JPH05135730A - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 機械的なＹスキャンをする枚葉型イオン注入
装置において、Ｙスキャン位置に伴いＸスキャン幅を制
御することにより注入時間を短くする。 【構成】 プラテン２の後方に複数個のファラデー６，
６…を設置し、ファラデー６，６…からイオンビーム検
出を行なってＹスキャンに伴うＸスキャン幅制御器７で
スキャン幅制御を行ない、同時にＹスキャンスピード制
御を行なうＹスキャンスピード制御器８を備えて、イオ
ン注入面積の縮小を図り、注入時間の短縮を図ってい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、枚葉型イオン注入装置
に関し、特にイオンビームスキャン制御機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、枚葉型イオン注入装置は、中電流
領域でのイオン注入に用いられ、ＸＹ方向ともにある周
波数でイオンビームを走査する静電型イオン注入装置
と、Ｘ方向静電型，Ｙ方向機械的走査を行なうパラレル
スキャン型イオン注入装置とがある。
【０００３】後者のパラレルスキャン型のイオン注入装
置を図２により説明する。ウェハー１が載せられたプラ
テン２は、Ｙスキャン機構３によりＹ方向に移動する。
一方、Ｘ方向は、Ｘ偏向板４により５００Ｈｚの周波数
でイオンビーム５が走査する。このとき、プラテン２の
横後方にファラデー６が設置されており、このファラデ
ー６に入ってくるイオンビームによりオーバースキャン
が確められ、Ｘスキャン幅は一定となり、ウェハー全面
に均一にイオン注入される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の技術では、
ウェハーサイズをオーバースキャンする幅でＸスキャン
をしなければならず、Ｙ方向スキャンに関係なく、即ち
ウェハーのどの部分に注入していても、ウェハーサイズ
以上のＸスキャンをしなければならず、無駄な部分へイ
オン注入しているという問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、無駄のないイオン注入を
行なうようにしたイオン注入装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るイオン注入装置においては、機械的な
Ｙスキャンを行なう枚葉型イオン注入装置であって、Ｘ
方向での電流検出を行なう複数個からなるイオンビーム
検出器と、イオンビーム検出器によりイオンビームを検
出し、Ｘスキャン幅を自動制御するＸスキャン幅自動制
御器と、Ｙスキャンスピードを自動制御するＹスキャン
スピード自動制御器とを有するものである。
【０００７】
【作用】プラテン後方に複数のファラデーをＸ方向に一
列に具備し、個々のファラデーからイオンビームを検出
して、あるＹ地点でのＸ方向をわずかにオーバースキャ
ンしてファラデーに検出された所でスキャン幅を制御す
る。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例に係るパラレルスキャン
型イオン注入装置を示す斜視図である。
【０００９】図１において、プラテン２の後方に、複数
のイオンビーム検出器（以下、ファラデーという）６を
横方向に一列に設けてある。７はＸスキャン幅制御器、
８はＹスキャンスピード制御器である。
【００１０】ウェハー１が載せられたプラテン２は、Ｙ
方向上下にＹスキャン機構３によりスキャンする。プラ
テン２後方のＸ方向に設置された１７個のファラデー６
により、あるＹ地点でのイオンビーム検出を行なうと、
そのＹ地点でのＸ方向のスキャンの幅をＸスキャン幅制
御器７で自動的に制御する。ここから出た信号は２つに
分かれ、一つはＸ偏向板４へスキャン周波数を制御する
ための電圧を与え、もう一方はウェハーに均一にイオン
注入するためにＹ方向のスキャンスピードを自動的に制
御する。
【００１１】Ｙスキャンスピード制御器８に入り、Ｙス
キャン機構３へ電圧信号を送る。即ち、Ｙスキャンに伴
い、あるＹ地点でのＸスキャン幅が自動的に変化し、
Ｘ，Ｙともに自動的に制御しながらイオン注入してい
る。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、複数個
のファラデーを有し、Ｘスキャン幅制御器，Ｙスキャン
スピード制御器を有しているので、Ｙスキャンに伴い、
逐次Ｘスキャン幅が変化し、無駄のないイオン注入が行
なえるため、従来に較べ注入時間が約２０％短縮でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】従来例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ ウェハー ２ プラテン ３ Ｙスキャン機構 ４ Ｘ偏向板 ５ イオンビーム ６ ファラデー ７ Ｘスキャン幅制御器 ８ Ｙスキャンスピード制御器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 機械的なＹスキャンを行なう枚葉型イオ
    ン注入装置であって、 Ｘ方向での電流検出を行なう複数個からなるイオンビー
    ム検出器と、 イオンビーム検出器によりイオンビームを検出し、Ｘス
    キャン幅を自動制御するＸスキャン幅自動制御器と、 Ｙスキャンスピードを自動制御するＹスキャンスピード
    自動制御器とを有することを特徴とするイオン注入装
    置。
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