CN102237245B - 离子注入装置及束电流密度分布的调整方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供离子注入装置及束电流密度分布的调整方法。在使m个(m为2以上的整数)带状离子束在玻璃基板上的照射区域至少部分重叠，在玻璃基板上实现规定的注入量分布的离子注入装置中，能高效地调整各带状离子束的束电流密度分布。对各带状离子束设定作为束电流密度分布的调整目标的目标分布，按照预先决定的顺序，调整第一个至第m-1个带状离子束的束电流密度分布，使得其相对于目标分布进入第一容许范围内。其后，根据将各带状离子束的调整结果合计得到的分布与将对m个离子束设定的目标分布合计得到的分布的差，设定用于调整第m个束电流密度分布的新的目标分布，调整第m个束电流密度分布，使得其相对于新的目标分布进入第二容许范围内。

Description

离子注入装置及束电流密度分布的调整方法

技术领域

本发明涉及使由多个带状离子束照射的区域重叠，在玻璃基板上形成规定的注入量分布的离子注入装置以及在该离子注入装置中使用的束电流密度分布的调整方法。

背景技术

近年来，以液晶电视为代表的液晶产品的大型化非常显著。在半导体制造工序中，为了在一个处理工序中处理更多的液晶面板，进行了增大玻璃基板的尺寸，并从大型的玻璃基板获得多块液晶面板的尝试。对于作为半导体制造装置之一的离子注入装置，要求要与这样的大型的玻璃基板相适应。

为了应对这样的要求，至今为止开发了专利文献1所记载的离子注入装置。

在专利文献1中公开了：使用比玻璃基板的尺寸小的两个离子束，对玻璃基板的整个面实施离子注入处理的技术。更具体地说，在专利文献1中，作为一个例子，把相互垂直的三个方向(X、Y及Z方向)分别定义为离子束的短边方向、离子束的长边方向及离子束的行进方向。两个离子束在X方向上位于相互离开的位置，在Y方向上使双方的中心位置相互错开，使得在玻璃基板上由各离子束照射的区域部分重叠，在对玻璃基板实施离子注入处理的处理室内进行照射。此外，通过以横穿这样的离子束的方式，沿X方向输送玻璃基板，可以沿玻璃基板的整个面实现离子注入处理。

专利文献1中所记载的技术的玻璃基板的输送速度是一定的。由于要沿玻璃基板的整个面实现均匀的注入量分布，所以照射在玻璃基板上的离子束的电流密度分布，如专利文献1中的图6所示，要调整成包括两个离子束重迭的区域，沿Y方向整体为大体均匀的电流密度分布。

专利文献1：日本专利公开公报特开2009-152002号(图1、图3、图6及0077～0088段)

通常，在离子束重迭区域中的束电流密度分布的调整，与调整一个离子束的束电流密度分布的情况相比，作为调整对象的参数的个数多而且复杂。在调整复杂的情况下，如果胡乱地进行调整，则到调整结束为止需要相当长的时间。此外，如果调整束电流密度分布花费大量时间，则还会产生导致离子注入装置的生产率(处理能力)降低的问题。

可是，在专利文献1中，对于在离子束重迭区域的束电流密度分布的调整，只是记载了把离子束重迭区域的束电流密度分布调整成与其它区域(未重迭的区域)中的束电流密度分布大体相等，并未公开具体怎样进行调整才能成为高效的调整。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的主要目的在于提供一种具有用于在多个离子束重叠的区域能够高效地调整各离子束的束电流密度的控制装置的离子注入装置以及在该离子注入装置中使用的束电流密度的调整方法。

即，本发明提供一种离子注入装置。其特征在于包括：m个离子束供给装置，提供m个带状离子束，其中m为2以上的整数；束轮廓仪，设置于处理室内，分别测定所述m个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布；束电流密度分布调整部件，按照每个所述离子束供给装置分别设置，用于调整用所述束轮廓仪测定的所述束电流密度分布；玻璃基板输送机构，在所述处理室内，以与所述m个带状离子束的长边方向交叉的方式输送玻璃基板；以及控制装置，控制所述束电流密度分布调整部件，在由所述玻璃基板输送机构输送的所述玻璃基板上，使由所述m个带状离子束照射的区域至少部分重叠，实现预先规定的注入量分布，所述控制装置对所述m个带状离子束分别设定作为所述束电流密度分布的调整目标的目标分布，并按照预先决定的顺序，控制到第m-1个为止的所述带状离子束的所述束电流密度分布，使得该束电流密度分布相对于对各个带状离子束设定的所述目标分布进入第一容许范围内，而且所述控制装置根据将到第m-1个为止的所述带状离子束调整后的束电流密度分布合计所得到的束电流密度分布与将对到第m个为止的所述带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，设定用于调整第m个所述带状离子束的所述束电流密度分布的新的目标分布，并控制所述第m个所述带状离子束的束电流密度分布，使得该第m个所述带状离子束的束电流密度分布相对于所述新的目标分布进入比所述第一容许范围小的第二容许范围内。

此外，本发明提供一种束电流密度分布的调整方法，其特征在于：使用该束电流密度分布的调整方法的离子注入装置包括：m个离子束供给装置，提供m个带状离子束，其中m为2以上的整数；束轮廓仪，设置于处理室内，分别测定所述m个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布；束电流密度分布调整部件，按照每个所述离子束供给装置分别设置，用于调整用所述束轮廓仪测定的所述束电流密度分布；以及玻璃基板输送机构，在所述处理室内，以与所述m个带状离子束的长边方向交叉的方式输送玻璃基板，所述束电流密度分布的调整方法使用所述束电流密度分布调整部件，调整各离子束的所述束电流密度分布，使得在由所述玻璃基板输送机构输送的所述玻璃基板上，使由所述m个带状离子束照射的区域至少部分重叠，实现预先规定的注入量分布，所述束电流密度分布的调整方法包括：对所述m个带状离子束分别设定作为所述束电流密度分布的调整目标的目标分布的工序；按照预先决定的顺序，调整到第m-1个为止的所述带状离子束的所述束电流密度分布，使得该束电流密度分布相对于对各个带状离子束设定的所述目标分布进入第一容许范围内的工序；以及根据将到第m-1个为止的所述带状离子束调整后的束电流密度分布合计所得到的束电流密度分布与将对到第m个为止的所述带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，设定用于调整第m个所述带状离子束的所述束电流密度分布的新的目标分布，并控制所述第m个所述带状离子束的束电流密度分布，使得该第m个所述带状离子束的束电流密度分布相对于所述新的目标分布进入比所述第一容许范围小的第二容许范围内的工序。

按照本发明，能够在多个离子束重叠的区域，高效地调整各离子束的束电流密度分布。

例如，在上述离子注入装置中，所述控制装置在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后，判断将到第n个为止的各束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，是否在比所述第一容许范围大的第三容许范围内，其中n为整数，且2≤n≤m-1，并在所述差不在所述第三容许范围内的情况下，对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内。

另一方面，在上述离子注入装置中，所述控制装置在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后，判断将到第n个为止的各带状离子束的束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，是否在第三容许范围内，其中n为整数，且1≤n≤m-1，并在所述差不在所述第三容许范围内的情况下，对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内。

此外，上述束电流密度分布的调整方法还包括：在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后，判断将到第n个为止的各束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，是否在比所述第一容许范围大的第三容许范围内的工序，其中n为整数，且2≤n≤m-1；以及在所述差不在所述第三容许范围内的情况下，对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内的工序。

另一方面，上述束电流密度分布的调整方法还包括：在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后，判断将到第n个为止的各带状离子束的束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，是否在第三容许范围内的工序，其中n为整数，且1≤n≤m-1；以及在所述差不在所述第三容许范围内的情况下，对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内的工序。

按照具有上述结构的离子注入装置与束电流密度分布的调整方法，即使离子束的个数增加，也能够在调整第m个离子束的束电流密度分布时，毫无问题地补偿对第一个到第m-1个的离子束进行束电流密度分布调整时所产生的调整结果与目标分布之间的偏差量。

上述的离子注入装置及束电流密度分布的调整方法，能够在多个离子束重叠的区域，高效地调整各离子束的束电流密度分布。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施例的离子注入装置的俯视图。

图2是从Z方向观察图1的处理室内部时的平面图。

图3是关于本发明的一个实施例的束电流密度分布的粗调的说明图。

图4是关于本发明的一个实施例的束电流密度分布的细调的说明图。

图5是关于本发明的一个实施例的束电流密度分布的调整方法的流程图。

图6是图1记载的第一个离子束至第三个离子束的束电流密度分布的一例。

图7是表示将图6记载的第一个离子束至第三个离子束的束电流密度分布相加后的情况。

图8是图1记载的第四个离子束的束电流密度分布的一个例子。

图9是关于本发明的另一个实施例的束电流密度分布的调整方法的流程图，与图10的流程图中记载的A连接。

图10是关于本发明的另一个实施例的束电流密度分布的调整方法的流程图，接着图9的流程图中记载的A。

图11是关于本发明的另一个实施例的束电流密度分布的调整方法的流程图，与图12的流程图中记载的A连接。

图12是关于本发明的另一个实施例的束电流密度分布的调整方法的流程图，接着图11的流程图中记载的A。附图标记说明

1：离子注入装置

2：第一离子束供给装置

6：第一个离子束

10：玻璃基板

12：第二离子束供给装置

16：第二个离子束

25：控制装置

32：第三离子束供给装置

36：第三个离子束

42：第四离子束供给装置

46：第四个离子束

7、17、37、47：束轮廓仪

具体实施方式

图1是表示本发明的一个实施例的离子注入装置1的俯视图。图2是从Z方向观察图1的处理室内部时的平面图。下面参照这些附图，对本发明的一个实施例的离子注入装置的整体结构进行说明。

在本发明中，以X方向作为基板的输送方向，以Y方向作为离子束的长边方向，以Z方向作为在处理室内向玻璃基板照射的离子束的行进方向，这些方向相互垂直。此外，在本发明中，所谓“带状离子束”是指在用垂直于离子束行进方向的平面切断离子束的情况下，离子束的断面为大体长方形的离子束。

图1记载的离子注入装置1，主要由处理室11、由单点划线包围的第一离子束供给装置2、第二离子束供给装置12、第三离子束供给装置32以及第四离子束供给装置42构成。第一离子束供给装置2至第四离子束供给装置42用于将第一个离子束6、第二个离子束16、第三个离子束36以及第四个离子束46分别提供到处理室11内。

下面对离子束供给装置进行简要的说明。第一离子束供给装置2至第四离子束供给装置42具有的离子源3、13、33、43；质量分析磁铁4、14、34、44以及分析狭缝5、15、35、45，可以分别具有相同的性能，也可以具有不同的性能。在此，以第一离子束供给装置2的结构作为代表进行说明。由于重复，对其它离子束供给装置的说明予以省略。

第一离子束供给装置2具有离子源3，从该离子源3引出第一个离子束6。在从离子源3引出的第一个离子束6中混合有各种各样的离子。为了仅使各种各样的离子中所希望的离子照射到玻璃基板10上，使质量分析磁铁4和分析狭缝5协调动作，使所希望的离子与其它离子分离。该分离利用每种离子的质量数不同，利用质量分析磁铁4调整第一个离子束6的偏转量，可以仅使所希望的离子通过分析狭缝5。

通过设置在处理室11内的束轮廓仪7，测定从第一离子束供给装置2提供的第一个离子束6在长边方向(Y方向)上的束电流密度分布。作为该束轮廓仪的例子，可以考虑使用把公知的法拉第杯沿Y方向排列多个的多点法拉第(法拉第杯的集合体)或沿Y方向可以移动的单个法拉第杯。

此外，在上述说明中，作为离子束供给装置，对具有质量分析磁铁与分析狭缝的离子束供给装置进行了说明，但也可以是不具有上述设备类型的离子束供给装置。

作为一个例子，可以按照下面所述的内容进行玻璃基板的输送。

打开位于第一预真空室22大气一侧的插板阀20。此后，用设置于大气一侧的图中没有表示的输送机械手，把玻璃基板10搬运到第一预真空室22内。此时，位于第一预真空室22和处理室11之间的插板阀18关闭，使处理室11一侧不向大气开放。

玻璃基板10被搬运到第一预真空室22内后，关闭插板阀20，用图中没有表示的真空泵对第一预真空室22进行真空排气，直到使第一预真空室22内变成与处理室11相同程度的真空度(压力)。

在第一预真空室22内的真空度变成与处理室11的真空度相同程度后，打开插板阀18。然后把玻璃基板10输送到处理室11内，向箭头A所示的方向在处理室内输送，横穿第一个离子束6、第二个离子束16、第三个离子束36及第四个离子束46。由此实现向玻璃基板10注入离子的处理。

此后，玻璃基板10通过插板阀19，被输送到第二预真空室23内。其中，在处理室11内向玻璃基板10注入离子的处理中或在离子注入处理后的适当时刻，打开插板阀19。

完成把玻璃基板10输送到第二预真空室23内后，关闭插板阀19。此时，位于第二预真空室23的大气一侧的插板阀21处于关闭状态。在密封第二预真空室23的基础上，用图中没有表示的真空泵对第二预真空室23进行压力调整，直到室内的气氛变成与大气压相同的程度。

第二预真空室23的室内变成大气压后，打开插板阀21，用设置在大气一侧的图中没有表示的输送机械手，把玻璃基板10搬运到大气一侧。

图2是从Z方向观察图1的处理室11内部时的平面图。

如图2所示，作为玻璃基板10的输送机构的一个例子，在支承玻璃基板10的托架24的下面设置有车轮，利用该车轮在配置在第一预真空室22、第二预真空室23及处理室11内的图中没有表示的轨道上滚动，可以使托架24沿X方向移动。在这种情况下，另外准备电动机等用于使托架24移动的动力源。在考虑玻璃基板10往复输送的情况下，如果动力源是电动机，则优选电动机可以正反转。

在Y方向上，第一个离子束6至第四个离子束46具有比玻璃基板10长的尺寸。因此，在沿着图2所示的箭头A方向，从第一预真空室22向第二预真空室23输送玻璃基板10的情况下，在玻璃基板的整个面上，各离子束照射的区域重叠。此外，图2中记载的分别包围第一个离子束6至第四个离子束46的虚线，表示用于从各离子束供给装置向处理室11内提供离子束的供给路径(束线)的外形。

在离子注入处理中，在玻璃基板10上形成的离子注入量分布、离子束的电流密度分布以及玻璃基板的输送速度分别密切相关。一般而言，离子注入量(也称为剂量(ド一ズ量))与离子束的电流密度(有时也用电流量表示)成正比，与被照射对象物(在此为玻璃基板)横穿离子束时的速度成反比。

例如，以使沿玻璃基板10的整个面形成的离子注入量的分布成为大体均匀的分布为目标。在玻璃基板10的输送速度一定的情况下，如果使在与输送方向垂直的方向上的离子束的束电流密度分布大体均匀，则沿玻璃基板整个面的离子注入量的分布也大体均匀。

更具体地说，为了使沿玻璃基板整个面的离子注入量的分布成为大体均匀的分布，在图2中，在玻璃基板10沿离子束的短边方向以一定速度移动的情况下，只要使离子束在长边方向上的束电流密度分布大体均匀即可。在这种情况下，即使离子束在短边方向上的束电流密度分布不均匀也可以。与玻璃基板10的输送方向大体一致的离子束的短边方向上的束电流密度分布的不均(不均匀性)伴随玻璃基板的输送而被积分(積分)。因此，即使存在不均最终也会在离子束的短边方向上注入某一定量，所以无需考虑离子束在短边方向上的束电流密度的均匀性。

此外，在输送玻璃基板10时，在未照射到玻璃基板上的离子束的两端部位的束电流密度分布与在玻璃基板上的注入量分布无关，所以无论怎么分布都没关系。

此外，在图2的例子中，以与离子束的长边方向垂直的方式输送玻璃基板，但是输送玻璃基板的方向未必一定与离子束的长边方向垂直。例如，即使在将基板沿着与离子束的长边方向大体垂直的方向输送的情况下，也能够在对在玻璃基板上形成的规定的注入量分布设定的容许范围内实现离子注入处理。根据与在玻璃基板上形成的注入量分布的容许范围的平衡来决定相对于离子束的长边方向倾斜到何种程度的输送是可以被允许的。考虑到这一点，在本发明中，使玻璃基板的输送方向与离子束的长边方向交叉。

接着，对所述束电流密度的调整方法进行说明。

各离子束供给装置的束电流密度分布的调整，例如可以使用作为公知技术为公众所知的、具有多灯丝的离子源，通过增加或减少在各灯丝中流过的电流量，来调整束电流密度分布。

具体地说，使图1所示的离子束供给装置的离子源为沿Y方向排列多个灯丝的多灯丝型离子源。而且，使束轮廓仪在Y方向上的离子束测定区域与设置在各离子源上的灯丝相对应。

在此的“对应”例如是指在束轮廓仪由十六个法拉第杯构成的情况下，把束轮廓仪分成四个分别由四个法拉第杯构成的区域，并且使一个灯丝与各区域对应(在各离子源中，灯丝沿Y方向总共有四个)。

在图3、图4中，表示上述对应关系的灯丝和法拉第杯。图3、图4的纵轴表示束电流密度，横轴表示Y方向，O1和O2之间的尺寸与玻璃基板的尺寸一致，原点O与离子束在Y方向上的一个端部一致。对于纵轴、横轴的设置，在后述的图6至图8中也是相同的。而且，在这样的结构中，束电流密度分布的调整分为粗调与细调两个阶段来进行。

在对束电流密度分布进行调整时，设置有作为调整目标的分布(在均匀分布的情况下，为一定的值)以及以该分布为中心的规定的容许范围(2ε)，因此通过增大或减少与各区域对应的灯丝中流过的电流，使得束电流密度分布进入该容许范围内。例如，在各灯丝中流过的电流量全部增大的情况下，图3中的束电流密度分布D向束电流密度增大的方向平行移动。相反，在各灯丝中流过的电流量全部减少的情况下，图3中的束电流密度分布D向束电流密度减少的方向平行移动。

图3所示的目标分布是均匀的分布。例如，对当前的束电流密度分布D在Y方向上进行平均化，对各灯丝中流过的电流进行全部增大的操作，使得平均化的束电流密度与目标分布大体一致。作为其结果，设束电流密度分布成为D1所示的分布。在这种情况下，由于D1在相对于目标分布的容许范围内，所以束电流密度分布的调整就此结束。

如上所述，把通过使各灯丝中流过的电流全部增大或减少，从而使束电流密度分布提高或下降的操作，称为粗调。

另一方面，即使进行了上述粗调，但存在束电流密度分布仍然不在相对于目标分布设定的容许范围内的情况。在这种情况下，为了使束电流密度分布在容许范围之内，在粗调之后接着进行细调。图4描述了细调的情况。

图4所示的束电流密度分布，在区域1内超过了容许范围，在区域3内低于容许范围，因此，使流过与区域1对应的灯丝的电流量减少，使流过与区域3对应的灯丝的电流量增大。此时，使流过灯丝的电流量以微小的细分量(刻み)变化，或使流过灯丝的电流量连续变化。由此，使得束电流密度分布整体逐渐接近目标值。这样的在各区域中对流过灯丝的电流量进行调整的操作相当于细调。

除了使用上述粗调、细调的调整方法之外，还可以采用下面的方法对束电流密度分布进行调整。

在调整束电流密度分布时，边通过束轮廓仪对束电流密度分布进行监测，边调整流过灯丝的电流量。在作为目标的分布与实测的分布的偏差量大的情况下，如果使流过灯丝的电流量以微小的细分量变化，或连续变化，则会花费较多的时间。因此，在这种情况下，以某种程度的大的细分量改变流过灯丝的电流量。这样，可以考虑根据作为目标的分布与实测的分布的偏差量，来改变流过灯丝的电流量的细分量，分别使用不同的调整程度(是进行细调整、还是进行粗调整)。

当对于作为目标的分布所设定的容许范围较大时，可以仅通过使束电流密度分布整体提高或下降的粗调或以大的细分量切换流过灯丝的电流量的粗调整方法，就能够完成束电流密度分布的调整。相反，在容许范围较小时，就必须通过在粗调之后继续进行细调，或以微小的细分量调整流过灯丝的电流量等进行进一步的调整。在伴随有这种追加的调整的情况下，束电流密度分布的调整需要时间。因此，在本发明中，在对多个离子束进行束电流密度分布调整时，尽量不使用在调整方面花费较多时间的细调即可结束调整的构成。

下面对本发明的束电流密度分布的调整方法的一个实施例进行详细说明。

图5是表示本发明的一个实施例的束电流密度分布的调整方法的流程图。通过图1记载的控制装置25进行该流程图所示的处理。此外，在本实施例中，在离子注入装置中使用的离子束的个数为m个(m是2以上的整数)。

首先，在步骤50中，对m个离子束分别设定作为目标的束电流密度分布(I1、I2、......Im)。更具体地说，通过图1所示的用户接口26，离子注入装置1的操作员设定注入条件。此时，设定后的注入条件发送到控制装置25。作为注入条件，设定离子束的能量、注入量分布、离子束向玻璃基板的注入角度、玻璃基板的输送速度等各种各样的条件，其中，在本发明中，着眼于注入量分布与玻璃基板的输送速度。

控制装置25根据玻璃基板10的输送速度与对基板的注入量分布，对从各离子束供给装置提供的离子束设定束电流密度分布的目标分布。

例如，设对玻璃基板10的整个面进行均匀的离子注入处理，并且横穿各离子束时的玻璃基板的输送速度一定。这样，通过用作为最终目标的注入量分布除以输送速度可以导出使全部的离子束重叠时的束电流密度分布的合计分布。此外，如果离子束供给装置的台数为4台，则可以使全部的束电流密度分布由各装置分别承担1/4，在这种条件下来对各离子束设定束电流密度分布的目标分布。此外，在离子束供给装置的性能有差异的情况下，也可以根据该性能差异来变更由各装置分担的比例。通过这样做，来对从各离子束供给装置提供的离子束设定作为目标的束电流密度分布。

接着，在步骤51中，将n的初始值设定为1。在该实施例中，n是由1≤n≤m-1表示的整数，表示在按照顺序对m个离子束的束电流密度分布进行调整时，当前正在对第几个离子束的束电流密度分布进行调整。

关于电流密度分布的调整顺序，在该调整之前，例如可以由注入装置的操作者进行选择。在图1中，按照第一个、第二个、第三个、第四个离子束的顺序，进行束电流密度分布的调整。

在步骤52中，对作为当前调整对象的第n个离子束的束电流密度分布进行测定。但是，在该测定之前，设离子源开始运行，并且一些离子束照射到处理室11之内。

离子源开始运行时，预先将流过各灯丝的电流量设定为适当的值。如果离子源为多灯丝型的离子源，则根据以前设定的束电流密度分布的目标分布，预先将流过各灯丝的电流量设定为适当的值。在这种情况下，将表示处理室内的离子束的束电流密度分布与流过各灯丝的电流量的相关的数据预先存储在控制装置25内。该数据是指，例如在将各灯丝的电流量设定为特定的值时，照射到处理室内的离子束的束电流密度分布为特定的分布。此外，在离子源运行时，可以根据作为目标的束电流密度分布的值，从控制装置25中存储的数据中读出对各灯丝应该设定的电流量的值。这样，几乎不需要对束电流密度分布进行调整。因此，束电流密度分布的调整可以很快结束。

另一方面，可以考虑在离子源开始运行时，针对各灯丝把电流量设定为相同的值。在这样的构成的情况下，与前面的构成相比，由于能够减少控制装置25内所存储的数据的量，所以可以相应地减少控制装置25内的数据存储用存储器的容量。

在步骤53中，接收步骤52中的束电流密度分布的测定结果，计算测定分布InM与由控制装置25设定的目标分布In的差，判断该差是否在第一容许范围(-ε1～+ε1)内。在此，第一容许范围的上限与下限的绝对值为相同的值，但第一容许范围的上限与下限的绝对值不一定必须相同。负的一侧与正的一侧也可以是不同的值。此外，该第一容许范围是一个充分宽的范围，例如可以考虑把该第一容许范围设为相对于调整各离子束的电流密度分布时的目标分布在±10％至±15％的范围内。当然，在各离子束的束电流密度分布的调整中，可以按照每个离子束分别设定与各离子束的目标分布无关地设定的容许范围，也可以共同设定与各离子束的目标分布无关地设定的容许范围。

在测定分布InM与由控制装置25设定的目标分布In的差在第一容许范围内的情况下，进入步骤55，使n的值增加1。相反，在测定分布InM与目标分布In之差超出第一容许范围的情况下，在步骤54中，对测定的束电流密度分布InM进行调整，使得其进入第一容许范围。调整的结果，如果变更为合适的束电流密度分布InA，则进入步骤55，使n的值增加1。

在步骤56中，确认下一个作为调整对象的离子束是否为最后一个要调整的离子束。在作为下一个调整对象的离子束不是最后一个要调整的离子束的情况下，返回到步骤52，测定下一个作为调整对象的离子束的束电流密度分布。

另一方面，在作为下一个调整对象的离子束是最后一个要调整的离子束的情况下，进入步骤57，计算出到目前为止被调整过束电流密度分布的离子束的各种数据的合计值。

计算出的合计值的种类有3种，一种是在第一个离子束到第m-1个离子束中，对于满足步骤53的离子束，把束电流密度的测定结果相加得到的和Isum_m-1M。第二种是在第一个离子束到第m-1个离子束中，对于经过步骤54处理的离子束，把束电流密度的调整结果相加得到的和Isum_m-1A。最后一种是把对从第一个离子束到第m个离子束(即所有的离子束)分别设定的束电流密度分布的目标分布相加后得到的和Isum_m。该和Isum_m是在步骤50中对各个离子束设定目标分布时事先计算出的值，因此在此没有必要再次进行把各离子束的目标分布相加的操作。例如，如果该和Isum_m的值已经存储在控制装置25中，则把它读出来即可。

图6表示的是图1记载的第一个离子束到第三个离子束的束电流密度分布的一个例子。例如，其中，设第一个离子束是经步骤53调整的束电流密度分布，第二个离子束和第三个离子束是经步骤54调整的束电流密度分布。此外，设图1记载的第一个离子束到第四个离子束的各个目标分布均为α，最终沿玻璃基板整个面形成4α的均匀注入分布。

在这种情况下，前面例举的和Isum_m-1M就是第一个离子束的电流密度分布，和Isum_m-1A就是第二个离子束与第三个离子束的电流密度分布的和。此外，和Isum_m为4α。

在步骤58中，对第m个(最后一个)离子束重新设定作为调整目标的束电流密度分布Im。作为具体例子，对以图6中所表示的第一个离子束到第三个离子束的束电流密度为基础，对第四个离子束46重新设定目标分布的方法进行说明。

设图6中记载的第一个离子束至第三个离子束的束电流密度分布分别为(A)至(C)。在图7中表示了把(A)至(C)相加得到的束电流密度分布的情况。在图7中对4α-((A)+(B)+(C))的区域做了影线标志，该区域表示通过加上第四个(最后一个)离子束的电流密度分布应填补的区域。

在图8中，用单点划线表示用于填补图7中的影线区域的束电流密度分布(D)。作为参考，用实线表示(A)+(B)+(C)-3α的电流密度分布。用该实线表示的(A)+(B)+(C)-3α与(D)相加得到的电流密度分布为α。这样，根据作为最终目标的电流密度分布(在此为4α)与除去最后一个离子束以外的从第一个离子束到第m-1个离子束的束电流密度分布的总和(在此为(A)+(B)+(C))的差，计算出作为第四个离子束46的新的目标分布(D)。此外，对于从01和02之间超出的区域(没有照射到玻璃基板上的区域)，新的目标分布(D)没有必要一定是图8所示的分布。

最后，在步骤59中对最后一个离子束进行束电流密度分布的调整。设最后一个离子束的束电流密度分布的值为ImA时，在步骤59中的调整使得ImA+Isum_m-1M+Isum_m-1A-Isum_m进入第二容许范围(-ε2～+ε2)内。此外，Isum_m-1M+Isum_m-1A-Isum_m是对第m个离子束设定的新的目标分布的负值，因此，结果只要把最后一个调整的离子束的束电流密度分布ImA调整到相对于新的目标分布进入第二容许范围(-ε2～+ε2)内即可。

其中，可以根据对沿玻璃基板的整个面注入的规定的离子注入量分布所设定的容许范围与玻璃基板的输送速度来决定第二容许范围(-ε2～+ε2)。如果通过这样决定第二容许范围，则可以在规定的离子注入量分布的容许范围内进行注入。另一方面，也可以与此不同地预先设定合适的值作为第二容许范围。例如，把第二容许范围定为±1％至±3％。调整最后一个离子束的束电流密度分布，使得重叠最后一个离子束的束电流密度分布时，整体的束电流密度分布相对于目标分布进入±1％至±3％的范围内。此外，与第一容许范围一样，没有必要把第二容许范围的上限和下限的绝对值设为相同的值，第二容许范围的负的一侧与正的一侧可以是不同的值。

如上所述，在步骤58时，调整最后一个离子束时作为目标的束电流密度分布，从在步骤50中设定的分布变更为新的目标分布。由于本发明使用新的目标分布对最后一个离子束的束电流密度分布进行调整，所以最终可以补偿对最后一个离子束之前的离子束的束电流密度分布进行调整时产生的调整结果与目标分布的偏差量。由此，可以在玻璃基板上实现规定的注入量分布。

此外，如上所述，由于在进行最后的离子束的束电流密度分布调整时，对以前调整离子束的束电流密度分布时产生的调整结果与目标分布的偏差量进行补偿，因此对中途(从第一个到第m-1个)的离子束的束电流密度分布可以只进行粗调整即可。例如，可以把在对中途的离子束(从第一个到第m-1个)的束电流密度分布进行调整时的第一容许范围设定为仅通过如上所述的粗调整就能完成的程度的宽的范围。通过设定成这样的构成，与对各个离子束都进行粗调和细调相比，可以缩短调整全部离子束的束电流密度分布所需要的全部的调整时间。

在本发明的一个实施例中，通过使用上述的方法可以对各个离子束的束电流密度分布进行高效的调整。

图9和图10表示本发明的其它实施例的流程图。在该流程图中，与图5所示的流程图相比，增加了一些流程。在与在图5中说明过的步骤实施了相同处理的情况下，该步骤的编号与图5中的步骤使用相同的编号。下面，对图9和图10中增加的流程进行说明，对与图5的流程在说明上重复的处理，在此省略说明。

图9中所示的流程，从开始处理到步骤54都与图5相同。在图9的流程图中，经过步骤53或步骤54后，在步骤60中判断作为调整对象的离子束是否为第二个以后的离子束。假设，当前调整的离子束是第一个离子束，则在步骤55中使n的值增加1，然后进行步骤52的处理。

在当前调整的离子束是第二个以后的离子束的情况下，就进行与图5流程图中的步骤57所示的处理相同的处理。不同之处在于，图5的步骤57是对m个离子束中，以到第m-1个为止的束电流密度分布被调整过的离子束为对象，对3种类的合计值进行计算，而步骤61是对到第n(这里的n为2≤n≤m-1)个为止的离子束为对象，对3种类的合计值进行计算。

即，在步骤61中，对第二个离子束以后的离子束，依次进行一边调整离子束一边把结果相加的处理。这一点与前面的实施例有很大不同。

前面的实施例是通过调整第m个(最后一个)离子束的电流密度分布来补偿对从第一个离子束到第m-1个离子束的电流密度分布进行调整时产生的调整结果与目标值的偏差量，但在作为调整对象的离子束的个数多的情况下，这样的处理会出现不能顺利进行的情况。

除去第m个(最后一个)离子束以外，把其它的离子束的束电流密度分布分别调整成相对于各自的目标分布进入第一容许范围(-ε1～+ε1)内。为了尽快完成各个离子束的束电流密度分布的调整，将该第一容许范围设定得较宽。例如，如上所述，把第一容许范围设定成：相对于调整各个离子束的电流密度分布时的目标分布为±10％至±15％的范围。因此，在以满足该容许范围的方式来调整束电流密度分布时，由于该容许范围设定得较宽，因此调整后的束电流密度分布成为稍偏离目标分布的可能性就高。

例如，在每个离子束的束电流密度分布都超过了对各自的离子束设定的目标分布的情况下，作为调整对象的离子束的个数越增加，把各个离子束形成的从目标分布偏差的偏差量相加的和就越大。在这种情况下，由于相加后的偏差量，在调整最后的离子束的束电流密度分布之前，就有可能超过通过重叠全部离子束而达到的束电流密度分布的最终目标。如果超过通过重叠全部离子束而达到的束电流密度分布的最终目标，则在最后一个离子束，就不能进行补偿在调整到最后一个离子束为止的离子束的电流密度分布时产生的调整结果与目标分布之间的偏差量的操作。

相反，在每个离子束的束电流密度分布都低于对各自的离子束设定的目标分布的情况下，即使把最后一个离子束的束电流密度分布调整到尽可能大的程度，也存在把所有离子束的束电流密度分布相加的结果达不到目标分布的情况。如果把所有离子束的束电流密度分布相加的结果达不到目标分布，就不能在玻璃基板上实现规定的离子注入量分布。

考虑到以上问题，在图10的步骤62中，进行使用第三容许范围(-ε3～+ε3)的判断。在该实施例中，第三容许范围(-ε3～+ε3)比第一容许范围(-ε1～+ε1)的范围大。例如，可以把第一容许范围增大50％的范围作为第三容许范围。此外，与第一容许范围、第二容许范围一样，第三容许范围的上限和下限的绝对值是相同的值，但不一定必须是相同的值，正的一侧和负的一侧也可以是不同的值。通过设定这样的范围，就可以限制把从目标分布偏差的偏差量相加起来的和，因此即使增加作为调整对象的离子束的个数，也可以最终在玻璃基板上实现规定的注入量分布。

此外，例如，也可以如下设定第三容许范围的上限和下限。在对第n(n为整数，2≤n≤m-1)个离子束进行束电流密度分布调整时，可以把上限设定为第n+1个离子束的目标分布In+1。如果这样决定上限值，则在依次调整多个离子束的电流密度分布时，即使把调整结果与目标分布的偏差量相加，相加得到的和也不会超过作为下一个调整对象的离子束的目标分布。因此，可以防止在调整最后一个离子束的束电流密度分布之前，就超过通过重叠全部的离子束达成的束电流密度分布的最终目标。

另一方面，在设由设置在提供第n+1个离子束的离子束供给装置中的束电流密度分布调整部件能够调整的最大范围的值为Ax，第n+1个离子束的目标分布为In+1时，使第三容许范围的下限不低于-Ax+In+1。如果这样设定下限，则在调整下一个作为调整对象的离子束的束电流密度分布时，可以毫无问题地达成作为目标的束电流密度分布。因此，不会发生即使把最后一个离子束的束电流密度分布调整到尽可能大的程度，把全部离子束的束电流密度分布相加的结果也达不到目标分布的问题。

在满足步骤62所示式子的情况下，与图5的流程图一样，依次进行步骤55、步骤56、步骤64、步骤58及步骤59的处理。完成对全部的离子束的束电流密度分布的调整。此外，之所以在图10中，把图5的流程图所记载的步骤57换成步骤64，是因为在图9的步骤61中已经计算出Isum_m-1M+Isum_m-1A-Isum_m-1。此外，在图5中已经叙述过，关于Isum_m是在步骤50中设定各个离子束的目标分布时，事先计算出的值。所以在此没有必要再次进行把各个离子束的目标分布相加的操作。例如，如果Isum_m的值已经存储在控制装置25中，则把该值读出即可。

在不满足步骤62所示的式子的情况下，在步骤63中，对作为当前调整对象的离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得满足步骤62的式子。此外，在此用了“重新调整”，是因为在经过步骤53或步骤54时，已经对作为当前调整对象的离子束进行了一次调整。此外，在步骤53中，只是判断步骤52的测定结果是否在第一容许范围(-ε1～+ε1)内，可能被认为即使经过该步骤也并没有调整束电流密度分布，但实际上并不是这样。为了避免误解，在此进行说明。在步骤52的测定之前，使离子源运行并向处理室内提供离子束时，如上所述在灯丝里流过规定电流量的电流。由于通过该操作得到的束电流密度分布被调整到规定的值，因此，即使不经过步骤54，在经过步骤53(正确的说是在步骤52之前运行离子源)时，束电流密度分布已经过了一次调整。关于该调整的考虑方式，对用图5所示流程图说明的实施例以及后面所叙述的实施例也同样适用。

在步骤63中，对作为当前调整对象的离子束的电流密度分布进行重新调整后，依次进行步骤55、步骤56、步骤64、步骤58、步骤59的处理，结束对束电流密度分布的调整。

这样，使用对从第一个离子束到第m-1个离子束的束电流量密度分布的调整结果与目标分布的偏差量进行限定的第三容许范围，依次对离子束的束电流量密度分布的调整结果进行判断，因此，即使作为调整对象的离子束的个数增多，也可以与上述实施例相同，对各个离子束的束电流密度分布进行高效的调整，并且在玻璃基板上毫无问题地实现规定的注入量分布。

在图11和图12中，表示本发明的另一个实施例的流程图。与图9和图10所示的流程图相比，该流程图删除了步骤60的分支处理以及与步骤60相接续的步骤55的处理。因此，从第一个离子束开始，依次进行图11所示步骤61的处理。此外，在前面的实施例中，步骤62中的n为2以上，而在该实施例中，步骤62中的n为1以上。其它的步骤与图9及图10的流程图为相同的处理，因此省略对各个处理的说明。

在该实施例中，第一容许范围与第三容许范围的大小关系，哪个大都无所谓。在上述例子中是第三容许范围比第一容许范围大，但在该例子中也可以是第三容许范围比第一容许范围小，也可以使第一容许范围与第三容许范围相同。当然，与上述例子相同，也可以把第三容许范围设定成比第一容许范围的范围大。

但是，从全部的处理时间的角度考虑，优选的是把第三容许范围设定成比第一容许范围的范围大。这是因为，如果第一容许范围比第三容许范围大，则即使经步骤53或步骤54的处理把离子束的束电流密度分布调整成满足第一容许范围，也有可能不满足步骤62所示的式子。在这种情况下，在步骤63中对束电流密度分布进行重新调整使得束电流密度分布进入第三容许范围的必要性增大，其结果，作为调整对象的离子束的个数越增加，进行全部调整所花费的处理时间就可能越长。

但是，尽管有可能多少花费处理时间，但用图11和图12中记载的流程图所示的实施例的方法，与图9和图10的流程图所示的实施例的一样，在作为调整对象的离子束的个数增加的情况下，也可以毫无问题地对各个离子束的电流密度分布的进行调整。

<其它的变形例子>

在图1中，把玻璃基板10在处理室内的输送方向用箭头A来表示，但没有必要仅限定于该方向。例如，为了向玻璃基板注入更多的离子，可以让玻璃基板10在处理室内11往返输送多次。在该情况下，把玻璃基板向箭头A的方向及与该方向相反的方向输送。

此外，第一预真空室22和第二预真空室23也可以增加为多个。在这种情况下，与预真空室相对应，插板阀18、19也增加为多个。这样，由于可以分别调整多个第一预真空室内部和多个第二预真空室内部的压力，所以在调整一个预真空室内部的压力期间，可以利用完成压力调整的其它预真空室来进行玻璃基板的送入、送出。利用这样的构成，可以增加玻璃基板的处理个数。

此外，把第一预真空室22和第二预真空室23在基板的输送方向上成对设置，把它们沿Z方向设置多组。此外，沿Z方向准备多个玻璃基板的输送机构，使得玻璃基板10能够分别在各预真空室组中输送。此外，也可以考虑使各个输送机构同步进行输送，使在Z方向上分离开并沿X方向输送的多个玻璃基板不间断地连续横穿各离子束。由于这样做可以连续处理多个玻璃基板，所以可以进一步增加玻璃基板的处理个数。此外，在该情况下，把进行玻璃基板10送入或送出的预真空室是作为第一预真空室22还是作为第二预真空室23，只要按照每个预真空室组分别设定就可以。

此外，在图1中描绘了作为一个室的处理室11，但该处理室可以与离子束的供给装置相对应，分割为多个室。另外，在这种情况下，可以在每个处理室之间设置用于分开处理室的插板阀。而且，该插板阀可以与玻璃基板11的输送对应，打开或关闭。

在上述实施例中，举例说明了使用具有在Y方向上尺寸比玻璃基板10长的四个离子束的离子注入处理，但对离子束的个数没有限制。离子束的个数只要是两个以上即可。此外，如作为本发明的现有技术所例举的专利文献1的图3所记载的，也可以使各个离子束在长边方向上的位置相互错开来配置各个离子束。即使是这样的结构，只要是在玻璃基板上使各个离子束的照射区域重叠来进行离子注入的结构，不用说当然可以适用本发明。

此外，在上述实施例中，作为束电流密度的调整部件对具有多灯丝的离子源进行了描述，但代替与此，也可以用其它的部件来作为束电流密度的调整部件。

具体地说，替代多灯丝型的离子源，在用于提供离子束的供给路径(束线)上配置静电透镜或磁透镜，沿Y方向形成不同的电位分布或磁场分布。在这种情况下，离子源可以不是多灯丝型的离子源。

可以考虑出：对于静电透镜，其结构为：以从离子束的短边方向夹持离子束的方式设置一组电极，并且沿Y方向具有多组电极。而且，根据用束轮廓仪测量束电流密度分布的结果，使向各组电极施加不同的电压，并在电极组之间产生电位差。于是，在沿Y方向配置的各电极组之间通过的离子束，根据在电极组之间的电位差，沿Y方向产生局部移动，因此可以把在Y方向上的离子束的电流密度分布调整成接近规定的目标分布。

此外，磁透镜的结构是：以从离子束的短边方向夹持离子束的方式设置一组磁极，并且沿Y方向有多组磁极。而且，每个磁极组可以独立地调整流过绕在各磁极组上的线圈的电流量及电流方向。并且，根据用束轮廓仪测量的结果，独立地调整流过绕在各磁极组上的线圈的电流。于是，通过构成各磁极组的一组磁极之间的离子束，根据在各磁极组中产生的磁场的大小和方向，沿Y方向产生局部移动，因此可以把在Y方向上的离子束的束电流密度分布调整成接近规定的目标分布。

此外，在使用上述的静电透镜、磁透镜的情况下，根据用束轮廓仪测量的结果，局部地调整电场、磁场，作为考虑方法可以按与对使用多灯丝型离子源的电流密度分布进行调整的方法相同的方式来考虑。即，使束轮廓仪的规定区域(在作为束轮廓仪使用多个法拉第杯的情况下，可以用法拉第杯的数量来特别指定规定区域)与规定数量的电极组或磁极组对应即可。通过使用切换上述的静电透镜、磁透镜的调整粗糙度的方法(例如，根据从目标分布的偏差量，把施加在电极组上的电压或流过线圈的电流量的调整细分量从粗向细切换的方法)，可以如上面说明的具有多灯丝的离子源那样，对束电流密度分布进行粗调、细调这两种调整。此外，在开始运行离子源时的处理，通过把各个电极组间的电位差设定成规定的电位差，或把流过各个线圈的电流量及电流方向设为规定的电流量及电流方向，只要使所述处理与多灯丝的离子源的情况相同即可。

此外，在到此为止的实施例中，叙述了沿玻璃基板的整个面实现均匀的离子注入量分布的例子，例如作为公知技术的日本专利公开公报特开2005-235682号的图9中所记载的，也可以沿玻璃基板的输送方向使注入量的分布不同。即使采用这样的注入量分布，在利用离子束的重迭实现规定的注入量分布的情况下，当然也可以适用本发明。

此外，在本发明的实施例中，以使玻璃基板的输送速度一定为例进行了说明，但该输送速度也可以是可变的。例如，可以按照每个离子束来变更玻璃基板的输送速度，也可以在玻璃基板横断离子束的过程中使其输送速度按特定的函数变化。此外，如作为公知技术众所周知的那样，通过调整流过多个灯丝的电流、或者调整施加在静电透镜中的电极上的电压、或者调整流过磁透镜的线圈的电流，把离子束在长边方向上的束电流密度分布调整成任意的不均匀的分布也没有关系。本发明的要旨涉及的是：对使离子束在玻璃基板上的照射区域重迭，在玻璃基板上实现规定的注入量分布时的束电流密度分布进行调整，在不脱离本发明的上述要旨的范围内，玻璃基板的输送速度和电流密度分布是什么样的都可以。

此外，除了前面叙述的以外，在不脱离本发明的要旨的范围内，当然也可以进行各种改良和变更。

Claims (6)

1.一种离子注入装置，其特征在于包括：

m个离子束供给装置，提供m个带状离子束，其中m为2以上的整数；

束轮廓仪，设置于处理室内，分别测定所述m个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布；

束电流密度分布调整部件，按照每个所述离子束供给装置分别设置，用于调整用所述束轮廓仪测定的所述束电流密度分布；

玻璃基板输送机构，在所述处理室内，以与所述m个带状离子束的长边方向交叉的方式输送玻璃基板；以及

控制装置，控制所述束电流密度分布调整部件，在由所述玻璃基板输送机构输送的所述玻璃基板上，使由所述m个带状离子束照射的区域至少部分重叠，实现预先规定的注入量分布，

所述控制装置对所述m个带状离子束分别设定作为所述束电流密度分布的调整目标的目标分布，

并按照预先决定的顺序，控制到第m-1个为止的所述带状离子束的所述束电流密度分布，使得该束电流密度分布相对于对各个带状离子束设定的所述目标分布进入第一容许范围内，

而且所述控制装置根据将到第m-1个为止的所述带状离子束调整后的束电流密度分布合计所得到的束电流密度分布与将对到第m个为止的所述带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，设定用于调整第m个所述带状离子束的所述束电流密度分布的新的目标分布，并控制所述第m个所述带状离子束的束电流密度分布，使得该第m个所述带状离子束的束电流密度分布相对于所述新的目标分布进入比所述第一容许范围小的第二容许范围内。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于：

所述控制装置在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后，判断将到第n个为止的各束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，是否在比所述第一容许范围大的第三容许范围内，其中n为整数，且2≤n≤m-1，

并在所述差不在所述第三容许范围内的情况下，对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内。

3.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于：

所述控制装置在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后，判断将到第n个为止的各带状离子束的束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，是否在第三容许范围内，其中n为整数，且1≤n≤m-1，

并在所述差不在所述第三容许范围内的情况下，对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内。

4.一种束电流密度分布的调整方法，其特征在于：

使用该束电流密度分布的调整方法的离子注入装置包括：

m个离子束供给装置，提供m个带状离子束，其中m为2以上的整数；

束轮廓仪，设置于处理室内，分别测定所述m个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布；

束电流密度分布调整部件，按照每个所述离子束供给装置分别设置，用于调整用所述束轮廓仪测定的所述束电流密度分布；以及

玻璃基板输送机构，在所述处理室内，以与所述m个带状离子束的长边方向交叉的方式输送玻璃基板，

所述束电流密度分布的调整方法使用所述束电流密度分布调整部件，调整各离子束的所述束电流密度分布，使得在由所述玻璃基板输送机构输送的所述玻璃基板上，使由所述m个带状离子束照射的区域至少部分重叠，实现预先规定的注入量分布，

所述束电流密度分布的调整方法包括：

对所述m个带状离子束分别设定作为所述束电流密度分布的调整目标的目标分布的工序；

按照预先决定的顺序，调整到第m-1个为止的所述带状离子束的所述束电流密度分布，使得该束电流密度分布相对于对各个带状离子束设定的所述目标分布进入第一容许范围内的工序；以及

根据将到第m-1个为止的所述带状离子束调整后的束电流密度分布合计所得到的束电流密度分布与将对到第m个为止的所述带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，设定用于调整第m个所述带状离子束的所述束电流密度分布的新的目标分布，并控制所述第m个所述带状离子束的束电流密度分布，使得该第m个所述带状离子束的束电流密度分布相对于所述新的目标分布进入比所述第一容许范围小的第二容许范围内的工序。

5.根据权利要求4所述的束电流密度分布的调整方法，其特征在于：

所述束电流密度分布的调整方法还包括：

在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后，判断将到第n个为止的各束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，是否在比所述第一容许范围大的第三容许范围内的工序，其中n为整数，且2≤n≤m-1；以及

在所述差不在所述第三容许范围内的情况下，对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内的工序。

6.根据权利要求4所述的束电流密度分布的调整方法，其特征在于：

所述束电流密度分布的调整方法还包括：

在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后，判断将到第n个为止的各带状离子束的束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差，是否在第三容许范围内的工序，其中n为整数，且1≤n≤m-1；以及

在所述差不在所述第三容许范围内的情况下，对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整，使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内的工序。

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