KR20100121982A - 플라즈마를 이용한 도핑 방법 및 도핑 장치 - Google Patents

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    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species

Abstract

본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 도핑 방법은, 챔버 내의 웨이퍼 탑재대에 웨이퍼를 위치시키는 로딩 단계와; 상기 로딩 단계 후에, 챔버 내에 도펀트 가스를 공급하고, 안테나에 전압을 인가하여 챔버 내에 플라즈마를 발생시킴으로써 도펀트 가스 이온들을 웨이퍼 방향으로 가속시켜 웨이퍼에 도펀트 가스 이온을 주입하는 이온 주입단계를 포함하고, 상기 이온 주입단계에서, 상기 챔버 내에 적정한 공정 압력이 형성되도록 상기 도펀트 가스를 공급할 때, 질소 가스 또는 비활성 가스로 이루어진 압력조절가스를 함께 공급함으로써, 플라즈마 밀도, 균일성, 이온량의 거동을 적절하게 조절할 수 있게 되어, 공정 결과의 향상을 기대할 수 있는 효과를 제공한다.
가스, 공급, 도펀트, 압력, 비활성, 질소, 산소

Description

플라즈마를 이용한 도핑 방법 및 도핑 장치{Plasma doping method and device}
본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 플라즈마를 이용한 도핑 방법 및 이에 사용되는 장치에 관한 것이다.
플라즈마를 이용한 도핑 시스템은 반도체 웨이퍼 혹은 상대적으로 낮은 에너지 이온으로 높은 전류를 발생시키는 것이 요구되는 여러 응용 분야에서 얇은 접합(shallow junctions)을 형성시키는 데 사용된다.
플라즈마를 이용한 반도체 도핑 시스템은, 챔버 내에 웨이퍼 탑재대 상에 반도체 웨이퍼를 위치시키고, 챔버 내에 이온화가 가능한 도펀트(dopant) 가스를 유입시킨 상태에서, 플라즈마를 발생시키기 위한 안테나 및 웨이퍼 탑재대에 전압을 인가하게 되면, 도펀트 가스의 이온들을 함유한 플라즈마가 생성된다.
이때 플라즈마는 웨이퍼 부근에 형성된 플라즈마 시스(plasma sheath) 즉, 양전하를 갖게 되고, 인가된 펄스는 플라즈마 내의 이온이 플라즈마 시스를 가로질러 가속되어 웨이퍼에 주입되게 한다. 이때 주입 깊이는 웨이퍼 및 안테나 사이에 인가된 전압과 관련된다.
이러한 도핑 시스템의 예는 Sheng 등에 허여된 미국등록특허 제5,354,381호, Liebert 등에 허여된 미국등록 특허 제6,020,592호 및 Goeckner에 허여된 미국등록특허 제6,182,604호에 기술되어 있다.
이들 특허에 기술된 플라즈마 도핑 시스템에서, 인가된 전압 펄스는 플라즈마를 생성하고, 양이온들을 플라즈마로부터 웨이퍼 방향으로 가속시킨다.
다른 타입의 플라즈마 도핑 시스템에서는, 플라즈마 도핑 챔버의 내부 또는 외부에 위치하는 안테나에서 발생되는 유도성으로 결합된(inductively-coupled) RF 파워에 의해 연속적인 플라즈마가 발생된다. 이때 안테나는 RF 파워 제공부에 연결된다. 전압 펄스가 상기 웨이퍼 탑재대 및 안테나 사이에 간격을 갖고 인가되어, 플라즈마 내부의 이온을 상기 웨이퍼 방향으로 가속시킨다.
플라즈마 주입에 사용되는 도펀트 가스의 성분들은 웨이퍼의 표면에 증착될 수 있도록 주입 공정 중에 원자 또는 분자 단편들로 분해(decompose)되거나 분리(dissociate)될 수 있다. 도펀트 가스 분자들의 분리에 의한 원자 또는 분자 단편들을 여기서는 "중성 입자들(neutral particles)"이라고 칭한다. 주입 공정 중에 분리되는 도펀트 가스 성분의 예로는 AsH3, PH3, BF3 및 B2H6를 들 수 있다. 예를 들면, 아르신(arsine) 가스(AsH3)는 주입될 웨이퍼의 표면에 증착될 수 있는 As, AsH 및 AsH2로 분리될 수 있다. 이러한 증착 표면층(deposited surface layers)은 주입량(dose)의 비반복성(non-repeatability) 및 균일성(uniformity)과 주입량측정 문제 등을 포함하는 여러 가지 문제들을 야기할 수 있다.
특히, 증착 표면층을 형성하는 중성 입자들은 주입량 측정 시스템에 의해 측 정되지 않는다. 게다가, 증착 표면층 자체 또는 증착 표면층이 주입 이온에 미친 영향에 의해서 도펀트의 깊이 프로파일(depth profile)이 변화된다.
또한, 증착 표면층은, 어닐러(annealer)와 같은 다른 장치에서 후속 공정이 수행될 때, 그러한 장치의 오염을 유발할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 도핑 응용 분야에 농도 및 접합 깊이 요구 조건에 모두 부합하는 프로파일 조정 솔루션(profile adjustment solution)을 제공하는 것이 필요하다.
상기한 바와 같은 플라즈마 도핑 방법은, 공정 압력이 높은 경우에는 플라즈마 이온화 정도가 떨어지고, 또한 이온 거동시에 충돌 확률이 높아 평균자유행로가 짧아지게 됨에 따라 공정 결과에 좋지 않은 문제가 발생되고, 이와 반대로 공정 압력이 낮을 경우에는 플라즈마가 발생되지 않고 플라즈마가 발생되더라도 이온량(dopants)이 낮아지게 됨에 따라 처리량 즉, 쓰루-풋(through-put)이 떨어지는 문제점이 발생된다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 플라즈마 이온 주입시에 공정압력을 조절함으로써 플라즈마 밀도, 균일성, 이온량의 거동을 적절하게 조절하여 쓰루-풋(through-put)이 떨어지는 것을 방지하여 공정 결과의 향상에 기여할 수 있는 플라즈마를 이용한 도핑 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 도핑 방법는, 챔버 내의 웨이퍼 탑재대에 웨이퍼를 위치시키는 로딩 단계와; 상기 로딩 단계 후에, 챔버 내에 도펀트 가스를 공급하고, 안테나에 전압을 인가하여 챔버 내에 플라즈마를 발생시킴으로써 도펀트 가스 이온들을 웨이퍼 방향으로 가속시켜 웨이퍼에 도펀트 가스 이온을 주입하는 이온 주입단계를 포함하고, 상기 이온 주입단계에서, 상기 챔버 내에 적정한 공정 압력이 형성되도록 상기 도펀트 가스를 공급할 때, 질소 가스 또는 비활성 가스로 이루어진 압력조절가스를 함께 공급하는 것을 특징으로 한다.
상기 비활성 가스는 주기율표 18족에 속하는 기체 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
상기 압력조절가스는 도펀트 가스를 포함하여 챔버 내에 공급되는 전체 공정 가스의 무게비의 3% ~ 10% 범위로 공급하는 것이 바람직하다. 이때 상기 압력조절 가스는 전체 공정가스의 무게비의 6% ~ 10%로 범위로 공급하는 것이 더욱 바람직하다.
상기 이온 주입단계에서, 웨이퍼 표면의 산화층을 제거하기 위해, O2 가스를 함께 공급할 수 있다. 이때, 상기 O2 가스 혼합량은, 상기 챔버 내에 공급되는 전체 공정가스의 무게비의 5% ~ 10%로 공급하는 것이 바람직하다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 도핑 장치는, 웨이퍼 탑재대가 구비된 챔버와; 상기 챔버 내부로 도펀트(dopant) 물질을 포함하는 이온화 가능한 공정 가스를 공급하는 공정가스 공급부와; 상기 챔버 내에 적정한 공정 압력이 형성되도록 상기 챔버 내부로 질소 가스 또는 비활성 가스로 이루어진 압력조절가스를 공급하는 압력가스 공급부를 포함한 것을 특징으로 한다.
상기 공정가스 공급부와 압력가스 공급부는 믹서를 통해 혼합한 상태에서 상기 챔버 내에 공급될 수 있도록 구성될 수 있다.
이와는 달리, 상기 공정가스 공급부와 압력가스 공급부는 각각 별도의 공급 라인을 통해 상기 챔버 내에 공급될 수 있도록 구성될 수도 있다.
또한, 상기 플라즈마를 이용한 도핑장치는, 상기 챔버 내에 웨이퍼 표면의 산화층을 제거하기 위해 O2 가스를 공급하는 O2 가스 공급부를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 O2 가스 공급부의 분사구는, 상기 공정가스 공급부와 압력가스 공급부의 분사구보다 상기 웨이퍼 탑재대에 근접한 위치에 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 도핑 방법은, 챔버 내에 압력조절가스를 함께 제공하여 챔버 내에 적정한 공정 압력이 형성함으로써, 플라즈마 밀도, 균일성, 이온량의 거동을 적절하게 조절할 수 있게 되어, 쓰루-풋(through-put)이 떨어지는 것을 방지하여 공정 결과의 향상을 기대할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명은, 챔버 내에 O2 가스 함께 공급함으로써 웨이퍼 표면의 산화층을 제거함으로써 이온 주입이 원활하게 진행되어 보다 우수한 도핑 공정의 수행이 가능해지는 효과가 있다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 도핑 방법을 구현할 수 있는 도핑 장치가 도시된 개략적인 구성도이다.
플라즈마 도핑 장치는, 플라즈마를 발생시키는 방법에 따라 구분되는 용량결합형(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 도핑 장치와 유도결합형(Inductively Coupled Plasma, ICP) 도핑 장치에 모두 적용될 수 있다.
도 1은 ICP 방식의 도핑 장치를 예시한 도면으로서, 이하 ICP 방식의 도핑 장치를 중심으로 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같은, 플라즈마 도핑장치는, 진공 상태로 공정을 수행할 수 있는 챔버(10)가 구비되고, 이 챔버(10)의 내부에는 반도체 웨이퍼(S)가 탑재되는 웨이퍼 탑재대(20)가 구비된다.
이때 웨이퍼 탑재대(20)는 웨이퍼를 안정적으로 척킹(chucking)할 수 있도록 정전척 구조로 이루어지는 것이 바람직하고, 고전압 펄스 공급부(30)를 통해 음(-)의 고전압이 인가되게 구성될 수 있다.
상기 챔버(10)의 내측 상부에는 유전체판(40)이 구비되어 챔버(10) 내부 공간을 밀폐 공간으로 구성하며, 유전체판(40)의 상부에는 RF 안테나(50)가 설치된다.
상기 RF 안테나(50)는 RF 전원부(61)와 임피던스 매칭부(62)로 이루어진 RF 전원 인가부(60)와 연결되어 RF 전력을 인가받도록 구성된다.
상기 챔버(10)의 측면에는 챔버(10)의 내부로 도펀트(dopant) 물질을 포함하는 이온화 가능한 공정 가스(이하 '도펀트 가스'라 함)를 공급하는 공정가스 공급부(70)가 구비된다.
특히, 상기 공정가스 공급부(70)는, 웨이퍼(S)에 도펀트 가스 이온을 주입할 때, 챔버(10) 내에 적정한 공정 압력이 형성되도록 질소(N2) 가스 또는 비활성 가스 등으로 이루어진 압력조절가스 공급부를 함께 포함하여 구성될 수 있다.
물론, 이와는 달리 압력조절가스를 도펀트 가스와 별도로 공급하는 것도 가능하다. 압력조절가스의 공급 구조에 대해서는 아래에서 다시 설명한다.
도 1에서 참조 번호 75는 챔버(10) 내에 공급된 도펀트 가스를 비롯한 챔버(10) 내부의 압력을 측정하는 압력 게이지를 나타낸다.
한편, 제어부(80)는, 상기 고전압 펄스 공급부(30), RF 전원 인가부(60), 공정가스 공급부(70)를 제어함과 아울러, 압력 게이지(75)를 비롯하여 도시되지는 않았지만 이온량 측정장치 등 플라즈마 도핑장치에 구비되는 모든 제어 요소를 제어할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다. 이러한 제어부(80)는 플라즈마 도핑장치의 모든 제어 요소를 직접 제어할 수 있으나, 필요에 따라 각 구성 부분을 개별적으로 제어하는 개별 제어기구를 통해 간접 제어하도록 구성할 수도 있다.
이와 같은, 플라즈마 도핑장치는, 챔버(10) 내에 웨이퍼가 공급되어 웨이퍼 탑재대(20)에 웨이퍼(S)가 로딩되면, 공정가스 공급부(70)를 통해 도펀트 가스와 함께 압력조절가스가 챔버(10) 내로 공급되고, 챔버(10) 내에 플라즈마를 형성시키기 위해 RF 전원 인가부(60)로부터 RF 전력이 유전체판(40) 상부에 구비된 RF 안테나(50)에 인가된다.
이때, 도펀트 가스와 함께 챔버 내로 공급된 압력조절가스가 챔버 내에 적절한 공정 압력을 형성하게 되고, RF 안테나(50)에 의해 발생된 유도 자기장에 의해 챔버(10) 내부에 공급된 도펀트 가스를 이온화시켜 유도결합 플라즈마를 발생시키게 된다. 이와 동시에 웨이퍼(S)가 장착된 웨이퍼 탑재대(20)에도 고전압 펄스 공급부(30)로부터 고전압 펄스를 인가함에 따라 웨이퍼(S)에 고전압 펄스가 가해지고, 이때 RF 안테나(50)에 의해 발생된 플라즈마에 의해 도펀트 가스 이온이 웨이퍼(S)의 표면에 가해지면서 주입되어 웨이퍼의 표면에 불순물을 도핑하게 된다.
여기서, 상기 압력조절가스가 이온 주입 공정 중에 수행하는 작용에 대하여 설명한다.
웨이퍼 탑재대(20)에 로딩된 웨이퍼(S)에 도펀트 가스 이온을 주입할 때, 챔버(10) 내에의 공정 압력에 따라서 플라즈마 이온화 정도 즉, 플라즈마 밀도가 달라지게 된다. 즉, 플라즈마가 발생되었을 경우에 챔버(10) 내부의 공정 압력은 플라즈마 밀도 및 균일성(uniformity)에 영향을 줄 뿐만 아니라 전기적 인력(electrical attraction force)에 의해 도펀트 가스 이온이 웨이퍼 쪽으로 움직일 때 이온의 이동거리, 이동 속도, 이동 경로, 이동량, 쓰루 풋(through-put)을 결정하는 주요 인자로 작용하게 된다.
또한 공정 압력에 의해 플라즈마와 웨이퍼 간의 플라즈마 시스(plasma sheath)의 크기가 결정되기 때문에 챔버(10) 내부의 공정 압력은 웨이퍼에 도펀트 가스 이온을 주입할 때 매우 중요하게 작용하게 된다.
따라서, 본 발명에서는 이온주입 공정에서 적절한 공정 압력을 조절하기 위해서 도펀트 가스를 공급하면서 공정을 수행할 때, 압력조절가스를 함께 공급하게 된다.
압력조절가스는, 챔버(10) 내에서 플라즈마가 발생할 때, 도펀트 가스 성분에 영향을 주지 않으면서, 챔버(10) 내의 가스 압력을 적절하게 형성할 수 있는 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
이러한 압력조절가스는, N2 가스 또는 비활성 가스로 이루어지는 것이 바람 직하다.
비활성 가스는 주기율표 18족에 속하는 기체로서, 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 라돈(Rn) 중 적어도 어느 하나의 가스를 이용할 수 있는데, 이 중에서도 구하기 쉽게 경제성도 우수한 Ar 가스를 이용하는 것이 바람직하다.
압력조절가스의 혼합 비율은 도펀트 가스를 포함하여 챔버(10) 내에 공급되는 전체 공정 가스의 무게비 대비 10% 이내로 혼합하여 공급하는 것이 바람직하다.
이는 도 2에 도시된 바와 같이, 압력조절가스의 공급량이 10% 이상이 되면, 표면 저항(sheet resistance)이 과도하게 커지기 때문에 이온 주입 공정에 좋지 않은 영향을 미치게 된다.
또한, 압력조절가스의 공급량이 적은 경우에도, 마찬가지로 표면 저항이 커지기 때문에 바람직한 압력조절가스 공급량은 전체 공정가스의 무게비 대비 6% ~ 10% 정도로 혼합하여 공급하는 것이 바람직하다.
이와 함께, 웨이퍼의 이온 주입 공정에서, 가스 이온의 주입을 방해하는 웨이퍼 표면의 산화층을 제거하기 위해 O2 가스를 혼합하여 공급하는 것이 바람직하다. 이때 O2 가스 혼합량은, 상기 챔버(10) 내에 공급되는 전체 공정가스의 무게비 대비 5% ~ 10% 정도로 공급하는 것이 바람직하다. 여기서, 전체 공정가스는 상기 압력조절가스가 혼합되기 전의 무게비로 설정되는 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 압력조절가스의 혼합된 상태의 무게비로 계산하여 O2 가스를 공급하는 것도 가능하다.
이제, 압력조절가스와 O2 가스를 혼합하여 공급하는 구조에 대하여 설명한다.
위에서 설명한 바와 같이, 공정가스 공급부(70)를 통해 챔버(10) 내에 가스를 공급할 때 압력조절가스와 O2 가스도 도펀트 가스에 혼합하여 공급하는 것이 바람직하다.
이때, 도 3에 도시된 바와 같이, 도펀트 가스를 공급하는 공급부(71)와 압력조절가스를 공급하는 공급부(72) 및 O2 가스를 공급하는 공급부(73)가 합류하는 지점에 믹싱 기구(74)를 구성하고, 이 믹싱 기구(74)에서 모든 가스를 균일하게 혼합하여, 챔버(10) 내로 공급될 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다.
물론, 각각의 가스 공급부에는 각 가스의 공급량을 적절하게 조절하기 위한 가스공급량 조절밸브(미도시)가 구비되는 것이 바람직하다.
도 3에서 참조 번호 76은 혼합 가스를 분사하는 분사홀을 나타낸다.
이외의 방식으로는, 각각의 가스 공급부를 별도로 구성하여, 챔버(10) 내에 별도로 공급하도록 구성하는 것도 가능하다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 일측에 도펀트 가스를 포함한 공정 가스를 공급하기 위한 공정가스 공급부(71a)가 연결되고, 챔버(10)의 타측에 상기한 압력조절가스를 공급하기 위한 압력가스 공급부(72a)를 구성한다.
이때, 챔버(10) 내에 개별적으로 분사된 가스가 균일한 분포를 가질 수 있도록 도펀트 가스가 분사되는 공정가스 분사구(71b)와 압력조절가스가 분사되는 압력가스 분사구(71b)가 서로 교번되게 배치한 상태에서, 도펀트 가스를 비롯한 공정 가스와 압력조절가스를 챔버(10) 내에 공급할 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 압력가스 공급부(72a)에 O2 가스를 혼합하여 압력가스 분사구(72b)를 통해 함께 공급하는 것도 가능하다. 또한 O2 가스를 도펀트 가스에 혼합하여 공정 가스와 함께 공정가스 분사구(71b)를 통해 함께 분사하도록 구성하는 것도 가능하다.
또한, 도 4에서와 같이, O2 가스 공급부(73a)를 상기 공정가스 공급부(71a)와 압력가스 공급부(72b)와 별도로 구성하여 O2 가스를 공급하도록 구성하는 것도 가능하다.
이때, O2 가스 분사구(73a)는 웨이퍼 표면의 산화층을 제거하기 위한 것이므로, 웨이퍼 탑재대(20)와 근접한 위치에서 웨이퍼(S)의 표면에 O2 가스를 분사할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.
이외에도, 챔버(10) 내에 도펀트 가스를 포함한 공정 가스, 상기 압력조절가스와 O2 가스를 균일하게 분포시킬 수 있도록 공급하는 구조이면, 다양하게 변형하여 구성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서 설명한 기술적 사상들은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 도핑 장치가 도시된 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 압력조절가스를 공급할 때 공정 결과를 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 도핑 장치의 가스 공급 구조를 보여주는 일 실시예의 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 도핑 장치의 가스 공급 구조를 보여주는 다른 실시예의 도면이다.

Claims (11)

  1. 챔버 내의 웨이퍼 탑재대에 웨이퍼를 위치시키는 로딩 단계와;
    상기 로딩 단계 후에, 챔버 내에 도펀트 가스를 공급하고, 안테나에 전압을 인가하여 챔버 내에 플라즈마를 발생시킴으로써 도펀트 가스 이온들을 웨이퍼 방향으로 가속시켜 웨이퍼에 도펀트 가스 이온을 주입하는 이온 주입단계를 포함하고,
    상기 이온 주입단계에서, 상기 챔버 내에 적정한 공정 압력이 형성되도록 상기 도펀트 가스를 공급할 때, 질소 가스 또는 비활성 가스로 이루어진 압력조절가스를 함께 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 비활성 가스는 주기율표 18족에 속하는 기체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 압력조절가스는 도펀트 가스를 포함하여 챔버 내에 공급되는 전체 공정 가스의 무게비의 3% ~ 10% 범위로 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 압력조절가스는 전체 공정가스의 무게비의 6% ~ 10%로 범위로 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이온 주입단계에서, 웨이퍼 표면의 산화층을 제거하기 위해, O2 가스를 함께 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 O2 가스 혼합량은, 상기 챔버 내에 공급되는 전체 공정가스의 무게비의 5% ~ 10%로 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 방법.
  7. 웨이퍼 탑재대가 구비된 챔버와;
    상기 챔버 내부로 도펀트(dopant) 물질을 포함하는 이온화 가능한 공정 가스 를 공급하는 공정가스 공급부와;
    상기 챔버 내에 적정한 공정 압력이 형성되도록 상기 챔버 내부로 질소 가스 또는 비활성 가스로 이루어진 압력조절가스를 공급하는 압력가스 공급부를 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 공정가스 공급부와 압력가스 공급부는 믹서를 통해 혼합한 상태에서 상기 챔버 내에 공급될 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 공정가스 공급부와 압력가스 공급부는 각각 별도의 공급 라인을 통해 상기 챔버 내에 공급될 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 장치.
  10. 청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마를 이용한 도핑장치는, 상기 챔버 내에 웨이퍼 표면의 산화층 을 제거하기 위해 O2 가스를 공급하는 O2 가스 공급부를 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 O2 가스 공급부의 분사구는, 상기 공정가스 공급부와 압력가스 공급부의 분사구보다 상기 웨이퍼 탑재대에 근접한 위치에 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 도핑 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105931951A (zh) * 2016-06-13 2016-09-07 北京大学 一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法
CN106098543A (zh) * 2016-06-13 2016-11-09 北京大学 一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法

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