CN103247716A - 太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置 - Google Patents

太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103247716A
CN103247716A CN2013100478428A CN201310047842A CN103247716A CN 103247716 A CN103247716 A CN 103247716A CN 2013100478428 A CN2013100478428 A CN 2013100478428A CN 201310047842 A CN201310047842 A CN 201310047842A CN 103247716 A CN103247716 A CN 103247716A
Authority
CN
China
Prior art keywords
unit
ion
mounting table
pallet
ion beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013100478428A
Other languages
English (en)
Inventor
村上喜信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Publication of CN103247716A publication Critical patent/CN103247716A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置，其能够在各单元面内使离子注入量均匀，并且能够在多个单元之间使离子注入量均匀。在第1离子注入工序中，使多个单元（4）通过离子束照射区域（17），对多个单元（4）照射离子束后，在载置台旋转工序中通过托盘旋转机构（20）使托盘（3）旋转90度，从而改变托盘（3）的配置。之后，在第2离子注入工序中，输送旋转后的托盘，以使多个单元（4）通过离子束照射区域（17）。在该第2离子注入工序中，使各单元（4）相对于离子束照射区域（17）的配置与第1离子注入工序的配置不同。由此，在各单元（4）的面内使离子注入量均匀，进一步在多个单元（4）之间使离子注入量均匀。

Description

太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置。
背景技术
以往，已知有如下述专利文献1所述的为了在太阳能电池的单元中添加掺杂剂而对单元照射离子束来注入离子的装置。该装置中通过RF（RadioFrequency）源及天线来产生等离子体，并使离子从该等离子体朝向单元进行加速，从而将离子注入到单元中。
该装置中，进行2种不同的能量离子注入，或者使用2种不同的掺杂剂进行连续注入。并且，进行连续注入的期间使单元的表背反转来在单元的表面及背面进行离子注入，或者使用掩模来改变注入图案。
专利文献1：日本特表2011-513997号公报
上述的以往装置中虽然离子束照射到预定区域，但存在在该照射区域内无法保持离子束的均匀性的情况。此时，在单元的面内产生离子注入量的偏差。另外，还能够想到对排列的多个单元同时照射离子束时，不仅在各单元的面内产生离子注入量的偏差，还在多个单元之间产生离子注入量的偏差。如此，对多个单元同时照射离子束时，很难在各单元的面内使离子注入量均匀，并在多个单元之间使离子注入量均匀。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置，其在对多个单元同时照射离子束时，能够在各单元的面内使离子注入量均匀，并且能够在多个单元之间使离子注入量均匀。
解决上述课题的太阳能电池的制造方法，一边沿输送方向输送至少在1个方向排列配置有多个单元的载置台，一边通过对多个单元照射离子束来向多个单元注入离子，其特征在于，包括：第1离子注入工序，以使多个单元通过离子束的预定照射区域的方式输送载置台，并对多个单元照射离子束；载置台旋转工序，使载置台旋转预定角度来改变载置台的配置；及第2离子注入工序，以使多个单元通过照射区域的方式输送旋转后的载置台，并对多个单元照射离子束。
根据该太阳能电池的制造方法，在第1离子注入工序中，多个单元通过离子束的预定照射区域，并对多个单元照射离子束。接着，在载置台旋转工序中，载置台旋转预定角度，从而改变载置台的配置。之后，在第2离子注入工序中输送旋转后的载置台，以使多个单元通过照射区域。在该第2离子注入工序中，由于各单元相对于离子束照射区域的配置与第1离子注入工序的配置不同，因此在照射区域内离子束不均匀时也能够防止该不均匀性直接影响多个单元中的离子注入量的分布。因此，能够在各单元的面内使离子注入量均匀，进一步能够在多个单元之间使离子注入量均匀。
并且，在上述太阳能电池的制造方法中，多个单元在1个方向及与1个方向正交的方向分别排列配置有多个，与输送方向正交的方向上的照射区域的宽度大于1个方向及与1个方向正交的方向上的多个单元的两端的宽度。此时，由于单元在2个方向分别排列配置有多个，因此，即使在使载置台旋转前及旋转后这二者中的任一情况下，均能够使多个单元在照射区域的宽度范围内通过。由此，能够实现生产效率的提高。
并且，在上述太阳能电池的制造方法中，多个单元在1个方向及与1个方向正交的方向上分别配置有相同数量。此时，在使载置台旋转前及旋转后这二者中的任一情况下，均能够使相同数量的单元在照射区域的宽度范围内通过。由此，能够实现生产效率的提高。
并且，在上述太阳能电池的制造方法中，第2离子注入工序中的载置台的输送方向为与第1离子输入工序中的载置台的输送方向相同的方向。此时，能够进行沿恒定方向连续输送多个载置台的所谓内联方式下的离子注入。由此，能够实现生产量的增加。
并且，在上述太阳能电池的制造方法中，在载置台旋转工序中使载置台在大气压环境下旋转。通常，离子束的照射是在真空环境下进行的。根据上述方法，由于在大气压环境下设置旋转机构，因此容易确认机器的动作或容易进行维护，并且，也容易修复维护后的装置。
并且，在上述太阳能电池的制造方法中，第2离子注入工序中的载置台的输送方向为与第1离子注入工序中的载置台的输送方向相反的方向。此时，能够进行在第1离子注入工序使多个单元通过照射区域之后，直接沿相反的方向输送载置台来使多个单元通过照射区域的所谓批量式的离子注入。由此，能够缩小占用空间。
并且，解决了上述课题的太阳能电池的制造装置，其特征在于，具备：载置台，至少在1个方向排列配置有多个单元；射束产生机构，为了向载置台上的多个单元注入离子而对预定照射区域照射离子束；输送机构，以使多个单元通过离子束的照射区域的方式输送载置台；及载置台旋转机构，使载置台旋转预定角度来改变载置台的配置。
根据该太阳能电池的制造装置，多个单元通过输送机构通过离子束的预定照射区域，并对多个单元照射离子束。接着，能够通过载置台旋转机构将载置台旋转预定角度来改变载置台的配置。之后，通过输送机构输送旋转后的载置台，从而多个单元通过照射区域，离子束再次照射至多个单元。此时，由于各单元相对于离子束的照射区域的配置与前一次输送时的配置不同，因此，即使在照射区域内离子束不均匀时，也能够防止该不均匀性直接影响多个单元中的离子注入量的分布。由此，能够在各单元的面内使离子注入量均匀，进一步能够在多个单元之间使离子注入量均匀。
发明效果
根据本发明，当对多个单元同时照射离子束时，能够在各单元的面内使离子注入量均匀，并且能够在多个单元之间使离子注入量均匀。
附图说明
图1是示意表示太阳能电池的制造装置的一实施方式的俯视图。
图2（a）是表示图1中的托板及配置于载置台上的单元及离子束的照射区域的俯视图，图2（b）是托板、载置台及单元的截面图。
图3是示意表示太阳能电池的制造装置的其他实施方式的俯视图。
图4（a）～（c）是表示基于图3的制造装置的离子注入步骤的俯视图。
图5（a）～（c）是表示紧接图4的离子注入步骤的俯视图。
图6（a）～（c）是表示紧接图5的离子注入步骤的俯视图。
图中：1、1A-离子注入装置，3-托盘（载置台），4-单元，11-第1输送装置（输送机构），16-离子束产生装置（射束产生机构），17-离子束照射区域，20-托盘旋转机构（载置台旋转机构），22-输送装置（输送机构），A、B-输送方向。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的实施方式进行说明。另外，附图说明中对相同要件附加相同符号并省略重复的说明。
如图1所示，离子注入装置（太阳能电池的制造装置）1为通过对多个单元4照射离子束来将离子注入于各单元4的装置。离子注入装置1具备：正方形板状的托盘（载置台）3，纵横排列配置有多个正方形板状的单元4；长方形板状的托板2，载置有托盘3；及输送装置11～14，用于在环绕轨道上输送托板2、托盘3及单元4。离子注入装置1为在环绕轨道上连续输送多个托板2及托盘3并对配置于各托盘3上的多个单元4依次进行离子注入的所谓直线式离子注入装置。
离子注入装置1具备：工艺腔室6，内部被设为真空；装载锁定腔室7，配置于工艺腔室6的前段并使其内部由大气压变为真空；及卸载锁定腔室8，配置于工艺腔室6的后段并使其内部由真空变为大气压。装载锁定腔室7及卸载锁定腔室8用于将工艺腔室6的内部从大气压环境隔断并使其内部维持成真空状态。工艺腔室6具有在内部容纳3个托板2的容积。装载锁定腔室7及卸载锁定腔室8在内部分别具有容纳1个托板2的容积。在装载锁定腔室7的入口侧及出口侧设置有第1闸阀10A及第2闸阀10B。在卸载锁定腔室8的入口侧及出口侧设置有第3闸阀10C及第4闸阀10D。
离子注入装置1具备产生添加于单元4的掺杂剂的离子束的离子束产生装置（射束产生机构）16。在工艺腔室6内形成有被照射离子束的区域即离子束照射区域17。离子束照射区域17呈具有比托盘3宽幅的长边的长方形状。
第1输送装置11沿输送方向A输送托板2及托盘3，以使托盘3上的多个单元4在工艺腔室6内通过离子束照射区域17。第1输送装置11将托板2及托盘3从装载锁定腔室7的入口侧输送至卸载锁定腔室8的出口侧。第2输送装置12将从卸载锁定腔室8送出的托板2及托盘3沿与输送方向A正交的方向输送。第3输送装置13将通过第2输送装置12输送的托板2及托盘3沿与输送方向A相反的方向输送。第4输送装置14将通过第3输送装置13输送的托板2及托盘3输送至装载锁定腔室7的入口侧。第1～第4输送装置11～14以恒定的速度输送托板2及托盘3。
离子注入装置1具备用于产生空气淋浴来净化单元4的空气净化装置。在第3输送装置13的输送路径上形成有空气淋浴区域18。空气净化装置通过该空气淋浴来冷却单元4并且除去附着于单元4的粒子。空气淋浴区域18具有比托盘3宽幅的短边并且呈沿输送方向A延伸的长方形状。另外，也可以代替空气净化来进行基于氮气的净化。
在装载锁定腔室7的入口侧设置有用于搬出经过预定次数离子注入的单元4的搬入/搬出装置19。该搬入/搬出装置19将托板2及托盘3连同单元4一同搬出，并且将未注入离子的单元4与托板2及托盘3一同搬入系统内。
图2（a）是表示配置于托板2及托盘3上的单元4及离子束照射区域17的俯视图，图2（b）是托板2、托盘3及单元4的截面图。如图2（a）所示，在托板2上配置有纵向（图（a）中的输送方向A）排列5个、横向排列5个共25个单元4。各单元4在与邻接的单元4之间具有相等间隔而配置。各单元4例如由多晶硅构成。并且，托板2及托盘3例如由A6061构成。与输送方向A正交的方向上的离子束照射区域17的宽度（图2（a）所示的宽度Wb）大于托盘的横向宽度（图2（a）所示的宽度Wt）及纵向长度。即在与输送方向A正交的方向上的离子束照射区域17的宽度大于纵横排列的相当于5个的单元4的两端的宽度。
托板2上形成有托盘3所嵌入的正方形的槽2a。槽2a呈与托盘3的外形相对应的形状。托盘3即使在相对于托板2旋转90度的状态下，也能够嵌入于托板2的槽2a内。另外，即使托盘3为非正方形形状时，托板2的槽2a在使托盘3旋转预定角度的情况下，也能够使托盘3嵌入其中。例如，托盘3为长方形时，托板2的槽2a能够设为具有比托盘3的长边略微长的边的正方形状。
在本实施方式的离子注入装置1中，如图1所示，在卸载锁定腔室8的后段设置有使托盘3顺时针旋转90度来改变托盘3的配置的托盘旋转机构（载置台旋转机构）20。托盘旋转机构20抬起托盘3而使其从托板2上暂且浮起，并使托盘3顺时针旋转90度后放回到托板2上。托盘旋转机构20以托盘3的中心点为中心旋转托盘3。托盘旋转机构20具有用于操作托盘3的臂部和夹紧部。托盘旋转机构20配置在大气压环境下。即，托盘旋转机构20在大气压环境下使托盘3旋转。
接着，对基于离子注入装置1的离子注入方法（太阳能电池的制造方法）进行说明。图1中，为了便于理解，对配置于托盘3上的单元4中特定的单元4加上黑色圆点来示出。
如图1所示，首先，通过第1输送装置11沿输送方向A输送托板2及托盘3，经装载锁定腔室7使其进入到工艺腔室6内。在工艺腔室6内，输送托板2及托盘3，以使25个单元通过离子束照射区域17，并对各单元4照射离子束来注入离子（第1离子注入工序）。之后，经过卸载锁定腔室8将托板2及托盘3输送到大气压环境中。
接着，若托盘3及托板2位于托盘旋转机构20下方，则运转托盘旋转机构20来使托盘3顺时针旋转90度，从而改变托盘3的配置（载置台旋转工序）。如图1所示，在旋转后的托盘3中加上黑色圆点的单元4移动到图示右侧。此后，通过第2输送装置12及第3输送装置13输送托盘3。通过第3输送装置13将托板2及托盘3沿与输送方向A相反的方向输送。此时，输送托板2及托盘3，以使25个单元4通过空气淋浴区域18，从而净化各单元4。
接着，通过第4输送装置14将托板2及托盘3输送到装载锁定腔室7的入口侧。之后，将托板2及旋转后的托盘3沿输送方向A输送，并在工艺腔室6内对各单元4照射离子束来注入离子（第2离子注入工序）。
在离子注入装置1中，每1个托盘3进行4次这样的离子注入。即，分4次进行离子注入。另外，当通过托盘旋转机构20使托盘3旋转90度时，优选离子注入的分割次数为4n次（n为正整数）。通过如此使托盘3旋转之后进行离子注入，即使在离子束在离子束照射区域17内不均匀的情况下，也能够消除各单元4的面内及多个单元4之间的离子注入量的不均匀性。
根据以上说明的离子注入装置1及基于离子注入装置1的离子注入方法，在第1离子注入工序中，多个单元4通过离子束照射区域17，离子束照射到多个单元4。此后，在载置台旋转工序中，托盘3通过托盘旋转机构20旋转90度从而改变托盘3的配置。并且，在第2离子注入工序中，输送旋转后的托盘3，以使多个单元4通过离子束照射区域17。由于在该第2离子注入工序中，各单元4相对于离子束照射区域17的配置与第1离子注入工序中的配置不同，因此即使在离子束在离子束照射区域17内不均匀的情況下，也能够防止该不均匀性直接影响多个单元4中的离子注入量的分布。由此，在各单元4的面内离子注入量变得均匀，进一步在多个单元4之间离子注入量变得均匀。
以往，为了实现离子束本身的均匀化而在离子束产生装置16侧进行调整时，需要特别的控制或装置。然而，根据离子注入装置1则在离子束产生装置16中不需要使用特别的控制或装置，就能够以简单且廉价的结构实现离子注入量的均匀化。
并且，多个单元4分别纵横排列配置有多个，与输送方向A正交的方向上的离子束照射区域17的宽度Wb大于纵横2个方向上的多个单元4的两端的宽度。此时，由于单元4在2个方向分别排列配置有多个，因此无论在使托盘3旋转前及旋转后，均能够使多个单元4在离子束照射区域17的宽度Wb的范围内通过。由此，能够实现生产效率的提高。
并且，由于多个单元4在纵横2个方向分别配置有相同数量（上述例子中为5个），因此无论在使托盘3旋转前及旋转后，均能够使相同数量的单元4在离子束照射区域17的宽度Wb的范围内通过。由此，能够实现生产效率的提高。
并且，第2离子注入工序中的托盘3的输送方向为与第1离子注入工序中的托盘的输送方向相同的方向，进行沿恒定方向连续输送多个托盘3的所谓内联方式下的离子注入。由此，能够实现生产量的提高。
并且，在载置台旋转工序中，通过托盘旋转机构20使托盘3在大气压环境下旋转。通常，离子束的照射是在真空环境下进行的。根据该方法，由于在大气压环境下设置托盘旋转机构20，因此容易确认机器的动作或容易进行维护，并且，也容易修复维护后的装置。
图3是示意表示离子注入装置的其他实施方式的俯视图。图3所示的离子注入装置1A与图1所示的离子注入装置1不同，其为使托板2及托盘3沿输送方向B往复移动来进行离子注入的所谓批量式离子注入装置。离子注入装置1A具备用于使托板2及托盘3往复移动的输送装置22。在工艺腔室6A内形成有离子束照射区域17，输送方向B上的离子束照射区域17的两侧设置有托盘旋转机构20A、20B。托盘旋转机构20A、20B具有与托盘旋转机构20相同的机构，但被设为能够在真空环境下动作的规格。
图4～图6是表示基于离子注入装置1A的离子注入步骤的俯视图。在离子注入装置1A中，首先，将托板2及托盘3搬入到装载锁定腔室7内（参考图4（a））。其次，通过输送装置22将托板2及托盘3搬入到工艺腔室6A内，使多个单元4通过离子束照射区域17来进行第1次离子注入（第1离子注入工序，参考图4（b））。接着，在离子束照射区域17外，通过托盘旋转机构20B使托盘3顺时针旋转90度（载置台旋转工序，参考图4（c））。
接着，通过输送装置22输送托板2及旋转后的托盘3，使多个单元4通过离子束照射区域17来进行第2次离子注入（第2离子注入工序，参考图5（a））。接着，在离子束照射区域17外，通过托盘旋转机构20A使托盘3顺时针旋转90度（参考图5（b））。接着，通过输送装置22输送托板2及旋转后的托盘3，使多个单元4通过离子束照射区域17来进行第3次离子注入（参考图5（c））。
接着，在离子束照射区域17外，通过托盘旋转机构20B使托盘3顺时针旋转90度（参考图6（a））。接着，通过输送装置22输送托板2及旋转后的托盘3，使多个单元4通过离子束照射区域17来进行第4次离子注入（参考图6（b））。之后，将托板2及托盘3从工艺腔室6A搬出，经过装载锁定腔室7搬出（参考图6（c））。
在离子注入装置1A中每1个托盘3进行4次这样的离子注入。即，分4次进行离子注入。另外，当通过托盘旋转机构20A、20B使托盘3旋转90度时，优选离子注入的分割次数为4n次（n为正整数）。
根据该离子注入装置1A，与之前的实施方式的离子注入装置1相同，由于托盘3的旋转，而各单元4相对于离子束照射区域17的配置在各离子注入工序中不同，因此在各单元4的面内离子注入量变得均匀，进一步在多个单元4之间离子注入量变得均匀。并且，由于无论在使托盘3旋转前及旋转后，均能够使相同数量的单元4在离子束照射区域17的宽度Wb的范围内通过，因此能够实现生产效率的提高。
并且，第2离子注入工序中的托盘的输送方向为与第1离子注入工序中的托盘的输送方向相反的方向，进行在第1离子注入工序中使多个单元通过照射区域之后，直接向相反的方向输送托盘来使多个单元通过照射区域的所谓批量式的离子注入。由此，占用空间变小。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式。例如，托盘3上的多个单元4的配置不限于5×5列。可以是5×5列之外的n×n列，也可以是n×m列（m为2以上的整数）。当为n×m列时，也能够使多个单元在离子束照射区域17的宽度的范围内通过，从而能够实现生产效率的提高。并且，单元4的配置也可以是一列。
基于托盘旋转机构20、20A、20B的旋转角度不限于90度，例如也可以是45度、60度、180度等。基于托盘旋转机构20、20A、20B的旋转不限于以托盘3的中心点为中心的情况，也可以是托盘3中的中心点以外的点，还可以是托盘3的外侧的点。即，在第2离子注入工序时，只要托盘3相对于第1离子注入工序时的方向旋转预定角度即可。并且，不限于通过托盘旋转机构20、20A、20B直接旋转托盘3的情况，也可以通过旋转托板2来旋转托盘3。
本申请主张基于2012年2月6日申请的日本专利申请第2012-023252号的优先权。该申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

Claims (7)

1.一种太阳能电池的制造方法，通过一边沿输送方向输送至少在1个方向排列配置有多个单元的载置台，一边对所述多个单元照射离子束，从而向所述多个单元注入离子，其特征在于，包括：
第1离子注入工序，以使所述多个单元通过所述离子束的预定照射区域的方式输送所述载置台，并对所述多个单元照射所述离子束；
载置台旋转工序，使所述载置台旋转预定角度来改变所述载置台的配置；及
第2离子注入工序，以使所述多个单元通过所述照射区域的方式输送旋转后的载置台，并对所述多个单元照射所述离子束。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述多个单元在所述1个方向及与所述1个方向正交的方向上分别排列配置有多个，
与所述输送方向正交的方向上的所述照射区域的宽度大于所述1个方向及与所述1个方向正交的方向上的所述多个单元的两端的宽度。
3.如权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述多个单元在所述1个方向及与所述1个方向正交的方向上分别配置有相同数量。
4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述第2离子注入工序中的所述载置台的输送方向为与所述第1离子注入工序中的所述载置台的输送方向相同的方向。
5.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述第2离子注入工序中的所述载置台的输送方向为与所述第1离子注入工序中的所述载置台的输送方向相反的方向。
6.如权利要求1～5中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
在所述载置台旋转工序中，使所述载置台在大气压环境下旋转。
7.一种太阳能电池的制造装置，其特征在于，具备：
载置台，至少在1个方向排列配置有多个单元；
射束产生机构，为了对所述载置台上的所述多个单元注入离子而对预定照射区域照射离子束；
输送机构，以使所述多个单元通过所述离子束的所述照射区域的方式输送所述载置台；及
载置台旋转机构，使所述载置台旋转预定角度来改变所述载置台的配置。
CN2013100478428A 2012-02-06 2013-02-06 太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置 Pending CN103247716A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012023252A JP2013161969A (ja) 2012-02-06 2012-02-06 太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置
JP2012-023252 2012-02-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103247716A true CN103247716A (zh) 2013-08-14

Family

ID=48927073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013100478428A Pending CN103247716A (zh) 2012-02-06 2013-02-06 太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2013161969A (zh)
KR (1) KR101436489B1 (zh)
CN (1) CN103247716A (zh)
TW (1) TW201349548A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106981540A (zh) * 2017-03-24 2017-07-25 东莞帕萨电子装备有限公司 离子注入跑片方法和离子注入跑片系统

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6088964B2 (ja) * 2013-12-13 2017-03-01 株式会社東芝 半導体製造装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1313409A (zh) * 2000-03-14 2001-09-19 株式会社Epon 通过离子注入形成导电区的方法
US20080296510A1 (en) * 2004-01-06 2008-12-04 Yasuhiko Kasama Ion Implantation System and Ion Implantation System
CN101921990A (zh) * 2009-06-11 2010-12-22 日新离子机器株式会社 离子注入装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005347543A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Sharp Corp イオンドーピング方法およびイオンドーピング装置
US20060289800A1 (en) * 2005-03-22 2006-12-28 Murrell Adrian J Implanting a substrate using an ion beam
US8153513B2 (en) 2006-07-25 2012-04-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for continuous large-area scanning implantation process
JP4530032B2 (ja) * 2007-11-29 2010-08-25 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射方法およびイオンビーム照射装置
KR20100028203A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 주식회사 동부하이텍 포토레지스트 팝핑을 방지하기 위한 이온주입방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1313409A (zh) * 2000-03-14 2001-09-19 株式会社Epon 通过离子注入形成导电区的方法
US20080296510A1 (en) * 2004-01-06 2008-12-04 Yasuhiko Kasama Ion Implantation System and Ion Implantation System
CN101921990A (zh) * 2009-06-11 2010-12-22 日新离子机器株式会社 离子注入装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106981540A (zh) * 2017-03-24 2017-07-25 东莞帕萨电子装备有限公司 离子注入跑片方法和离子注入跑片系统

Also Published As

Publication number Publication date
TW201349548A (zh) 2013-12-01
KR20130090818A (ko) 2013-08-14
KR101436489B1 (ko) 2014-09-02
JP2013161969A (ja) 2013-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI473900B (zh) 直線型掃描濺射系統及方法
CN112582322A (zh) 激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径以及激光退火处理方法
CN102883978A (zh) 用于输送板形元件的装置
CN102976604B (zh) 分断装置
CN102262998B (zh) 离子注入装置
CN103811255A (zh) 离子注入装置及离子注入方法
CN103247716A (zh) 太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置
WO2014100506A4 (en) Grid for plasma ion implant
CN105280468A (zh) 离子注入装置
CN110678576B (zh) 真空处理装置
CN102975296B (zh) 分断装置
JP5892802B2 (ja) イオン注入方法、搬送容器及びイオン注入装置
KR101117637B1 (ko) 이온 주입 시스템
KR101161087B1 (ko) 빔 전류 밀도 분포의 조정 목표 설정 방법 및 이온 주입 장치
CN102655073A (zh) 离子束照射方法和离子束照射装置
JP5316899B2 (ja) イオン注入方法およびイオン注入装置
CN102237245B (zh) 离子注入装置及束电流密度分布的调整方法
CN102486985B (zh) 离子源装置
TWI479544B (zh) 半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置
CN104064427A (zh) 离子注入装置及成膜装置
KR101820016B1 (ko) 닙롤을 활용한 비접촉 롤투롤 원자 증착 시스템
JP2014110142A (ja) イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法
KR101322817B1 (ko) 기판처리장치
DE102005030119A1 (de) Vorrichtung mit einem justagetoleranten Rollenantrieb zum Transport von Objekten
KR20130058131A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130814