x轴方向的正方向侧端部相连接。通孔导体b1的z轴方向的负方向侧端部与线路部21的x轴方向的负方向侧端部相连接。

通孔导体b2沿z轴方向贯穿电介质片材18a，从而将电介质片材18a的表面和电介质片材18a的背面相连。而且，通孔导体b2的z轴方向的正方向侧端部与线路部20的x轴方向的负方向侧端部相连接。通孔导体b2的z轴方向的负方向侧端部与线路部21的x轴方向的正方向侧端部相连接。通孔导体b1、b2由以银、铜为主成分的电阻率较小的金属材料来制作。另外，可使用在贯穿孔的内周面形成有镀层等导体层的贯穿孔来替代通孔导体b1、b2。

如上所述，信号线路S1中，线路部20、21利用通孔导体b1、b2交替连接。由此，如图13所示，从y轴方向俯视时，信号线路S1呈一边沿z轴方向振动一边沿x轴方向前进的锯齿状。

如图12及图13所示，接地导体22（第一接地导体）设置在设有线路部20的电介质片材18a的表面上，从z轴方向（电介质单元体12的法线方向）俯视时，接地导体22与多个线路部21相重叠，并且不与多个线路部20相重叠。接地导体22由以银、铜为主成分的电阻率较小的金属材料来制作。下面，对接地导体22进行更为详细的说明。

如图12所示，接地导体22包括线路部22a及端子部22b、22c。线路部22a设置在线路部18a－a的表面上，且沿x轴方向延伸。但是，在线路部22a上设置有沿x轴方向排列的多个开口部Op1。在开口部Op1内不设有接地导体22。但是，在开口部Op1内设有线路部20。由此，线路部20在与接地导体22绝缘的状态下、被接地导体22所包围。由此，从z轴方向俯视时，接地导体22不与线路部20相重叠。此外，如图14所示，开口部Op1的x轴方向（沿线路部20的方向）长度L11比开口部Op1的y轴方向宽度W11要大。

在x轴方向上相邻的开口部Op1之间设有沿y轴方向延伸的桥接部Br1。由此，在线路部22a中，开口部Op1和桥接部Br1在x轴方向上交替排列。如图15（a）所示，从z轴方向俯视时，桥接部Br1与线路部21相重叠。如图12和图14所示，如上所述的线路部22a呈梯子状。

如图12所示，端子部22b设置在连接部18a－b的表面上，且呈包围外部端子16a的矩形框。连接部22b连接至线路部22a的x轴方向的负方向侧端部。端子部22c设置在连接部18a－c的表面上，且呈包围外部端子16b的矩形框。端子部22c连接至线路部22a的x轴方向的正方向侧端部。

如图12及图13所示，接地导体25（第二接地导体）设置在设有线路部20的电介质片材18a的背面上，从z轴方向（电介质单元体12的法线方向）俯视时，接地导体25与多个线路部21相重叠，并且不与多个线路部20相重叠。接地导体25由以银、铜为主成分的电阻率较小的金属材料来制作。下面，对接地导体25进行更为详细的说明。

如图12所示，接地导体25包括线路部25a及端子部25b、25c。线路部25a设置在线路部18a－a的背面上，且沿x轴方向延伸。但是，在线路部25a上设置有沿x轴方向排列的多个开口部Op2。在开口部Op2内不设有接地导体25。但是，在开口部Op2内设有线路部21。由此，线路部21在与接地导体25绝缘的状态下、被接地导体25所包围。由此，从z轴方向俯视时，接地导体25不与线路部21相重叠。此外，如图14所示，开口部Op2的x轴方向（沿线路部21的方向）长度L31比开口部Op2的y轴方向宽度W31要大。

在x轴方向上相邻的开口部Op2之间设有沿y轴方向延伸的桥接部Br2。由此，在线路部25a中，开口部Op2和桥接部Br2在x轴方向上交替排列。如图15（c）所示，从z轴方向俯视时，桥接部Br2与线路部20相重叠。如图12和图14所示，如上所述的线路部25a呈梯子状。

端子部25b设置在连接部18a－b的背面上，且呈包围连接部18a－b的中央的矩形环。端子部25b连接至线路部25a的x轴方向的负方向侧端部。

端子部25c设置在连接部18a－c的表面上，且呈包围连接部18a－c的中央的矩形环。端子部25c连接至线路部25a的x轴方向的正方向侧端部。

通孔导体B21沿z轴方向贯穿电介质片材18a的线路部18a－a，在比信号线路S1更靠y轴方向正方向侧处、在x轴方向上以排成一列的方式设置有多个该通孔导体B21。通孔导体B1的z轴方向的正方向侧端部连接至线路部22a的比桥接部Br1更靠y轴方向的正方向侧的部分。通孔导体B1的z轴方向的负方向侧端部连接至线路部25a。

通孔导体B22沿z轴方向贯穿电介质片材18a的线路部18a－a，在比信号线路S1更靠y轴方向负方向侧处、在x轴方向上以排成一列的方式设置有多个该通孔导体B22。通孔导体B3的z轴方向的正方向侧端部连接至线路部22a的比桥接部Br1更靠y轴方向的负方向侧的部分。通孔导体B22的z轴方向的负方向侧端部连接至线路部25a。

保护层14覆盖电介质片材18a的大致整个表面。由此，保护层14覆盖接地导体22。保护层14例如由抗蚀材料等挠性树脂所形成。

此外，如图12所示，保护层14包括线路部14a及连接部14b、14c。线路部14a覆盖线路部18a－a的整个表面，从而覆盖线路部22a。

连接部14b连接至线路部14a的x轴方向的负方向侧端部，且覆盖连接部18a－b的表面。其中，在连接部14b中设有开口Ha～Hd。开口Ha是设置在连接部14b的大致中央的矩形开口。外部端子16a经由开口Ha向外部露出。此外，开口Hb是设在开口Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hc是设在开口Ha的x轴方向的负方向侧的矩形开口。开口Hd是设在开口Ha的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22b经由开口Hb～Hd向外部露出，从而发挥外部端子的功能。

连接部14c连接至线路部14a的x轴方向的正方向侧端部，且覆盖连接部18a－c的表面。其中，在连接部14c中设有开口He～Hh。开口He是设置在连接部14c的大致中央的矩形开口。外部端子16b经由开口He向外部露出。此外，开口Hf是设在开口He的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hg是设在开口He的x轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hh是设在开口He的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22c经由开口Hf～Hh向外部露出，从而发挥外部端子的功能。

保护层15覆盖电介质片材18a大致整个背面。由此，保护层15覆盖接地导体25。保护层15例如由抗蚀材料等挠性树脂所形成。

此外，如图12所示，保护层15包括线路部15a及连接部15b、15c。线路部15a覆盖线路部18a－a的整个背面，从而覆盖线路部25a。连接部15b连接至线路部15a的x轴方向的负方向侧端部，且覆盖连接部18a－b的背面。连接部15c连接至线路部15a的x轴方向的正方向侧端部，且覆盖连接部18a－c的背面。

高频信号线路10d的连接器100a、100b的结构与高频信号线路10的连接器100a、100b的结构相同，因此省略其说明。

具有如上结构的高频信号线路10d中，线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2不同。更详细而言，线路部20的线宽W1比线路部21的线宽W2要大。因而，线路部20与接地导体25相对的面积比线路部21与接地导体22相对的面积要大。由此，在线路部20与接地导体25之间形成的电容比在线路部21与接地导体22之间形成的电容要大。由此，线路部20的C（电容）性比线路部21要强。

而且，若线路部21的线宽W2比线路部20的线宽W1小，则线路部21的电感值比线路部20的电感值大。由此，线路部21的L（电感）性比线路部20要强。

如上所述，线路部20的特性阻抗Z1比线路部21的特性阻抗Z2要低。特性阻抗Z2例如为70Ω，特性阻抗Z1例如为30Ω。此外，信号线路S1的整体特性阻抗例如为50Ω。

此外，在高频信号线路10d中，信号线路S1两端（即，外部端子16a、16b）的特性阻抗Z3的大小在线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2之间。

（效果）

根据具有以上结构的高频信号线路10d，能与高频信号线路10同样地抑制低频噪声的产生。

另外，在高频信号线路10d中，因线路部20和线路部21中产生的驻波而产生高频的噪声。通过将线路部20的长度L1及线路部21的长度L2设计得充分短，从而能将噪声频率设定成在信号线路S1中传输的高频信号的频带之外。为此，使得线路部20的长度L1及线路部21的长度L2比在信号线路S1中传输的高频信号的波长的一半要短即可。

从z轴方向的正方向侧俯视信号线路S1时，能看到长条形的线路部20。长条形的线路部20的电长度为在信号线路S1中传输的高频信号的波长的一半时，线路部20辐射出电磁波。由此，线路部20的电长度优选比在信号线路S1中传输的高频信号的波长的一半要短，若为1/8以下，则能更有效地抑制高频信号的泄漏。

此外，在高频信号线路10d中，如下所说明那样，能力图使高频信号线路10d薄化。更详细而言，从z轴方向俯视时，在接地导体22上设置有与线路部20重叠的开口部Op1。由此，线路部20不与接地导体22相对。因此，在线路部20与接地导体22之间仅形成较小电容。由此，即使线路部20与接地导体22之间的z轴方向距离有变动，线路部20与接地导体22之间的电容几乎不变动。因而，能在将线路部20的特性阻抗Z1维持在规定特性阻抗（例如30Ω）的状态下，使线路部20与接地导体22接近。

此外，从z轴方向俯视时，在接地导体25上设置有与线路部21重叠的开口部Op2。由此，线路部21不与接地导体25相对。因此，在线路部21与接地导体25之间仅形成较小电容。由此，即使线路部21与接地导体25之间的z轴方向距离有变动，线路部20与接地导体22之间的电容几乎不变动。因而，能在将线路部21的特性阻抗Z2维持在规定特性阻抗（例如70Ω）的状态下，使线路部21与接地导体25接近。由此，能力图使高频信号线路10d薄化。若实现了高频信号线路10d的薄化，则能容易弯曲高频信号线路10d。

此外，在高频信号线路10d中，电介质单元体12所使用的电介质片材18a仅仅是1层。由此，与高频信号线路10相比，在高频信号线路10d中实现了进一步薄化。

此外，在高频信号线路10d中，将线路部20设置在接地导体22的开口部Op1内。由此，使得线路部20与接地导体22接近。若线路部20中流过电流i1，则接地导体22中流过与该电流i1反向的反馈电流i2。由此，线路部20周围的磁通的围绕方向与接地导体22周围的磁通的围绕方向相反。在该情况下，线路部20与接地导体22之间的间隙中，磁通互相增强，与此相对，在比接地导体22更靠y轴方向的正方向侧及负方向侧的区域（即，高频信号线路10外的区域）中，磁通互相抵消。其结果是，能抑制磁通泄漏到高频信号线路10d之外。

（变形例1）

接下来，参照附图，对变形例1所涉及的高频信号线路10e进行说明。图16是变形例1所涉及的高频信号线路10e的分解图。在图16中，排列示出了电介质片材18a的表面和背面。

高频信号线路10e与高频信号线路10d之间的不同之处在于线路部20、21的形状及开口部Op1、Op2的形状。更详细而言，在高频信号线路10e中，在线路部20的x轴方向的两端附近设有锥度，使得线宽逐渐减小。由此，线路部20与线路部21相连接的部分中的线路部20的线宽比线路部20的x轴方向的中央部的线宽要小。

此外，在开口部Op1的x轴方向的两端附近设有锥度，使得y轴方向的宽度逐渐减小。而且，开口部Op1的中央部的y轴方向宽度比开口部Op1的中央部以外的部分的y轴方向宽度要大。

此外，在线路部21的x轴方向的两端附近设有锥度，使得线宽逐渐减小。由此，线路部20与线路部21相连接的部分中的线路部21的线宽比线路部21的x轴方向的中央部的线宽要小。

此外，在开口部Op2的x轴方向的两端附近设有锥度，使得y轴方向的宽度逐渐减小。由此，开口部Op2成为仿效线路部21的形状。

在具有以上结构的高频信号线路10e中，与高频信号线路10a同样地，能抑制在线路部20和线路部21之间产生高频信号的反射。

本申请的发明人制作了高频信号线路10e的模型，并利用计算机仿真研究了高频信号线路10e的通过特性及反射特性、以及高频信号线路10e的泄漏电磁场的指向性。下面，对仿真所使用的模型的条件进行说明。

间隙的宽度G：200μm

桥接部Br1的线宽W21：100μm

开口部Op1的长度L11：3mm

开口部Op1的宽度W11：100μm

开口部Op2的长度L31：0.4mm

开口部Op2的宽度W31：400μm

线路部20的线宽W1：500μm

线路部21的线宽W2：200μm

线路部21与接地导体22之间的间隔：200μm

高频信号线路10e的整体长度：60mm

图17是表示仿真结果的曲线图。纵轴表示衰减量、横轴表示频率。根据图17可知，在高频信号线路10e中，5GHz的高频信号的通过特性被抑制在－0.2dB左右。

此外，根据图17，在高频信号线路10e中，1GHz～5GHz的高频信号的反射特性为－40dB以下。由此可知，在高频信号线路10e中，在较宽频带中、特性阻抗的变动得以抑制。

图18是表示仿真结果的曲线图。图18（a）是表示在平行于zy平面的截面中的、信号线路S1所辐射的电磁场的强度的曲线图，图18（b）是表示在平行于zx平面的截面中的、从信号线路S1向高频信号线路10e外所辐射的电磁场的强度的曲线图。

在高频信号线路10e中，开口部Op1的面积比开口部Op2的面积要大。因此，如图18所示，从高频信号线路10e向z轴方向正方向侧辐射的电磁场的强度比从高频信号线路10e向z轴方向负方向侧辐射的电磁场的强度要强。由此，通过调整开口部Op1、Op2的面积，能调整向高频信号线路10e外辐射的电磁场的分布。

在高频信号线路10e中，从高频信号线路10e向z轴方向负方向侧辐射的电磁场的强度比从高频信号线路10e向z轴方向正方向侧辐射的电磁场的强度要弱，因此，优选在高频信号线路10e的z轴方向负方向侧配置电池组的金属外壳、壳体等物品。由此，能抑制因物品与信号线路S1进行电磁场耦合而使信号线路S1的特性阻抗偏离所希望的特性阻抗。

（变形例2）

接下来，参照附图，对变形例2所涉及的高频信号线路10f进行说明。图19是变形例2所涉及的高频信号线路10f的分解立体图。

高频信号线路10f与高频信号线路10d之间的不同之处在于线路部21的形状及开口部Op2的形状。更详细而言，在高频信号线路10f中，线路部21和开口部Op2沿y轴方向延伸。由此，从z轴方向俯视时，信号线路S1蜿蜒。

（变形例3）

接下来，参照附图，对变形例3所涉及的高频信号线路10g进行说明。图20是变形例3所涉及的高频信号线路10g的分解立体图。

高频信号线路10g与高频信号线路10d之间的不同之处在于线路部20、21的形状及开口部Op1、Op2的形状。更详细而言，在高频信号线路10g中，线路部20和开口部Op1呈向y轴方向负方向侧突出的圆弧状。此外，线路部21和开口部Op2呈向y轴方向正方向侧突出的圆弧状。由此，从z轴方向俯视时，信号线路S1蜿蜒。

（变形例4）

接下来，参照附图，对变形例4所涉及的高频信号线路10h进行说明。图21是变形例4所涉及的高频信号线路10h的分解立体图。

高频信号线路10h与高频信号线路10d之间的不同之处在于其设置有线圈、电容器等电子元器件200a、200b。更详细而言，在高频信号线路10h中，电子元器件200a、200b埋设在电介质片材18a的背面。在埋设有电子元器件200a、200b的电介质片材18a的背面上，设有线路部21及接地导体25。由此，电子元器件200a、200b的一外部电极分别与线路部21相连接，电子元器件200a、200b的另一外部电极分别与接地导体25相连接。

在如上所述的高频信号线路10h中，将电子元器件200a、200b安装在以转印片状设置的接地导体25上。然后，将接地导体25和电子元器件200a、200b从转印片转印到电介质片材18a的背面。

在高频信号线路10h中，通过设置电子元器件200a、200b，从而能将滤波器电路、相位调整电路等设置到高频信号线路10h内。

（变形例5）

接下来，参照附图，对变形例5所涉及的高频信号线路10i进行说明。图22是变形例5所涉及的高频信号线路10i的分解立体图。

高频信号线路10i与高频信号线路10h之间的不同之处在于：将线路部20分割成线路部20a、20b；以及除电子元器件200a、200b之外还设有电子元器件200c。

更详细而言，在高频信号线路10i中，多个线路部20内的一个线路部20被分割成线路部20a、20b。而且，电子元器件200c连接至线路部20a、20b。

（变形例6）

接下来，参照附图，对变形例6所涉及的高频信号线路10j进行说明。图23是变形例6所涉及的高频信号线路10j的分解立体图。图24是图23的高频信号线路10j的等效电路图。

如图23所示，在高频信号线路10j中，还包括电子元器件200d。电子元器件200d是图24所示电容器C1，且设置在电介质片材18a的背面上。而且，电子元器件200d连接在相邻线路部21之间。即，电子元器件200d的一外部电极连接至设置在x轴方向负方向侧的线路部21的x轴方向正方向侧端部，电子元器件200d的另一外部电极连接至设置在x轴方向正方向侧的线路部21的x轴方向负方向侧端部。由此，电子元器件200d与线路部20并联连接。能将线路部20视作具有电感分量的线圈L1（参照图24）。因此，如图24所示，高频信号线路10j的电子元器件200d及线路部20构成将电容器C1和线圈L1并联连接的带通滤波器。

另外，如图23所示，优选将电子元器件200d配置成其长边方向与x轴方向相一致。电子元器件200d的长边方向与x轴方向一致的情况下，与电子元器件200d的长边方向与y轴方向一致的情况相比，能减小高频信号线路10j的y轴方向宽度。

（变形例7）

接下来，参照附图，对变形例7所涉及的高频信号线路10k进行说明。图25是变形例7所涉及的高频信号线路10k的分解立体图。图26是图25的高频信号线路10k的等效电路图。

如图25所示，在高频信号线路10k中，还包括电子元器件200e、200f及连接导体50。连接导体50设置在电介质片材18a的背面上，且不与信号线路21及接地导体25相连接。连接导体50是成为浮动电位的所谓浮动电极。

电子元器件200e是图26所示线圈L2，且设置在电介质片材18a的背面上。而且，电子元器件200e连接在线路部21与连接导体50之间。即，电子元器件200e的一外部电极连接至线路部21的x轴方向正方向侧端部，电子元器件200d的另一外部电极连接至连接导体50。

此外，电子元器件200f是图26所示电容器C2，且设置在电介质片材18a的背面上。而且，电子元器件200f连接在连接导体50与接地导体25之间。即，电子元器件200f的一外部电极连接至连接导体50，电子元器件200f的另一外部电极连接至接地导体25。

在具有以上结构的高频信号线路10k中，如图26所示，电子元器件200e、200f构成在信号线路S1和接地之间将线圈L2和电容器C2串联连接的带阻滤波器。

（变形例8）

接下来，参照附图，对变形例8所涉及的高频信号线路10l进行说明。图27是变形例8所涉及的高频信号线路10l的分解立体图。图28是图27的高频信号线路10l的等效电路图。

如图27所示，在高频信号线路10l中，还包括电子元器件200d、200e、200f及连接导体50。高频信号线路10l中的200d、200e、200f及连接导体50与高频信号线路10j、10k中的200d、200e、200f及连接导体50相同，因此省略其说明。由此，如图28所示，电子元器件200d和线路部20构成将电容器C1和线圈L1并联连接的带阻滤波器，电子元器件200e、200f构成在信号线路S1和接地之间将线圈L2和电容器C2串联连接的带阻滤波器。

（变形例9）

接下来，参照附图，对变形例9所涉及的高频信号线路10m进行说明。图29是变形例9所涉及的高频信号线路10m的分解立体图。图30是图29的高频信号线路10m的等效电路图。

高频信号线路10m还包括电子元器件200g、200h。在高频信号线路10m中，将多个线路部20中的一线路部20分割成线路部20c、20d、20e。

如图30所示，电子元器件200g是电容器C3，且设置在电介质片材18a的表面上。另外，由于在保护层14上设有开口，因此，电子元器件200g向外部露出。而且，电子元器件200g连接在线路部20c、20d之间。即，电子元器件200g的一外部电极连接至线路部20c的x轴方向正方向侧端部，电子元器件200g的另一外部电极连接至线路部20d的x轴方向负方向侧端部。

如图30所示，电子元器件200h是线圈L3，且设置在电介质片材18a的表面上。另外，由于在保护层14上设有开口，因此，电子元器件200h向外部露出。而且，电子元器件200h连接在线路部20d、20e之间。即，电子元器件200h的一外部电极连接至线路部20d的x轴方向正方向侧端部，电子元器件200h的另一外部电极连接至线路部20e的x轴方向负方向侧端部。

由此，电子元器件200g、200h与线路部20串联连接。因此，如图30所示，高频信号线路10m的电子元器件200g、200h构成在信号线路S1上将电容器C3和线圈L3串联连接的带通滤波器。

（变形例10）

接下来，参照附图，对变形例10所涉及的高频信号线路10n进行说明。图31是变形例10所涉及的高频信号线路10n的分解立体图。图32是图31的高频信号线路10n的等效电路图。

如图31所示，高频信号线路10n还包括电子元器件200i、200j。电子元器件200i是图31所示线圈L4，且设置在电介质片材18a的背面上。而且，电子元器件200i连接在线路部21与接地导体25之间。即，电子元器件200i的一外部电极连接至线路部21的x轴方向负方向侧端部，电子元器件200i的另一外部电极连接至接地导体25。由此，电子元器件200i连接在信号线路S1与接地之间。

此外，电子元器件200j是图31所示电容器C4，且设置在电介质片材18a的背面上。而且，电子元器件200j连接在线路部21与接地导体25之间。即，电子元器件200j的一外部电极连接至线路部21的x轴方向正方向侧端部，电子元器件200j的另一外部电极连接至接地导体25。由此，电子元器件200j与电子元器件200i并联连接，且连接在信号线路S1与接地之间。

如上所述的高频信号线路10n中，如图32所示，电子元器件200i、200j构成将电容器C1和线圈L1并联连接的带通滤波器。

（变形例11）

接下来，参照附图，对变形例11所涉及的高频信号线路10o进行说明。图33是变形例11所涉及的高频信号线路10o的分解立体图。图34是图33的高频信号线路10o的等效电路图。

如图33所示，高频信号线路10o中，还包括电子元器件200g、200h、200i、200j。高频信号线路10o中的电子元器件200g、200h、200i、200j与高频信号线路10m、10n中的电子元器件200g、200h、200i、200j相同，因此省略其说明。由此，如图34所示，电子元器件200g、200h构成将电容器C3和线圈L3串联连接的带通滤波器，电子元器件200i、200j构成在信号线路S1和接地之间将线圈L4和电容器C4并联连接的带通滤波器。

（变形例12）

接下来，参照附图，对变形例12所涉及的高频信号线路10p进行说明。图35是变形例12所涉及的高频信号线路10p的分解立体图。

如高频信号线路10p所示，可设有多个信号线路S1、S2。由此，能利用高频信号线路10p来进行平衡信号的传输和高速数字信号的并行传输。

（变形例13）

接下来，参照附图，对变形例13所涉及的高频信号线路10q进行说明。图36是变形例13所涉及的高频信号线路10q的俯视图。

高频信号线路10q与高频信号线路10p之间的不同之处在于线路部20、20’、21、21’的形状及开口部Op1、Op2的形状。更详细而言，在高频信号线路10q中，在线路部20、20’、21、21’的x轴方向的两端附近设有锥度，使得线宽逐渐减小。

由此，线路部20、20’与线路部21、21’相连接的部分中的线路部20、20’的线宽比线路部20、20’的x轴方向的中央部的线宽要小。同样地，线路部20、20’与线路部21、21’相连接的部分中的线路部21、21’的线宽比线路部21、21’的x轴方向的中央部的线宽要小。

此外，在开口部Op1、Op2的x轴方向的两端附近设有锥度，使得y轴方向的宽度逐渐减小。由此，开口部Op1、Op2分别成为仿效线路部20、20’、21、21’的形状。

在具有以上结构的高频信号线路10q中，与高频信号线路10a同样地，抑制在线路部20和线路部21之间、以及线路部20’和线路部21’之间产生高频信号的反射。

本申请的发明人制作了高频信号线路10q的模型，并利用计算机仿真来研究了高频信号线路10q的通过特性、反射特性及隔离特性。下面，对仿真所使用的模型的条件进行说明。

间隙的宽度G：200μm

桥接部Br1的线宽W21：100μm

开口部Op1的长度L11：3mm

开口部Op1的宽度W11：900μm

开口部Op2的长度L31：0.4mm

开口部Op2的宽度W31：400μm

线路部20的线宽W1：500μm

线路部21的线宽W2：200μm

线路部21与接地导体22之间的间隔：200μm

线路部21与接地导体24之间的间隔：100μm

高频信号线路10q的整体长度：60mm

图37是表示仿真结果的曲线图。图37（a）表示通过特性1、通过特性2、反射特性1及反射特性2。图37（b）表示隔离特性1及隔离特性2。纵轴表示衰减量、横轴表示频率。

通过特性1表示从信号线路S1的x轴方向正方向侧端部输出的信号与从信号线路S1的x轴方向负方向侧端部输入的信号的强度之比。通过特性2表示从信号线路S2的x轴方向正方向侧端部输出的信号与从信号线路S2的x轴方向负方向侧端部输入的信号的强度之比。反射特性1表示从信号线路S1的x轴方向负方向侧端部输出的信号与从信号线路S1的x轴方向负方向侧端部输入的信号的强度之比。反射特性2表示从信号线路S2的x轴方向负方向侧端部输出的信号与从信号线路S2的x轴方向负方向侧端部输入的信号的强度之比。

隔离特性1表示从信号线路S2的x轴方向正方向侧端部输出的信号与从信号线路S1的x轴方向负方向侧端部输入的信号的强度之比。隔离特性2表示从信号线路S2的x轴方向负方向侧端部输出的信号与从信号线路S1的x轴方向负方向侧端部输入的信号的强度之比。

根据图37（a）可知，具有2条信号线路S1、S2的高频信号线路10q的通过特性及反射特性等同于具有1条信号线路S1的高频信号线路10e的通过特性及反射特性。

此外，根据图37（b）可知，高频信号线路10q具有良好的隔离特性。由此可知，在高频信号线路10q中，能良好地在y轴方向封闭高频信号。

另外，在高频信号线路10q中设有2条信号线路S1、S2，但还可设有3条以上的信号线路。

（变形例14）

接下来，参照附图，对变形例14所涉及的高频信号线路10r进行说明。图38是变形例14所涉及的高频信号线路10r的分解立体图。

如图38的高频信号线路10r所示，从z轴方向俯视时，信号线路S1可弯曲成U字。

由此，无需弯曲高频信号线路10r就能弯曲信号线路S1。由此，能降低弯曲使用高频信号线路10r的必要性。其结果是，能对信号线路S1的电特性因高频信号线路10r弯曲而产生变动的情形进行抑制。但是，并不防碍弯曲使用高频信号线路10r。

（变形例15）

接下来，参照附图，对变形例15所涉及的高频信号线路10s进行说明。图39是变形例15所涉及的高频信号线路10s的分解立体图。

如图39的高频信号线路10s所示，从z轴方向俯视时，信号线路S1可呈T字走线。

由此，无需弯曲高频信号线路10s就能弯曲信号线路S1。由此，能降低弯曲使用高频信号线路10s的必要性。其结果是，能对信号线路S1的电特性因高频信号线路10s弯曲而产生变动的情形进行抑制。但是，并不防碍弯曲使用高频信号线路10s。

（变形例16）

接下来，参照附图，对变形例16所涉及的高频信号线路10t进行说明。图40是变形例16所涉及的高频信号线路10t的分解立体图。图41是从z轴方向俯视图40的高频信号线路10t的信号线路S1及接地导体22、24而得到的图。

如图40及图41所示，高频信号线路10t与高频信号线路10d的不同之处在于：从主体12的主面法线方向（z轴方向）俯视时，接地导体22上设有与线路部21重叠的开口部Op3。更详细而言，在接地导体22中，在沿x轴方向相邻的开口部Op1之间设有没有导体的开口部Op3。在开口部Op3的x轴方向的两端附近设有锥度，使得y轴方向的宽度逐渐减小。

此外，从z轴方向俯视时，线路部21与开口部Op3相重叠。而且，线路部21与开口部Op3重叠的部分中的线宽Wa比线路部21与接地导体22重叠的部分（即，不与开口部Op3重叠的部分）中的线宽Wb及线路部20的线宽Wc要大。而且，在线路部21与开口Op3重叠的部分的x轴方向两端附近设有锥度，使得线宽逐渐减小。由此，开口部Op3成为仿效线路部20的形状。

在具有以上结构的高频信号线路10t中，能力图使主体12薄化。更详细而言，从z轴方向俯视时，在接地导体22上设置有与线路部21重叠的开口Op3。由此，难以在线路部21与接地导体22之间形成电容。因此，即使减小线路部21与接地导体22之间的z轴方向间隔，也能抑制线路部21的特性阻抗过小。其结果是，将信号线路S1的特性阻抗维持在规定特性阻抗的同时，能力图使主体12薄化。

而且，在高频信号线路10t中，难以在线路部21与接地导体22之间形成电容，因此，能增大线路部21与开口Op3重叠的部分的线宽Wa。由此，能力图降低信号线路S1的高频电阻。

此外，如图41所示，开口Op2和开口Op3重叠。而且，开口Op3的尺寸比开口Op2的尺寸要大。更详细而言，开口Op3的y轴方向宽度比开口Op2的y轴方向宽度要大。由此，在y轴方向上开口Op3收纳在开口Op2内。因此，即使在制造高频信号线路10t时开口Op2与开口Op3之间的位置关系发生偏离，也能抑制开口Op3从开口Op2伸出。其结果是，能抑制在接地导体22、24之间形成的电容值发生较大变动，且能抑制信号线路S1的特性阻抗与规定特性阻抗偏离。

此外，线路部20、21中有电流流过时，在接地导体22、25中流过反馈电流。由于趋肤效应，流过接地导体22、25的反馈电流在开口部Op1、Op2、Op3的外周附近流动，但若电流在反馈z轴方向上流过接地导体22和接地导体25相重叠的位置，则插入损耗会降低。在高频信号线路10t中，开口Op3的尺寸比开口Op2的尺寸要大，因此，逆电流流过的位置难以在厚度方向重叠。由此，能抑制插入损耗的降低。

（变形例17）

下面，参照附图，对变形例17所涉及的高频信号线路10u进行说明。图42是变形例17所涉及的高频信号线路10u的外观立体图。图43是变形例17所涉及的高频信号线路10u的分解立体图。图44是变形例17所涉及的高频信号线路10u的等效电路图。

如图42所示，高频信号线路10u沿x轴方向延伸。而且，如图43所示，高频信号线路10u的信号线路S1包含信号线路S10、S11、S12。

信号线路S10、S11、S12沿x轴方向延伸。另外，与高频信号线路10的信号线路S1相同，信号线路S10、S11、S12包括线路部20、21及通孔导体b1、b2。

信号线路S10的x轴方向正方向侧端部、信号线路S11的x轴方向负方向侧端部、以及信号线路S12的x轴方向负方向侧端部相连接。而且，信号线路S11和信号线路S12彼此平行地延伸。

在信号线路S10的x轴方向负方向侧端部上连接有连接器100a。另外，高频信号线路10u的连接器100a和信号线路S10之间的连接、与高频信号线路10的连接器100a和信号线路S1之间的连接相同，因此，省略其说明。

在信号线路S11的x轴方向正方向侧端部上连接有天线端子150a。具体而言，在信号线路S11中的、设置在x轴方向的最正方向侧的线路部20的x轴方向正方向侧端部上安装有天线端子150a。在保护层14上设有开口Hk，因此，天线端子150a向外部露出。天线端子150a是与高频信号线路10u所使用的无线通信终端的天线相连接的端子。

在信号线路S12的x轴方向正方向侧端部上连接有天线端子150b。具体而言，在信号线路S12中的、设置在x轴方向的最正方向侧的线路部20的x轴方向正方向侧端部上安装有天线端子150b。在保护层14上设有开口Hl，因此，天线端子150b向外部露出。天线端子150b是与高频信号线路10u所使用的无线通信终端的天线相连接的端子。连接天线端子150a的天线与连接天线端子150b的天线是不同天线。连接天线端子150a的天线接收频率相对较高的信号，连接天线端子150b的天线接收频率相对较低的信号。

此外，高频信号线路10u包括电子元器件200d、200e、200f、200l、200m、200n及连接导体50。电子元器件200e、200f、200l、200m和连接导体50在信号线路S11上构成图44的高通滤波器HPF。电子元器件200d、200n在信号线路S12上构成图44的具有频率比高通滤波器HPF要低的通频带的低通滤波器LPF。而且，低通滤波器LPF及高通滤波器HPF构成双工器。双工器不仅抑制信号线路S11的信号进入到信号线路S12，还抑制信号线路S12的信号进入到信号线路S11中。

电子元器件200d是图44的电容器C14，且设置在电介质片材18a的背面上。电子元器件200e是图44的线圈L11，且设置在电介质片材18a的背面上。电子元器件200f是图43的电容器C13，且设置在电介质片材18a的背面上。高频信号线路10u中的电子元器件200d、200e、200f与高频信号线路10j、10k中的电子元器件200d、200e、200f相同，因此省略其说明。

此外，电子元器件200l是图44的电容器C11，且设置在电介质片材18a的背面上。在信号线路S11中，电子元器件200l串联连接在线路部21的中部。电子元器件200m是图44的电容器C12，且设置在电介质片材18a的背面上。在信号线路S11中，电子元器件200m串联连接在线路部21的中部。由此，如图44所示，在信号线路S11中，电容器C11和电容器C12串联连接。此外，在信号线路S11中，在电容器C11和电容器C12中间与接地之间，串联连接有线圈L11及电容器C13。

此外，电子元器件200n是图44的电容器C15，且设置在电介质片材18a的背面上。在信号线路S12中，电子元器件200n连接在线路部21与接地导体25之间。更详细而言，电子元器件200n的一外部电极连接至线路部21的x轴方向正方向侧端部，电子元器件200n的另一外部电极连接至接地导体25。由此，电容器C15串联连接在信号线路S12与接地之间。

具有以上结构的高频信号线路10u用来将无线通信终端的2个天线和收发电路基板相连接。由此，高频信号线路10u能传输2种不同频带的信号。

此外，在高频信号线路10u中内置有双工器。因此，根据高频信号线路10u，无需设有在收发电路、天线附近配置双工器的空间。其结果是，能力图实现无线通信终端的小型化。

另外，高通滤波器HPF由设置在电介质片材18a的背面上的电子元器件200e、200f、200l、200m来构成，但还可由设置在电介质片材18a的表面上的电子元器件来构成，还可由设置在电介质片材18a的表面上的电子元器件及设置在电介质片材18a的背面上的电子元器件来构成。

另外，低通滤波器LPF由设置在电介质片材18a的背面上的电子元器件200d、200n来构成，但还可由设置在电介质片材18a的表面上的电子元器件来构成，还可由设置在电介质片材18a的表面上的电子元器件及设置在电介质片材18a的背面上的电子元器件来构成。

（变形例18）

下面，参照附图，对变形例18所涉及的高频信号线路10v进行说明。图45是变形例18所涉及的高频信号线路10v的分解图。

高频信号线路10v与高频信号线路10d之间的不同之处在于未设有接地导体25及通孔导体B21、B22。

根据高频信号线路10v，从z轴方向俯视时，线路部21与接地导体22相重叠，因此，线路部21与接地导体22之间形成有电容。另一方面，由于未设有接地导体25，因此，线路部20不与接地导体相对。由此，线路部21的特性阻抗比线路部20的特性阻抗要低。由此，线路部20的特性阻抗Z1和线路部21的特性阻抗Z2不同。具体而言，特性阻抗Z1比特性阻抗Z2要高。由此，信号线路S1的特性阻抗在特性阻抗Z1与特性阻抗Z2之间周期性变动。其结果是，在信号线路S1中，在线路部20和线路部21中产生短波长（即高频）驻波。另一方面，在外部电极16a、16b之间难以产生长波长（即低频）驻波。如上，在高频信号线路10v中，低频噪声的产生得以抑制。

此外，在高频信号线路10v中，由于低频噪声的产生得以抑制，因此，即使未设有接地导体25，也能抑制噪声的辐射量增加。而且，由于未设有接地导体25，因此，能容易弯曲高频信号线路10v。

（其它实施方式）

本发明所涉及的高频信号线路不限于上述实施方式中的高频信号线路10、10a～10v，在其宗旨范围内能进行变更。

另外，可将高频信号线路10、10a～10v的结构相组合。

此外，对于高频信号线路10、10a～10v与电路基板等的连接，可使用连接器100a、100b以外的结构。作为连接器100a、100b以外的结构，例如可举出扁平电缆用连接器、各向异性导电性粘接剂等。

此外，从z轴方向俯视时，接地导体22可不形成梯子状。从z轴方向俯视时，接地导体22与线路部21重叠即可，只要至少存在桥接部Br1即可。

此外，从z轴方向俯视时，接地导体25可不形成梯子状。从z轴方向俯视时，接地导体25与线路部20重叠即可，只要至少存在桥接部Br2即可。

此外，在高频信号线路10中，不一定要将接地导体22设置在设有线路部20的电介质片材18a的表面上。可在如下电介质片材上设置接地导体22，该电介质片材位于设有线路部20的电介质片材18的、与设有线路部21的电介质片材18所在一侧相反的一侧。即，在高频信号线路10中，可在电介质片材18a的z轴方向正方向侧再设一层电介质片材18，在该电介质片材18的表面上设置接地导体22。

此外，可不设置保护层14、15。

此外，在高频信号线路10中，不一定要将接地导体24设置在电介质片材18c的表面上。可在如下的面上设置接地导体24，该面位于设有线路部21的电介质片材18的面的、与设有线路部20的电介质片材18的面所在一侧相反的一侧。由此，在高频信号线路10中，可将接地导体24设置在电介质片材18b的背面上。

另外，高频信号线路10、10a～10v可用作天线前端模块等RF电路基板中的高频信号线路。

工业上的实用性

本发明对高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备而言有用，特别地，其优点在于能抑制低频噪声的产生。

标号说明

B1～B4、B21、B22、b1、b2、b13、b14通孔导体

Br1、Br2桥接部

Op1、Op2、Op3开口部

S1、S2信号线路

10、10a～10v高频信号线路

12电介质单元体

14、15保护层

18a～18d电介质片材

20、20’、20a、20b、21、21’线路部

22、22’、24、24’、25接地导体

200a～200n电子元器件

Claims (24)

1.一种高频信号线路，其特征在于，包括：

主体；

信号线路，该信号线路通过将设置在所述主体的第一层上的第一线路部和设置在该主体的第二层上的第二线路部交替连接来构成；

第一接地导体，该第一接地导体设置在所述第一层或第三层上，该第三层位于该第一层的与所述第二层所在一侧相反的一侧，且从所述主体的主面的法线方向俯视时，该第一接地导体与多个所述第二线路部重叠、并且不与多个所述第一线路部重叠；以及

第二接地导体，该第二接地导体设置在第四层上，该第四层位于所述第二层的与所述第一层所在一侧相反的一侧，且从层叠方向俯视时，该第二接地导体与所述第一线路部及所述第二线路部重叠，

所述第一线路部的特性阻抗与所述第二线路部的特性阻抗不同。

2.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一接地导体设置在所述第一层上，

通过将第一绝缘片、第二绝缘片以及第三绝缘片依次层叠来构成所述主体，

所述第一层是所述第一绝缘片的一主面，

所述第二层是所述第二绝缘片的一主面，

所述第四层是所述第三绝缘片的一主面。

3.如权利要求2所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一接地导体与所述第二线路部之间的在层叠方向上的间隔比所述第二接地导体与所述第二线路部之间的在层叠方向上的间隔要小。

4.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一接地导体设置在所述第一层上，

通过将第一绝缘片、第二绝缘片以及第三绝缘片依次层叠来构成所述主体，

所述第一层是所述第二绝缘片的一主面，

所述第二层是所述第一绝缘片的一主面，

所述高频信号线路还包括第二接地导体，

该第二接地导体设置在所述第三绝缘片的一主面上，且从层叠方向俯视时，该第二接地导体与所述第一线路部及所述第二线路部重叠。

5.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于，

所述主体由绝缘片构成，

所述第一接地导体设置在所述第一层上，

所述第一层是所述绝缘片的一主面，

所述第二层是所述绝缘片的另一主面。

6.如权利要求5所述的高频信号线路，其特征在于，

还包括第二接地导体，该第二接地导体设置在所述第二层上，且从所述主体的主面的法线方向俯视时，该第二接地导体与多个所述第一线路部重叠。

7.如权利要求6所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第二接地导体是设有多个第二开口部的导体，在该多个第二开口部中不设有该第二接地导体，

通过将多个所述第二线路部设置在所述第二开口部内，从而该多个第二线路部被所述第二接地导体所包围。

8.如权利要求7所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一接地导体中设有第三开口部，从所述主体的主面的法线方向俯视时，该第三开口部与所述第二线路部重叠，

所述第二线路部与所述第三开口部重叠的部分的线宽比该第二线路部与所述第一接地导体重叠的部分的线宽要大。

9.如权利要求8所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第二开口部的开口大小比所述第三开口部的开口大小要大。

10.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一接地导体是设有多个第一开口部的导体，在该多个第一开口部中不设有该第一接地导体，

通过从所述主体的主面法线方向俯视时，将多个所述第一线路部设置在所述第一开口部内，从而该多个第一线路部被所述第一接地导体所包围。

11.如权利要求10所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一开口部中的沿所述第一线路部的方向的长度比该第一开口部的宽度要大。

12.如权利要求11所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一线路部与所述第二线路部相连接的部分中的该第一线路部的线宽比该第一线路部的中央的线宽要小。

13.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一线路部的长度及所述第二线路部的长度比在所述信号线路中传输的高频信号的波长的一半要小。

14.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

所述信号线路的两端的特性阻抗的大小在所述第一线路部的特性阻抗和所述第二线路部的特性阻抗之间。

15.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

利用将所述第一层和所述第二层之间相连的层间连接部，将所述第一线路部和所述第二线路部相连接。

16.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一线路部的线宽比所述第二线路部的线宽要大。

17.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

所述主体具有挠性。

18.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

所述主体上设有多个所述信号线路。

19.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

还包括第一电子元器件，该第一电子元器件设置在所述第一层上并与所述第一线路部相连接。

20.如权利要求19所述的高频信号线路，其特征在于，

还包括第二电子元器件，该第二电子元器件设置在所述第二层上并与所述第二线路部相连接。

21.如权利要求20所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一电子元器件和/或所述第二电子元器件是线圈或电容器。

22.如权利要求20所述的高频信号线路，其特征在于，

所述第一电子元器件和/或所述第二电子元器件构成滤波器。

23.如权利要求1至9中任一项所述的高频信号线路，其特征在于，

所述信号线路包含第一信号线路、第二信号线路以及第三信号线路，

所述第一信号线路的一端、所述第二信号线路的一端、及所述第三信号线路的一端相连接，

所述第一信号线路的另一端与连接器相连接，

所述第二信号线路的另一端与第一天线电连接，

所述第三信号线路的另一端与第二天线电连接，

所述高频信号线路还包括：

第三电子元器件，该第三电子元器件设置在所述第一层和/或所述第二层上，且连接至所述第二信号线路的所述第一线路部和/或所述第二线路部，以及

第四电子元器件，该第四电子元器件设置在所述第一层和/或所述第二层上，且连接至所述第三信号线路的所述第一线路部和/或所述第二线路部，

所述第三电子元器件构成第一滤波器，

所述第四电子元器件构成第二滤波器，该第二滤波器具有频率比所述第一滤波器要低的通频带。

24.一种电子设备，其特征在于，包括：

壳体；以及

设置在所述壳体内的高频信号线路，

所述高频信号线路包括：

主体；

信号线路，该信号线路通过将设置在所述主体的第一层上的第一线路部和设置在该主体的第二层上的第二线路部交替连接来构成；

第一接地导体，该第一接地导体设置在所述第一层或第三层上，该第三层位于该第一层的与所述第二层所在一侧相反的一侧，且从所述主体的主面的法线方向俯视时，该第一接地导体与多个所述第二线路部重叠、并且不与所述多个第一线路部重叠；以及

第二接地导体，该第二接地导体设置在第四层上，该第四层位于所述第二层的与所述第一层所在一侧相反的一侧，且从层叠方向俯视时，该第二接地导体与所述第一线路部及所述第二线路部重叠，

所述第一线路部的特性阻抗与所述第二线路部的特性阻抗不同。