CN102655073A - 离子束照射方法和离子束照射装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供离子束照射方法和离子束照射装置，在用两台离子束供给装置对基板的上半部分和下半部分进行离子照射的串联式离子束照射装置中，即使在一台离子束供给装置停止或在处理中途异常结束的情况下，也可以对基板的整个面注入所希望的剂量。在进行一个往返的离子束照射处理后，控制基板转动机构，使基板转动180度后，再将基板放入离子束照射装置，对没有完成离子束照射处理的范围进行离子束照射，从而对基板的整个面进行离子束照射。

Description

离子束照射方法和离子束照射装置

技术领域

本发明涉及通过向基板(例如平板显示器用的玻璃基板等)照射离子束，对基板进行例如离子注入处理、离子束定向处理等处理的离子束照射装置，更具体地说，涉及并用向基板照射带状(有时也称为板状，下面相同)离子束以及把基板向与离子束的主面交叉的方向输送的方式的离子束照射装置。该离子束照射装置在向基板进行离子注入的情况下，也称为离子注入装置。

背景技术

为了提高平板显示器等的生产率等，存在使基板大型化的倾向。

如果基板大型化，则为了与其相适应来实施向该基板照射离子束的处理，需要束宽大的离子束，为了与束宽大的离子束相适应，离子源等离子束供给装置要大型化。在具有分析电磁铁的情况下，该分析电磁铁也要大型化。如果它们大型化，则会引起与它们的制作、输送、成本、容纳的建筑物等有关的各种各样的问题。

作为抑制这样的离子源等大型化的技术之一，专利文献1中记载了一种离子束照射装置，使用长边方向尺寸比基板的对应边的尺寸小的带状离子束，而且使基板在与离子束的主面交叉的方向上移动，在离子束照射的间歇至少采用在上下方向上改变基板位置及使基板转动180度中的一种方式，对基板进行多次离子束照射，由此把多个离子束照射区域连在一起，对基板的整个面进行离子束照射。在用该离子束照射装置处理的基板面内，隔着分割带形成有作为规定处理模式的重复单位的多个单元，使连接所述多个离子束照射区域的部分位于所述分割带上。

现有技术文献

专利文献1：日本专利公开公报特开2009-134923号(图8-图21)

为了提高平板显示器等的生产率，存在使基板大型化的倾向。因此要求离子照射工序效率更高。作为解决对策之一提出了串联式离子束照射装置的方案，该方案用两台离子束供给装置对基板的上半部分和下半部分照射离子。

但是，在离子束供给装置中的一台因处于维护中等而不能使用的情况下，就不能对基板的整个面进行离子照射。此外，存在下述要解决的问题：两台离子束供给装置处于运转中，当在某一步骤中，一台离子束供给装置在照射中途异常结束的情况下，也想可以对基板的整个面照射所希望的剂量。

发明内容

因此，本发明的主要目的是提供一种离子束照射方法和离子束照射装置，在用两台离子束供给装置对基板的上半部分和下半部分照射离子的串联式离子束照射装置中，即使在一台离子束供给装置停止的情况下；或者在两台离子束供给装置处于运转并开始了处理，但在某一步骤的照射中途发生了异常的情况下，也可以对基板的整个面照射所希望的剂量。

本发明提供一种离子束照射方法，其特征在于，该离子束照射方法使用离子束照射装置，所述离子束照射装置具备两台离子束供给装置，该两台离子束供给装置在用于向基板进行离子束照射的处理室中分别向所述基板照射所述离子束，由各个所述离子束供给装置进行的离子照射的各自的范围是所述基板的上半部分和下半部分，所述离子束照射装置在所述处理室中，在与所述基板被输送的方向交叉的方向上，将带状离子束向该带状离子束的主面与所述处理室中的所述基板的输送方向交叉的方向分别提供，并与所述基板的输送协调动作，向所述基板的整个面照射离子束，在所述离子束照射装置中，在所述离子束照射装置的控制装置从一台所述离子束供给装置接收到该离子束供给装置处于不能进行离子束照射的状态的没有完成准备的信号，并进行了一个往返的离子束照射处理之后，控制基板转动机构，使所述基板转动180度，然后将所述基板重新放入所述离子束照射装置，通过一个往返的离子束照射处理，从而对所述基板的整个面进行离子束照射。

按照所述的发明，在用两台离子束供给装置对基板的上半部分和下半部分照射离子的串联式离子束照射装置中，即使一台离子束供给装置处于停止中，也可以自动继续对基板的整个面进行规定剂量的照射处理。

此外，本发明还提供一种离子束照射方法，其特征在于，该离子束照射方法使用离子束照射装置，所述离子束照射装置具备两台离子束供给装置，该两台离子束供给装置在用于向基板进行离子束照射的处理室中分别向所述基板照射所述离子束，由各个所述离子束供给装置进行的离子照射的各自的范围是所述基板的上半部分和下半部分，所述离子束照射装置在所述处理室中，在与所述基板的输送的方向交叉的方向上，将带状离子束向该带状离子束的主面与所述处理室中的所述基板的输送方向交叉的方向分别提供，并与所述基板的输送协调动作，向所述基板的整个面照射离子束，在所述离子束照射装置中，在所述离子束照射装置的控制装置接收到所述两台离子束供给装置完成准备的信号，并开始离子照射处理之后，当在任一台所述离子束供给装置中，离子束照射在处理中途不能进行而异常结束时，向所述离子束照射装置的所述控制装置发送异常结束信号、照射异常位置信息信号和离子束电流值信号，并在进行了一个往返的离子束照射处理之后，控制基板转动机构，使所述基板转动180度，然后将所述基板重新放入所述离子束照射装置，所述离子束照射装置的所述控制装置识别到所述基板的哪个范围没有完成离子束照射处理，在对没有完成处理的范围照射离子束后，使所述离子束停止，使得不从所述离子束供给装置照射所述离子束，从而对所述基板的整个面进行离子束照射。

按照所述的发明，即使在两台离子束供给装置处理准备没有问题并开始处理，但在任一个步骤中离子束供给装置异常结束了的情况下，也可以仅对未照射区域照射离子，并可以自动继续对基板的整个面进行规定剂量的照射处理。

为了使离子束停止，可以断开所述离子束供给装置的离子源的电弧电源，或者可以断开所述离子束供给装置的离子源的引出电源和加速电源，或者可以断开所述离子束供给装置的离子源的电弧电源、引出电源以及加速电源。

按照所述的发明，可以使所述离子束停止，使得不从离子束供给装置向完成了所希望的剂量注入的范围照射离子束。

此外，本发明还提供一种离子束照射装置，其特征在于，所述离子束照射装置包括：两台离子束供给装置，在用于向基板进行离子束照射的处理室中分别向所述基板的上半部分和下半部分照射所述离子束；控制装置；以及基板转动机构，在所述处理室中，在与所述基板被输送的方向交叉的方向上，将带状离子束向该带状离子束的主面与所述处理室中的所述基板的输送方向交叉的方向分别提供，并与所述基板的输送协调动作，向所述基板的整个面照射离子束，在所述控制装置从一台所述离子束供给装置接收到该离子束供给装置处于离子束照射不能进行的状态的没有完成准备的信号，并进行了一个往返的离子束照射处理后，控制所述基板转动机构，使所述基板转动180度，然后将所述基板重新放入所述离子束照射装置，进行一个往返的离子束照射处理，从而对所述基板的整个面进行离子束照射。

按照本发明，在用两台离子束供给装置对基板的上半部分和下半部分照射离子的串联式离子束照射装置中，即使在一台离子束供给装置停止的情况下；或者在两台离子束供给装置处于运转并开始了处理，但在某一步骤的照射中途发生了异常的情况下，也可以对基板的整个面照射所希望的剂量。

附图说明

图1是本发明的离子束照射装置的一个实施方式的离子束照射装置的示意图。

图2是部分地表示带状离子束的一个例子的简要立体图。

图3是表示本发明的离子照射中的动作的示意图。

图4是本发明的离子束供给装置的离子源的电源连接图。

图5是在本发明的一台离子束供给装置50(b)处于停止中的情况下，向基板的整个面照射离子的流程图。

图6是表示在本发明的一台离子束供给装置50(b)处于停止中的情况下，向基板的整个面照射离子状况的说明图。

图7是在本发明的一台离子束供给装置50(b)在处理中途照射失败了的情况下，向基板的整个面照射离子的流程图。

图8是表示在本发明的一台离子束供给装置50(b)在处理中途照射失败了的情况下，向基板的整个面照射离子的状况的说明图。

图9是在本发明的一台离子束供给装置50(b)在归路的处理中途照射失败了的情况下，向基板的整个面照射离子的流程图。

图10是表示在本发明的一台离子束供给装置50(b)在归路的处理中途照射失败了的情况下，向基板的整个面照射离子的状况的说明图。

附图标记说明

100 离子束照射装置

2   基板

4A  基板立起装置

4B  基板容纳装置

6   真空预备室

8   待机室

10  处理室

50(a) 离子束供给装置

50(b) 离子束供给装置

52  离子源

53  离子束线

57  真空阀

58  离子束监测器

59  分析狭缝

60  控制装置

70  基板转动机构

72  电弧电源

74  引出电源

75  加速电源

具体实施方式

[实施例]

下面参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。

如图1所示，离子束照射装置100用于进行离子照射，在被真空排气的处理室10内对用于平板显示器等的大型基板2照射离子束B。在此，本实施方式的基板2例如包括玻璃基板、具有定向膜的玻璃基板、半导体基板以及其他的被照射离子束B的基板。此外，基板2的形状为长方形的薄板，但是也可以是圆形。

所述离子束照射装置100包括：处理室10，是被真空排气的室，在该处理室10内向基板2照射离子束B；待机室8，是与所述处理室10相邻的室，等待处理的基板2在该待机室8内待机；以及真空预备室6，位于所述待机室8和大气之间，用于放入取出基板2。各室大体为中空的长方体形，各室之间的连接部由真空阀G(闸阀)隔开。

更具体地说，所述离子束照射装置100包括：输送机构3，在所述真空预备室6、所述待机室8、所述处理室10中以两列的方式把基板2分别向相反的方向输送；控制部，例如根据所述输送机构3上的基板2的位置进行各种控制；离子束供给装置50(a)和离子束供给装置50(b)，在所述处理室10内向由所述输送机构3输送的基板2照射一对离子束B；以及基板转动机构70，在大气一侧使基板转动。

下面对各部分进行说明。在下面的说明中使用右手系的坐标系进行说明，该右手系的坐标系将水平面设为XY平面、将铅垂方向向上设为Z轴。

所述输送机构3具有相互分开的平行的一对轨道，沿所述的各个轨道在使相同形状的基板2的面板部与所述轨道平行、且使各轨道上的基板2之间保持平行的姿势的状态下，使基板2相互向相反方向行进。

更具体地说，在本实施方式中，所述一对轨道包括第一轨道31和第二轨道32，第一轨道31使基板2从基板立起装置4A起按所述真空预备室6、所述待机室8、所述处理室10的顺序的行进方向行进，所述基板立起装置4A把未处理的基板2从放成水平的状态立起；第二轨道32使基板2在按与第一轨道31相反的顺序通过各室后到达基板容纳装置4B的与行进方向相反的方向上行进，所述基板容纳装置4B把处理后的基板2从立起的状态到再放成水平状态来进行存放。如图1所示，在第一轨道31上和第二轨道32上，各基板2在立起的状态下，在使面板部保持朝向Y轴方向的状态下在X轴方向上输送。

此外，所述输送机构3在所述处理室10内使基板2从一个轨道向另一个轨道移动。具体地说，所述输送机构3还具有第三轨道33，该第三轨道33位于处理室10的最里边部位，使基板2从第一轨道31向第二轨道32移动，使基板2在处理室10内U形转弯。

此外，在所述处理室10内，从作为与所述面板部垂直的方向的Y轴方向看，各轨道上的基板2在到达规定的重叠位置34时，大体重叠。具体地说，如图1的(b)所示，在位于处理室10大体中央的重叠位置34处，使第一轨道31上的基板2的轮廓和第二轨道32上的基板2的轮廓一致。

所述控制部是所谓的计算机，该控制部例如控制各基板2的输送速度和位置、根据各基板2的位置控制设置在各室之间的真空阀G的开关、控制基板转动机构70、控制离子束B的开关等。

一对的所述离子束供给装置50(a)和离子束供给装置50(b)将带状离子束B向下述位置照射，该位置是在所述轨道上行进的基板2横穿主面Ba的位置，该主面Ba是与所述离子束行进方向平行的侧面之中大的面。在此，对所述各离子束供给装置进行详细叙述，从离子源52射出的离子束B经过分析磁铁56，被进行了动量分析后，通过狭缝59，作为带状离子束射出。如图2所示，带状离子束B(也称为板状等)在离子束的断面中，长边的长度Wz远大于短边的长度Wx。

所述各离子束B避开位于所述重叠位置34的基板2，分别通过位于所述重叠位置34的行进方向一侧和与行进方向相反的方向一侧。在此，在本实施方式中，位于所述重叠位置34的行进方向一侧(在图面上看为右侧)的离子束供给装置50(b)向基板2照射第一离子束B，位于与行进方向相反的方向一侧(在图面上看为左侧)的离子束供给装置50(a)向基板2照射第二离子束B。

此外，如图1的(b)所示，从作为与面板部垂直的方向的Y轴方向看，各离子束B相互不同地进行照射，通过各离子束B对基板2的面板部的整体进行离子束B扫描。换句话说，从作为与所述面板部平行且与所述轨道平行的方向的X轴方向看，各离子束B相邻并大体接触。通过这样把离子束B向基板2照射，通过向行进方向或与行进方向相反的方向仅输送一次基板2，就能把离子注入到面板部的整个区域。

对于这样构成的离子束照射装置100，参照图3的动作图来说明离子照射时的动作。此外，在本动作说明中，把在处理室10内在第一轨道31上、第二轨道32上输送的基板2也分别称为第一基板、第二基板。在基板2从第一轨道31上移到第二轨道32上的情况下，把其称呼从第一基板变成第二基板，但是第一基板和第二基板指的是相同的基板2。图3的(a)～(f)说明了基于时间变化的基板位置。

如图3的(a)所示，首先，送入处理室10内的第一基板在第二离子束B的左侧待机。通过各离子束B进行了一次离子照射的基板2从第一轨道31移到第二轨道32上，移到第二轨道32上的第二基板在第一离子束B右侧待机。

然后，如图3的(b)所示，第一基板向第二离子束B扫描的位置移动，面板部的下半部分区域被照射离子。同时，第二基板向第一离子束B扫描的位置移动，面板部的上半部分区域被照射离子。

如图3的(c)所示，各基板2在各自的方向上行进，如果对半个区域的离子照射结束，则从Y轴方向看，各基板2在位于第一离子束B和第二离子束B之间的重叠位置34大体重叠。因此根据图可以确定：不会出现位于前侧的第一基板遮挡应该照射位于后侧的第二基板的离子束B。

然后，如图3的(d)所示，此次与图3的(b)相反，第一基板向第一离子束B扫描的位置移动，面板部的上半部分区域被照射离子。同时，第二基板向第二离子束B扫描的位置移动，面板部的下半部分区域被照射离子。

如果各基板2完成通过离子束B，则如图3的(e)所示，第一基板向处理室10的最里边部位行进，第二基板向处理室10的送出送入口行进。此时，各基板2的面板部的整个区域都被照射了离子。

最后，如图3的(f)所示，打开真空阀G，把第二基板从处理室10送到待机室8，同时送入新的第一基板。同时，位于处理室10最里边部位的第一基板沿第三轨道33移动到第二轨道32。此后，反复进行图3的(a)～(f)的工序。即，通过使基板2在第一轨道31上行进，向面板部的整个区域照射一次离子后，通过使基板2在第二轨道32上行进，再向面板部的整个区域注入一次离子。因此，可以使向基板2照射的离子量变得更多，或者即使输送速度变快，在从处理室10出来时，也能够以所希望的离子浓度进行了注入。

按照所述的离子束照射装置100，由于使各基板2向相互相反的方向行进，并使各离子束B避开在处理室10内的重叠位置34重叠的基板2，使各离子束B分别在重叠位置34的行进方向一侧和与行进方向相反的方向一侧通过，所以从离子束B看，可以防止位于前侧的基板2遮挡位于后侧的基板2从而导致变得不能照射离子束B。此外，在重叠位置34以外，可以总是使两个离子束B向各基板2照射。

因此，由于对于各离子束B而言，大体总是同时向两块基板2照射离子，所以与以往用某一个离子束B一块块进行处理的情况相比，可以大幅度提高单位时间的处理数量。此外，在本实施方式中，由于基板2在处理室10内从第一轨道31移动到第二轨道32上，总共进行四次离子注入，所以可以大幅度增大对一块基板2的离子照射量。

此外，从与轨道平行的方向看两个离子束B，由于各离子束B相邻并大体接触，所以通过使基板2通过两台离子束供给装置(分别向基板2的上半部分和下半部分照射离子束)，可以向基板2的整个面照射离子束。因此，即使基板2是大型的，纵然不使用离子束断面的长边非常长的一个带状离子束B，也可以对基板2的面板部整个区域大体均匀地照射离子。

此外，在所述真空预备室6和所述处理室10之间设置有待机室8，此外由于各室通过真空阀G隔开，所以容易保持所述处理室10内的真空度，并可以容易防止有毒气体等向外部泄漏。

如图4所示，本实施方式的离子源52是用于导入离子源气体并在内部生成等离子体的容器，离子源52包括：等离子体生成容器78，形成有离子引出口；多个磁铁，设置在等离子体生成容器78的外部，在该等离子体生成容器78内部形成会切磁场(カプス磁埸)(更严格地说为多会切磁场，也称为多极磁场)；一个以上(在本实施方式为多个)的灯丝79，构成在等离子体生成容器78内通过电子轰击使离子源气体电离从而生成等离子体的电离部件；引出电极系统77，设置在等离子体生成容器78的离子引出口附近，通过电场的作用使离子束B加速从而从等离子体引出离子束B。

此外，引出电极系统77具有从最靠近等离子体一侧向下游一侧配置的等离子体电极771、引出电极772、抑制电极773和接地电极774。此外，在等离子体电极771和等离子体生成容器78之间设置有作为使两者之间电绝缘的绝缘部件的绝缘件775。在等离子体电极771～接地电极774各电极之间例如通过绝缘件776使它们之间相互电绝缘。

如图4所示，连接有离子源部的六种电源。电弧电源72连接在灯丝79和等离子体生成容器78之间，是用于产生等离子体的起弧电源。引出电源74连接在引出电极772和等离子体生成容器78之间，把在等离子体生成容器78内生成的离子引出。加速电源75连接在引出电源74和接地电极774之间，把离子加速到引出的离子束具有所希望的能量。

在所述的说明中，是在两台离子束供给装置50(a)和离子束供给装置50(b)正常运转状态下的离子束照射。但是，即使在某一台离子束供给装置停止的情况下；或在处理步骤中途离子束供给装置发生异常，只能到中途为止进行离子束照射的情况下，也要求对基板的整个面照射所希望的剂量。

本发明提供了实现这种要求的方法和装置。

对在离子束照射处理开始时离子束供给装置50(b)停止的情况的实施例进行说明。

参照图5、图6，在照射处理开始时接收到某个离子束供给装置没有完成准备的信号后，把基板2立起，经由真空预备室6，用离子束供给装置50(a)照射基板2的下侧(步骤1～步骤4)。由于离子束供给装置50(b)停止，不进行照射处理(步骤5)。将基板2从第一轨道31向第二轨道32横移，并输送到离子束供给装置50(b)，但不进行照射处理(步骤6～步骤8)。接着，用离子束供给装置50(a)照射基板2的下侧，将基板2经由待机室8输送到真空预备室6(步骤9～步骤11)。对真空预备室6通气，然后把基板2送出到大气一侧后，通过基板转动机构70把基板2转动180度，再将基板2放入真空预备室6(步骤12～步骤14)。用离子束供给装置50(a)照射基板2的下侧两次(步骤15～步骤23)，使基板2成为水平后将基板2存放起来(步骤24)。通过所述的离子束照射，即使在离子束供给装置50(b)停止的情况下，也可以对基板2的整个面照射所希望的剂量。

接着，对在离子束照射处理开始时两台离子束供给装置正常运转，但在去路上用离子束供给装置50(b)的照射在处理中途发生了异常的情况下的实施例进行说明。

参照图7、图8，在照射处理开始时接收到哪个离子束供给装置都准备好了的信号后，把基板2立起，经由真空预备室6，用离子束供给装置50(a)照射基板2的下侧(步骤1～步骤4)。然后离子束供给装置50(b)的照射处理在中途发生了异常(步骤5)。将基板2从第一轨道31横移到第二轨道32，并输送到离子束供给装置50(b)，但不进行照射处理(步骤6～步骤8)。然后用离子束供给装置50(a)照射基板2的下侧，然后将基板2经由待机室8输送到真空预备室6(步骤9～步骤11)。对真空预备室6通气，然后把基板2送到大气一侧后，通过基板转动机构70把基板2转动180度，再将基板2放入真空预备室6(步骤12～步骤15)。用离子束供给装置50(a)对未照射区域照射离子束(下侧)，在已照射区域使离子束停止(步骤16)。然后，虽然把基板2输送到离子束供给装置50(b)，但不进行照射处理(步骤17)。把基板2从第一轨道31横移到第二轨道32，并把基板2输送到离子束供给装置50(b)，但不进行照射处理(步骤18～步骤20)。用离子束供给装置50(a)对基板2的下侧进行照射处理(步骤21)后，经由待机室8将基板2输送到真空预备室6，对真空预备室6通气，然后将基板2送出到大气一侧，使基板2成为水平后将基板2存放起来(步骤22～步骤24)。通过所述的离子束照射，即使在离子束供给装置50(b)的离子束照射在处理中途发生异常的情况下，也可以对基板2的整个面照射所希望的剂量。

为了使离子束停止，要断开所述离子束供给装置的离子源的电弧电源72，或者要断开所述离子束供给装置的离子源的引出电源74和加速电源75，或者要断开所述离子束供给装置的离子源的电弧电源72、引出电源74以及加速电源75。

接着，对在离子束照射处理开始时两台离子束供给装置正常运转，但在归路中用离子束供给装置50(b)的照射在处理中途发生了异常的情况的实施例进行说明。参照图9、图10，在照射处理开始时接收到哪个离子束供给装置都准备好了的信号后，把基板2立起，经由真空预备室6，用离子束供给装置50(a)照射基板2的下侧(步骤1～步骤4)。然后用离子束供给装置50(b)照射基板2的上侧(步骤5)。将基板2从第一轨道31横移到第二轨道32，用离子束供给装置50(b)对基板的上侧的离子束照射在中途发生了异常(步骤6～步骤8)。然后用离子束供给装置50(a)照射基板2的下侧，经由待机室8将基板2输送到真空预备室6(步骤9～步骤11)。对真空预备室6通气，然后把基板2送到大气一侧后，通过基板转动机构70把基板2转动180度，再将基板2放入真空预备室6(步骤12～步骤15)。基板2虽然被送到离子束供给装置50(a)，但使离子束停止。然后，基板2虽然被送到离子束供给装置50(b)，但不进行照射处理(步骤17)。把基板2从第一轨道31横移到第二轨道32，之后虽然基板2被送到离子束供给装置50(b)，但不进行照射处理(步骤18～步骤20)。然后用离子束供给装置50(a)对未照射区域照射离子束(下侧)，在已照射区域使离子束停止(步骤21)。经由待机室8将基板2输送到真空预备室6，对真空预备室6通气，然后将基板2送出到大气一侧，使基板2成为水平后将基板2存放起来(步骤22～步骤24)。通过所述的离子束照射，即使在归路中用离子束供给装置50(b)的照射处理在中途发生了异常的情况下，也可以对基板2的整个面照射所希望的剂量。

Claims (4)

1.一种离子束照射方法，其特征在于，该离子束照射方法使用离子束照射装置，

所述离子束照射装置具备两台离子束供给装置，该两台离子束供给装置在用于向基板进行离子束照射的处理室中分别向所述基板照射所述离子束，由各个所述离子束供给装置进行的离子照射的各自的范围是所述基板的上半部分和下半部分，所述离子束照射装置在所述处理室中，在与所述基板被输送的方向交叉的方向上，将带状离子束向该带状离子束的主面与所述处理室中的所述基板的输送方向交叉的方向分别提供，并与所述基板的输送协调动作，向所述基板的整个面照射离子束，

在所述离子束照射装置中，在所述离子束照射装置的控制装置从一台所述离子束供给装置接收到该离子束供给装置处于不能进行离子束照射的状态的没有完成准备的信号，并进行了一个往返的离子束照射处理之后，控制基板转动机构，使所述基板转动180度，然后将所述基板重新放入所述离子束照射装置，通过一个往返的离子束照射处理，从而对所述基板的整个面进行离子束照射。

2.一种离子束照射方法，其特征在于，该离子束照射方法使用离子束照射装置，

所述离子束照射装置具备两台离子束供给装置，该两台离子束供给装置在用于向基板进行离子束照射的处理室中分别向所述基板照射所述离子束，由各个所述离子束供给装置进行的离子照射的各自的范围是所述基板的上半部分和下半部分，所述离子束照射装置在所述处理室中，在与所述基板被输送的方向交叉的方向上，将带状离子束向该带状离子束的主面与所述处理室中的所述基板的输送方向交叉的方向分别提供，并与所述基板的输送协调动作，向所述基板的整个面照射离子束，

在所述离子束照射装置中，在所述离子束照射装置的控制装置接收到所述两台离子束供给装置完成准备的信号，并开始离子照射处理之后，当在任一台所述离子束供给装置中，离子束照射在处理中途不能进行而异常结束时，向所述离子束照射装置的所述控制装置发送异常结束信号、照射异常位置信息信号和离子束电流值信号，并在进行了一个往返的离子束照射处理之后，控制基板转动机构，使所述基板转动180度，然后将所述基板重新放入所述离子束照射装置，所述离子束照射装置的所述控制装置识别到所述基板的哪个范围没有完成离子束照射处理，在对没有完成处理的范围照射离子束后，使所述离子束停止，使得不从所述离子束供给装置照射所述离子束，从而对所述基板的整个面进行离子束照射。

3.根据权利要求2所述的离子束照射方法，其特征在于，通过断开所述离子束供给装置的离子源的电弧电源，或者通过断开所述离子束供给装置的离子源的引出电源和加速电源，或者通过断开所述电弧电源、所述引出电源以及所述加速电源，使所述离子束停止，使得不从所述离子束供给装置照射所述离子束。

4.一种离子束照射装置，其特征在于，

所述离子束照射装置包括：两台离子束供给装置，在用于向基板进行离子束照射的处理室中分别向所述基板的上半部分和下半部分照射所述离子束；控制装置；以及基板转动机构，

在所述处理室中，在与所述基板被输送的方向交叉的方向上，将带状离子束向该带状离子束的主面与所述处理室中的所述基板的输送方向交叉的方向分别提供，并与所述基板的输送协调动作，向所述基板的整个面照射离子束，

在所述控制装置从一台所述离子束供给装置接收到该离子束供给装置处于离子束照射不能进行的状态的没有完成准备的信号，并进行了一个往返的离子束照射处理后，控制所述基板转动机构，使所述基板转动180度，然后将所述基板重新放入所述离子束照射装置，进行一个往返的离子束照射处理，从而对所述基板的整个面进行离子束照射。

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