JP6079929B2

JP6079929B2 - 伝送線路部材および電子機器

Info

Publication number: JP6079929B2
Application number: JP2016510152A
Authority: JP
Inventors: 邦明用水; 馬場　貴博; 貴博馬場; 耕輔西野
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-03-27
Filing date: 2015-02-26
Publication date: 2017-02-15
Anticipated expiration: 2035-02-26
Also published as: JP6330926B2; US9899715B2; JPWO2015146448A1; JP2017098998A; US20160372811A1; US20180145384A1; US10116025B2; WO2015146448A1

Description

本発明は、それぞれに異なる周波数の高周波信号を伝送する信号導体が近接して配置される伝送線路部材、および当該伝送線路部材を備える電子機器に関する。

従来、高周波信号を伝送する各種の伝送線路部材が考案されている。例えば、特許文献１に記載の伝送線路部材は、ストリップライン構造をしている。特許文献１に記載の伝送線路部材は、長尺状の誘電体素体を備え、該誘電体素体の厚み方向の途中位置に長尺状の信号導体が配置されている。誘電体素体の厚み方向の両端面には、グランド導体が配置されている。

これにより、信号導体を２つのグランド導体で挟むストリップライン構造の伝送線路が実現される。

このような構成からなる伝送線路部材を、伝送線路部材が装着される通信機器に、複数個配置する場合、伝送線路部材間の距離を広く取ることが好ましい。

特許第４９６２６６０号明細書

しかしながら、電子機器の小型化に伴って、複数の伝送線路部材を近接して配置しなければならないことがある。この場合、隣接する伝送線路が電磁界結合（高周波的な結合）してしまい、第１の伝送線路を伝送する第１の高周波信号が第２の伝送線路に漏洩して伝送するという問題が発生することがある。また、逆に、第２の伝送線路を伝送する第２の高周波信号が第１の伝送線路に漏洩して伝送するという問題が発生することがある。

また、伝送線路部材の小型化のため、１つの誘電体素体内に複数の信号導体を近接して配置する態様も考えられ、このような態様においても同様に、複数の伝送線路が結合し易いという問題がある。このような場合、目的とする高周波信号に対してノイズが重畳することになり、ノイズが重畳する伝送線路の伝送特性が劣化してしまう。

本発明の目的は、伝送特性を劣化させることなく、複数の伝送線路を近接配置することができる伝送線路部材、および当該伝送線路部材を備える電子機器を提供することにある。

この発明の伝送線路部材は、平板状の誘電体素体と、誘電体素体の内部に配置され、高周波信号の伝送方向に沿って延びる形状からなり、互いに隣接して配置されている第１信号導体および第２信号導体と、誘電体素体の厚み方向において第１信号導体と第２信号導体の一方側に配置された第１グランド導体と、誘電体素体の厚み方向において第１信号導体と第２信号導体の他方側に配置された第２グランド導体と、を備える。第１信号導体を第１グランド導体と第２グランド導体で挟み込むことにより第１高周波信号を伝送する第１伝送線路が形成されている。第２信号導体を第１グランド導体と第２グランド導体で挟み込むことにより第２高周波信号を伝送する第２伝送線路が形成されている。

さらに、この発明の伝送線路部材は、第１フィルタ素子または第２フィルタ素子を備える。もしくは、この発明の伝送線路部材は、第１フィルタ素子および第２フィルタ素子を備える。

第１フィルタ素子は、第１伝送線路に設けられており、第１信号導体に接続し、第１高周波信号の基本周波数が通過域内となり第２高周波信号の周波数が減衰域内となるフィルタ特性を有する。第２フィルタ素子は、第２伝送線路に設けられており、第２信号導体に接続し、第２高周波信号の基本周波数が通過域内となり第１高周波信号の周波数が減衰域内となるフィルタ特性を有する。

このような構成では、第１高周波信号およびその高調波信号が第１伝送線路から第２伝送線路に漏洩した場合、第２フィルタ素子で減衰される。第２高周波信号およびその高調波信号が第２伝送線路から第１伝送線路に漏洩した場合、第１フィルタ素子で減衰される。これにより、第１伝送線路、第２伝送線路のいずれかで漏洩が生じても、伝送特性が劣化することを抑制できる。特に、第１伝送線路に第１フィルタ素子を設けるとともに、第２伝送線路に第２フィルタ素子を設けることにより、伝送特性が劣化することをより確実に抑制できる。また、各々の伝送線路の信号導体が第１グランド導体と第２グランド導体で挟みこまれる構成であることで、高周波信号の外部への漏洩を抑制できる。

また、この発明の伝送線路部材では、第１フィルタ素子は、第１信号導体に接続する第１導体パターンによって少なくとも一部が形成されていることが好ましい。また、この発明の伝送線路部材では、第２フィルタ素子は、第２信号導体に接続する第２導体パターンによって少なくとも一部が形成されていることが好ましい。

これらの構成では、伝送線路部材を薄型、小型にすることができる。

また、この発明の伝送線路部材では、第２グランド導体は、誘電体素体を平面視して、第１信号導体および第２信号導体と重なる領域において部分的に開孔を有することが好ましい。

この構成では、伝送線路部材をさらに薄型に形成することができる。

また、この発明の伝送線路部材では、次の構成であることが好ましい。誘電体素体の高周波信号の伝送方向の両端には、第１信号導体に接続する第１外部接続端子と、第２信号導体に接続する第２外部接続端子とを備える。第１フィルタ素子は２つ設けられ、２つの第１フィルタ素子は、それぞれ両端の第１外部接続端子の近傍に配置されている。第２フィルタ素子は２つ設けられ、２つの第２フィルタ素子は、それぞれ両端の第２外部接続端子の近傍に配置されている。

これらの構成では、高周波信号の外部への漏洩を、さらに確実に抑制することができる。

また、この発明の伝送線路部材では、次の構成であることが好ましい。誘電体素体は可撓性を有する。伝送線路部材は、第１グランド導体と第２グランド導体を接続する厚み方向に延びる複数の層間接続導体を備える。複数の層間接続導体は、高周波信号の伝送方向に沿って間隔を空けて配置されている。誘電体素体を平面視して、高周波信号の伝送方向に直交する方向において、誘電体素体の第１信号導体および第２信号導体よりも外側の領域に配置される層間接続導体の配置密度は、誘電体素体の第１信号導体と第２信号導体との間の領域に配置される層間接続導体の配置密度よりも高い。

この構成では、第１信号導体や第２信号導体を伝送する高周波信号が伝送線路部材の外部に漏洩することを抑制できる。さらに、第１信号導体と第２信号導体との間の層間接続導体の形成数が少ないので、伝送線路部材の可撓性を向上することができる。

また、この発明の伝送線路部材では、次の構成であることがより好ましい。誘電体素体は可撓性を有する。伝送線路部材は、第１グランド導体と第２グランド導体を接続する厚み方向に延びる複数の層間接続導体を備える。複数の層間接続導体は、誘電体素体を平面視して、高周波信号の伝送方向に沿って間隔を空けて配置され、且つ、高周波信号の伝送方向に直交する方向において、誘電体素体の第１信号導体および第２信号導体よりも外側の領域にのみ配置されている。

この構成では、第１信号導体や第２信号導体を伝送する高周波信号が伝送線路部材の外部に漏洩することを抑制できる。さらに、第１信号導体と第２信号導体との間に層間接続導体が形成されていないので、伝送線路部材の可撓性を向上し、且つ、伝送線路部材の幅を狭くすることができる。

また、この発明の伝送線路部材は、誘電体素体に、高周波信号の伝送方向に沿った所定位置に捻れを有していてもよい。

この構成では、より多様な実装態様に対応することができる。

また、この発明の伝送線路部材では、捻れは、第１信号導体と第２信号導体が平行に配置される位置にあってもよい。

この構成では、第１信号導体と第２信号導体の位置関係を容易に入れ替えることができる。

また、この発明の電子機器は、上述のいずれかに記載の伝送線路部材と、該伝送線路部材によって接続される複数の回路要素と、前記回路要素が内蔵される筐体と、を備える。

この構成では、上述の伝送線路部材を用いた電子機器を示している。上述の伝送線路部材を用いることで、複数の回路要素間で複数種類の高周波信号を伝送する場合に、伝送損失を低減することができる。

この発明によれば、複数の伝送線路を近接配置しても、伝送特性の劣化を抑制することができる。

本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の外観斜視図である。本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す断面図である。本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材のフィルタ特性を示す図である。本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図および平面断面図である。本発明の第２の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材のフィルタ特性を示す図である。本発明の第４の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。本発明の第５の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。本発明の第５の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。本発明の第６の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。本発明の第６の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。本発明の第７の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。本発明の第７の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。本発明の他の実施形態に係る伝送線路部材の外観斜視図である。本発明の実施形態に係る捻れを有する伝送線路部材の外観斜視図である。図１９に示す伝送線路部材の取り付け態様を示す部分外観斜視図、および、その平面図である。図１９に示す伝送線路部材の他の取り付け態様を示す部分平面図である。本発明の実施形態に係る捻れを有する別の伝送線路部材の外観斜視図である。本発明の実施形態に係る伝送線路部材の取り付け態様例を示す外観斜視図、および、その側面図である。図２３の構成を実現するための伝送線路部材の概略的な構造を示す平面図である。

本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の外観斜視図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す断面図である。図３（Ａ）は、図２に示すＡ−Ａ断面図であり、図３（Ｂ）は図２に示すＢ−Ｂ断面図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。図５は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材のフィルタ特性を示す図である。

なお、図１は、コネクタが配設されている基準グランド導体側を上面として記載し、図２以降はコネクタが配設されていない補助グランド導体側を上面として記載している。

図１に示すように、伝送線路部材１０は、平板状で且つ長尺状からなる。伝送線路部材１０において、長さ方向が高周波信号の伝送方向に相当する。伝送線路部材１０において、平板面に平行で長さ方向に直交する方向が幅方向である。

伝送線路部材１０は、主体部と、該主体部の両端に接続された引き出し部を備える。詳細な構成は後述するが、主体部は、第１伝送線路と第２伝送線路とが一体に形成されており、引き出し部は、第１伝送線路と第２伝送線路が別体に形成されている。なお、以下の構成は、第１伝送線路と第２伝送線路が一体化された主体部を備える構成を示すが、上述の従来技術の課題に示したように、第１伝送線路と第２伝送線路と別体であっても近接して配置される構成であれば、本実施形態に係る主体部に対するフィルタ素子等の構成を適用することができる。

第１伝送線路の一方端Ｐ１１には、コネクタ部材からなる外部接続端子５１１が接続されている。第１伝送線路の他方端Ｐ１２には、コネクタ部材からなる外部接続端子５１２が接続されている。外部接続端子５１１，５１２は、本発明の「第１外部接続端子」に相当する。

第２伝送線路の一方端Ｐ２１には、コネクタ部材からなる外部接続端子５２１が接続されている。第２伝送線路の他方端Ｐ２２には、コネクタ部材からなる外部接続端子５２２が接続されている。外部接続端子５２１，５２２は、本発明の「第２外部接続端子」に相当する。

図２、図３に示すように、伝送線路部材１０は、平板状の誘電体素体３０、基準グランド導体３１、および補助グランド導体３２を備える。誘電体素体９０は、誘電体層９１，９２，９３，９４を積層してなる。誘電体素体９０は、例えば、液晶ポリマやポリイミド等の可撓性を有する素材からなる。

基準グランド導体３１は、誘電体素体３０の厚み方向の一方端側の面の略全面に配置されている。補助グランド導体３２は、誘電体素体３０の厚み方向の他方端側の面の略全面に配置されている。基準グランド導体３１および補助グランド導体３２は、銅（Ｃｕ）等の導電率の高い材料からなる。基準グランド導体３１が本発明の「第１グランド導体」に相当し、補助グランド導体３２が本発明の「第２グランド導体」に相当する。

基準グランド導体３１は第１信号導体２１１を用いた第１伝送線路および第２信号導体２２１を用いた第２伝送線路の特性インピーダンスを主に決定するグランド導体である。例えば、第１信号導体２１１と基準グランド導体３１によって第１伝送線路の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。同様に、第２信号導体２２１と基準グランド導体３１によって第２伝送線路の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、第１信号導体２１１と基準グランド導体３１と補助グランド導体３２によって第１伝送線路の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、補助グランド導体３２の形状を調整する。同様に、第２信号導体２２１と基準グランド導体３１と補助グランド導体３２によって第２伝送線路の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、補助グランド導体３２の形状を調整する。

誘電体層９０の厚み方向の途中位置には、第１信号導体２１１と第２信号導体２２１が配置されている。第１信号導体２１１および第２信号導体２２１は、誘電体素体９０の長さ方向（高周波信号の伝送方向）に沿って延びる長尺状の導体パターンである。第１信号導体２１１および第２信号導体２２１は、銅（Ｃｕ）等の導電率の高い材料からなる。

第１信号導体２１１と第２信号導体２２１は、誘電体素体９０の幅方向に間隔を空けて配置されている。第１信号導体２１１と第２信号導体２２１は、略全長に亘って、並走するように配置されている。

このような構成により、誘電体素体９０の厚み方向に、基準グランド導体３１と補助グランド導体３２で第１信号導体２１１を挟み込む構造が実現され、この構造により、図４に示す第１伝送線路２１が形成される。また、誘電体素体９０の厚み方向に、基準グランド導体３１と補助グランド導体３２で第１信号導体２２１を挟み込む構造が実現され、この構造により、図４に示す第２伝送線路２２が形成される。このように、本実施形態の伝送線路部材１０では、２つの伝送線路（第１伝送線路および第２伝送線路）を１つの誘電体素体９０を用いて形成することができる。これにより、第１伝送線路と第２伝送線路とを個別に形成するよりも、小型化が容易であり、さらに、電子機器への設置態様に影響されることなく、第１伝送線路と第２伝送線路との間隔を安定して保つことができるため、それぞれの伝送線路から高周波信号の漏洩してしまうことによる特性変化を抑制できる。

また、このように、外部接続端子５１１，５１２，５２１，５２２近傍で伝送線路２１，２２ごとに分離した構造にすることで、伝送線路部材１０の可撓性を高め、外部接続端子を接続し易くすることができる。また、外部接続端子５１１，５１２，５２１，５２２から離れた位置では伝送線路２１，２２を構造上一体化させることで２つの伝送線路を一体としてハンドリングし易くなる。

また、伝送線路部材９０は、誘電体素体９０の厚み方向に延びる複数の層間接続導体４１１，４１２，４２１，４２２を備える。複数の層間接続導体４１１，４１２，４２１，４２２は、それぞれに基準グランド導体３１と補助グランド導体３２とを接続している。

複数の層間接続導体４１１は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って間隔を空けて配置されている。複数の層間接続導体４１１は、誘電体素体９０を平面視して、誘電体素体９０の幅方向における第１信号導体２１１側の端面と第１信号導体２１１との間に配置されている。

複数の層間接続導体４１２は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って間隔を空けて配置されている。複数の層間接続導体４１２は、誘電体素体９０を平面視して、第１信号導体２１１と第２信号導体２２１との間に配置されている。

複数の層間接続導体４２２は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って間隔を空けて配置されている。複数の層間接続導体４２２は、誘電体素体９０を平面視して、第１信号導体２１１と第２信号導体２２１との間に配置されている。

複数の層間接続導体４２２は、複数の層間接続導体４１２よりも、第２信号導体２２１側に配置されている。

複数の層間接続導体４２１は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って間隔を空けて配置されている。複数の層間接続導体４２１は、誘電体素体９０を平面視して、誘電体素体９０の幅方向における第２信号導体２２１側の端面と第２信号導体２２１との間に配置されている。

このような層間接続導体４１１，４１２，４２１，４２２を備えることで、基準グランド導体３１と補助グランド導体３２との電位差を抑制することができ、より安定したグランド電位を得ることができる。また、層間接続導体４１１，４１２，４２１，４２２を備えることで、第１信号導体２１１（第１伝送線路）や第２信号導体２２１（第２伝送線路）を伝送する高周波信号が伝送線路部材１０の外部に漏洩することが抑制できる。

さらに、層間接続導体４１２，４２２が第１信号導体２１１と第２信号導体２２１との間に配置されることで、第１信号導体２１１と第２信号導体２２１との電磁界結合を抑制することができる。

上述の構成に加えて、伝送線路部材９０は、コイル導体２１２，２２２と、キャパシタ形成用平板導体２１３を備える。

図２に示すように、コイル導体２１２，２２２は、平面視してミアンダ状の線状導体パターンである。コイル導体２１２とキャパシタ形成用平板導体２１３は、第１信号導体２１１の途中位置に接続されている。キャパシタ形成用平板導体２１３は、基準グランド導体３１と補助グランド導体３２と対向している。

コイル導体２２２は、平面視してミアンダ状の線状導体パターンである。コイル導体２２２は、誘電体素体９０の厚み方向において第２信号導体２２１と異なる位置に配置されている。より具体的には、コイル導体２２２は、誘電体素体９０の厚み方向において第２信号導体２２１と基準グランド導体３１との間に配置されている。

図２、図３（Ａ）に示すように、コイル導体２２２の延びる方向の一方端は、層間接続導体４３１によって、第２信号導体２２１に接続されている。コイル導体２２２の延びる方向の他方端は、層間接続導体４３２によって、基準グランド導体３１に接続されている。

このような構成とすることで、伝送線路部材１０によって、図４に示す回路を実現できる。

図４に示すように、伝送線路部材１０は、外部接続端子Ｐ１１（外部接続端子５１１に相当する。）と外部接続端子Ｐ１２（外部接続端子５１２に相当する。）を接続する第１伝送線路２１と、外部接続端子Ｐ２１（外部接続端子５２１に相当する。）と外部接続端子Ｐ１２（外部接続端子５２２に相当する。）を接続する第２伝送線路２２を有する。

第１伝送線路２１を構成する第１信号導体２１には、インダクタＬ１が直列接続されており、第１信号導体２１とグランドとの間には、キャパシタＣ１が接続されている。インダクタＬ１は、コイル導体２１２によって実現される。キャパシタＣ１は、キャパシタ形成用平板導体２１３と基準グランド導体３１の対向形状、およびキャパシタ形成用平板導体２１３と補助グランド導体３２と対向形状によって実現される。

このインダクタＬ１とキャパシタＣ１により、ローパスフィルタ（低域通過フィルタ）ＬＰＦが実現される。この際、図５に示すように、インダクタＬ１とキャパシタＣ１の素子値を適宜設定して、すなわち、コイル導体２１２とキャパシタ形成用平板導体２１３の形状を適宜設定することで、第１伝送線路２１を伝送する第１高周波信号の基本周波数ｆ１が通過域内となり、第２伝送線路２２を伝送する第２高周波信号の周波数（基本周波数および高調波周波数）が減衰域内となるように、ローパスフィルタＬＰＦを設定する。

第２信号導体２２とグランドとの間には、インダクタＬ２が接続されている。インダクタＬ２は、コイル導体２２２によって実現される。

このインダクタＬ２により、ハイパスフィルタ（高域通過フィルタ）ＨＰＦが実現される。この際、図５に示すように、インダクタＬ２の素子値を適宜設定して、すなわち、コイル導体２２２の形状を適宜設定することで、第２伝送線路２２を伝送する第２高周波信号の基本周波数ｆ２が通過域内となり、第１伝送線路２１を伝送する第１高周波信号の周波数（基本周波数および高調波周波数）が減衰域内となるように、ハイパスフィルタＨＰＦを設定する。

このような構成とすることで、第１伝送線路２１を伝送する第１高周波信号が第２伝送線路２２に漏洩しても、ハイパスフィルタＨＰＦで減衰され、外部接続端子５２１，５２２から外部に伝送されない。また、第２伝送線路２２を伝送する第２高周波信号が第１伝送線路２１に漏洩しても、ローパスフィルタＬＰＦで減衰され、外部接続端子５１１，５１２から外部に伝送されない。したがって、伝送線路部材１０の伝送特性の劣化を抑制することができる。

以上のように、本実施形態の構成を用いることで、複数の伝送線路を備えながら、優れた伝送特性を有する伝送線路部材を、小型、薄型で形成することができる。

このような構造の伝送線路部材１０は、例えば次に示すように製造される。

まず、片面の全面に銅箔が張られた片面銅貼張りの誘電体フィルム（誘電体層に相当する。）を用意する。誘電体フィルムとしては本実施形態では液晶ポリマを用いた。

第１の誘電体フィルム（誘電体層９１に相当する。）の一方端面に、基準グランド導体３１を形成する。第２の誘電体フィルム（誘電体層９２に相当する。）の一方端面に、パターニング処理によりコイル導体２２２を形成する。第３の誘電体フィルム（誘電体層９３に相当する。）の一方端面に、パターニング処理により第１信号導体２１１、コイル導体２１２、キャパシタ形成用平板導体２１３、および第２信号導体２２１を形成する。第４の誘電体フィルム（誘電体層９４に相当する。）の一方端面に、補助グランド導体３２を形成する。

これら複数の誘電体フィルムにおける所定位置にレーザービームを照射して貫通孔を形成し、その貫通孔に導電性ペーストを充填することによって、各層間接続導体４１１，４１２，４２１，４２２，４３１，４３２の元となる導体部を形成する。

これら複数の誘電体フィルムを積層して加熱圧着し、個片に切り分けることで、誘電体素体１０を形成する。

そして、誘電体素体１０の長さ方向の両端に配置された引き出し部に対して、外部接続端子５１１，５１２，５２１，５２２を実装する。

このような構成からなる伝送線路部材は、次に示す電子機器に取り付けられる。図６（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図であり、図６（Ｂ）は当該携帯電子機器の部品構成を説明する平面断面図である。

携帯電子機器８０は、薄型の機器筐体８１を備える。機器筐体８１内には、回路要素である実装回路基板８２Ａ，８２Ｂと、バッテリーパック８００が配置されている。実装回路基板８２Ａ，８２Ｂの表面には、複数のＩＣチップ８４および実装部品８５が実装されている。機器筐体８１を平面視して、実装回路基板８２Ａ，８２Ｂ間にバッテリーパック８００が配置されている。ここで、機器筐体８１はできる限り薄型に形成されているので、機器筐体８１の厚み方向においては、バッテリーパック８００と機器筐体８１との間隔が極狭い。したがって、この間に同軸ケーブルを配置することができない。

しかしながら、本実施形態に示した伝送線路部材１０を、当該伝送線路部材１０の厚み方向と、機器筐体８０の厚み方向とが一致するように配置することで、バッテリーパック８００と機器筐体８１との間に、伝送線路部材１０を通すことができる。これにより、バッテリーパック８００を中間に配して離間された実装回路基板８２Ａ，８２Ｂを伝送線路部材１０で接続することができる。

さらに、伝送線路部材１０によって、複数の高周波信号を近接して伝送できるので、この複数の高周波信号を伝送する領域を小さくでき、省スペース化できる。この際、本実施形態の伝送線路部材１０を用いることで、各高周波信号の伝送損失を低減して、伝送することができる。また、第１高周波信号を利用する回路に第２高周波信号が伝送されず、第２高周波信号を利用する回路に第１高周波信号が伝送されないので、それぞれの高周波信号を利用する各回路での回路機能の劣化を抑制することができる。

次に、本発明の第２の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図７は、本発明の第２の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。

本実施形態に係る伝送線路部材１０Ａは、第１の実施形態に係る伝送線路部材１０に対して、層間接続導体４１２，４２２を省略した構成からなる。

このような構成とすることで、伝送線路部材１０Ａの幅を狭くすることができる。また、伝送線路部材１０Ａの可撓性をより高くすることができる。

この際、第１の実施形態に示したように、第１伝送線路２１と第２伝送線路２２にそれぞれフィルタ素子を備えていることで、層間接続導体４１２，４２２を省略したことによって、第１高周波信号が第２伝送線路２２に漏洩したり、第２高周波信号が第１伝送線路２１に漏洩したりしても、伝送線路部材１０Ａの外部へ伝送することを抑制できる。

なお、本実施形態では、第１信号導体２１１と第２信号導体２２１との間に層間接続導体を設けない態様を示したが、第１信号導体２１１と端面との間に配置された層間接続導体４１１の配置密度および第２信号導体２２１と端面との間に配置された層間接続導体４２１の配置密度と比較して、配置密度を低くして設けてもよい。この態様であっても、第１の実施形態に係る伝送線路部材１０と比較して、伝送線路部材１０Ａの可撓性を高くすることができる。

次に、本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。

本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｂは、第１の実施形態に係る伝送線路部材１０に対して、補助グランド導体の構造およびフィルタ素子の構成が異なる。

第１信号導体２１１および第２信号導体２２１は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って延びる形状からなる。

第１信号導体２１１の長さ方向の途中位置には、線状のスタブ導体２１４が接続されている。スタブ導体２１４の長さは、第１高周波信号の波長の略１／４である。スタブ導体２１４の先端は、層間接続導体４４１によって、基準グランド導体３１に接続されている。これにより、ショートスタブが形成され、第１高周波信号に対する帯域通過フィルタＢＰＦが構成される。

第２信号導体２２１の長さ方向の途中位置には、線状のスタブ導体２２４が接続されている。スタブ導体２２４の長さは、第１高周波信号の波長の略１／４である。スタブ導体２２４の先端は、いずれの導体にも接続されていない。これにより、オープンスタブが形成され、第１高周波信号に対する帯域阻止フィルタＢＥＦが構成される。

これにより、図１０に示すフィルタ特性を有する図９に示す回路を実現することができる。図９は、本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。図１０は、本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材のフィルタ特性を示す図である。

このような構成とすることで、第１伝送線路２１を伝送する第１高周波信号が第２伝送線路２２に漏洩しても、帯域阻止フィルタＢＥＦで減衰され、外部接続端子５２１，５２２から外部に伝送されない。また、第２伝送線路２２を伝送する第２高周波信号が第１伝送線路２１に漏洩しても、帯域通過フィルタＢＰＦの減衰特性によって減衰され、外部接続端子５１１，５１２から外部に伝送されない。したがって、伝送線路部材１０Ｂの伝送特性の劣化を抑制することができる。

さらに、本実施形態に示すように、スタブ導体でフィルタを形成することで、第１、第２信号導体２１１，２２１と同層（厚み方向の同じ位置）にフィルタの構成要素を形成できる。これにより、薄型の伝送線路部材１０Ｂを実現することができる。

補助グランド導体３２１，３２２は、誘電体素体９０の幅方向に沿って配置されている。補助グランド導体３２１，３２２は、梯子状導体からなる。具体的には、補助グランド導体３２１，３２２は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って延びる形状の二本の長尺導体を備える。二本の長尺導体は、誘電体素体９０の幅方向に間隔を空けて配置されている。二本の長尺導体は、長さ方向に沿って間隔をおいて接続されている。これにより、補助グランド導体３２１，３２２は、長さ方向に沿って複数の開孔が配列された形状となる。この際、補助グランド導体３２１は、平面視して、開孔した領域が第１信号導体２１１と重なるように配置されており、補助グランド導体３２２は、平面視して、開孔した領域が第２信号導体２２１と重なるように配置されている。

このような構成とすることで、補助グランド導体３２１と第１信号導体２１１との容量性結合を抑制でき、全面に補助グランド導体３２を配置する態様と比較して、補助グランド導体３２１と第１信号導体２１１との間隔を狭くできる。同様に、補助グランド導体３２２と第１信号導体２２１との間隔を狭くできる。これにより、誘電体素体９０、すなわち伝送線路部材１０Ｂをさらに薄型に形成できる。

なお、本実施形態では、スタブ導体２１４を第１信号導体２１１の端面側に配置し、スタブ導体２２４を第２信号導体２２１の端面側に配置した態様を示したが、これらのスタブ導体の少なくとも一方を、第１信号導体２１１と第２信号導体２２１との間に配置してもよい。ただし、本実施形態に示す態様を用いることで、第１信号導体２１１およびスタブ導体２１４からなる導体群と、第２信号導体２２１とスタブ導体２２４からなる導体群との間隔が広く取れる。したがって、第１伝送線路と第２伝送線路とにおけるフィルタ素子間での高周波信号の漏洩を抑制でき、より好適である。

次に、本発明の第４の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図１１は、本発明の第４の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。

上述の各実施形態では、第１伝送線路と第２伝送線路のそれぞれに１つずつフィルタ素子を配置する態様を示した。しかしながら、図１１に示すように、本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｃは、第１伝送線路２１および第２伝送線路２２のそれぞれに２つのフィルタ素子を接続している。具体的に、図１１の場合、第１伝送線路２１には、２つのローパスフィルタＬＰＦが接続されている。一方のローパスフィルタＬＰＦは、外部接続端子Ｐ１１の近傍に接続されており、他方のローパスフィルタＬＰＦは、外部接続端子Ｐ１２の近傍に接続されている。第２伝送線路２２には、２つのハイパスフィルタＨＰＦが接続されている。一方のハイパスフィルタＨＰＦは、外部接続端子Ｐ２１の近傍に接続されており、他方のハイパスフィルタＨＰＦは、外部接続端子Ｐ２２の近傍に接続されている。ローパスフィルタＬＰＦおよびハイパスフィルタＨＰＦのフィルタ特性は、上述の第１の実施形態に示した図５と同様の特性である。

これらのフィルタは、伝送線路部材１０Ｃの主体部における引き出し部に接続する端部付近に形成されていることが好ましい。また、これらのフィルタは、引き出し部に形成してもよい。

このような構成とすることで、第１伝送線路２１から第２伝送線路２２に漏洩した第１高周波信号の外部への漏洩、および、第２伝送線路２２から第１伝送線路２１に漏洩した第２高周波信号の外部への漏洩を、より確実に抑制することができる。

なお、上述の各実施形態では、ローパスフィルタとハイパスフィルタの組、帯域通過フィルタと帯域阻止フィルタの組を用いる態様をそれぞれ示したが、フィルタの組み合わせはこれに限るものではなく、通過帯域の異なる帯域通過フィルタの組等を用いてもよい。すなわち、第１伝送線路に接続されるフィルタは、第１高周波信号の基本周波数が通過域内となり第２高周波信号の周波数が減衰域内となる特性を有し、第２伝送線路に接続されるフィルタは、第２高周波信号の基本周波数が通過域内となり第１高周波信号の周波数が減衰域内となる特性を有するようにすればよい。

また、上述の各実施形態では、導体パターンによってフィルタを構成する態様を示したが、実装部品を用いることも可能である。また、導体パターンによる回路素子と実装部品とを組み合わせることも可能である。但し、導体パターンのみによってフィルタを構成することで、より薄型で可撓性に優れる伝送線路部材を実現することができる。

また、上述の実施形態では、第１伝送線路と第２伝送線路の両方に、フィルタ素子を接続する態様を示した。しかしながら、第１伝送線路と第２伝送線路の少なくとも一方にフィルタ素子を接続する態様にしてもよい。例えば、高いＳ／Ｎ比が求められる伝送線路にのみフィルタ素子を接続する態様であってもよい。

次に、本発明の第５の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図１２は、本発明の第５の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。図１３は、本発明の第５の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。

本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｄは、第１の実施形態に係る伝送線路部材に対して、フィルタ素子およびグランド導体の構成が異なるものである。なお、本実施形態では、第１伝送線路のみにフィルタ素子を備えた態様を示す。しかしながら、本実施形態の構成を第２伝送線路に適用する態様や、本実施形態のフィルタ素子を第１伝送線路に備えて第２伝送線路に他のフィルタ素子を追加して備える態様であってもよい。

伝送線路部材１０Ｄを構成する誘電体素体は、厚み方向の一方端から誘電体層９１，９２，９３，９４が順に積層されてなる。

誘電体層９２の表面には、第１信号導体２１１が形成されている。第１信号導体２１１は、高周波信号の伝送方向に沿って延びる線状導体である。第１信号導体２１１は延びる方向の途中位置において部分的に切断されている。これにより、第１信号導体２１１は、線状導体パターン２１１１，２１１２によって構成される。

誘電体層９２の表面には、キャパシタ形成用平板導体２１５１が形成されている。キャパシタ形成用平板導体２１５１は、線状導体パターン２１１２における線状導体パターン２１１１に近接する側の端部に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５１は、線状導体パターン２１１２よりも幅広の矩形状からなる。

誘電体層９２の表面には、コイル導体２１６１が形成されている。コイル導体２１６１は、平面視して閉じていない環状からなる。コイル導体２１６１の延びる方向の一方端は、キャパシタ形成用平板導体２１５１に接続されている。

誘電体層９３の表面には、キャパシタ形成用平板導体２１５２が形成されている。キャパシタ形成用平板導体２１５２は、線状導体パターン２１１１，２１１２よりも幅広の矩形状からなる。キャパシタ形成用平板導体２１５２は、誘電体素体の状態において、部分的にキャパシタ形成用平板導体２１５１と重なる位置に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５２は、誘電体層９３に設けられた層間接続導体４１１によって、線状導体パターン２１１１に接続されている。

誘電体層９３の表面には、コイル導体２１６２が形成されている。コイル導体２１６２は、平面視して閉じていない環状からなる。コイル導体２１６２の延びる方向の一方端は、誘電体層９３に設けられた層間接続導体４２１によってコイル導体２１６１の他方端に接続されている。コイル導体２１６２の延びる方向の他方端は、誘電体層９４に形成された層間接続導体４２２を介して、誘電体層９４の表面の補助グランド導体３２に接続されている。

誘電体層９４の表面には、略全面に補助グランド導体３２が形成されている。補助グランド導体３２は、導体が形成されていない開口３２０Ｄを備える。開口３２０Ｄは、誘電体素体の状態で、キャパシタ形成用平板導体２１５１，２１５２の形成領域、および、コイル導体２１６１，２１６２による巻回形の開口部およびこれを構成する導体パターン部分を含むように、設けられている。

誘電体層９１の表面には、略全面に基準グランド導体３１が形成されている。基準グランド導体３１は、導体が形成されていない開口３１０Ｄを備える。開口３１０Ｄは、誘電体素体の状態で、キャパシタ形成用平板導体２１５１，２１５２の形成領域、および、コイル導体２１６１，２１６２による巻回形の開口部およびこれを構成する導体パターン部分を含むように、設けられている。

このような構成とすることで、図１３に示すような回路を実現できる。伝送線路部材１０Ｄは、第１伝送線路２１に対して直列接続されたキャパシタＣ１１と、キャパシタＣ１１の第１伝送線路の他方端Ｐ１２側とグランドとの間に接続されたインダクタＬ１１とを備える。

キャパシタＣ１１は、キャパシタ形成用平板導体２１５１，２１５２の対向形状によって実現される。インダクタＬ１１は、コイル導体２１６１，２１６２およびこれらに接続する層間接続導体４２１，４２２によって実現される。

これにより、信号伝送方向に対して２段構成の高域通過フィルタ（ＨＰＦ）を実現することができる。このような構成であっても、上述の各実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

また、本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｄでは、上述の開口３１０Ｄ，３２０Ｄを備えることにより、キャパシタＣ１１とグランド導体との間に発生する寄生容量を抑制できる。また、インダクタＬ１１に発生する磁界がグランド導体によって不要に規制されることを抑制できる。これにより、高域通過フィルタの通過特性や減衰特性等のフィルタ特性の劣化を抑制することができ、所望のフィルタ特性を得やすくなる。

次に、本発明の第６の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図１４は、本発明の第６の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。図１５は、本発明の第６の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。

本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｅは、第１の実施形態に係る伝送線路部材に対して、フィルタ素子およびグランド導体の構成が異なるものである。なお、本実施形態では、第１伝送線路のみにフィルタ素子を備えた態様を示す。しかしながら、本実施形態の構成を第２伝送線路に適用する態様や、本実施形態のフィルタ素子を第１伝送線路に備えて第２伝送線路に他のフィルタ素子を追加して備える態様であってもよい。

伝送線路部材１０Ｅを構成する誘電体素体は、厚み方向の一方端から誘電体層９１，９２，９３，９４が順に積層されてなる。

誘電体層９２の表面には、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅ，２１５５Ｅが形成されている。キャパシタ形成用平板導体２１５５Ｅは、線状導体パターン２１１２における線状導体パターン２１１１に近接する側の端部に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅは、線状導体パターン２１１１とキャパシタ形成用平板導体２１５５Ｅとの間に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅ，２１５５Ｅは、線状導体パターン２１１２よりも幅広の矩形状からなる。

誘電体層９２の表面には、コイル導体２１６１Ｅ，２１６４Ｅが形成されている。コイル導体２１６１Ｅ，２１６４Ｅは、平面視して閉じていない環状からなる。コイル導体２１６１Ｅの延びる方向の一方端は、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅに接続されている。

誘電体層９３の表面には、キャパシタ形成用平板導体２１５２Ｅ，２１５４Ｅが形成されている。キャパシタ形成用平板導体２１５２Ｅ，２１５４Ｅは、線状導体パターン２１１１，２１１２よりも幅広の矩形状からなる。キャパシタ形成用平板導体２１５２Ｅは、誘電体素体の状態において、部分的にキャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅと重なる位置に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５２Ｅは、誘電体層９３に設けられた層間接続導体４１１Ｅによって、線状導体パターン２１１１に接続されている。キャパシタ形成用平板導体２１５４Ｅは、誘電体素体の状態において、部分的にキャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅ，２１５５Ｅのそれぞれと重なる位置に配置されている。

誘電体層９３の表面には、コイル導体２１６２Ｅ，２１６３Ｅが形成されている。コイル導体２１６２Ｅ，２１６３Ｅは、平面視して閉じていない環状からなる。コイル導体２１６２Ｅの延びる方向の一方端は、誘電体層９３に設けられた層間接続導体４２１Ｅによってコイル導体２１６１Ｅの他方端に接続されている。コイル導体２１６２Ｅの延びる方向の他方端は、誘電体層９４に形成された層間接続導体４２２Ｅを介して、誘電体層９４の表面の補助グランド導体３２に接続されている。コイル導体２１６３Ｅの延びる方向の一方端は、キャパシタ形成用平板導体２１５４Ｅに接続されている。コイル導体２１６３Ｅの延びる方向の他方端は、誘電体層９３に設けられた層間接続導体４２３Ｅによって、コイル導体２１６４Ｅの一方端に接続されている。なお、コイル導体２１６４Ｅの他方端は、誘電体層９２，９３，９４に設けられた層間接続導体４２４Ｅによって、基準グランド導体３１および補助グランド導体３２に接続されている。

誘電体層９４の表面には、略全面に補助グランド導体３２が形成されている。補助グランド導体３２は、導体が形成されていない開口３２０Ｅを備える。開口３２０Ｅは、誘電体素体の状態で、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅ，２１５２Ｅ，２１５４Ｅ，２１５５Ｅの形成領域、および、コイル導体２１６１Ｅ，２１６２Ｅ，２１６３Ｅ，２１６４Ｅによる巻回形の開口部およびこれを構成する導体パターン部分を含むように、設けられている。

開口３２０Ｅ内には、キャパシタ形成用平板導体２１５３Ｅ，２１５６Ｅが形成されている。キャパシタ形成用平板導体２１５３Ｅは、誘電体素体の状態において、部分的にキャパシタ形成用平板導体２１５２Ｅ，２１５４Ｅのそれぞれと重なる位置に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５６Ｅは、誘電体素体の状態において、部分的にキャパシタ形成用平板導体２１５４Ｅ，２１５５Ｅのそれぞれと重なる位置に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５６Ｅは、誘電体層９３，９４に設けられた層間接続導体４１３Ｅによって、キャパシタ形成用平板導体２１５５Ｅに接続されている。

誘電体層９１の表面には、略全面に基準グランド導体３１が形成されている。基準グランド導体３１は、導体が形成されていない開口３１０Ｅを備える。開口３１０Ｅは、誘電体素体の状態で、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅ，２１５２Ｅ，２１５３Ｅ，２１５４Ｅ，２１５５Ｅ，２１５６Ｅの形成領域、および、コイル導体２１６１Ｅ，２１６２Ｅ２１６３Ｅ，２１６４Ｅによる巻回形の開口部およびこれを構成する導体パターン部分を含むように、設けられている。

キャパシタＣ１１は、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅ，２１５２Ｅの対向形状およびキャパシタ形成用平板導体２１５２Ｅ，２１５３Ｅの対向形状によって実現される。キャパシタＣ１２は、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｅ，２１５４Ｅの対向形状およびキャパシタ形成用平板導体２１５３Ｅ，２１５４Ｅの対向形状によって実現される。キャパシタＣ１３は、キャパシタ形成用平板導体２１５４Ｅ，２１５５Ｅの対向形状およびキャパシタ形成用平板導体２１５４Ｅ，２１５６Ｅの対向形状によって実現される。インダクタＬ１１は、コイル導体２１６１Ｅ，２１６２Ｅおよびこれらに接続する層間接続導体４２１Ｅ，５２２Ｅによって実現される。インダクタＬ１２は、コイル導体２１６３Ｅ，２１６４Ｅおよびこれらに接続する層間接続導体４２３Ｅ，４２４Ｅによって実現される。

以上のような構成とすることで、図１５に示すような回路を実現できる。伝送線路部材１０Ｄは、第１伝送線路２１に対して直列接続されたキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３と、キャパシタＣ１１，Ｃ１２の接続点とグランドとの間に接続されたインダクタＬ１１と、キャパシタＣ１２，Ｃ１３の接続点とグランドとの間に接続されたインダクタＬ１２を備える。これにより、信号伝送方向に対して５段構成の高域通過フィルタ（ＨＰＦ）を実現することができる。このような構成であっても、上述の各実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

また、本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｅでは、上述の開口３１０Ｅ，３２０Ｅを備えることにより、キャパシタＣ１１とグランド導体との間に発生する寄生容量を抑制できる。また、インダクタＬ１１に発生する磁界がグランド導体によって不要に規制されることを抑制できる。これにより、高域通過フィルタの通過特性や減衰特性等のフィルタ特性の劣化を抑制することができ、所望のフィルタ特性を得やすくなる。さらに、開口部３２０Ｅ内に、キャパシタ形成用平板導体２１５３Ｅ，２１５６Ｅを設けることにより、キャパシタ形成用平板導体２１５３Ｅ，２１５６Ｅを別途設けなくてもよく、誘電体素体をより薄く形成することができる。

次に、本発明の第７の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図１６は、本発明の第７の実施形態に係る伝送線路部材の構造を示す分解平面図である。図１７は、本発明の第７の実施形態に係る伝送線路部材の等価回路図である。

本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｆは、第１の実施形態に係る伝送線路部材に対して、フィルタ素子およびグランド導体の構成が異なるものである。なお、本実施形態では、第１伝送線路のみにフィルタ素子を備えた態様を示す。しかしながら、本実施形態の構成を第２伝送線路に適用する態様や、本実施形態のフィルタ素子を第１伝送線路に備えて第２伝送線路に他のフィルタ素子を追加して備える態様であってもよい。

伝送線路部材１０Ｆを構成する誘電体素体は、厚み方向の一方端から誘電体層９１，９２，９３，９４が順に積層されてなる。

誘電体層９２の表面には、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｆが形成されている。キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｆは、線状導体パターン２１１２における線状導体パターン２１１１に近接する側の端部に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｆは、線状導体パターン２１１２よりも幅広の矩形状からなる。

誘電体層９２の表面には、コイル導体２１６１Ｆが形成されている。コイル導体２１６１Ｆは、平面視して閉じていない環状からなる。コイル導体２１６１Ｆの延びる方向の一方端は、線状導体パターン２１１１における線状導体パターン２１１２に近接する側の端部に接続されている。

誘電体層９３の表面には、キャパシタ形成用平板導体２１５２Ｆが形成されている。キャパシタ形成用平板導体２１５２Ｆは、線状導体パターン２１１１，２１１２よりも幅広の矩形状からなる。キャパシタ形成用平板導体２１５２Ｆは、誘電体素体の状態において、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｆと重なる位置に配置されている。キャパシタ形成用平板導体２１５２Ｆは、誘電体層９４に設けられた層間接続導体４１１Ｆによって、補助グランド導体３２に接続されている。

誘電体層９３の表面には、コイル導体２１６２Ｆが形成されている。コイル導体２１６２Ｆは、平面視して閉じていない環状からなる。コイル導体２１６２Ｆの延びる方向の一方端は、同層のキャパシタ形成用平板導体２１５１Ｆに接続されている。コイル導体２１６２Ｆの延びる方向の他方端は、誘電体層９３に形成された層間接続導体４２１Ｆを介して、コイル導体２１６１Ｆの他方端に接続されている。

誘電体層９４の表面には、略全面に補助グランド導体３２が形成されている。補助グランド導体３２は、導体が形成されていない開口３２０Ｆを備える。開口３２０Ｆは、誘電体素体の状態で、コイル導体２１６１Ｆ，２１６２Ｆによる巻回形の開口部およびこれを構成する導体パターン部分を含むように、設けられている。

誘電体層９１の表面には、略全面に基準グランド導体３１が形成されている。基準グランド導体３１は、導体が形成されていない開口３１０Ｆを備える。開口３１０Ｆは、誘電体素体の状態で、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｆ，２１５２Ｆの形成領域、および、コイル導体２１６１Ｆ，２１６２Ｆによる巻回形の開口部およびこれを構成する導体パターン部分を含むように、設けられている。

このような構成とすることで、図１７に示すような回路を実現できる。伝送線路部材１０Ｆは、第１伝送線路２１に対して直列接続されたインダクタＬ１１と、インダクタＬ１１の第１伝送線路の他方端Ｐ１２側とグランドとの間に接続されたキャパシタＣ１１とを備える。

インダクタＬ１１は、コイル導体２１６１Ｆ，２１６２Ｆおよびこれらに接続する層間接続導体４２１Ｆによって実現される。キャパシタＣ１１は、キャパシタ形成用平板導体２１５１Ｆ，２１５２Ｆの対向形状によって実現される。

これにより、信号伝送方向に対して２段構成の低域通過フィルタ（ＬＰＦ）を実現することができる。このような構成であっても、上述の各実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

また、本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｆでは、上述の開口３１０Ｆ，３２０Ｆを備えることにより、インダクタＬ１１に発生する磁界がグランド導体によって不要に規制されることを抑制できる。また、キャパシタＣ１１とグランド導体との間に発生する寄生容量を抑制できる。これにより、低域通過フィルタの通過特性や減衰特性等のフィルタ特性の劣化を抑制することができ、所望のフィルタ特性を得やすくなる。

なお、上述の各実施形態に示したフィルタ素子は、位相シフタとしても利用することができる。すなわち、低域通過フィルタを構成する回路部は、伝送する高周波信号の位相を進める位相シフタとして利用でき、高域通過フィルタを構成する回路部は、伝送する高周波信号の位相を遅れさせる位相シフタとして利用できる。この場合、各フィルタは、シフトさせる位相量も加味して、構成するインダクタやキャパシタの素子値を決定すればよい。このように、フィルタ素子を位相シフタとして利用する場合には、例えば、上述のように、第１伝送線路と第２伝送線路とが個別に形成されて、一方の伝送線路を伝送する高周波信号の位相シフトを行いたい場合にも有効に利用することができる。すなわち、１つの伝送線路が形成された伝送線路部材１０に対しても、上述の構成を利用することができる。

また、上述のフィルタ素子は、それぞれに複数段のフィルタ（例えば、直列接続されたキャパシタからなる高域通過フィルタと、信号導体とグランドとの間に接続されたインダクタからなる高域通過フィルタとの組み合わせ等）によって、それぞれの伝送線路に接続されるフィルタを実現していたが、１段のフィルタであってもよい。ただし、伝送線路に接続されるフィルタを、複数段のフィルタによって構成することで、フィルタ特性の減衰比を大きくすることができる。さらに、伝送線路に接続されるフィルタを、複数段のフィルタによって構成することで、位相シフト量を大きくすることができる。

また、フィルタ素子を位相シフタとして利用する場合であって、低域通過フィルタを用いる場合には、高周波信号の伝送方向に沿ったフィルタの大きさを小さくすることが好ましい。一方、高域通過フィルタを用いる場合には、高周波信号の伝送方向に沿ったフィルタの大きさを大きくすることが好ましい。これにより、所望とする位相シフト量をより確実に実現することができる。

また、上述の図１では、高周波信号の伝送方向に沿って、主体部が引き出し部よりも長い態様を示したが、図１８に示すような構成であってもよい。図１８は、本発明の他の実施形態に係る伝送線路部材の外観斜視図である。

図１８に示す伝送線路部材１０Ｇは、高周波信号の伝送方向において、主体部１１０の長さが、引き出し部１１１，１１２の長さよりも短い。そして、主体部１１０に上述のフィルタ素子が形成されている。

このような構成とすることで、伝送線路部材１０Ｇのフレキ性を向上することができる。すなわち、より曲げやすい伝送線路部材１０Ｇを実現できる。また、引き出し部１１１，１１２の範囲では、第１、第２伝送線路の間に空気層が介在するので、第１伝送線路と第２伝送線路との間の電磁界結合を抑制することができる。

また、伝送線路部材は、次に示すような捻れ分を備えていてもよい。図１９は、本発明の実施形態に係る捻れを有する伝送線路部材の外観斜視図である。

図１９に示す伝送線路部材１０Ｈは、引き出し部１１２１Ｈに捻れＴＷを備える点で、図１８に示した伝送線路部材１０Ｇと異なる。

引き出し部１１１１は、外部接続端子５１１が実装される端部と主体部１１０とを接続する部分である。引き出し部１１１２は、外部接続端子５２１が実装される端部と主体部１１０とを接続する部分である。引き出し部１１２１Ｈは、外部接続端子５１２が実装される端部と主体部１１０とを接続する部分である。引き出し部１１２２は、外部接続端子５２２が実装される端部と主体部１１０とを接続する部分である。

引き出し部１１２１Ｈは、延びる方向の途中に捻れＴＷを備える。この捻れにより、外部接続端子５１２が実装される端部の平板面は、主体部１１０の平板面と直交する。また、外部接続端子５１２は、伝送線路部材１０Ｈの幅方向において、捻れＴＷが生じる前の段階で外部接続端子５２２とは逆方向を向いている。すなわち、図１９において捻れＴＷが生じる前の段階で外部接続端子５１２が厚さ方向の正方向側の表面（一方面）に設けられ、外部接続端子５２２が厚さ方向の負方向側の表面（他方面）に設けられている。

捻れＴＷは、単に平坦なで長尺状の平板を捻っただけのものではなく、構造的に、ねじれた状態を維持できる強度を有する。すなわち、外部から保持することなく、この捻れ状態は維持されている。

また、引き出し部１１２１Ｈが捻れているとは、本実施形態では引き出し部１１２１Ｈにおける長さ方向に沿って延びる中心軸ＣＬ１１２１が曲がらない状態で、主体部１１０側の平板面と外部接続端子５１２側の平板面がほぼ直交する状態を意味している。なお、引き出し部１１２１Ｈにおける主体部１１０側の平板面と外部接続端子５１２側の平板面が直交状態でなくても、平行でなければ、捻れていると定義できる。

このような構成とすることによって、外部接続端子５１を有する端部を、伝送線路部材１０Ｈの幅方向に容易に可動することができる。これにより、より多様な取り付け態様に対応することができる。

図２０（Ａ）は、図１９に示す伝送線路部材の取り付け態様を示す部分外観斜視図であり、図２０（Ｂ）は、その平面図である。

図２０に示すように、実装回路基板８２０の表面には、接続部材８２１が実装されている。接続部材８２１の側面には、接続端子８２２が形成されている。また、実装回路基板８２０の表面には、接続端子８２３が形成されている。このように、図２０の構造では、接続端子８２２の接続面と接続端子８２３の接続面が直交している。

伝送線路部材１０Ｈは、外部接続端子５１２を接続端子８２２に接続し、外部接続端子５２２を接続端子８２３に接続することによって、回路基板８２０および接続部材８２１に取り付けられている。

伝送線路部材１０Ｈは、上述のように、引き出し部１１２１Ｈに捻れＴＷが設けられているので、引き出し部１１２２の外部接続端子５２２を接続端子８２３に接続しても、引き出し部１１２１Ｈの外部接続端子５１２を、容易に且つ不要な応力を与えることなく、接続端子８２２に接続することができる。

このような捻れＴＷは、上述のように熱可塑性からなる誘電体層を加熱圧着して誘電体素体を形成する際に、捻り加工を施し、冷却することによって、容易に実現することができる。このような捻り加工をしておくことにより、捻れＴＷの形状が安定し、容易に元に戻ってしまうことがない。

なお、図２１に示すような構造であっても、同様に伝送線路部材１０Ｈを実装回路基板８２０に取り付けることができる。図２１は、図１９に示す伝送線路部材の他の取り付け態様を示す部分平面図である。

図２１に示すように、接続部材８２１’における接続端子８２２が形成される面は、伝送線路部材１０Ｈの長さ方向に平行ではない。

このような構成であっても、引き出し部１１２１Ｈの捻れＴＷよりも外部接続端子５１２側に曲げＢｄを施すことにより、容易に且つ不要な応力を与えることなく、外部接続端子５１２を接続端子８２２に接続することができる。

また、図１９に示した伝送線路部材１０Ｈは、引き出し部１１２１Ｈに捻れＴＷを有する構造であるが、伝送線路部材は、図２２に示す捻れを備えていてもよい。図２２は、本発明の実施形態に係る捻れを有する別の伝送線路部材の外観斜視図である。

図２２に示すように、伝送線路部材１０Ｊは、主体部１１０Ｊに捻れＴＷを有する。その他の構成は、図１８に示す伝送線路部材１０Ｇと同じである。主体部１１０Ｊの捻れＴＷは、主体部１１０Ｊにおける長さ方向に沿って延びる中心軸ＣＬ１１０が曲がらない状態で、外部接続端子５１１，５２１側の表面と外部接続端子５１２，５２２側の表面とが逆転する状態によって定義されている。なお、外部接続端子５１１，５２１側の表面と外部接続端子５１２，５２２側の表面とが逆転していなくても、伝送線路部材１０Ｋの同じ側にならなければ、捻れと定義することができる。

このような構成とすることによって、全体形状を大きくすることなく、二方向（幅方向と厚み方向）に可撓性を有する伝送線路部材１０Ｊを実現することができる。また、この構成とすることによって、層間接続導体を用いることなく、幅方向における信号導体の位置を入れ替えることができる。

また、上述の図６に示すように、伝送線路部材１０を部品（バッテリーパック８００）に沿って湾曲させて実装回路基板８２Ａ，８２Ｂに接続する取り付け態様を示した。しかしながら、図２３に示す取り付け態様を採用することも可能である。

図２３（Ａ）は、本発明の実施形態に係る伝送線路部材の取り付け態様例を示す外観斜視図であり、図２３（Ｂ）は、その側面図である。

図２３に示すように、伝送線路部材１０Ｋは、実装回路基板８３０の表面から一側面を介して裏面に至るように、実装回路基板８３０に巻き付けられている。実装回路基板８３０の表面には、バッテリーパック８００’が実装されており、伝送線路部材１０Ｋは、バッテリーパック８００’も含めて実装回路基板８３０に巻き付けられている。なお、実装回路基板８３０の表面には、各種のＩＣチップ８４’や実装部品８５も実装されており、これらを含むように、伝送線路部材１０Ｋは、巻き付けられていてもよい。

伝送線路部材１０Ｋの外部接続端子５１１，５２１は、実装回路基板８３０の表面の接続端子に接続されている。外部接続端子５１２，５２２は、実装回路基板８３０の裏面の接続端子に接続されている。

このように、伝送線路部材１０Ｋを実装回路基板８３０に巻き付ける構造とすることにより、伝送線路部材１０Ｋにおける実装回路基板８３０の表面側の部分が発生する磁界と、実装回路基板８３０の裏面側の部分が発生する磁界との向きが逆方向となるため、それらの磁界を相殺させることができる。したがって、伝送線路部材１０Ｋを伝送する高周波信号およびその高調波信号が外部へ不要に輻射することを抑制できる。

また、図２３に示すように、実装回路基板８３０の長さ方向における外部接続端子５１１，５２１の接続位置と外部接続端子５１２，５２２の接続位置が大きく異なる。このような場合、伝送線路部材１０Ｋを図２４に示す構造とすればよい。図２４は、図２３の構成を実現するための伝送線路部材の概略的な構造を示す平面図である。なお、図２４では、第１伝送線路２１および第２伝送線路２２を直線状のパターンとして示し、その他のフィルタ素子を構成するための具体的なコイル導体パターンなどの構成は図示を省略している。図２４に示すように、伝送線路部材１０Ｋにおける誘電体素体９０Ｋの主体部１１０Ｋは、長さ方向および幅方向に対して直交および平行でない方向に延びる形状である。このような構成を用いることで、表面側の接続端子と裏面側の接続端子の位置が離間していても、伝送線路部材１０Ｋを実装回路基板８３０に容易に取り付けることができる。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ，１０Ｊ，１０Ｋ：伝送線路部材
２１：第１伝送線路
２２：第２伝送線路
３１：基準グランド導体
３２，３２１，３２２：補助グランド導体
８０：携帯電子機器
８１：機器筐体
８２Ａ，８２Ｂ：実装回路基板
８４，８４’：ＩＣチップ
８５：実装部品
９０，９０Ｋ：誘電体素体
９１，９２，９３，９４：誘電体層
１１０，１１０Ｊ，１１０Ｋ：主体部
１１１，１１２，１１１１，１１１２，１１２１，１１２１Ｈ，１１２２：引き出し部
２１１：第１信号導体
２１１１，２１１２：線状導体パターン
２１２，２２２，２１６１，２１６２，２１６１Ｅ，２１６２Ｅ，２１６３Ｅ，２１６４Ｅ，２１６１Ｆ，２１６２Ｆ：コイル導体
２１４，２２４：スタブ導体
２１３，２１５１，２１５２，２１５１Ｅ，２１５２Ｅ，２１５３Ｅ，２１５４Ｅ，２１５５Ｅ，２１５６Ｅ，２１５１Ｆ，２１５２Ｆ：キャパシタ形成用平板導体
２２１：第２信号導体
３１０Ｄ，３２０Ｄ，３１０Ｅ，３２０Ｅ，３１０Ｆ，３２０Ｆ：開口
４１１，４１２，４２１，４２２、４３１，４３２，４４１，４１１Ｅ，４１２Ｅ，４１３Ｅ，４２１Ｅ，４２２Ｅ，４２３Ｅ，４２４Ｅ，４１１Ｆ，４２１Ｆ：層間接続導体
５１１，５１２，５２１，５２２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２：外部接続端子
８００，８００’：バッテリーパック
８２０，８３０：実装回路基板
８２１，８２１’：接続部材
８２２，８２３：接続端子
ＣＬ１１０，ＣＬ１１２１：中心軸
ＴＷ：捻れ
Ｂｄ：曲げ

Claims

平板状の誘電体素体と、
前記誘電体素体の内部に配置され、高周波信号の伝送方向に沿って延びる形状からなり、互いに隣接して配置されている第１信号導体および第２信号導体と、
前記誘電体素体の厚み方向において前記第１信号導体と前記第２信号導体の一方側に配置された第１グランド導体と、
前記誘電体素体の厚み方向において前記第１信号導体と前記第２信号導体の他方側に配置された第２グランド導体と、
を備え、
前記第１信号導体を前記第１グランド導体と前記第２グランド導体で挟み込むことにより第１高周波信号を伝送する第１伝送線路が形成され、
前記第２信号導体を前記第１グランド導体と前記第２グランド導体で挟み込むことにより第２高周波信号を伝送する第２伝送線路が形成された、
伝送線路部材であって、
前記第１伝送線路に設けられており、前記第１信号導体に接続し、前記第１高周波信号の基本周波数が通過域内となり前記第２高周波信号の周波数が減衰域内となる第１フィルタ素子と、
前記第２伝送線路に設けられており、前記第２信号導体に接続し、前記第２高周波信号の基本周波数が通過域内となり前記第１高周波信号の周波数が減衰域内となる第２フィルタ素子と、の少なくとも一方を備え、
前記誘電体素体の前記高周波信号の伝送方向の両端には、前記第１信号導体に接続する第１外部接続端子と、前記第２信号導体に接続する第２外部接続端子とを備え、
前記第１フィルタ素子は２つ設けられ、２つの前記第１フィルタ素子は、それぞれ前記両端の前記第１外部接続端子の近傍に配置されている、
伝送線路部材。
前記誘電体素体は、前記第１外部接続端子および前記第２外部接続端子近傍では、前記第１伝送線路と前記第２伝送線路ごとに分離されており、前記第１外部接続端子および前記第２外部接続端子から離れた位置では、前記第１伝送線路と前記第２伝送線路とが構造上一体化されている、
請求項１に記載の伝送線路部材。
平板状の誘電体素体と、
前記誘電体素体の内部に配置され、高周波信号の伝送方向に沿って延びる形状からなり、互いに隣接して配置されている第１信号導体および第２信号導体と、
前記誘電体素体の厚み方向において前記第１信号導体と前記第２信号導体の一方側に配置された第１グランド導体と、
前記誘電体素体の厚み方向において前記第１信号導体と前記第２信号導体の他方側に配置された第２グランド導体と、
を備え、
前記第１信号導体を前記第１グランド導体と前記第２グランド導体で挟み込むことにより第１高周波信号を伝送する第１伝送線路が形成され、
前記第２信号導体を前記第１グランド導体と前記第２グランド導体で挟み込むことにより第２高周波信号を伝送する第２伝送線路が形成された、
伝送線路部材であって、
前記第１伝送線路に設けられており、前記第１信号導体に接続し、前記第１高周波信号の基本周波数が通過域内となり前記第２高周波信号の周波数が減衰域内となる第１フィルタ素子と、
前記第２伝送線路に設けられており、前記第２信号導体に接続し、前記第２高周波信号の基本周波数が通過域内となり前記第１高周波信号の周波数が減衰域内となる第２フィルタ素子と、の少なくとも一方を備え、
前記誘電体素体は可撓性を有し、
前記第１グランド導体と前記第２グランド導体を接続する前記厚み方向に延びる複数の層間接続導体を備え、
前記複数の層間接続導体は、前記高周波信号の伝送方向に沿って間隔を空けて配置されており、
前記誘電体素体を平面視して、前記高周波信号の伝送方向に直交する方向において、前記誘電体素体の前記第１信号導体および前記第２信号導体よりも外側の領域に配置される層間接続導体の配置密度は、
前記誘電体素体の前記第１信号導体と前記第２信号導体との間の領域に配置される層間接続導体の配置密度よりも高い、
伝送線路部材。
平板状の誘電体素体と、
前記誘電体素体の内部に配置され、高周波信号の伝送方向に沿って延びる形状からなり、互いに隣接して配置されている第１信号導体および第２信号導体と、
前記誘電体素体の厚み方向において前記第１信号導体と前記第２信号導体の一方側に配置された第１グランド導体と、
前記誘電体素体の厚み方向において前記第１信号導体と前記第２信号導体の他方側に配置された第２グランド導体と、
を備え、
前記第１信号導体を前記第１グランド導体と前記第２グランド導体で挟み込むことにより第１高周波信号を伝送する第１伝送線路が形成され、
前記第２信号導体を前記第１グランド導体と前記第２グランド導体で挟み込むことにより第２高周波信号を伝送する第２伝送線路が形成された、
伝送線路部材であって、
前記第１伝送線路に設けられており、前記第１信号導体に接続し、前記第１高周波信号の基本周波数が通過域内となり前記第２高周波信号の周波数が減衰域内となる第１フィルタ素子と、
前記第２伝送線路に設けられており、前記第２信号導体に接続し、前記第２高周波信号の基本周波数が通過域内となり前記第１高周波信号の周波数が減衰域内となる第２フィルタ素子と、の少なくとも一方を備え、
前記誘電体素体は可撓性を有し、
前記第１グランド導体と前記第２グランド導体を接続する前記厚み方向に延びる複数の層間接続導体を備え、
前記複数の層間接続導体は、前記誘電体素体を平面視して、前記高周波信号の伝送方向に沿って間隔を空けて配置され、且つ、前記高周波信号の伝送方向に直交する方向において、前記誘電体素体の前記第１信号導体および前記第２信号導体よりも外側の領域にのみ配置されている、
伝送線路部材。
前記第１フィルタ素子と前記第２フィルタ素子の両方を備える、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の伝送線路部材。
前記第１フィルタ素子は、前記第１信号導体に接続する第１導体パターンによって少なくとも一部が形成されている、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の伝送線路部材。
前記第２フィルタ素子は、前記第２信号導体に接続する第２導体パターンによって少なくとも一部が形成されている、
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の伝送線路部材。
前記第２グランド導体は、前記誘電体素体を平面視して、前記第１信号導体および前記第２信号導体と重なる領域において、部分的に開孔を有する、
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の伝送線路部材。
前記第２フィルタ素子は２つ設けられ、２つの前記第２フィルタ素子は、それぞれ前記両端の前記第２外部接続端子の近傍に配置されている、
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の伝送線路部材。
前記誘電体素体は、
前記高周波信号の伝送方向に沿った所定位置に捻れを有する、
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の伝送線路部材。
前記捻れは、前記第１信号導体と前記第２信号導体が平行に配置される位置にある、
請求項１０に記載の伝送線路部材。
請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の伝送線路部材と、
該伝送線路部材によって接続される複数の回路要素と、
前記回路要素が内蔵される筐体と、を備えた電子機器。