TWI479544B - 半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置 - Google Patents

半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI479544B
TWI479544B TW101144105A TW101144105A TWI479544B TW I479544 B TWI479544 B TW I479544B TW 101144105 A TW101144105 A TW 101144105A TW 101144105 A TW101144105 A TW 101144105A TW I479544 B TWI479544 B TW I479544B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tray
irradiation
objects
processed
manufacturing
Prior art date
Application number
TW101144105A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201413793A (zh
Inventor
Tomohide Terashima
Yasuhiro Yoshiura
Eiko Otsuki
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of TW201413793A publication Critical patent/TW201413793A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI479544B publication Critical patent/TWI479544B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/201—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated for mounting multiple objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置
本發明是關於一種包括對被處理物照射電子或離子之製程的半導體裝置的製造方法及使用該製造方法之半導體製造裝置。
專利文獻1揭示一種技術，該技術沿著被處理物之寬度方向連續性地或間歇性地照射電子線。其中，其使電子線的焦點遠離電子線垂直入射至被處理物正面時的被處理物表面。藉此，使被處理物之寬度方向中央部之電子線之強度變弱，並使被處理物之寬度方向兩端部之電子線之強度變強，於是可沿著被處理物寬度方向均一地照射電子線。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平5-128992號公報
在某種情況下，使釋放照射物之照射裝置反覆擺盪，在此照射裝置下方，沿著與此擺盪方向垂直之方向輸送複 數個被處理物，對複數個被處理物照射照射物。為了提高處理效率，被處理物沿著輸送方向排列配置成複數列。
此時，對照射裝置之正下方附近之被處理物與離開照射裝置之正下方之被處理物而言，與照射裝置之距離不同，導致所入射之照射物之加速能量不同。又，對這些被處理物而言，照射物的入射角也不同。於是，隨著被處理物相對於照射裝置之位置不同，導致照射效果有不均一的情況發生，這使得最後的被處理物的特性也有不均一的問題。
本發明為為了解決上述之問題的發明，目的在提供一種可抑制複數個被處理物之照射效果產生不均一情況的半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置。
本發明之半導體裝置的製造方法包括將複數個被處理物排列於第一托盤之上和與上述第一托盤相接之第二托盤之上的製程；複數個照射製程，從上述第一托盤與第二托盤相接之接觸位置之正上方所形成的照射裝置釋放照射物，並且使上述照射裝置沿著橫跨上述接觸位置之方向亦即第一方向擺盪，進而使上述第一托盤和第二托盤沿著與上述第一方向垂直之第二方向移動，藉此，對上述複數個被處理物反覆照射上述照射物複數次；及更換製程，在上述複數個照射製程之間其中至少有1次在不變更朝向上述第一托盤和上述第二托盤之上述第二方向之情況下，更換上述第一托盤和第二托盤的位置。
本發明之另一半導體裝置的製造方法包括將複數個被處理物載置於托盤之上的製程；複數個照射製程，從上述 托盤之正上方所形成的照射裝置釋放照射物，並且使上述照射裝置沿著第一方向擺盪，進而使托盤沿著與上述第一方向垂直之第二方向移動，藉此，對上述複數個被處理物反覆照射上述照射物複數次；及被處理物反轉製程，在上述複數個照射製程之間，使上述複數個被處理物的每一個朝向與第二方向相反的方向反轉。
本發明之半導體製造裝置包括第一托盤；第二托盤，與上述第一托盤相接；照射製程，從上述第一托盤和第二托盤相接之接觸位置之正上方形成，釋放照射物，並且使其沿著橫跨上述接觸位置之方向亦即第一方向擺盪；及輸送帶，使上述第一托盤和上述第二托盤朝向與上述第一方向垂直之第二方向輸送。
本發明之其它特徵如以下所說明。
根據本發明，可藉由使複數個照射製程之間包括能夠改變被照射物之位置或方向的製程，抑制複數個被照射物的照射效果的不均一程度。
10‧‧‧照射裝置
12‧‧‧照射室
14‧‧‧輸送帶
16‧‧‧托盤台
18‧‧‧托盤
20‧‧‧第一群
22‧‧‧第二群
24‧‧‧第三群
26‧‧‧第四群
30‧‧‧開閉門
40‧‧‧第一托盤
42‧‧‧第二托盤
50‧‧‧光阻
60,62‧‧‧第一細長托盤
64,66‧‧‧第二細長托盤
70‧‧‧托盤
第1圖為本發明第1實施型態之半導體製造裝置的概念圖。
第2圖為表示托盤與照射裝置之相對位置的立體圖。
第3圖為表示被處理物之位置導致照射效果不同的剖面圖。
第4圖為表示將複數個被處理物排列於托盤上的平面圖。
第5圖為表示對被處理物照射照射物的平面圖。
第6圖為實施更換製程後的被處理物的平面圖。
第7圖為表示對實施更換製程後之被處理物照射照射物的平面圖。
第8圖為表示在本發明第2實施型態之第1照射製程中對被處理物照射照射物的平面圖。
第9圖為表示在第2照射製程中對被處理物照射照射物的平面圖。
第10圖為表示實施反轉製程後之托盤之位置的平面圖。
第11圖為表示在第3照射製程中對被處理物照射照射物的平面圖。
第12圖為表示在第4照射製程中對被處理物照射照射物的平面圖。
第13圖為本發明第3實施型態之托盤等的立體圖。
第14圖表示第一細長托盤與第二細長托盤之組合的平面圖。
第15圖為平面圖，表示在本發明第4實施型態之半導體裝置的製造方法中，實施照射製程後，對複數個被處理物照射照射物。
第16圖為平面圖，表示在被處理物反轉製程實施後，實施照射製程，再對複數個被處理物照射照射物。
關於本發明實施型態之半導體裝置的製造方法及 半導體製造裝置，將一邊參照圖面，一邊進行說明。相同或對應的構造元素附上相同的符號，有時會省略對其的反覆說明。
第1實施型態.
第1圖為本發明第1實施型態之半導體製造裝置的概念圖。此半導體製造裝置包括照射裝置10。照射裝置10用來對照射室12內部之被處理物照射電子或離子(之後將電子或離子稱為照射物)。在照射室12中，收納了輸送帶14。在輸送帶14之上，透過托盤台16載置了托盤18。托盤18是用來載置被處理物的。在照射室12上，安裝有開閉門30，可使被處理物進出。
第2圖為表示托盤與照射裝置之相對位置的立體圖。托盤18包括分別形成細長形狀的第一托盤40及第二托盤42。另外，第一托盤40及第二托盤42的長邊相接。第一托盤40及第二托盤42相接之位置稱為接觸位置。又，第一托盤40及第二托盤42形成相同形狀，可輕易更換位置。
照射裝置10形成於接觸位置之正上方。照射裝置10釋放照射物，並且其構造可沿著橫跨接觸位置之方向亦即第一方向(x方向)擺盪。具體而言，照射裝置10可分別朝向第一方向及與第一方向相反的方向擺盪θ角度。
在托盤18上，排列有複數個被處理物。複數個被處理物沿著與第一方向(x方向)垂直的第二方向(y方向)排列成4列。詳細地說，複數個被處理物在第一托盤40上與第二方向平行，形成並排列成2列，在第二托盤42上與第二方向平行，形成並排列成2列。
排列成4列的被處理物由分別屬於每一列的第一群20、第二群22、第三群24及第四群26所構成。在第一托盤40中，排列有第一群20及第二群22這2列。在第二托盤42中，排列有第三群24及第四群26這2列。被處理物為由矽或化合物半導體所形成的晶圓。另外，複數個被處理物藉由前述之輸送帶14，使第一托盤40及第二托盤42朝向第二方向(y方向)輸送，藉此，朝向第二方向移動。
第3圖為表示被處理物之位置導致照射效果不同的剖面圖。此圖針對照射裝置10之正下方附近之晶圓W1和非正下方之晶圓W2，表示出在被照射照射物時的照射效果的不同。所謂照射效果，是指藉由照射物之照射來改變被處理物之特性的效果。照射效果會隨著照射物之到達深度、照射物之分佈及照射物之濃度等而變化。
為使照射效果的差異容易瞭解，在晶圓W1,W2上形成具有圖案的光阻50。照射裝置10與被處理物(W1,W2)的距離設為L。當照射裝置10對晶圓W1照射照射物時，若照射角為△θ，照射長度就是L△θ。另一方面，當使照射裝置10擺盪θ角度並對晶圓W2照射照射物時，照射長度為L△θ/(cosθ)2 。
於是，角度θ越大，照射長度越長，所以，角度θ越大，入射到每單位面積的照射物的量就越少。又，角度θ越大，照射裝置10與被處理物的距離就越長，所以，角度θ越大，入射至被處理物的照射物的加速能量就越少。在此，擺盪速度為1/(cosθ)2 ，成反比，因此，每單位面積的照射量不會隨著角度θ的增減而變化，而能保持固定。不過，在此情況下也 有可能會發生一種狀況，亦即，角度θ越大，越無法避免照射物對被處理物表面產生傾斜之淺度照射的這種情況。
在此說明本發明第1實施型態之半導體裝置的製造方法。首先，複數個被處理物排列於托盤之上。第4圖為表示將複數個被處理物排列於托盤上的平面圖。直線L1為沿著接觸位置而拉出的線。距離a為接觸位置到第一群20與第二群22之間(或第三群24與第四群26之間)之位置的距離。距離r為被處理物的半徑。
第一群20排列在沿著第一方向與L1相距a+r的位置。第二群22排列在沿著第一方向與L1相距a-r的位置。第三群24排列在沿著與第一位置相反之方向與L1相距-a+r的位置。第四群26排列在沿著與第一位置相反之方向與L1相距-a-r的位置。如此，複數個被處理物排列在第一托盤40之上及第二托盤42之上。
接著，實施照射製程。第5圖為表示對被處理物照射照射物的平面圖。在照射製程中，在接觸位置之正上方所形成的照射裝置10釋放出照射物，並且使照射裝置10沿著橫跨接觸位置之方向亦即第一方向擺盪。又，使第一托盤40及第二托盤42沿著第二方向移動。第一托盤40及第二托盤42的移動以連續的方式或間歇的方式進行。如此，對複數個被處理物照射照射物。
前述之照射製程實施複數次。之後，實施更換製程。第6圖為實施更換製程後的被處理物的平面圖。在更換製程中，於不變更朝向第一托盤40及第二托盤42之第二方向的 情況下，更換第一托盤40和第二托盤42的位置。
接著，再度實施照射製程。第7圖為表示對實施更換製程後之被處理物照射照射物的平面圖。更換製程實施之前的照射製程的實施次數最好等於更換製程實施之後的照射製程的實施次數。
在此，為了給予被處理物所需要的照射量，需要100次的照射製程。當固定托盤上之被處理物的位置而實施100次的照射製程時，被處理物會根據與第一方向偏移的程度而得到不同的照射效果。更具體地說，被處理物所述的那一群最後都得到不同的照射效果。
不過，在本發明第1實施型態之半導體裝置的製造方法中，在複數個照射製程之間實施更換製程。例如，實施照射製程50次之後就實施更換製程，再實施剩下的50次的照射製程。藉由更換製程的實施，被處理物越過接觸位置而移動。例如，第一群20之被處理物在更換製程前之照射製程中，接受朝向第一方向的照射物的照射，在更換製程後之照射製程中，接受朝向與第一方向相反之方向的照射物的照射。於是，無論是哪個被處理物都會受到朝向第一方向的照射物的照射和朝向與第一方向相反之方向的照射物的照射，所以，可抑制沿著第一方向的照射量的不均一情況。於是，最後可抑制照射效果的不均一情況。
再者，在本發明第1實施型態中，整個照射製程是在被處理物之導向平台朝向第二方向的狀態下實施的。所以，可沿著與導向平台垂直的方向達成幾乎左右對稱的照射物 分佈。藉此，可確保照射物對晶片特性的影響有均一性。特別是，在電力裝置中，多沿著與導向平台垂直的方向形成幾乎左右對稱的圖案，所以，當整個照射製程在被處理物之導向平台為朝向第二方向的狀態下實施時，可提高抑制照射效果之不均一情況的效果。
不過，若將接觸位置設為第一方向之座標原點(x=0)，被處理物之照射效果可以x的函數f(x)來表示。若將照射次數(照射製程的次數)設為N，各群的照射效果如下所示。
無更換製程時的照射效果分別為
第一群20：N．f(a+r)
第二群22：N．f(a-r)
第三群24：N．f(-a+r)
第四群26：N．f(-a-r)
另一方面，實施更換製程時的照射效果分別為
第一群20：N/2．{f(a+r)+f(-a+r)}
第二群22：N/2．{f(a-r)+f(-a-r)}
第三群24：N/2．{f(-a+r)+f(a+r)}
第四群26：N/2．{f(-a-r)+f(a-r)}
此外，距離a,r如在第4圖中所定義。
實施更換製程之後，第一群20和第三群24的照射效果相同，第二群22和第四群26的照射效果相同。亦即，實施更換製程可使托盤間之照射效果沒有差異，並且如上所述，得到約略左右對稱的照射物分佈，所以，最後的結果是可大大抑制照射效果的不均一情況。
假設f(x)≠f(-x)，當沒有更換製程時，複數個被處理物產生4種照射效果，當有更換製程時，可減少為2種照射效果。假設f(x)=f(-x)，當沒有更換製程時，複數個被處理物產生2種照射效果，當有更換製程時，減少為1種照射效果。
在本發明第1實施型態中，將被處理物視為晶圓，但被處理物亦可為切割後的晶片。又，亦可在一般習知之晶圓盤上排列複數個被處理物，藉由使晶圓盤旋轉來實施照射製程。第一托盤40和第二托盤42分別將被處理物排列成2列，亦可分別排列成1列，或分別排列成3列。此外，這些變形亦可應用在以下實施型態之半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置。
第2實施型態.
本發明第2實施型態之半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置和第1實施型態一致的特點很多，所以，在此主要說明與第1實施型態的不同點。本發明第2實施型態之半導體裝置的製造方法之特徵為，實施在複數個照射製程之間使托盤反轉的反轉製程。
首先，實施照射製程25次。此25次之照射製程稱為第一照射製程。第8圖為表示在本發明第2實施型態之第1照射製程中對被處理物照射照射物的平面圖。接著，實施更換製程。接著，實施照射製程25次。此25次之照射製程稱為第2照射製程。第9圖為表示在第2照射製程中對被處理物照射照射物的平面圖。
接著，實施反轉製程。在反轉製程中，使第一托 盤40和第二托盤42朝向與第二方向相反的方向反轉。第10圖為表示實施反轉製程後之托盤之位置的平面圖。接著，實施照射製程25次。此25次的照射製程稱為第3照射製程。第11圖為表示在第3照射製程中對被處理物照射照射物的平面圖。
接著，實施更換製程。在此更換製程中，更換第一托盤40和第二托盤42的位置。接著，實施照射製程25次。此25次的照射製程稱為第4照射製程。第12圖為表示在第4照射製程中對被處理物照射照射物的平面圖。如此，實施合計100次的照射製程。
若將反轉製程前的x的照射效果設為f(x)並將反轉製程後的x的照射效果設為f’(x)，第一群20及第三群24的照射效果分別為N/4．{f(a+r)+f(-a+r)+f’(-a-r)+f’(a-r)}第二群22及第四群26的照射效果為N/4．{f(a-r)+f(-a-r)+f’(-a+r)+f’(a+r)}
在此，x座標為a+r或-a-r時的照射效果對於照射效果的不均一情況的影響較大。於是，僅在x座標位於a+r時作處理而在-a-r時不做處理，與僅在x座標位於-a-r時作處理而在a+r時不作處理，這兩者的照射效果的差異恐怕會變大。因此，在本發明第2實施型態中，藉由設置反轉製程，在x座標位於a+r時和位於-a-r時這兩個情況對對各個被處理物作處理。於是，可降低照射效果的不均一情況。
藉由本發明第2實施型態之半導體裝置的製造方法所處理的被處理物的照射效果，若將托盤的數目設為M，將 照射製程的次數設為N，將N設為2M的倍數，將如下所示。
在本發明第2實施型態之半導體裝置的製造方法中，反轉製程使第一托盤40和第二托盤42反轉，但也可在複數個照射製程之間，使第一托盤40和第二托盤42中至少其中一者朝向與第二方向相反的方向反轉。又，在複數個照射製程之間，何時實施更換製程及反轉製程可從製程簡化的觀點來作適當的決定。
第3實施型態.
本發明第3實施型態之半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置和第1實施型態一致的特點很多，所以，在此主要說明與第1實施型態的不同點。本發明第3實施型態之半導體裝置的製造方法之特徵為，設置用來載置1列被處理物的托盤。
在本發明第3實施型態之半導體製造裝置中，第一托盤和第二托盤分別分割為2個。第13圖為本發明第3實施型態之托盤等的立體圖。第一托盤40包括其上分別排列有1列被處理物的第一細長托盤60,62。第一細長托盤60和第一細長托盤62可分割。第二托盤42包括其上分別排列有1列被處理物的第二細長托盤64,66。第二細長托盤64和第二細長托盤66可分割。
本發明第3實施型態之半導體裝置的製造方法在 複數個照射製程之間實施更換細長托盤位置的更換製程複數次。藉此，所有的被處理物根據每一列接受照射製程。
第14圖表示第一細長托盤與第二細長托盤之組合的平面圖。對4種組合分別實施25次的照射製程。更換製程中的托盤更換方法並不受到第14圖所示之方法限定，但最好在使第一細長托盤60,62和第二細長托盤64,66旋轉時將更換動作單純化。
在本發明第3實施型態中，所有的被處理物根據這4列中的每一列接受照射製程，所以，可消除複數個被處理物的照射效果的不均一情況。藉由本發明第3實施型態之半導體裝置的製造方法所處理的被處理物的照射效果，若將細長托盤的數目設為M，將照射製程的次數設為N，將N設為M的倍數，將如下所示。
舉例來說，當在第一托盤40中排列3列被處理物時，就準備3個第一細長托盤。如此，每1列被處理物都被設置1個第一細長托盤(或第二細長托盤)，藉此，可得到本發明第3實施型態之半導體裝置的製造方法的效果。所以，第一細長托盤和第二細長托盤的數目並不限定於2個。
第4實施型態.
本發明第4實施型態之半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置一方面使用不分割開來的1個托盤，一方面抑制被處理物的照射效果的不均一情況。
在本發明第1實施型態之半導體裝置的製造方法中，首先，複數個被處理物載置於托盤之上。複數個被處理物與在此之前的實施型態一樣，排列成4列。接著，實施照射製程50次。第15圖為平面圖，表示在本發明第4實施型態之半導體裝置的製造方法中，實施照射製程後，對複數個被處理物照射照射物。照射裝置10和托盤70的動作和在此之前的實施型態相同。
接著，實施被處理物反轉製程。在被處理物反轉製程中，使複數個被處理物中的每一個朝向與第一方向相反的方向反轉。亦即，從被處理物的導向平台朝向第一方向的狀態反轉為朝向與第一方向相反之方向的狀態。被處理物的反轉舉例來說，可使用晶圓移動用懸臂。反轉之後，被處理物返回托盤70上原來的位置。接著，實施照射製程50次。第16圖為平面圖，表示在被處理物反轉製程實施後，實施照射製程，再對複數個被處理物照射照射物。
根據本發明第4實施型態之半導體裝置的製造方法，針對沿著與導向平台垂直之方向形成左右對稱的圖案，可得到左右對稱的照射效果。更詳細地說，從晶圓的導向平台的正中央到左右為同距離的2點可得到相等的照射效果。
藉由裝置的被處理物處理系統，相較於使托盤反轉，使晶圓(被處理物)反轉有時可得到較高的處理效率。又， 當被處理物為比晶圓小的晶片時，晶片經過旋轉後的x方向的位置幾乎不產生變化，所以，晶片的左右對稱性的均一化效果很高。此外被處理物反轉製程可組合第1或3實施型態來實施。
如在第1至4實施型態中所說明的，本發明在複數個照射製程之間，其中至少有一次，在不變更朝向第一托盤40和第二托盤42之第二方向的方向的情況下，實施更換第一托盤40和第二托盤42之位置的更換製程，或實施被處理物反轉製程，以此方式來消除照射效果的不均一情況。所以，在不喪失此特徵的情況下，可有各種變形。
10‧‧‧照射裝置
12‧‧‧照射室
14‧‧‧輸送帶
16‧‧‧托盤台
18‧‧‧托盤
30‧‧‧開閉門

Claims (5)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於包括：製程，將複數個被處理物排列於第一托盤之上和與上述第一托盤相接之第二托盤之上；複數個照射製程，從上述第一托盤與第二托盤相接之接觸位置之正上方所形成的照射裝置釋放照射物，並且使上述照射裝置沿著橫跨上述接觸位置之方向亦即第一方向擺盪，進而使上述第一托盤和第二托盤沿著與上述第一方向垂直之第二方向移動，藉此，對上述複數個被處理物反覆照射上述照射物複數次；及更換製程，在上述複數個照射製程之間其中至少有1次在不變更朝向上述第一托盤和上述第二托盤之上述第二方向之情況下，更換上述第一托盤和第二托盤的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述複數個被處理物在上述第一托盤上形成並排列成與上述第二方向平行之複數列，並且，在上述第二托盤上形成並排列成與上述第二方向平行的複數列，在上述複數個照射製程中，包括反轉製程，其使上述第一托盤與上述第二托盤中至少其中一者朝向與上述第二方向相反之方向反轉。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中，上述複數個被處理物在上述第一托盤上形成並排列成與上述第二方向平行之複數列，並且，在上述第二托盤上形成並排列成與上述第二方向平行的複數列，上述第一托盤可 分割成複數個其上排列有每1列被處理物的第一細長托盤，上述第二托盤可分割成複數個其上排列有每1列被處理物的第二細長托盤，在上述複數個照射製程之間，實施上述更換製程複數次，上述所有複數個被處理物按照上述所有複數列接受上述照射製程。
  4. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於包括：製程，將複數個被處理物載置於托盤之上；複數個照射製程，從上述托盤之正上方所形成的照射裝置釋放照射物，並且使上述照射裝置沿著第一方向擺盪，進而使托盤沿著與上述第一方向垂直之第二方向移動，藉此，對上述複數個被處理物反覆照射上述照射物複數次；及被處理物反轉製程，在上述複數個照射製程之間，使上述複數個被處理物的每一個朝向與第二方向相反的方向反轉。
  5. 一種半導體製造裝置，其特徵在於包括：第一托盤；第二托盤，與上述第一托盤相接；照射裝置，從上述第一托盤和第二托盤相接之接觸位置之正上方形成，釋放照射物，並且使其沿著橫跨上述接觸位置之方向亦即第一方向擺盪；及輸送帶，使上述第一托盤和上述第二托盤朝向與上述第一方向垂直之第二方向輸送。
TW101144105A 2012-09-26 2012-11-26 半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置 TWI479544B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/074626 WO2014049696A1 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 半導体装置の製造方法、半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201413793A TW201413793A (zh) 2014-04-01
TWI479544B true TWI479544B (zh) 2015-04-01

Family

ID=50387164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101144105A TWI479544B (zh) 2012-09-26 2012-11-26 半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9159563B2 (zh)
JP (1) JP6052291B2 (zh)
KR (1) KR101691457B1 (zh)
DE (1) DE112012006944B4 (zh)
TW (1) TWI479544B (zh)
WO (1) WO2014049696A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107958859B (zh) * 2017-11-30 2023-08-15 扬州虹扬科技发展有限公司 一种摆动装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5935629A (en) * 1998-03-19 1999-08-10 Campagna-Turano Bakeries, Inc. Apparatus and method for cross-scoring a dough loaf
US20040104202A1 (en) * 2000-01-28 2004-06-03 Gsi Lumonics, Inc. Laser scanning method and system for marking articles such as printed circuit boards, integrated circuits and the like
TW200907334A (en) * 2007-08-10 2009-02-16 Ever Advanced Prec Technology Co Ltd Method and equipment for inspecting rectangular panel

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50101574U (zh) * 1974-01-28 1975-08-22
DE2752464C2 (de) * 1977-11-24 1984-03-22 Fr. Winkler KG Spezialfabrik für Bäckereimaschinen und Backöfen, 7730 Villingen-Schwenningen Anlage zur automatischen Herstellung von arabischem Fladenbrot
JPS59158100U (ja) * 1983-04-09 1984-10-23 ソニー株式会社 走査型電子線加速装置
JPH05128992A (ja) 1991-10-31 1993-05-25 Kawasaki Steel Corp 電子ビーム照射方法及び電子ビーム照射装置
JPH08220300A (ja) * 1995-02-17 1996-08-30 Nissin High Voltage Co Ltd 電子線照射装置
US5937270A (en) * 1996-01-24 1999-08-10 Micron Electronics, Inc. Method of efficiently laser marking singulated semiconductor devices
US5994706A (en) * 1997-05-09 1999-11-30 Titan Corporation Article irradiation system in which article-transporting conveyor is closely encompassed by shielding material
US6056108A (en) * 1997-11-17 2000-05-02 Adept Technology, Inc. Impulse-based, flexible parts feeder
JP2009236633A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Panasonic Electric Works Co Ltd Ｘ線異物検査装置
JP2012044018A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Fuji Mach Mfg Co Ltd 部品実装装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5935629A (en) * 1998-03-19 1999-08-10 Campagna-Turano Bakeries, Inc. Apparatus and method for cross-scoring a dough loaf
US20040104202A1 (en) * 2000-01-28 2004-06-03 Gsi Lumonics, Inc. Laser scanning method and system for marking articles such as printed circuit boards, integrated circuits and the like
TW200907334A (en) * 2007-08-10 2009-02-16 Ever Advanced Prec Technology Co Ltd Method and equipment for inspecting rectangular panel

Also Published As

Publication number Publication date
DE112012006944T5 (de) 2015-06-11
US20150228488A1 (en) 2015-08-13
KR101691457B1 (ko) 2016-12-30
JPWO2014049696A1 (ja) 2016-08-22
US9159563B2 (en) 2015-10-13
JP6052291B2 (ja) 2016-12-27
KR20150041126A (ko) 2015-04-15
DE112012006944B4 (de) 2019-12-05
TW201413793A (zh) 2014-04-01
WO2014049696A1 (ja) 2014-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9601314B2 (en) Ion implantation apparatus and ion implantation method
KR100722159B1 (ko) 이온주입방법 및 그 장치
TWI541870B (zh) 離子植入方法及離子植入裝置
TWI430288B (zh) Charged particle line irradiation device
TWI585829B (zh) 離子植入方法及離子植入設備
KR101243744B1 (ko) 이온주입장치
US9646837B2 (en) Ion implantation method and ion implantation apparatus
TWI389182B (zh) 離子束照射方法及離子束照射裝置
TWI479544B (zh) 半導體裝置的製造方法及半導體製造裝置
JP2014022347A (ja) イオン注入方法およびイオン注入装置
JP2003098300A (ja) 電子線照射装置
JP2005045124A (ja) ステンシルマスク、荷電粒子照射装置及び方法
JP2011129332A (ja) イオンビーム照射装置
KR20160001585A (ko) 이온 주입 방법
JP6712587B2 (ja) 走査露光装置
CN105655219B (zh) 提升晶圆离子植入剂量比例的离子布植方法与系统
JP2011165421A (ja) イオンビーム照射方法およびイオンビーム照射装置
JP2020018390A (ja) 電子線殺菌装置
CN103247716A (zh) 太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置
JP2018102486A (ja) エネルギー変調装置及びこれを用いた粒子線治療装置
TWI533358B (zh) 離子佈植機及其離子佈植方法
KR101593054B1 (ko) 가변 로봇핸드를 구비한 반송 로봇
TWI541871B (zh) 用於植入離子至複數個底材中之方法及離子植入裝置
JP2011192583A (ja) イオンビーム照射装置
JPH0419953A (ja) イオンビーム照射装置及びイオンビーム源