JP2010500736A - 走査されたイオンビーム注入装置のための処理能力の向上 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (29)
- 第1方向において、軸に沿ってイオンを走査させることによって、被加工製品の中に上記イオンを注入するように構成されたイオン発生器と、
第1方向とは異なる第2方向において、上記被加工製品を移動させるように構成された可動式ステージと、
制御部からの命令を受け取るとともに、オンウエハの高速走査速度およびオフウエハの高速走査速度を備える速度で上記イオンのビームを移動させるように構成された第1方向ドライバとを備えた、生産性を最適化するイオン注入システムであって、
上記オフウエハの高速走査速度が上記オンウエハの高速走査速度よりも速く、上記オフウエハの高速走査速度と上記オンウエハの高速走査速度との間の境界が、第2方向における上記ウエハの位置によって調節される、イオン注入システム。 - 上記オンウエハの高速走査速度が、第2方向における上記イオンビームの位置によって調節される、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 上記被加工製品における略外縁に設置されたイオン検出構成部品をさらに備えた、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 第1方向と第2方向とが、互いに略直交であることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。
- 上記制御部からの命令を受け取るとともに、上記被加工製品の可動式ステージを第2方向において、低速走査速度で移動させるように構成された第2方向ドライバをさらに備えた、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 上記オフウエハの高速走査速度が、上記オンウエハの高速走査速度よりも約2〜20倍速い、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 上記オンウエハの高速走査速度が、約700cm/秒〜240000cm/秒である、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 上記制御部が、処理方法、ビーム半径、所望のイオン注入量、実際に測定されたイオン注入量、被加工製品の直径、第2方向の走査速度、長方形のイオン分布パターン、およびドーズカップ幅を含む要素に基づいて、生産性を最適化するように構成されている、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 上記イオン注入システムが、静電的システム、磁気的システム、および機械的システムのいずれか1つを備えた、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 所望の最大非均一性は、上記被加工製品の全体にわたって、約0.5%の標準偏差を有する、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 非加工製品にイオン注入する方法であって、
上記被加工製品上における高速走査速度が上記被加工製品外における高速走査速度と異なるものである高速走査速度で、第1方向においてイオンビームを走査する工程と、
第1方向とは異なる第2方向において、低速走査速度で上記被加工製品を走査する工程とを含む、非加工製品にイオン注入する方法。 - 上記被加工製品が低速走査方向において上記イオンビームを通過し、上記イオンビームが高速方向において上記被加工製品を走査する、請求項11に記載の方法。
- 上記イオンを被加工製品に注入するための処理方法を提供する工程をさらに含み、上記処理方法は、上記イオンビームの電流、イオンの注入量、低速走査方向における上記被加工製品のイオンビームの通過回数うちの少なくともいずれか1つを含む、請求項11に記載の方法。
- 所望の最大非均一性、上記被加工製品の処理時間、所望の最小イオンビーム電流、および少なくとも一つの被加工製品状態のうちの少なくともいずれか1つに基づいて上記処理方法を制御する、請求項11に記載の方法。
- 被加工製品に注入するイオンの投与量に基づいて、上記低速走査方向における複数の速度のうちの一つを選択する工程をさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 上記処理方法を制御した後で、制御された上記処理方法に関するイオン注入の生産性に基づいて、複数の、上記高速走査方向におけるオンウエハの高速走査速度およびオフウエハの高速走査速度の他の一方を選択する工程をさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 上記オフウエハの高速走査速度が上記オンウエハの高速走査速度の約2倍〜約20倍の間である、請求項11に記載の方法。
- 上記オンウエハの高速走査速度が、約700cm/秒〜約240000cm/秒の間である、請求項11に記載の方法。
- 上記低速走査速度が、約10mm/秒〜400mm/秒の間である、請求項11に記載の方法。
- 被加工製品にイオン注入する所望の上記最大非均一性が、上記被加工製品の全体にわたって、約0.5%の標準偏差を有する、請求項11に記載の方法。
- 上記オンウエハの高速走査速度において、上記高速走査方向における上記イオンビームが約10Hz〜約2000Hzの間で振動し、
上記低速走査方向における上記被加工製品が約0.06Hz〜約1Hzの間で振動する、請求項11に記載の方法。 - 上記イオン発生器は、固定式ビームを介して、第1方向において上記被加工製品を移動させることによって、上記被加工製品の中にイオンを注入するように構成されている、請求項11に記載の方法。
- 被加工製品に対するイオン注入を最適化するのための方法であって、
処理方法を提供するステップと、
ビームプロファイルを決定するステップと、
一連の性能基準を提供するステップと、
性能基準およびビームプロファイルに基づいて第1方向におけるオンウエハの高速走査速度を選択するステップと、
性能基準およびビームプロファイルに基づいて上記第1方向におけるオフウエハの高速走査速度を選択するステップと、
第2方向における低速走査速度を選択するステップと、
オフウエハの高速走査速度およびオンウエハの高速走査速度に基づいて上記処理方法を制御するステップとを含んでおり、
第2方向が第1方向に対して略直交である、方法。 - さらに生産性に基づいて、第1走査方向における複数の上記オンウエハの高速走査速度と上記オフウエハの高速走査速度のうちの一つを選択する、請求項23に記載の方法。
- 上記オンウエハの高速走査速度が約700cm/秒〜240000cm/秒である、請求項23に記載の方法。
- 上記オフウエハの高速走査速度が上記オンウエハの高速走査速度の約2倍〜約20倍の間である、請求項23に記載の方法。
- 上記低速走査速度が約10mm/秒〜約400mm/秒の間である、請求項23に記載の方法。
- 上記高速走査方向における、複数の上記オンウエハの高速走査速度とオフウエハの高速走査の1つを選択する工程は、1つ以上の所望の被加工製品の状態からさらに構成される、請求項23に記載の方法。
- 処理方法、ビーム半径、所望のイオン投与量、実際に測定されたイオン投与量、ウエハ直径、低速走査速度、長方形のイオン分布パターン、およびドーズカップ幅を含む要因に基づいて、制御部が生産性を最適化する、請求項23に記載の方法。
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