CN102222595B - 离子注入方法和离子注入装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种离子注入方法和离子注入装置。在由向玻璃基板上照射的多个离子束形成的重叠区域中，可以高效地调整各离子束的束电流密度分布。所述离子注入方法包括：束电流密度分布调整工序，按预先确定的顺序，把多个带状离子束分别调整为规定的束电流密度分布；目标修正工序，在束电流密度分布调整工序期间，在对第二个以后的各离子束调整束电流密度分布之前，使用先调整了束电流密度分布的调整结果，针对此后要调整束电流密度分布的离子束，修正作为调整目标的规定的束电流密度分布；以及玻璃基板输送工序，在与多个带状离子束的长边方向交叉的方向上输送玻璃基板。

Description

离子注入方法和离子注入装置

技术领域

本发明涉及使由多个带状离子束形成的照射区域重迭，在玻璃基板上形成规定的注入量分布的离子注入方法和离子注入装置。

背景技术

近年来，以液晶电视为代表的液晶产品的大型化非常显著。在半导体制造工序中，为了在一个处理工序中处理更多的液晶面板，进行了增大玻璃基板的尺寸，并从大型的玻璃基板获得多块液晶面板的尝试。对于作为半导体制造装置之一的离子注入装置，要求要与这样的大型的玻璃基板相适应。

为了应对这样的要求，至今为止开发了专利文献1所记载的离子注入装置。

在专利文献1中公开了：使用比玻璃基板的尺寸小的两个离子束，对玻璃基板的整个面实施离子注入处理的技术。更具体地说，在专利文献1中，作为一个例子，把相互垂直的三个方向(X、Y及Z方向)分别定义为离子束的短边方向、离子束的长边方向及离子束的行进方向。而且，在向玻璃基板实施离子注入处理的处理室内，两个离子束位于在X方向上相互离开的位置，在Y方向上使双方的中心位置错开进行照射，使得在玻璃基板上由各离子束照射的区域部分重迭。通过以横穿这样的离子束的方式，沿X方向输送玻璃基板，可以沿玻璃基板的整个面实现离子注入处理。

专利文献1中所记载的技术的玻璃基板的输送速度是一定的。由于要沿玻璃基板的整个面实现均匀的注入量分布，所以照射在玻璃基板上的离子束的电流密度分布，如专利文献1中的图6所示，要调整成包括两个离子束重迭的区域，沿Y方向整体为大体均匀的电流密度分布。

专利文献1：日本专利公开公报特开2009-152002号(图1、图3、图6及0077～0088段)

通常，在离子束重迭区域中的束电流密度分布的调整，与调整一个离子束的束电流密度分布的情况相比，作为调整对象的参数的个数多而且复杂。在调整复杂的情况下，如果胡乱地进行调整，则会产生到调整结束为止需要相当长的时间的问题。此外，如果调整束电流密度分布花费大量时间，则还会产生导致离子注入装置的生产率(处理能力)降低的问题。

可是，在专利文献1中，对于在离子束重迭区域的束电流密度分布的调整，只是记载了把在玻璃基板上重迭的离子束照射区域中的束电流密度分布调整成与其它区域(未重迭的区域)中的束电流密度分布大体相等，并未公开具体怎样进行调整才能成为高效的调整。

发明内容

所以为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种离子注入方法和离子注入装置，该离子注入方法和离子注入装置可以高效地调整离子束重迭区域中的各离子束的电流密度分布。

即，本发明提供一种离子注入方法，其特征在于，该离子注入方法使用的离子注入装置包括：多个离子束供给装置，向处理室内提供多个带状离子束；束轮廓仪，配置在所述处理室内，分别测量所述多个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布；以及束电流密度分布调整装置，按照每个所述离子束供给装置分别设置，用于调整用所述束轮廓仪测量的所述束电流密度分布，所述离子注入方法包括：束电流密度分布调整工序，针对所述多个带状离子束，按预先确定的顺序，根据由所述束轮廓仪测量的所述束电流密度分布的测量结果，调整所述束电流密度分布调整装置，使得每个离子束的束电流密度分布成为按照每个离子束分别确定的规定的束电流密度分布；目标修正工序，在所述束电流密度分布调整工序期间，并且在对第二个以后的离子束调整束电流密度分布之前，利用先调整了束电流密度分布的离子束的束电流密度分布的调整结果，针对此后要调整束电流密度分布的离子束，修正作为调整目标的所述规定的束电流密度分布；以及玻璃基板输送工序，在所述处理室内，在与所述多个带状离子束的长边方向交叉的方向上，输送所述玻璃基板。

此外，本发明还提供一种离子注入装置，其特征在于包括：多个离子束供给装置，向处理室内提供多个带状离子束；束轮廓仪，配置在所述处理室内，分别测量所述多个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布；束电流密度分布调整装置，按照每个所述离子束供给装置分别设置，用于调整用所述束轮廓仪测量的所述束电流密度分布；以及控制装置，该控制装置对下述工序进行控制，所述工序包括：束电流密度分布调整工序，针对所述多个带状离子束，按预先确定的顺序，根据由所述束轮廓仪测量的所述束电流密度分布的测量结果，调整所述束电流密度分布调整装置，使得每个离子束的束电流密度分布成为按照每个离子束分别确定的规定的束电流密度分布；目标修正工序，在所述束电流密度分布调整工序期间，并且在对第二个以后的离子束调整束电流密度分布之前，利用先调整了束电流密度分布的离子束的束电流密度分布的调整结果，针对此后要调整束电流密度分布的离子束，修正作为调整目标的所述规定的束电流密度分布；以及玻璃基板输送工序，在所述处理室内，在与所述多个带状离子束的长边方向交叉的方向上，输送所述玻璃基板。

如果是上述的离子注入方法或离子注入装置，则可以高效地调整在离子束重迭区域中的各离子束的电流密度分布。

此外，所述玻璃基板输送工序可以在所述束电流密度分布调整工序结束之后进行。如果这样做，则由于在束电流密度分布的调整中不输送玻璃基板，所以可以防止对玻璃基板的误注入。

另一方面，调整所述多个带状离子束的顺序可以与所述玻璃基板的输送方向一致；可以在接收到对每个带状离子束的束电流密度分布调整结束的信息后，沿与所述带状离子束的长边方向交叉的方向输送所述玻璃基板。如果这样做，则由于即使所有的带状离子束的束电流密度分布的调整没有结束，也可以使用已经调整完的带状离子束，预先进行离子注入处理，所以对应地可以缩短整个离子注入处理所需要的时间。

按照本发明，可以高效地调整离子束重迭区域中的各离子束的电流密度分布。

附图说明

图1是表示本发明第一实施方式和第二实施方式的离子注入装置样子的俯视图。

图2是从Z方向看本发明第一实施方式的处理室内部时的平面图。

图3是表示离子束注入量分布和电流密度分布关系的说明图。

图4是对使图3所示的离子束的注入分布重迭两个的情况下形成的注入量分布进行说明的说明图。

图5是表示离子束注入量分布和电流密度分布的关系的说明图。

图6是表示以图5为基础，修正作为调整目标的电流密度分布的方法的一个例子的说明图。

图7是表示离子束注入量分布和电流密度分布的关系的说明图。

图8是表示以图7为基础，修正作为调整目标的电流密度分布的方法的一个例子的说明图。

图9是从Z方向看本发明第二实施方式的处理室内部时的平面图。

图10是表示本发明第三实施方式和第四实施方式的离子注入装置样子的俯视图。

图11是从Z方向看本发明第三实施方式的处理室内部时的平面图。

图12是从Z方向看本发明第四实施方式的处理室内部时的平面图。

附图标记说明

1.离子注入装置

2.第一离子束供给装置

6.第一离子束

8.控制装置

9.控制装置

10.玻璃基板

12.第二离子束供给装置

16.第二离子束

25.控制装置

具体实施方式

第一实施方式

图1是表示本发明的离子注入装置1的一个实施例的俯视图，图2是从Z方向看图1的处理室内部时的平面图。参照这些图，对本发明一个实施例的离子注入装置的整体结构进行说明。

在本发明中，以X方向作为基板的输送方向，以Y方向作为离子束的长边方向，以Z方向作为在处理室内向玻璃基板照射的离子束的行进方向。此外，在本发明中，所谓“带状离子束”是指在用垂直于离子束行进方向的平面切断离子束的情况下，离子束的断面为大体长方形的离子束。

图1中所记载的离子注入装置1主要由用单点划线包围的第一离子束供给装置2和第二离子束供给装置12构成。第一离子束供给装置2和第二离子束供给装置12分别向处理室11内提供第一离子束6和第二离子束16。

下面对各个离子束供给装置进行说明。第一离子束供给装置2具有离子源3，从该离子源3引出第一离子束6。在从离子源3引出的第一离子束6中混合有各种各样的离子。其中为了仅使所希望的离子照射到玻璃基板10上，使质量分析磁铁4和分析狭缝5协调动作，使所希望的离子与其它离子分离。该分离利用每种离子的质量数不同，利用质量分析磁铁4调整第一离子束6的偏转量，可以仅使所希望的离子通过分析狭缝5。

对于第二离子束供给装置12也同样，通过使质量分析磁铁14和分析狭缝15协调动作，仅使从离子源13引出的第二离子束16中所希望的离子照射到玻璃基板10上。

从第一离子束供给装置2、第二离子束供给装置12提供的第一离子束6、第二离子束16，利用设置在处理室11内的束轮廓仪7、17，测量每个离子束在长边方向(Y方向)上的束电流密度分布。作为该束轮廓仪的例子，可以考虑使用把公知的法拉第杯沿Y方向排列多个的多点法拉第杯或沿Y方向可以移动的单个法拉第杯。

在本发明中，离子束供给装置2、12可以具有相同的功能，也可以具有不同的功能。此外，离子束供给装置2、12也可以是不具备质量分析磁铁和分析狭缝类型的离子束供给装置。在本发明中，重要的是在玻璃基板上从各离子束供给装置提供的离子束的照射区域重迭，关于其它的结构可以进行各种各样的变更。

打开位于第一预真空室22大气一侧的插板阀20。此后，用设置于大气一侧的图中没有表示的输送机械手，把玻璃基板10搬运到第一预真空室22内。此时，位于第一预真空室22和处理室11之间的插板阀18关闭，使处理室11一侧不向大气开放。

玻璃基板10被搬运到第一预真空室22内后，关闭插板阀20，用图中没有表示的真空泵对第一预真空室22进行真空排气，使第一预真空室22内变成与处理室11相同程度的真空度(压力)。

在第一预真空室22内的真空度变成与处理室11的真空度相同程度后，打开插板阀18。然后把玻璃基板10输送到处理室11内，向箭头A所示的方向在处理室内输送，横穿第一离子束6、第二离子束16。由此实现向玻璃基板10注入离子的处理。

此后，玻璃基板10通过插板阀19，被输送到第二预真空室23内。在此，在处理室11内向玻璃基板10注入离子的处理中或在离子注入处理后的适当时刻，打开插板阀19。

完成把玻璃基板10输送到第二预真空室23内后，关闭插板阀19。此时，位于第二预真空室23的大气一侧的插板阀21处于关闭状态。在密封第二预真空室23的基础上，用图中没有表示的真空泵对第二预真空室23进行压力调整，直到室内的气氛变成与大气压相同的程度。

第二预真空室23的室内变成大气压后，打开插板阀21，用设置在大气一侧的图中没有表示的输送机械手，把玻璃基板10搬运到大气一侧。

此外，用箭头A描述了玻璃基板10在处理室内的输送方向，但不限于此。例如为了把更多的离子向玻璃基板10注入，也可以使玻璃基板10在处理室11内往复输送多次。在这种情况下，玻璃基板10在箭头A和与箭头A相反的方向上输送。

此外，也可以分别把第一预真空室22、第二预真空室23增加到多个。在这种情况下，插板阀18和插板阀19也要设置多个，来与各个的预真空室相对应。这样，由于可以分别调整多个第一预真空室内和多个第二预真空室内的压力，所以在对一个预真空室内进行压力调整期间，可以利用完成压力调整的另外的预真空室，把玻璃基板送入、送出。利用这样的结构，可以增大玻璃基板的处理个数。

此外，把第一预真空室22和第二预真空室23在基板的输送方向上成对设置，把它们沿Z方向设置多组。此外，沿Z方向准备多个玻璃基板的输送机构，使得玻璃基板10能够单个在各预真空室组中输送。此外，也可以考虑使各个输送机构同步进行输送，使在Z方向上分离开并沿X方向输送的多块玻璃基板不间断地连续横穿各离子束。由于这样做可以连续处理多个玻璃基板，所以可以进一步增大玻璃基板的处理个数。此外，在该情况下，把进行玻璃基板10送入或送出的预真空室是作为第一预真空室22还是作为第二预真空室23，只要按照每个预真空室组分别设定就可以。

图2是从Z方向看图1的处理室11内部时的平面图。

如图2所示，作为玻璃基板10的输送机构的一个例子，在支承玻璃基板10的托架24的下面设置有车轮，利用该车轮在配置在第一预真空室22、第二预真空室23及处理室11内的图中没有表示的轨道上滚动，可以使托架24沿X方向移动。在这种情况下，另外准备电动机等用于使托架24移动的动力源。在考虑玻璃基板10往复输送的情况下，如果动力源是电动机，则优选电动机可以正反转。

第一离子束6、第二离子束16在Y方向上具有比玻璃基板10长的尺寸。因此玻璃基板10在图2所示的箭头A的方向上从第一预真空室22向第二预真空室23输送的情况下，最初由第一离子束6沿玻璃基板10的整个面照射离子束。此后，由第二离子束16沿玻璃基板10的整个面照射离子束。在图2的例子中，在玻璃基板的整个面上，由各离子束照射的区域重迭。此外，分别包围第一离子束6、第二离子束16的虚线表示用于从各离子束供给装置向处理室11内提供离子束的供给路径(束线)的外形。

下面对向玻璃基板进行的离子注入处理进行详细叙述。

在离子注入处理中，在玻璃基板10上形成的离子注入量分布、离子束的电流密度分布以及玻璃基板的输送速度分别密切相关。一般而言，离子注入量(也称为剂量(ド一ズ量))与离子束的电流密度(有时也用电流量表示)成正比，与被照射对象物(在此为玻璃基板)横穿离子束时的速度成反比。

例如，以使沿玻璃基板10的整个面形成的离子注入量的分布成为大体均匀的分布为目标。在玻璃基板10的输送速度一定的情况下，如果使在与输送方向垂直的方向上的离子束的束电流密度分布大体均匀，则沿玻璃基板整个面的离子注入量的分布也大体均匀。

更具体地说，为了使沿玻璃基板整个面的离子注入量的分布成为大体均匀的分布，在图2中，在玻璃基板10大体沿离子束的短边方向以一定速度移动的情况下，只要使离子束在长边方向上的束电流密度分布大体均匀即可。在这种情况下，即使离子束在短边方向上的束电流密度分布不均匀也可以。与玻璃基板10的输送方向大体一致的离子束的短边方向上的束电流密度分布的不均(不均匀性)伴随玻璃基板的输送而被积分(積分)。因此，即使存在不均最终也会注入某一定量，所以无需考虑离子束在短边方向上的束电流密度的均匀性。此外，在输送玻璃基板10时，在未照射到玻璃基板上的离子束的两端部位的束电流密度分布与在玻璃基板上的注入量分布无关，所以无论怎么分布都没关系。

用上述的方法对玻璃基板进行离子注入处理，在使离子束的照射区域在玻璃基板10上重迭进行离子注入处理的情况下，必须要考虑以下所示的事项。

图3表示由第一离子束6、第二离子束16形成的在玻璃基板10上的离子注入量分布与电流密度分布的关系。

为了简化说明，设玻璃基板10的输送速度一定，并且针对第一离子束6、第二离子束16调整后的束电流密度分布的结果相同。此外，以最终沿整个玻璃基板10进行均匀的离子注入处理为目标。

图3所示的曲线图的横轴表示在玻璃基板上的位置，纵轴表示离子注入量或束电流密度。横轴的原点0和B点之间的距离与Y方向上的玻璃基板的尺寸一致。此外，在上侧的曲线图中，单点划线表示为了沿整个玻璃基板10进行均匀的离子注入处理，作为目标的注入量分布，实线表示利用束电流密度分布被调整后的离子束形成的注入量分布。另一方面，在下侧的曲线图中，单点划线表示作为目标的电流密度分布(目标分布)，实线表示各离子束的调整后的束电流密度分布。

对束电流密度分布进行调整，使得在各离子束供给装置中达成作为目标的注入量分布。关于具体的调整束电流密度分布的方法在后面叙述。对束电流密度分布进行调整，从而一点不差地得到所希望的分布是不可能的。因此，通常对束电流密度分布进行调整，使束电流密度分布进入到预先确定的容许范围内。例如，作为该容许范围是相对于目标分布为3～5％左右的范围。此外，在此，由于设玻璃基板的输送速度一定，所以调整后的束电流密度分布形状(图3的下侧曲线图中所记载的实线)与由束电流密度分布被调整后的离子束形成的注入量分布形状(图3的上侧曲线图中所记载的实线)成为非常相似的形状。

图4表示最终在玻璃基板上的注入量分布。图4中的单点划线表示在使两个离子束相加的情况下，作为目标的注入量分布，实线表示把由束电流密度分布被调整后的第一离子束6和第二离子束16形成的注入量分布合计后的注入量分布。由于第一离子束6和第二离子束16的电流密度分布相同，所以由被调整成图3所示的束电流密度分布的离子束形成的注入量分布刚好成为两倍。

分别调整每个离子束供给装置中的束电流密度分布，如果把由这些离子束形成的注入量分布相加，则存在与作为最终目标的注入量分布产生相当大的偏差的问题，根据情况不同，会造成远远超出容许范围。

在该例子中，对于两个离子束，使调整后的束电流密度分布相同。因此，各离子束的束电流密度分布(或注入量分布)在低于目标分布的部位或超过目标分布的部位，最终与目标分布的差为两倍。例如，着眼于在束电流密度最大的玻璃基板上的位置(图3、图4中的M点)处注入量和其目标分布的差。由于在每个离子束中该差为a(参照图3)，所以在最终的注入量分布(参照图4)中，该位置处的注入量与目标分布的差为2a。

假设实际的注入量与目标分布的差到±1.5a为止是容许范围。如果着眼于每个离子束，则由于进入到该容许范围内，是没有问题的，但是在把两个离子束的注入量分布相加的情况下，如图4所示，在玻璃基板上的位置为M点的部位，注入量就超过了容许范围。于是，已经不能说在玻璃基板的整个面上注入了规定的注入量分布的离子。如果使用这样调整后的离子束对玻璃基板实施注入，则会引起注入不良。此外可以考虑的方法是：即使没有实际的注入，当在从各离子束的束电流密度分布的数据计算出注入量分布，并准备把它们相加后的最终的注入量分布数据，在最终的注入量分布数据脱离了规定的容许范围内的情况下，根据最终注入量分布数据与目标分布的偏差量，重新调整各离子束的电流密度分布。但是这种伴随重新调整的方法是低效率的。

在本发明中，考虑到上述问题，按如下所述内容，进行各离子束的束电流密度分布的调整。

参照图1、图5～8对束电流密度分布的调整进行说明。

各离子束供给装置的束电流密度分布的调整，例如可以使用作为公知技术为公众所知的、具有多灯丝的离子源，通过增加或减少在各灯丝中流过的电流量，来调整束电流密度分布。

具体地说，使图1所示的离子束供给装置2、12的离子源3、13为沿Y方向排列多个灯丝的多灯丝型离子源。而且，使束轮廓仪7、17在Y方向上的离子束测量区域与设置在各离子源上的灯丝相对应。其中的“对应”例如是指在束轮廓仪由十五个法拉第杯构成的情况下，把束轮廓仪分成五个分别由三个法拉第杯构成的区域，并且使两个灯丝与所述各区域对应(在各离子源中，灯丝沿Y方向总共有十个)。

在这样的状态下，用束轮廓仪测量束电流密度分布的结果，如果有低于目标分布的测量区域，则增大与该区域对应的灯丝中流过的电流量，进行使束电流密度增大的操作，相反如果超过了目标分布，则减少与该区域对应的灯丝中流过的电流量，进行使束电流密度降低的操作。通过这样的操作，把束电流密度分布调整到进入目标分布的容许范围内。此外，可以进行下述调整，即：电流量的增大或减少的调整每一次调整以规定量的增量进行，反复交替进行束电流密度分布的调整和用束轮廓仪的测量，最终调整到使束电流密度分布接近目标分布。此外，每一次调整，增大或减少的电流量的增量(刻み量)，在调整中的束电流密度分布与目标分布的差大的情况下，使增量变大，在调整中的束电流密度分布与目标分布的差小的情况下，使增量变小，在上述情况下也可以分多段来设置增量。

此外，作为调整束电流密度分布的方法，对使用多个灯丝的方法进行了说明，但也可以使用与该方法不同的方法。

具体地说，替代多灯丝型的离子源，在用于提供离子束的供给路径(束线)上配置静电透镜或磁透镜，沿Y方向形成不同的电位分布或磁场分布。在这种情况下，离子源成为有一根灯丝的结构。

可以考虑出：对于静电透镜，其结构为：以从离子束的短边方向夹持离子束的方式设置一组电极，并且沿Y方向具有多组电极。而且，根据用束轮廓仪测量束电流密度分布的结果，使向各组电极施加不同的电压，并在电极组之间产生电位差。于是，在沿Y方向配置的各电极组之间通过的离子束，根据在电极组之间的电位差，沿Y方向产生局部移动，因此可以把在Y方向上的离子束的电流密度分布调整成接近规定的目标分布。

此外，磁透镜的结构是：以从离子束的短边方向夹持离子束的方式设置一组磁极，并且沿Y方向有多组磁极。而且，每个磁极组可以独立地调整流过绕在各磁极组上的线圈的电流量及其方向。并且，根据用束轮廓仪测量的结果，独立地调整流过绕在各磁极组上的线圈的电流。于是，通过构成各磁极组的一组磁极之间的离子束，根据在各磁极组中产生的磁场的大小和方向，沿Y方向产生局部移动，因此可以把在Y方向上的离子束的束电流密度分布调整成接近规定的目标分布。

此外，在使用上述的静电透镜、磁透镜的情况下，根据用束轮廓仪测量的结果，局部地调整电场、磁场，作为考虑方法可以按与对使用多灯丝型离子源的电流密度分布的进行调整的方法相同的方式来考虑。即，使束轮廓仪的规定区域(在作为束轮廓仪使用多个法拉第杯的情况下，可以用法拉第杯的数量来特别指定的规定区域)与规定数量的电极组或磁极组对应即可。

再参照图1进行说明。在两个离子束供给装置中，首先调整由第一离子束供给装置2产生的第一离子束6的束电流密度分布。然后调整由第二离子束供给装置12产生的第二离子束16的束电流密度分布。此顺序仅仅是一个例子，根据与在后述的控制装置进行的数据处理顺序的关系，预先决定从哪个离子束开始进行调整。

装置的操作员通过用户接口26向离子注入装置1设定离子注入条件。此时，把设定的离子注入条件向控制装置25发送。作为注入条件设定离子束的能量、注入量分布、离子束向基板的注入角度以及基板的输送速度等各种各样的条件，在本发明中，着眼于注入量分布和基板的输送速度。

控制装置25根据玻璃基板10的输送速度和向基板的注入量分布，决定在各离子束供给装置中对玻璃基板10实现怎样的注入量分布。例如，设沿玻璃基板10的整个面进行均匀的离子注入处理，并且玻璃基板的输送速度一定。此时，如果离子束供给装置的台数为两台，则可以把整个注入量由各装置分别分担一半，来决定由各离子束供给装置形成的注入量分布。此外，在各离子束供给装置的性能不同的情况下，可以根据性能的差别变更由各装置分担的比率。

此外，控制装置25根据由来自各离子束供给装置的离子束实现的注入量分布以及横穿各离子束时的玻璃基板的输送速度，计算各离子束在长边方向上的电流密度分布。然后，把计算出的电流密度分布作为调整各离子束的电流密度分布时的目标分布，发送到后述的控制装置8、9。

从控制装置25向控制装置8发送针对第一离子束供给装置2的束电流密度分布的目标分布数据(S1)。控制装置8第一离子束供给装置2的束电流密度分布进行调整，并存储由控制装置25发送来的作为目标的电流密度分布数据。

离子源3的启动在调整束电流密度分布之前预先进行。此时，在离子源的灯丝上流过的电流预先设定成适当的值。例如，如果离子源是多灯丝型的离子源，则使在各灯丝上流过的电流相同。该启动所涉及的控制，例如可以在由控制装置8进行的束电流密度分布的调整之前进行。从离子源3引出的第一离子束6用配置在处理室11内的束轮廓仪7测量其束电流密度分布。此后，把束电流密度分布的测量结果发送到控制装置8(S2)。

从控制装置25接收到目标分布的数据后，控制装置8为了使第一离子束6的束电流密度分布与作为目标的束电流密度分布一致，增大或减少流过设置在离子源3中的各灯丝(在此使离子源3采用多灯丝型的离子源)的电流量(S3)。反复进行S2和S3的处理，直到最终使束电流密度分布进入到目标分布的容许范围内。

此外，由控制装置8判断束电流密度分布是否进入了目标分布的容许范围内。有关容许范围的数据可以预先存储到控制装置8中，也可以在从控制装置25接收目标分布数据时一起接收。此外，有关容许范围的数据还可以由操作员通过用户接口26设定，并通过控制装置25发送到控制装置8。关于涉及该容许范围数据的处理，在后述的控制装置9中也相同。

在由控制装置8确认调整中的束电流密度分布进入到目标分布的容许范围内后，控制装置8把此时的束电流密度分布的数据作为对束电流密度分布进行调整的调整结果的数据，向控制装置25发送(S4)。

此后，控制装置25使用在第一离子束供给装置2中对电流密度分布进行调整的调整结果的数据，对在第二离子束供给装置12的束电流密度分布的调整中本来预定要发送给控制装置9的、作为目标的电流密度分布数据进行修正。在本发明中把该修正工序称之为目标修正工序。

图5～图6表示该修正的一个例子。在该例子中，为了简化说明，设玻璃基板的输送速度一定，并且在各离子束供给装置中作为目标的注入量分布相同。而且，最终在玻璃基板上形成的注入量分布是把各离子束供给装置的注入量分布相加得到的注入量分布，以沿玻璃基板整个面实现均匀的注入量分布为目标。

图5表示由从第一离子束供给装置2提供的第一离子束6形成的注入量分布和第一离子束6的束电流密度分布。图的横轴、纵轴、实线、单点划线的含意与前面说明的图3相同，在此省略说明。

图6表示由从第二离子束供给装置12提供的第二离子束16应实现的注入量分布和第二离子束16的束电流密度分布所涉及的目标分布。图6的上下曲线图中所记载的单点划线分别表示由控制装置25最初设定的针对第二离子束16的注入量分布和束电流密度分布的目标。双点划线分别表示在对第一离子束6的束电流密度分布进行调整后，考虑了该调整的、修正后的针对第二离子束16的注入量分布和束电流密度分布的目标。

在第二离子束供给装置12中进行束电流密度分布的调整时，当不考虑在第一离子束供给装置2中对束电流密度分布进行调整的调整结果，根据最初在控制装置25中作为第二离子束供给装置12的目标决定的束电流密度分布进行调整的情况下，如前面图4所示，最终与作为目标的注入量分布产生大的偏差的可能性很大。因此，把在图6中用单点划线表示的最初的目标分布修正为用双点划线表示的新的目标分布。

用双点划线表示的注入量分布是把由图5所示的第一离子束6形成的注入量分布(实线)，与第一离子束6的注入量分布的目标分布(单点划线)相关联，将图5所示的第一离子束6形成的注入量分布(实线)反转(反転)后的分布。反转的理由如下所述。

在最终的玻璃基板上的注入量分布是把第一离子束6和第二离子束16形成的注入量分布相加的注入量分布。因此，对于由束电流密度分布被调整后的第一离子束6形成的注入量分布超过第一离子束6的作为目标的注入量分布的部位，使由第二离子束16形成的注入量仅减少超过部分的注入量。相反，对于由束电流密度分布被调整后的第一离子束6形成的注入量分布低于第一离子束6的作为目标的注入量分布的部位，使由第二离子束16形成的注入量仅增加低于部分的注入量。通过这样做，由第一离子束6形成的注入量分布与由第二离子束16形成的注入量分布相互抵消，使最终在玻璃基板上的注入量分布可以接近最初预先确定的分布。

在图6中使注入量分布反转后，以该反转后的注入量分布为基础，计算为了实现该注入量分布的束电流密度分布。通过把计算出的束电流密度分布与最初的目标分布进行替换，来修正目标分布，对第二离子束16的束电流密度分布进行调整，使第二离子束16的束电流密度分布接近修正后的目标分布。

此外，叙述了通过使由第一离子束形成的注入量分布反转制作出新的目标分布，但是不一定必须完全反转。例如，只要最终注入量分布满足容许范围，即使不完全反转，只要以满足所述容许范围的程度进行反转即可。

此外，关于目标分布的修正也可以使用图7、图8所示的方法。

图7与图5相同，表示从第一离子束供给装置2提供的第一离子束6的注入量分布和束电流密度分布。与图5不同的是，图7中记载的是调整后的束电流密度分布的平均值(图7的下侧曲线图中的虚线)和由束电流密度分布被调整后的离子束形成的注入量分布的平均值(图7的上侧曲线图中的虚线)。其中所说的“平均值”是指：在Y方向上把由照射到玻璃基板上的离子束形成的注入量分布进行平均的值；以及把照射到玻璃基板上的离子束的束电流密度分布进行平均的值。

在该例子中，使用这些平均值修正目标分布。首先，最初调整第一离子束6的电流密度分布，使它接近图7所示的束电流密度分布的目标分布(图7的下侧曲线图中的单点划线)。调整结果用图7下侧的曲线图中的实线表示。然后，根据该电流密度分布的调整结果，计算出注入量分布的数据。该计算出的数据用图7的上侧曲线图中的实线表示。

此时，如果着眼于注入量分布的平均值，则可以确定：与注入量分布的目标分布(图7的上侧曲线图中的单点划线)相比，为仅高出α的值。在此，进行下述操作，即：使由第二离子束16形成的注入量分布的目标分布仅降低由第一离子束6形成的注入量分布的平均值超过目标分布的部分。

详细地说，如图8所示，使第二离子束16的注入量分布的目标分布成为比原来的目标分布仅降低α部分的值，并计算出用于实现该注入量分布的束电流密度分布。然后，把计算出的束电流密度分布作为调整第二离子束16的电流密度分布时的目标分布使用。这样，可以修正目标分布。此外，在图8中与图6相同，注入量分布和束电流密度分布的最初的目标用单点划线表示，修正后的注入量分布和束电流密度分布的目标用双点划线表示。

此外，在玻璃基板10的输送速度一定的情况下，由于第一离子束6的调整后的束电流密度分布与其目标分布的差为β，所以使针对第二离子束16的束电流密度分布的目标分布仅降低与所述β相同的部分。因此，在这样的情况下，使用注入量分布的数据，省略了计算束电流密度分布的目标分布这样的工序，计算出第一离子束6的束电流密度分布的平均值与目标分布的差，根据该差决定第二离子束16的束电流密度分布的目标分布，这样的话就可以快速地进行目标分布的修正工序。

在前面的图5、图6的例子中，对玻璃基板上的全部点进行目标分布的修正，以修正注入量分布的误差。因此，与图7、图8的例子相比，可以更正确地接近以最终的注入量分布为目标的注入量分布。另一方面，在后说明的图7、图8的例子中，由于在目标分布修正中使用了平均值，可以简化目标分布的修正。此外，由于修正的目标分布不会成为复杂的形状，所以可以简化束电流密度分布的调整。

控制装置25如上所述修正目标分布，并把修正后的目标分布发送到控制装置9(S5)。控制装置9对离子束供给装置12的束电流密度分布进行调整，并存储有关从控制装置25发送来的电流密度分布的目标分布和它的容许范围的数据。

离子源13的启动可以与离子源3同样地进行。此时，对离子源13的控制可以在由控制装置9进行的束电流密度分布的调整之前进行。

用配置在处理室11内的束轮廓仪17测量从离子源13提供的离子束16的束电流密度分布。然后把束电流密度分布的测量结果发送到控制装置9(S6)。

在接收到来自控制装置25修正后的目标分布的数据后。为了与作为目标的束电流密度分布一致，控制装置9增大或减少流过设置在离子源13中的各灯丝(在该离子源13采用多灯丝型的离子源)的电流量(S7)。反复进行S6和S7的处理，直到使束电流密度分布最终进入到目标分布的容许范围内。此外，判断束电流密度分布是否进入目标分布的容许范围内，由控制装置9进行。

用控制装置9判断出调整中的束电流密度分布进入到目标分布的容许范围内后，控制装置9把该意思向控制装置25发送(S8)。此时，从控制装置9向控制装置25发送的信号也可以是第二离子束16的调整后的束电流密度分布的数据。另一方面，与此不同，也可以使用特别信号，该特别信号使控制装置25能够理解对离子束的束电流密度分布的调整工序已经全部结束。

接收到束电流密度分布的调整工序全部结束的信息，控制装置25进行玻璃基板10的输送。具体地说，为了驱动支承玻璃基板10的托架24，使作为其动力源的电动机转动，实现玻璃基板10的输送。

另一方面，在X方向上第一离子束6和第二离子束16的间隔比玻璃基板10的尺寸大的情况下，在第一离子束6的束电流密度分布的调整结束后(图1中用S4表示的处理后)，可以把玻璃基板10向与第一离子束6的长边方向交叉的方向输送。此时，如果第二离子束16的束电流密度分布处于调整中，则在第一离子束6和第二离子束16之间，使玻璃基板10的输送暂时停止，使玻璃基板10待机。然后，在第二离子束16的束电流密度分布的调整结束后(图1中用S8表示的处理后)，再开始输送玻璃基板10，使玻璃基板10横断第二离子束16。这样，可以在束电流密度分布的调整工序之间用控制装置25实施玻璃基板10的输送。此外，在此所说的“与离子束的长边方向交叉的方向”不仅是指与离子束的长边方向垂直的方向，也包括与离子束的长边方向大体垂直的方向。这是因为即使是大体垂直的方向，也可以在玻璃基板上，在规定分布的容许范围内实现离子注入处理。

如果采用这样的结构，则即使对所有的带状离子束的束电流密度分布的调整没有结束，也可以使用已经调整过的带状离子束预先进行离子注入处理，所以可以对应地缩短整个离子注入处理所需要的时间。

在各控制装置之间的数据发送、用户接口和控制装置之间的数据发送可以用有线的电讯线路，也可以用无线通信。

此外，控制装置8、9、25即使是单独的控制装置也没有关系。如果采用单独的控制装置，则不需要在控制装置之间设置布线。

此外，在第一实施方式中，把参照图1说明的S1～S8的一系列处理称为束电流密度分布调整工序，把在该工序之间由控制装置25实施的目标分布的修正称为目标修正工序。

第二实施方式

图9表示本发明的离子注入装置的第二实施方式的处理室内部样子。关于图9的离子注入装置在ZX平面中的样子与图1相同。第二实施方式与第一实施方式不同的是：第一离子束6和第二离子束16在Y方向上的尺寸不同。这可以通过把表示本实施方式的图9和表示第一实施方式的图2进行比较来理解。由于所述离子束的尺寸不同，束电流密度分布调整工序和目标修正工序稍有不同。但是，由于其它方面与第一实施方式相同，在此以与第一实施方式的不同之处为中心进行说明。

在图9的情况下，由第一离子束6和第二离子束16在玻璃基板上照射的区域仅在一部分区域重迭。更详细地说，如果观察玻璃基板上的照射区域，可以分成：仅照射第一离子束6的区域R1；第一离子束6和第二离子束16双方重迭的区域R2；以及仅照射第二离子束16的区域R3的三个区域。这些区域沿作为离子束的长边方向的Y方向，在玻璃基板10上分别具有R1～R3的尺寸。

在此，参照图1对各区域中的束电流密度分布的调整方法进行说明。参照图1进行说明的理由是因为第二实施方式与第一实施方式的控制装置等结构相同。

根据输入用户接口26的离子注入条件，控制装置25决定从各离子束供给装置2、12提供的离子束的束电流密度分布的目标分布。其中，关于针对各离子束的束电流密度分布的目标分布，因玻璃基板上的区域不同而不同。

例如，考虑到沿玻璃基板10的整个面进行均匀的离子注入处理的情况。在每个离子束中，使区域R1和区域R3的离子束的电流密度分布的目标分布相同，但使区域R2的电流密度分布的目标分布比区域R1和区域R3的小。这是由于如果使区域R2的目标值与区域R1和区域R3相同，则在使每个离子束重迭时，会造成区域R2的注入量比其它区域大。该点在作为现有技术例举的专利文献1中也有记载。

因此，从控制装置25向控制装置8发送的有关第一离子束6的束电流密度分布的目标分布在区域R1和区域R2成为不同的分布(S1)。

然后调整第一离子束6的电流密度分布，使该电流密度分布接近由控制装置25决定的束电流密度分布的目标分布(S2、S3)。

如果束电流密度分布的调整结束，则把其结果从控制装置8发送到控制装置25。其中，发送的调整结果可以是在区域R1和区域R2两个区域中的束电流密度分布的调整结果数据，也可以仅是区域R2的数据。这是由于不使用区域R1的调整结果数据，对第二离子束16的束电流密度分布的目标分布进行修正。换句话说，仅使用位于重迭区域的束电流密度分布的调整数据用于对下一个离子束的目标进行修正。由此，可以限制发送的数据量。如果限制发送的数据量，则可以节省数据传输的时间，对应地可以缩短与数据处理相关的时间。

然后，由控制装置25修正有关第二离子束16的区域R2的束电流密度分布的目标分布。把修正后的有关区域R2的束电流密度分布的目标分布与预先准备的有关区域R3的束电流密度分布的目标分布发送到控制装置9(S5)。其中，所谓预先准备的有关区域R3的束电流密度分布的目标分布，是根据来自用户接口26的离子注入条件，由控制装置25决定的目标分布。

以来自控制装置25的目标分布的数据为基础，由控制装置9对第二离子束16的束电流密度分布进行调整。调整结束后，从控制装置9向控制装置25发送表示束电流密度分布调整工序结束的信号(S6～S8)。

然后，控制装置25接收从控制装置9发送来的束电流密度分布调整结束的信号，开始玻璃基板10的输送。此外，在该第二实施方式中也如在第一实施方式中叙述的那样，也可以在接收到各离子束的束电流密度分布调整结束的信息后，使控制装置25输送玻璃基板10，可以缩短整个离子注入处理需要的时间。

在第二实施方式中，把参照图1说明的S1～S8的一系列处理称为束电流密度分布调整工序，把在该工序之间由控制装置25实施的目标分布的修正称为目标修正工序。

第三实施方式

图10表示本发明的离子注入装置的第三实施方式。在该实施方式中也与第二实施方式相同，对与第一实施方式的不同之处进行说明，对于与第一实施方式相同的结构省略了对它们的说明。

第一实施方式的离子注入装置具有两台离子束供给装置，该第三实施方式的离子注入装置有四台离子束供给装置。在该例子中，在增加了离子束供给装置的台数之处与第一实施方式不同。

具体地说，在图1的离子注入装置1的结构中，追加图10所示的第三离子束供给装置32和第四离子束供给装置42。

追加设置的第三离子束供给装置32、第四离子束供给装置42的结构与在第一实施方式中说明的第一离子束供给装置2的结构相同，所以在此省略说明。此外，图11表示从Z方向看图10的离子注入装置31的处理室11内部时的样子。

与第一实施方式相比，伴随增加离子束供给装置的台数，束电流密度分布调整工序和目标修正工序不同。下面对这方面进行说明。

有关对第一离子束6、第二离子束16的束电流密度分布的调整与第一实施方式相同。此外，在第二离子束16的束电流密度分布调整结束后，从控制装置9向控制装置25不发送在第一实施方式中所述那样的表示对所有的离子束的束电流密度分布调整结束的信号。这是由于在第三实施方式中，进行束电流密度分布调整的离子束是四个。因此，在此在对第二离子束16的束电流密度分布调整结束后，此时从控制装置9向控制装置25发送束电流密度分布调整结果的数据。

关于对第三离子束36的束电流密度分布的调整，与对第二离子束16的束电流密度分布的调整相同。为慎重起见，对此进行说明。

用控制装置25接收针对第二离子束16的束电流密度分布的调整结果数据，对第三离子束36的束电流密度分布的目标分布进行修正。此后，把修正后的目标分布向控制装置38发送(S9)。

控制装置38根据修正后的目标分布，边用束轮廓仪37监测第三离子束36的束电流密度分布，边独立地增大或减少流过装备在离子源33(在该情况下，离子源33采用多灯丝型)中的多个灯丝的电流量，使得第三离子束36的束电流密度分布接近目标分布(S10、S11)。

对第三离子束的束电流密度分布的调整结束后，把此时的束电流密度分布的调整数据从控制装置38发送到控制装置25(S12)。

控制装置25从控制装置38接收调整结果数据，对第四离子束46的束电流密度分布的目标分布进行修正。

此后，把修正后的目标分布从控制装置25发送到控制装置39(S13)。然后，控制装置39以该修正数据为基础对第四离子束46进行束电流密度分布的调整，在调整结束的阶段，从控制装置39向控制装置25发送对所有离子束的束电流密度调整结束的信号(S14～S16)。

此后，控制装置25开始输送玻璃基板10。

此外，在该第三实施方式中也如在第一实施方式中叙述的那样，也可以在接收到各离子束的束电流密度分布调整结束的信息后，输送玻璃基板10，可以缩短整个离子注入处理所需要的时间。

具体地说，在X方向上，在各离子束的间隔比玻璃基板10的尺寸大的情况下，在第一离子束6的束电流密度分布调整结束后(在图10中用S4表示的处理后)，可以把玻璃基板10向与第一离子束6的长边方向交叉的方向输送。此时，如果第二离子束16的束电流密度分布处于调整中，则在第一离子束6和第二离子束16之间，暂时停止输送玻璃基板10，使玻璃基板10待机。然后，在第二离子束16的束电流密度分布调整结束后(在图10中用S8表示的处理后)，再开始输送玻璃基板10，使玻璃基板10横断第二离子束16。此后，同样地进行玻璃基板10的输送，使玻璃基板10横断第三离子束36和第四离子束46。可以用控制装置25实施这样的玻璃基板10的输送。

如果采用这样的结构，则即使所有的带状离子束的束电流密度分布的调整没有结束，也可以使用已经调整后的带状离子束，预先进行离子注入处理，可以对应地缩短整个离子注入处理所需要的时间。

如上面作为第三实施方式所叙述的那样，可以明确：即使在增加第一实施方式中的离子束供给装置的台数的情况下，也可以毫无问题地适用本发明。此外，在第三实施方式中，把参照图10说明的S1～S16的一系列处理称为束电流密度分布调整工序，把在该工序之间用控制装置25实施的对目标分布的修正称为目标修正工序。

第四实施方式

图12表示第四实施方式的离子注入装置的处理室内部样子。除了离子束供给装置的台数以外，该实施方式与第二实施方式相同。此外在第四实施方式中，在ZX平面上的离子注入装置的结构与图10所示的相同。

在该实施方式中，通过增加离子束供给装置的台数，与第二实施方式相比，在玻璃基板上构成重迭区域的离子束的个数不同。

如果参照图12进行说明，则在区域R1中，第一离子束6的一部分与第三离子束36的一部分重迭。而且，在区域R2中，第一离子束6的的一部分、第二离子束16的一部分、第三离子束36的一部分以及第四离子束46的一部分分别重迭。最后，在区域R3中，第二离子束的一部分和第四离子束46的一部分重迭。

另一方面，在图9所示的第二实施方式中，对于区域R1和区域R3没有离子束的重迭。因这样的差别，使束电流密度分布的调整方法不同，所以对该点进行说明。此外，在玻璃基板上的离子束照射区域R1～R3与在图9中说明的相同，沿作为离子束长边方向的Y方向，在玻璃基板10上分别具有R1～R3的尺寸。

控制装置等的结构与图10中所记载的离子注入装置31没有变化，因此以此为基础进行说明。根据用户接口26输入的离子注入条件，控制装置25发送成为针对第一离子束6的束电流密度分布的调整目标的数据(S1)。此时，与区域R1和区域R2对应的束电流密度分布的目标值(分布)的数据不同。其理由在第二实施方式部分中已经叙述了，所以在此省略详细说明。

此后，用控制装置8对第一离子束6的束电流密度分布进行调整，使束电流密度分布接近目标分布(S2、S3)。调整结束后，把调整结果从控制装置8发送到控制装置25(S4)。其中，发送到控制装置25的调整结果是与区域R1和区域R2对应的电流密度分布的调整结果。在第二实施方式中，只要发送仅与区域R2对应的调整结果就可以，但在第四实施方式中，仅这样发送是不够的。在第四实施方式中，由于在区域R1离子束也重迭，所以必须发送与区域R1和区域R2双方对应的电流密度分布的调整结果。

然后，进行对第二离子束的电流密度分布的调整。接收到第一离子束6的束电流密度分布的调整结果后，由控制装置25对第二离子束的电流密度分布的目标分布进行修正。但是，在此进行修正的是仅与区域R2对应的束电流密度分布。

与区域R3对应的束电流密度分布的目标分布，不根据从用户接口26接收输入的离子注入条件后由控制装置25最初决定的目标分布进行修正。这是由于在第一离子束6的束电流密度分布调整中，不进行与区域R3对应的束电流密度分布的调整。换个说法，这是由于区域R3与在先进行了束电流密度分布调整的第一离子束不重迭。

以一部分修正后的针对第二离子束16的束电流密度分布的目标分布为基础，对第二离子束16的束电流密度分布进行调整，调整结束后，把调整结果的数据从控制装置9发送到控制装置25(S5～S8)。

控制装置25对第三离子束36进行束电流密度分布的目标分布的修正。对于与第三离子束36的区域R2对应的束电流密度分布的目标分布，使用与束电流密度分布被调整后的第二离子束16的区域R2对应的调整结果。而且，对于与第三离子束36的区域R1对应的束电流密度分布的目标分布，使用与束电流密度分布被调整后的第一离子束6的区域R1对应的调整结果。

使用这样修正后的束电流密度分布的目标分布，对第三离子束36的电流密度分布进行调整，调整结束后，把调整结果从控制装置38向控制装置25发送(S9～S12)。

此后，与对第三离子束36的束电流密度分布的调整相同，对第四离子束46进行束电流密度分布的调整(S13～S15)。然后，把对所有离子束的束电流密度分布调整结束的情况通知控制装置25(S16)。

此后，控制装置25开始输送玻璃基板10。此外，在该第四实施方式中也如在第三实施方式中叙述的那样，也可以在接收到各离子束的束电流密度分布调整结束的信息后，输送玻璃基板10，这样可以缩短整个离子注入处理所需要的时间。

如作为第四实施方式叙述的那样，可以明确：即使增加第二实施方式中的离子束供给装置的台数，也可以毫无问题地适用本发明。此外，在第四实施方式中，把参照图10说明的S1～S16的一系列处理称为束电流密度分布调整工序，把在该工序之间由控制装置25实施的对目标分布的修正称为目标修正工序。

其它的变形例

对于第二实施方式、第三实施方式，以与第一实施方式的不同点为中心进行了说明。对于第四实施方式，以与第二实施方式的不同点为中心进行了说明。对于与作为主要基础的第一实施方式共同的结构，在第一实施方式中说明的各种各样的变形例当然也可以适用于第二实施方式～第四实施方式。

在本发明的第一实施方式～第四实施方式中，叙述了沿玻璃基板的整个面实现均匀的离子注入量分布的例子，例如作为公知技术的日本专利公开公报特开2005-235682号的图9中所记载的，也可以沿玻璃基板的输送方向使注入量的分布不同。即使采用这样的注入量分布，在利用离子束的重迭实现规定的注入量分布的情况下，当然也可以适用本发明。

此外，在本发明的第一实施方式～第四实施方式中，把处理室11作为一个室来设置，但处理室11也可以在每个离子束供给装置中作为不同的室分别设置。在这种情况下，可以在各处理室之间设置用于使基板待机的处理室。此外，在各处理室之间以及处理室和待机室之间设置插板阀，可以独立地调整各室的气氛。

此外，在本发明的第一实施方式～第四实施方式中，以使玻璃基板的输送速度一定为例进行了说明，但该输送速度也可以是可变的。例如，可以按照每个离子束来变更玻璃基板的输送速度，也可以在玻璃基板横断离子束的过程中使其输送速度按特定的函数变化。

此外，如作为公知技术众所周知的那样，通过调整流过多个灯丝的电流、或者调整施加在静电透镜中的电极上的电压、或者调整流过磁透镜的线圈的电流，把离子束在长边方向上的束电流密度分布调整成任意的不均匀的分布也没有关系。本发明的要旨涉及的是：使离子束在玻璃基板上的照射区域重迭，并对在玻璃基板上实现规定的注入量分布时的束电流密度分布进行调整，在不脱离本发明的上述要旨的范围内，玻璃基板的输送速度和电流密度分布是什么样的都可以。此外，除了前面叙述的以外，在不脱离本发明的要旨的范围内，当然也可以进行各种改良和变更。

Claims (4)

1.一种离子注入方法，其特征在于，

该离子注入方法使用的离子注入装置包括：

多个离子束供给装置，向处理室内提供多个带状离子束；

束轮廓仪，配置在所述处理室内，分别测量所述多个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布；以及

束电流密度分布调整装置，按照每个所述离子束供给装置分别设置，用于调整用所述束轮廓仪测量的所述束电流密度分布，

所述离子注入方法包括：

束电流密度分布调整工序，针对所述多个带状离子束，按预先确定的顺序，根据由所述束轮廓仪测量的所述束电流密度分布的测量结果，调整所述束电流密度分布调整装置，使得每个离子束的束电流密度分布成为按照每个离子束分别确定的规定的束电流密度分布；

目标修正工序，在所述束电流密度分布调整工序期间，并且在对第二个以后的离子束调整束电流密度分布之前，利用先调整了束电流密度分布的离子束的束电流密度分布的调整结果，针对此后要调整束电流密度分布的离子束，修正作为调整目标的所述规定的束电流密度分布；以及

玻璃基板输送工序，在所述处理室内，在与所述多个带状离子束的长边方向交叉的方向上，输送所述玻璃基板。

2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述玻璃基板输送工序在所述束电流密度分布调整工序结束之后进行。

3.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，调整所述多个带状离子束的顺序与所述玻璃基板的输送方向一致；接收到对每个带状离子束的束电流密度分布调整结束的信息后，沿与所述带状离子束的长边方向交叉的方向输送所述玻璃基板。

4.一种离子注入装置，其特征在于包括：

多个离子束供给装置，向处理室内提供多个带状离子束；

束轮廓仪，配置在所述处理室内，分别测量所述多个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布；

束电流密度分布调整装置，按照每个所述离子束供给装置分别设置，用于调整用所述束轮廓仪测量的所述束电流密度分布；以及

控制装置，该控制装置对下述工序进行控制，

所述工序包括：

束电流密度分布调整工序，针对所述多个带状离子束，按预先确定的顺序，根据由所述束轮廓仪测量的所述束电流密度分布的测量结果，调整所述束电流密度分布调整装置，使得每个离子束的束电流密度分布成为按照每个离子束分别确定的规定的束电流密度分布；

目标修正工序，在所述束电流密度分布调整工序期间，并且在对第二个以后的离子束调整束电流密度分布之前，利用先调整了束电流密度分布的离子束的束电流密度分布的调整结果，针对此后要调整束电流密度分布的离子束，修正作为调整目标的所述规定的束电流密度分布；以及

玻璃基板输送工序，在所述处理室内，在与所述多个带状离子束的长边方向交叉的方向上，输送所述玻璃基板。

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