KR101691457B1 - 반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본원의 발명에 관한 반도체장치의 제조방법은, 복수의 피처리물을, 제1트레이 위와, 상기 제1트레이와 접하는 제2트레이 위에 늘어놓은 공정과, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이가 접하는 접촉 위치의 바로 위에 형성된 조사장치로부터 조사물을 방출하면서, 상기 조사장치를 상기 접촉 위치를 횡단하는 방향인 제1 방향을 따라 스윙시키고, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이를 상기 제1 방향과 수직을 이루는 제2 방향으로 이동시킴으로써 상기 복수의 피처리물에 상기 조사물을 조사하는 것을 복수회 반복하는 복수의 조사공정과, 상기 복수의 조사공정의 사이에 적어도 1회 실시되고, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이의 상기 제2 방향으로 향하는 방향을 변경하지 않고 상기 제1트레이와 상기 제2트레이의 위치를 교체하는 교체공정을 구비한다.

Description

반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치{SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은, 피처리물에 전자 또는 이온을 조사하는 공정을 구비한 반도체장치의 제조방법과 그 제조방법에 사용하는 반도체 제조장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 피처리물의 폭 방향을 따라 연속적 또는 단속적으로 전자선을 조사하는 기술이 개시되어 있다. 그리고, 전자선의 초점을, 전자선이 피처리물 정면에 수직하게 입사하는 경우에 있어서 피처리물 표면보다도 멀리 위치시켜 조사한다. 이에 따라, 피처리물의 폭 방향 중앙부에 있어서의 전자선의 강도가 약해지고, 또한 피처리물의 폭 방향 양단부에 있어서의 전자선의 강도가 강해지므로, 피처리물 폭 방향으로 균일하게 전자선이 조사된다.
일본국 특개평 5-128992호 공보
조사물을 방출하는 조사장치를 반복하여 스윙시키고, 이 조사장치의 아래쪽에서 이 스윙의 방향과 수직 방향으로 복수의 피처리물을 보내고, 복수의 피처리물에 조사물을 조사하는 일이 있다. 처리 효율을 높이기 위해 피처리물은 이송 방향으로 복수 열로 나란하게 배치한다.
이때, 조사장치의 바로 아래 근방의 피처리물과 조사장치의 바로 아래로부터 떨어진 피처리물에서는, 조사장치로부터의 거리가 다르기 때문에 입사하는 조사물의 가속 에너지가 다르다. 또한, 이들 피처리물 사이에서는 조사물의 입사각도 다르다. 따라서, 조사장치에 대한 피처리물의 상대적인 위치에 의해 조사 효과에 격차가 생기고, 이것이 최종적인 피처리물의 특성을 변동시키는 문제가 있었다.
본 발명은 상기 한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 복수의 피처리물의 조사 효과의 격차를 억제할 수 있는 반도체장치의 제조방법과 반도체 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원의 발명에 관한 반도체장치의 제조방법은, 복수의 피처리물을, 제1트레이 위와, 상기 제1트레이와 접하는 제2트레이 위에 늘어놓은 공정과, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이가 접하는 접촉 위치의 바로 위에 형성된 조사장치로부터 조사물을 방출하면서, 상기 조사장치를 상기 접촉 위치를 횡단하는 방향인 제1 방향을 따라 스윙시키고, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이를 상기 제1 방향과 수직을 이루는 제2 방향으로 이동시킴으로써 상기 복수의 피처리물에 상기 조사물을 조사하는 것을 복수회 반복하는 복수의 조사공정과, 상기 복수의 조사공정의 사이에 적어도 1회 실시되고, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이의 상기 제2 방향으로 향하는 방향을 변경하지 않고 상기 제1트레이와 상기 제2트레이의 위치를 교체하는 교체공정을 구비한다.
본원의 발명에 관한 또 다른 반도체장치의 제조방법은, 복수의 피처리물을 트레이 위에 싣는 공정과, 상기 트레이의 바로 위에 형성된 조사장치로부터 조사물을 방출하면서 상기 조사장치를 제1 방향을 따라 스윙시키고, 상기 트레이를 상기 제1 방향과 수직을 이루는 제2 방향으로 이동시킴으로써 상기 복수의 피처리물에 상기 조사물을 조사하는 것을 복수회 반복하는 복수의 조사공정과, 상기 복수의 조사공정의 사이에, 상기 복수의 피처리물의 각각을 상기 제2 방향과 반대 방향을 향하도록 반전시키는 피처리물 반전공정을 구비한다.
본원의 발명에 관한 반도체 제조장치는, 제1트레이와, 상기 제1트레이와 접하는 제2트레이와, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이가 접하는 접촉 위치의 바로 위에 형성되고, 조사물을 방출하면서 상기 접촉 위치를 횡단하는 방향인 제1 방향을 따라 스윙하는 조사장치와, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이를 상기 제1 방향과 수직을 이루는 제2 방향으로 보내는 컨베이어를 구비한다.
본 발명의 그 밖의 특징은 이하에서 명확해진다.
본 발명에 따르면, 복수의 조사공정의 사이에 피조사물의 위치 또는 방향을 바꾸는 공정을 구비하는 것에 의해, 복수의 피조사물의 조사 효과의 격차를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태 1에 관한 반도체 제조장치의 개념도다.
도 2는 트레이와 조사장치와의 상대 위치를 나타낸 사시도다.
도 3은 피처리물의 위치에 의한 조사 효과의 차이를 나타낸 단면도다.
도 4는 복수의 피처리물을 트레이 위로 늘어놓은 것을 나타낸 평면도다.
도 5는 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
도 6은 교체공정을 실시한 후의 피처리물의 평면도다.
도 7은 교체공정 실시후에 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
도 8은 본 발명의 실시형태 2에 관한 제1조사공정애서 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
도 9는 제2조사공정에서 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
도 10은 반전공정 실시후의 트레이의 위치를 나타낸 평면도다.
도 11은 제3조사공정에서 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
도 12는 제4조사공정에서 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
도 13은 본 발명의 실시형태 3에 관한 트레이 등의 사시도다.
도 14는 제1의 얇은 트레이(thin tray)와 제2의 얇은 트레이의 조합을 나타낸 평면도다.
도 15는 본 발명의 실시형태 4에 관한 반도체장치의 제조방법에 있어서, 조사공정을 실시하여, 복수의 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
도 16은 피처리물 반전공정 실시후에 조사공정을 실시하여, 복수의 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
본 발명의 실시형태에 관한 반도체장치의 제조방법과 반도체 제조장치에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 동일 또는 대응하는 구성요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명의 반복을 생략하는 경우가 있다.
실시형태 1.
도 1은, 본 발명의 실시형태 1에 관한 반도체 제조장치의 개념도다. 이 반도체 제조장치는 조사장치(10)를 구비하고 있다. 조사장치(10)는, 조사실(12)의 내부의 피처리물에, 전자 또는 이온(이후, 전자 또는 이온을 조사물이라고 칭한다)을 조사하는 것이다. 조사실(12)에는 컨베이어(14)가 수용되어 있다. 컨베이어(14) 위에는 트레이 대(16)를 개재하여 트레이(18)가 실려 있다. 트레이(18)는 피처리물을 싣기 위해서 사용된다. 조사실(12)에는 개폐 문(30)을 부착되어, 피처리물의 출입이 가능해져 있다.
도 2는, 트레이와 조사장치의 상대 위치를 나타낸 사시도다. 트레이(18)는, 각각 가늘고 긴 형상으로 형성된 제1트레이(40)와 제2트레이(42)를 구비하고 있다. 그리고, 제1트레이(40)와 제2트레이(42)의 긴 변끼리가 접하고 있다. 제1트레이(40)와 제2트레이(42)가 접하는 위치를 접촉 위치라고 칭한다. 또한, 제1트레이(40)와 제2트레이(42)는 같은 형상으로 형성되어 용이하게 위치를 교체할 수 있다.
조사장치(10)는 접촉 위치의 바로 위에 형성되어 있다. 조사장치(10)는, 조사물을 방출하면서, 접촉 위치를 횡단하는 방향인 제1 방향(x 방향)을 따라 스윙 하도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 조사장치(10)는, 제1 방향과 제1 방향과 반대 방향으로 각각 각도 θ만큼 스윙할 수 있다.
트레이(18)에는 복수의 피처리물이 늘어놓아져 있다. 복수의 피처리물은, 제1 방향(x 방향)과 수직을 이루는 제2 방향(y방향)을 따라 4열로 늘어놓아져 있다. 상세하게는, 복수의 피처리물은, 제1트레이(40) 위에 제2 방향과 평행하게 2개의 열을 형성하도록 늘어놓아져 있는 동시에, 제2트레이(42) 위에 제2 방향과 평행하게 2개의 열을 형성하도록 늘어놓아져 있다.
4열로 늘어놓아진 피처리물은, 1열마다 나뉜 제1군(20), 제2군(22), 제3군(24), 제4군(26)으로 구성되어 있다. 제1트레이(40)에는 제1군(20)과 제2군(22)의 2열의 피처리물이 늘어놓아져 있다. 제2트레이(42)에는 제3군(24)과 제4군(26)의 2열의 피처리물이 늘어놓아져 있다. 피처리물은 Si 또는 화합물 반도체로 형성된 웨이퍼다. 그리고 복수의 피처리물은, 전술한 컨베이어(14)에 의해 제1트레이(40)와 제2트레이(42)를 제2 방향(y 방향)으로 보냄으로써, 제2 방향으로 이동하도록 되어 있다.
도 3은, 피처리물의 위치에 의한 조사 효과의 차이를 나타낸 단면도다. 이 도면은, 조사장치(10)의 바로 아래 근방의 웨이퍼 W1과 바로 아래가 아닌 웨이퍼 W2에 대하여, 조사물을 조사한 경우의 조사 효과의 차이를 나타내고 있다. 조사 효과란, 조사물의 조사에 의해 피처리물의 특성을 변하게 하는 효과를 말한다. 조사 효과는, 조사물의 도달 깊이, 조사물의 분포, 및 조사물의 농도 등에 의해 변화한다.
조사 효과의 차이를 이해하기 쉽게 하기 위해 웨이퍼 W1, W2에 패터닝된 레지스트(50)를 형성하고 있다. 조사장치(10)와 피처리물(W1, W2)의 거리를 L이라고 한다. 조사장치(10)가 웨이퍼 W1에 조사물을 조사하는 경우에는, 조사각을 Δθ라고 하면, 조사 길이는 LΔθ가 된다. 한편, 조사장치(10)를 각도 θ만큼 스윙시켜 웨이퍼 W2에 조사물을 조사하는 경우에는, 조사 길이는 LΔθ/(cosθ)2가 된다.
따라서, 각도 θ이 클수록 조사 길이가 길어지므로, 각도 θ이 클수록 단위면적당에 입사하는 조사물의 양이 줄어든다. 또한, 각도 θ이 클수록 조사장치(10)와 피처리물의 거리가 길어지므로, 각도 θ이 클수록 피처리물에 입사하는 조사물의 가속 에너지가 감소한다. 여기에서, 스윙 속도를 1/(cosθ)2에 반비례하게 함으로써 각도 θ의 증감에 상관없이 단위면적당의 조사량을 일정하게 유지할 수 있다. 그렇지만 이 경우에도, 각도 θ이 클수록 조사물이 피처리물 표면에 대하여 비스듬하게 얕게 조사되는 것은 회피할 수 없다.
본 발명의 실시형태 1에 관한 반도체장치의 제조방법을 설명한다. 우선, 복수의 피처리물을 트레이 위에 늘어놓는다. 도 4는, 복수의 피처리물을 트레이 위로 늘어놓은 것을 나타낸 평면도다. 직선 L1은 접촉 위치를 따라 그려진 선이다. 거리 a는 접촉 위치로부터, 제1군(20)과 제2군(22) 사이(또는 제3군(24)과 제4군(26) 사이)의 위치까지의 거리다. 거리 r은 피처리물의 반경이다.
제1군(20)을, L1으로부터 제1 방향으로 a+r만큼 떨어진 위치에 늘어놓는다. 제2군(22)을, L1으로부터 제1 방향으로 a-r만큼 떨어진 위치에 늘어놓는다. 제3군(24)을, L1으로부터 제1 위치와 반대 방향으로 -a+r만큼 떨어진 위치에 늘어놓는다. 제4군(26)을, L1으로부터 제1 위치와 반대 방향으로 -a-r만큼 떨어진 위치에 늘어놓는다. 이와 같이, 복수의 피처리물을 제1트레이(40) 위와 제2트레이(42) 위에 늘어놓는다.
이어서, 조사공정을 실시한다. 도 5는, 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다. 조사공정에서는, 접촉 위치의 바로 위에 형성된 조사장치(10)로부터 조사물을 방출하면서, 조사장치(10)를 접촉 위치를 횡단하는 방향인 제1 방향을 따라 스윙시킨다. 또한, 제1트레이(40)와 제2트레이(42)를 제2 방향으로 이동시킨다. 제1트레이(40)와 제2트레이(42)의 이동은 연속적 또는 간헐적으로 행한다. 이와 같이 복수의 피처리물에 조사물을 조사한다.
상기한 조사공정은 복수회 실시한다. 그후, 교체공정을 실시한다. 도 6은, 교체공정을 실시한 후의 피처리물의 평면도다. 교체공정에서는, 제1트레이(40)와 제2트레이(42)의 제2 방향으로 향하는 방향을 변경하지 않고 제1트레이(40)와 제2트레이(42)의 위치를 교체한다.
이어서, 다시 조사공정을 실시한다. 도 7은, 교체공정 실시후에 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다. 교체공정 실시전의 조사공정의 실시 횟수와, 교체공정 실시후의 조사공정의 실시 횟수를 같게 하는 것이 바람직하다.
여기에서, 피처리물에 대하여 원하는 조사량을 제공하기 위해 100회의 조사공정을 필요로 하는 것으로 한다. 트레이 위에 있어서의 피처리물의 위치를 고정한 채 100회의 조사공정을 실시했다고 하면, 피처리물이 제1 방향으로 어느 만큼 벗어나 있는지에 의존해서 조사 효과가 바뀐다. 더욱 구체적으로는, 피처리물이 속하는 군마다 조사 효과가 변동되어 버린다.
그런데, 본 발명의 실시형태 1에 관한 반도체장치의 제조방법에서는, 복수의 조사공정의 사이에 교체공정을 실시한다. 예를 들면 50회 조사공정을 실시한 후에 교체공정을 실시하고, 다시 나머지의 50회의 조사공정을 실시한다. 교체공정의 실시에 의해, 피처리물은 접촉 위치를 넘어서 이동한다. 예를 들면, 제1군(20)의 피처리물은, 교체공정전의 조사공정에서는 제1 방향으로 향하는 조사물의 조사를 받고, 교체공정후의 조사공정에서는 제1 방향과 반대 방향으로 향하는 조사물의 조사를 받는다. 따라서 어떤 피처리물도, 제1 방향으로 향하는 조사물의 조사와 제1 방향과 반대 방향으로 향하는 조사물의 조사를 받으므로, 제1 방향을 따른 조사량의 격차를 억제할 수 있다. 그 결과, 조사 효과의 격차를 억제할 수 있다.
더구나, 본 발명의 실시형태 1에서는, 조사공정의 전체를, 피처리물의 오리엔테이션 플랫이 제2 방향을 향한 상태에서 실시하였다. 따라서, 오리엔테이션 플랫에 수직한 방향에 대하여 거의 좌우 대칭의 조사물 분포로 할 수 있다. 이에 따라, 조사물이 칩의 특성에 미치는 영향의 균일성을 확보할 수 있다. 특히, 파워 디바이스에서는 오리엔테이션 플랫에 수직한 방향에 대하여 거의 좌우 대칭의 패턴을 형성하는 일이 많으므로, 조사공정의 전체를 피처리물의 오리엔테이션 플랫이 제2 방향을 향한 상태에서 실시하면 조사 효과의 격차를 억제하는 효과를 높일 수 있다.
그런데, 접촉 위치를 제1 방향의 좌표 원점(x=0)으로 하면, 피처리물의 조사 효과는 x의 함수 f(x)로 표시할 수 있다. 조사 횟수(조사공정의 횟수)를 N이라고 하면 각 군의 조사 효과는 아래와 같아진다.
교체공정이 없는 경우의 조사 효과는,
제1군(20): N·f(a+r),
제2군(22): N·f(a-r),
제3군(24): N·f(-a+r),
제4군(26): N·f(-a-r)이다.
한편, 교체공정을 실시한 경우의 조사 효과는,
제1군(20): N/2·{f(a+r)+f(-a+r)}
제2군(22): N/2·{f(a-r)+f(-a-r)}
제3군(24): N/2·{f(-a+r)+f(a+r)}
제4군(26): N/2·{f(-a-r)+f(a-r)}이다. 이때, 거리 a, r은 도 4에서 정의한 것과 같다.
교체공정을 실시한 경우, 제1군(20)과 제3군(24)의 조사 효과는 동일하고, 제2군(22)과 제4군(26)의 조사 효과는 동일하다. 즉 교체공정을 실시하면 트레이 사이의 조사 효과의 차이를 없앨 수 있고, 게다가 상기한 것과 같이 대략 좌우 대칭의 조사물 분포가 되므로, 결과적으로 상당한 조사 효과의 격차 억제를 할 수 있다.
f(x)≠f(-x)를 가정하면 교체공정이 없는 경우에는 복수의 피처리물에 대하여 4가지의 조사 효과가 생기지만, 교체공정이 있는 경우에는 2가지의 조사 효과로 저감할 수 있다. f(x)=f(-x)를 가정하면 교체공정이 없는 경우에는 복수의 피처리물에 대하여 2가지의 조사 효과가 생기지만, 교체공정이 있는 경우에는 1가지의 조사 효과로 저감할 수 있다.
본 발명의 실시형태 1에서는 피처리물을 웨이퍼로 했지만, 피처리물은 다이싱후의 칩이어도 된다. 또한, 예를 들면 주지의 웨이퍼 디스크에 복수의 피처리물을 늘어놓고, 웨이퍼 디스크를 회전시킴으로써 조사공정을 실시해도 된다. 제1트레이(40)와 제2트레이(42)에서 2열씩 피처리물을 늘어놓았지만, 각각 1열씩 늘어놓아도 되고, 각각 3열 이상 늘어놓아도 된다. 이때, 이들 변형은, 이하의 실시형태에 관한 반도체장치의 제조방법과 반도체 제조장치에도 응용할 수 있다.
실시형태 2.
본 발명의 실시형태 2에 관한 반도체장치의 제조방법과 반도체 제조장치는, 실시형태 1과 일치하는 점이 많으므로, 실시형태 1과의 차이점을 중심으로 설명한다. 본 발명의 실시형태 2에 관한 반도체장치의 제조방법은, 복수의 조사공정의 사이에 트레이를 반전시키는 반전공정을 실시하는 것을 특징으로 한다.
우선, 조사공정을 25회 실시한다. 이 25회의 조사공정을 제1조사공정이라고 칭한다. 도 8은, 본 발명의 실시형태 2에 관한 제1조사공정에서 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다. 이어서, 교체공정을 실시한다. 이어서, 조사공정을 25회 실시한다. 이 25회의 조사공정을 제2조사공정이라고 칭한다. 도 9는, 제2조사공정에서 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
이어서, 반전공정을 실시한다. 반전공정에서는 제1트레이(40)와 제2트레이(42)를 제2 방향과 반대를 향하도록 반전시킨다. 도 10은, 반전공정 실시후의 트레이의 위치를 나타낸 평면도다. 이어서, 조사공정을 25회 실시한다. 이 25회의 조사공정을 제3조사공정이라고 칭한다. 도 11은, 제3조사공정애서 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
이어서, 교체공정을 실시한다. 이 교체공정에서는 제1트레이(40)와 제2트레이(42)의 위치를 교체한다. 이어서, 조사공정을 25회 실시한다. 이 25회의 조사공정을 제4조사공정이라고 칭한다. 도 12는, 제4조사공정에서 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다. 이와 같이 해서 합계 100회의 조사공정을 실시한다.
반전공정전의 x에 있어서의 조사 효과를 f(x), 반전공정후의 x에 있어서의 조사 효과를 f'(x)라고 하면, 제1군(20)과 제3군(24)의 조사 효과는 각각,
N/4·{f(a+r)+f(-a+r)+f'(-a-r)+f'(a-r)}이 된다. 제2군(22)과 제4군(26)의 조사 효과는,
N/4·{f(a-r)+f(-a-r)+f'(-a+r)+f'(a+r)}이 된다.
여기에서, x 좌표가 a+r 또는 -a-r일 때의 조사 효과는 조사 효과의 격차에 미치는 영향이 크다. 따라서, x 좌표가 a+r인 위치에서만 처리되고 -a-r에서 처리되지 않는 것과, x 좌표가 -a-r인 위치에서만 처리되고 a+r에서 처리되지 않는 것과의 조사 효과의 차이가 커질 우려가 있다. 따라서, 본 발명의 실시형태 2에서는, 반전공정을 설치함으로써, 각 피처리물에 대해서, x 좌표가 a+r인 위치와 -a-r인 위치의 양쪽에서 처리되도록 하였다. 따라서, 조사 효과의 격차를 저감할 수 있다.
본 발명의 실시형태 2에 관한 반도체장치의 제조방법에 의해 처리된 피처리물의 조사 효과는, 트레이의 수를 M, 조사공정의 횟수를 N, N이 2M의 배수라고 하면, 아래와 같이 된다.
Figure 112015023184716-pct00001
본 발명의 실시형태 2에 관한 반도체장치의 제조방법에서는, 반전공정에 있어서, 제1트레이(40)와 제2트레이(42)를 반전시켰지만, 복수의 조사공정의 사이에, 제1트레이(40)와 제2트레이(42)의 적어도 한쪽을 제2 방향과 반대 방향을 향하도록 반전시키는 것도 가능하다. 또한, 복수의 조사공정의 사이에, 어떤 타이밍으로 교체공정과 반전공정을 실시할지는, 공정의 간소화의 관점에서 적절히 정할 수 있다.
실시형태 3.
본 발명의 실시형태 3에 관한 반도체장치의 제조방법과 반도체 제조장치는, 실시형태 1과 일치하는 점이 많으므로, 실시형태 1과의 차이점을 중심으로 설명한다. 본 발명의 실시형태 3에 관한 반도체장치의 제조방법은, 1열의 피처리물을 싣기 위한 트레이를 설치한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시형태 3에 관한 반도체 제조장치는, 제1트레이와 제2트레이가 각각 2개로 분할되어 있다. 도 13은, 본 발명의 실시형태 3에 관한 트레이 등의 사시도다. 제1트레이(40)는, 각각 1열의 피처리물이 늘어놓아져 있는 제1의 얇은 트레이(60, 62)를 구비하고 있다. 제1의 얇은 트레이 60과 제1의 얇은 트레이 62는 분할할 수 있다. 제2트레이(42)는, 각각 1열의 피처리물이 늘어놓아져 있는 제2의 얇은 트레이(64, 66)를 구비하고 있다. 제2의 얇은 트레이 64와 제2의 얇은 트레이 66은 분할할 수 있다.
본 발명의 실시형태 3에 관한 반도체장치의 제조방법은, 복수의 조사공정의 사이에 얇은 트레이의 위치를 교체시키는 교체공정을 복수회 실시한다. 이에 따라, 복수의 피처리물의 전체가 복수의 열의 전체에서 조사공정을 받도록 한다.
도 14는, 제1의 얇은 트레이와 제2의 얇은 트레이의 조합을 나타낸 평면도다. 4개의 조합의 각각에 대해서 25회씩 조사공정을 실시한다. 교체공정에 있어서의 트레이의 교체방법은 도 14에 나타낸 방법에 한정되지 않지만, 제1의 얇은 트레이(60, 62)와 제2의 얇은 트레이(64, 66)를 로테이션시키면 교체를 단순화할 수 있어 바람직하다.
본 발명의 실시형태 3에서는, 모든 피처리물이 4개의 열의 전체에서 조사공정을 받으므로, 복수의 피처리물의 조사 효과의 격차를 해소할 수 있다. 본 발명의 실시형태 3에 관한 반도체장치의 제조방법에 의해 처리된 피처리물의 조사 효과는, 얇은 트레이의 수를 M, 조사공정의 횟수를 N, N이 M의 배수라고 하면, 아래와 같이 된다.
Figure 112015023184716-pct00002
예를 들면, 제1트레이(40)에 3열의 피처리물을 늘어놓을 경우, 제1의 얇은 트레이는 3개 준비한다. 이와 같이, 1열의 피처리물마다 1개의 제1의 얇은 트레이(또는 제2의 얇은 트레이)를 설치함으로써, 본 발명의 실시형태 3에 관한 반도체장치의 제조방법에 의한 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 제1의 얇은 트레이와 제2의 얇은 트레이의 수는 2개에 한정되지 않는다.
실시형태 4.
본 발명의 실시형태 4에 관한 반도체장치의 제조방법과 반도체 제조장치는, 분할되어 있지 않은 1매의 트레이를 사용하면서, 피처리물의 조사 효과의 격차를 억제하는 것이다.
본 발명의 실시형태 1에 관한 반도체장치의 제조방법에서는, 우선, 복수의 피처리물을 트레이 위에 싣는다. 복수의 처리물은, 지금까지의 실시형태와 마찬가지로 4열로 늘어놓는다. 이어서 조사공정을 50회 실시한다. 도 15는, 본 발명의 실시형태 4에 관한 반도체장치의 제조방법에 있어서, 조사공정을 실시하여, 복수의 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다. 조사장치(10)와 트레이(70)의 동작은 지금까지의 실시형태와 같다.
이어서, 피처리물 반전공정을 실시한다. 피처리물 반전공정에서는, 복수의 피처리물의 각각을 제1 방향과 반대 방향을 향하도록 반전시킨다. 즉, 피처리물의 오리엔테이션 플랫이 제1 방향을 향하는 상태로부터, 제1 방향과 반대 방향을 향하는 상태로 반전시킨다. 피처리물의 반전은 예를 들면, 웨이퍼 이동용 암을 사용한다. 반전후에는 피처리물을 트레이(70) 위의 원래의 위치로 되돌린다. 이어서, 조사공정을 50회 실시한다. 도 16은, 피처리물 반전공정 실시후에 조사공정을 실시하여, 복수의 피처리물에 조사물을 조사하는 것을 나타낸 평면도다.
본 발명의 실시형태 4에 관한 반도체장치의 제조방법에 따르면, 오리엔테이션 플랫에 수직한 방향에 대하여 좌우 대칭으로 형성된 패턴에 대해서, 좌우 대칭의 조사 효과를 얻을 수 있다. 더욱 상세하게는, 웨이퍼의 오리엔테이션 플랫의 한 가운데로부터 좌우로 같은 거리만큼 떨어진 2점에서 조사 효과를 같게 할 수 있다.
장치의 피처리물 핸들링 시스템에 따라서는, 트레이를 반전시키는 것보다도 웨이퍼(피처리물)를 반전시키는 쪽이 처리 효율이 높은 경우가 있다. 또한, 피처리물이 웨이퍼보다도 소형의 칩인 경우에는, 칩을 돌려도 x 방향의 위치는 거의 변화하지 않기 때문에, 칩의 좌우 비대칭성에의 균일화 효과가 높다. 이때, 피처리물 반전공정을 실시형태 1 또는 3과 조합해서 실시할 수 있다.
실시형태 1-4에서 설명한 것과 같이, 본 발명은, 복수의 조사공정의 사이에, 적어도 1회는, 제1트레이(40)와 제2트레이(42)의 제2 방향으로 향하는 방향을 변경하지 않고 제1트레이(40)와 제2트레이(42)의 위치를 교체하는 교체공정을 실시하거나, 피처리물 회전공정을 실시하거나 해서, 조사 효과의 격차를 해소하는 것이다. 따라서 이 특징을 잃어버리지 않는 한 다양한 변형이 가능하다.
10 조사장치, 12 조사실, 14 컨베이어, 16 트레이 대, 18 트레이, 20 제1군, 22 제2군, 24 제3군, 26 제4군, 40 제1트레이, 42 제2트레이, 50 레지스트, 60, 62 제1의 얇은 트레이, 64, 66 제2의 얇은 트레이, 70 트레이

Claims (5)

  1. 복수의 피처리물을, 제1트레이 위와, 상기 제1트레이와 접하는 제2트레이 위에 늘어놓되, 겹침없이 나란히 배열하는 공정과,
    상기 제1트레이와 상기 제2트레이가 접하는 접촉 위치의 바로 위에 형성된 조사장치로부터 조사물을 방출하면서, 상기 조사장치를 상기 접촉 위치를 횡단하는 방향인 제1 방향을 따라 스윙시키고, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이를 상기 제1 방향과 수직을 이루는 제2 방향으로 이동시킴으로써 상기 복수의 피처리물에 상기 조사물을 조사하는 것을 복수회 반복하는 복수의 조사공정과,
    상기 복수의 조사공정의 사이에 적어도 1회 실시되고, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이의 상기 제2 방향으로 향하는 방향을 변경하지 않고 상기 제1트레이와 상기 제2트레이의 위치를 교체하는 교체공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 피처리물은, 상기 제1트레이에 상기 제2 방향과 평행하게 복수의 열을 형성하도록 늘어놓아져 있되, 겹침없이 나란히 배열되어 있는 동시에, 상기 제2트레이에 상기 제2 방향과 평행하게 복수의 열을 형성하도록 늘어놓아져 있되, 겹침없이 나란히 배열되어 있고,
    상기 복수의 조사공정의 사이에, 상기 제1트레이와 상기 제2트레이의 적어도 한쪽을, 상기 제2 방향과 반대 방향을 향하도록 반전시키는 반전공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 피처리물은, 상기 제1트레이에 상기 제2 방향과 평행하게 복수의 열을 형성하도록 늘어놓아져 있되, 겹침없이 나란히 배열되어 있는 동시에, 상기 제2트레이에 상기 제2 방향과 평행하게 복수의 열을 형성하도록 늘어놓아져 있되, 겹침없이 나란히 배열되어 있고,
    상기 제1트레이는, 각각 1열의 피처리물이 늘어놓아져 있되, 겹침없이 나란히 배열되어 있는 복수의 트레이로 분할할 수 있도록 구성되고,
    상기 제2트레이는, 각각 1열의 피처리물이 늘어놓아져 있되, 겹침없이 나란히 배열되어 있는 복수의 트레이로 분할할 수 있도록 구성되고,
    상기 복수의 조사공정의 사이에, 상기 교체공정을 복수회 실시하여, 상기 복수의 피처리물의 전체가 상기 복수의 열의 전체에서 상기 조사공정을 받는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 복수의 피처리물을 트레이 위에 싣는 공정과,
    트레이의 바로 위에 형성된 조사장치로부터 조사물을 방출하면서 상기 조사장치를 제1 방향을 따라 스윙시키고, 상기 트레이를 상기 제1 방향과 수직을 이루는 제2 방향으로 이동시킴으로써 상기 복수의 피처리물에 상기 조사물을 조사하는 것을 복수회 반복하는 복수의 조사공정과,
    상기 복수의 조사공정의 사이에, 상기 복수의 피처리물의 각각을 상기 제2 방향과 반대 방향을 향하도록 반전시키는 피처리물 반전공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1트레이와,
    상기 제1트레이와 접하는 제2트레이와,
    상기 제1트레이와 상기 제2트레이가 접하는 접촉 위치의 바로 위에 형성되고, 조사물을 방출하면서 상기 접촉 위치를 횡단하는 방향인 제1 방향을 따라 스윙하는 조사장치와,
    상기 제1트레이와 상기 제2트레이를 상기 제1 방향과 수직을 이루는 제2 방향으로 보내는 컨베이어를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
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