CN103187428B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 4
- -1 wherein Substances 0.000 claims description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 100
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
有机发光显示装置及其制造方法。本文公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，在所述有机发光显示装置中，有机膜和无机膜交替堆叠，并且对所述无机膜进行构图以形成脱气路径，通过所述脱气路径从所述有机膜中释放气体。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法，并且更具体地，涉及这样一种有机发光显示装置及其制造方法，在该有机发光显示装置中，交替堆叠有机膜和无机膜，并且对无机膜进行构图以形成脱气路径(outgassingroute)，通过该脱气路径从有机膜中释放气体。
背景技术
已经对作为信息通信中的核心技术、通过屏幕来实现各种类型的信息的图像显示装置进行了开发，使得图像显示装置更薄、更轻、便携并高性能。对从有机发光层发出的光量进行控制以显示图像的有机发光显示装置，作为重量和体积小于阴极射线管的平板显示装置，已备受瞩目。
有机发光显示装置是一种使用电极之间的薄发光层的自发光装置，并且具有如下优点：该有机发光显示装置能够薄如纸。可将有机发光显示装置分类为有源矩阵型有机发光显示装置或无源矩阵型有机发光显示装置，有源矩阵型有机发光显示装置可由每个像素的单元驱动单元（celldrivingunit）来选择性地驱动，无源矩阵型有机发光显示装置可针对每条线而被控制。
在有源矩阵型有机发光显示装置（AMOLED）中，以矩阵图案布置表现三种颜色（R、G和B）的多个像素以显示画面。每个像素包括有机发光二极管（OLED）和用于驱动该有机发光二极管的单元驱动单元。单元驱动单元对有机发光二极管的阳极进行驱动，所述单元驱动单元包括至少两个薄膜晶体管，所述至少两个薄膜晶体连接在提供扫描信号的选通线、提供视频数据信号的数据线与提供公共电源信号的公共电源线之间。
有机发光二极管包括阳极、空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层、电子传输层（ETL）、电子注入层（EIL）以及阴极。
同时，通过沉积保护薄膜晶体管阵列的无机绝缘膜、对该无机绝缘膜进行平坦化的有机平坦化膜、以及在形成有机发光二极管之前稳固表面或具有光学补偿功能的无机绝缘膜，来配置有机发光显示装置。在长时间段驱动有机发光显示装置期间，从无机绝缘膜之间的有机膜中发生脱气。
然而，当气体残留在有机膜中时，二极管劣化，结果是加速了收缩（shrinkage）现象，在所述收缩现象中，每个像素的尺寸被减小，这可能致命地影响二极管的寿命。
如上所述的传统有机发光显示装置具有如下问题。
在有机膜和无机膜交替堆叠的结构中，有机膜与无机膜之间的界面处的紧密接触很低，结果是，在长时间段的可靠性测试或驱动期间，可能在有机膜中发生脱气。
在脱气期间，气体可能残留在有机膜中以使二极管劣化并随着时间的推移加速二极管的尺寸被减小的收缩现象，通过该收缩现象，大大减少了二极管的寿命。
发明内容
因此，本发明针对一种有机发光显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
各种实施方式提供了一种有机发光显示装置及其制造方法，在所述有机发光显示装置中，有机膜和无机膜交替堆叠，并且对所述无机膜进行构图以形成脱气路径，通过该脱气路径从所述有机膜中释放气体。
本发明的额外优点、目的和特征将在下面的说明书中部分阐述，并且部分对于本领域普通技术人员而言在研读下文后将变得明显，或可以通过对本发明的实践来获知。可通过在书面的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构实现和获得本发明的目的和其它优点。
在各种实施方式中，提供了一种有机发光显示装置。所述有机发光显示装置可包括：单元驱动单元，所述单元驱动单元具有在基板上（例如，以矩阵形式）的多个像素并且包括在相应像素之间的至少一个晶体管（例如，薄膜晶体管）；绝缘堆叠单元，所述绝缘堆叠单元包括在所述单元驱动单元的区域中在所述基板上彼此上下地形成的有机膜和无机膜，其中，对所述绝缘堆叠单元的与所述单元驱动单元相对应的所述无机膜进行构图以形成脱气路径；以及有机发光二极管，所述有机发光二极管通过所述绝缘堆叠单元连接到所述单元驱动单元。
在各种实施方式中，所述有机发光显示装置还可包括：堤岸（bank），所述堤岸在所述脱气路径的区域中在所述绝缘堆叠单元上形成。
在各种实施方式中，所述堤岸通过所述脱气路径接触所述绝缘堆叠单元的所述有机膜。
在各种实施方式中，所述有机发光显示装置还可包括另外的有机膜，其中，将所构图的无机膜布置在所述有机膜与所述另外的有机膜之间，其中，所述有机膜和所述另外的有机膜通过所述脱气路径彼此接触。
在各种实施方式中，所述绝缘堆叠单元的所述有机膜包括从黑底层、滤色器层、平坦化膜以及中间层中选择的任何一个。
在各种实施方式中，所述绝缘堆叠单元的所述有机膜包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、彩色颜料材料以及黑色树脂材料中选择的至少一种材料。
在各种实施方式中，对所构图的无机膜进行构图以在所述无机膜的同一层中形成一个或更多个脱气路径。
在各种实施方式中，所述有机发光显示装置还可包括至少一个另外的无机膜，其中，对所述无机膜和所述另外的无机膜进行构图以在不同的无机膜中形成一个或更多个脱气路径。
在各种实施方式中，所述绝缘堆叠单元的所述无机膜由氮化物、氧化物或氧氮化物形成。
在各种实施方式中，所述有机发光二极管包括：第一电极，所述第一电极通过所述绝缘堆叠单元连接到所述单元驱动单元，以在所述像素中的每一个处形成所述第一电极；有机发光层，所述有机发光层形成在所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极形成在所述有机发光层上。
在各种实施方式中，一种有机发光显示装置的制造方法可以包括如下步骤：在基板上形成单元驱动单元，所述单元驱动单元具有矩阵模式的多个像素并且包括在相应像素之间的至少一个晶体管；通过彼此上下地堆叠有机膜和无机膜，在所述单元驱动单元的区域中在所述基板上形成至少一个绝缘堆叠单元；对所述绝缘堆叠单元的、与所述单元驱动单元相对应的所述无机膜进行构图以形成脱气路径；以及形成有机发光二极管，所述有机发光二极管通过所述绝缘堆叠单元连接到所述单元驱动单元。
在各种实施方式中，所述制造方法还可包括如下步骤：在包括所述脱气路径的区域中在所述绝缘堆叠单元上形成堤岸。
在各种实施方式中，形成所述绝缘堆叠单元的步骤和形成所述脱气路径的步骤可包括如下步骤：在所述单元驱动单元的区域中在所述基板上形成第一有机膜；在所述第一有机膜上形成第一无机膜；以及对与所述单元驱动单元相对应的所述第一无机膜进行构图以形成第一脱气路径。
在各种实施方式中，当对所述第一无机膜进行构图以形成所述第一脱气路径时，甚至在所述第一无机膜下面的第一有机膜的厚度部分（thicknessportion）可被过蚀刻（over-etched）。
在各种实施方式中，所述制造方法还可包括如下步骤：在包括所述第一脱气路径的所述第一无机膜上形成第二有机膜。
在各种实施方式中，所述制造方法还可包括如下步骤：在所述第二有机膜上形成第二无机膜并且对所述第二无机膜进行构图以形成第二脱气路径。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入到本申请中且构成本申请的一部分，附图例示了本发明的（多个）实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的有机发光显示装置的像素的平面图；
图2是示出根据本发明的有机发光显示装置的第一实施方式的截面图；
图3是示出根据本发明的有机发光显示装置的第二实施方式的截面图；
图4A到图4E是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的制造方法的截面图；以及
图5A到图5F是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施方式，在附图中例示了本发明的优选实施方式的示例。在可能的情况下，将贯穿附图使用相同的附图标记来指代相同的或相似的部件。
图1是示出根据本发明的有机发光显示装置的像素的平面图。
在如图1所示的根据本发明的有机发光显示装置中，由选通线101和数据线102来限定像素区域。在该像素区域中限定包括有机发光二极管的像素单元1100，并且在像素单元1100的附近限定用于驱动该像素单元1100的单元驱动单元1200。
从结构上说，单元驱动单元1200是这样的区域，在该区域处，堤岸（未示出，参见图2的160）用于划分像素单元1100。除了选通线101和数据线102之外，在单元驱动单元1200处形成至少一个薄膜晶体管和驱动电源线。此外，薄膜晶体管中的一个（即，驱动薄膜晶体管）连接到有机发光二极管的第一电极（阳极）。
在根据本发明的有机发光显示装置中，以至少一对的方式交替设置有机膜和无机膜，其中通过构图将无机膜的、与单元驱动单元1200相对应的一部分去除以形成脱气路径，由此防止气体残留在有机膜中。结果，在驱动或可靠性测试期间，虽然在有机膜中发生了脱气，但是通过该脱气路径释放了气体。具体地说，气体并未被释放到像素单元1100而是被引导到单元驱动单元1200，由此防止了像素单元1100的收缩。
在下文中，将详细描述根据本发明的有机发光显示装置的脱气原理。
图2是示出根据本发明的有机发光显示装置的第一实施方式的截面图。
在图2所示的根据本发明的有机发光显示装置的第一实施方式中，为简单起见，省略了除驱动薄膜晶体管的漏极110之外在基板100上形成的单元驱动单元的下部构成。
如图2所示，根据本发明的有机发光显示装置的第一实施方式包括：单元驱动单元，该单元驱动单元具有以矩阵模式在基板100上的多个像素并且包括在相应像素之间的至少一个薄膜晶体管（除驱动薄膜晶体管之外还可包括开关薄膜晶体管）；绝缘堆叠单元S1，该绝缘堆叠单元通过在包括单元驱动单元的基板100上交替堆叠有机膜130和无机膜150至少一次而形成；脱气路径150a，该脱气路径通过对绝缘堆叠单元S1的、与单元驱动单元相对应的无机膜150进行构图（例如，由此形成一个或更多个孔（例如，穿过无机膜150的通孔））而形成；堤岸160，该堤岸形成在包括脱气路径150a的绝缘堆叠单元S1上；以及有机发光二极管（OLED），该有机发光二极管通过绝缘堆叠单元S1连接到单元驱动单元。
有机发光二极管（OLED）包括:第一电极140，该第一电极通过绝缘堆叠单元S1和位于绝缘堆叠单元S1下面的钝化膜120连接到单元驱动单元，以在多个像素中的每一个处形成第一电极140；有机发光层170，该有机发光层形成在第一电极140上；以及第二电极180，该第二电极形成在有机发光层170上。例如在堤岸160之间在每个像素处形成有机发光层170。有机发光层可包括红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层。
在有机发光层170与第一电极140之间和有机发光层170与第二电极180之间，还可形成空穴传输层或电子传输层。
同时，通过去除绝缘堆叠单元S1的有机膜130的厚度部分以及无机膜150来形成脱气路径150a。然而，这种现象是由于无机膜150的构图期间的过蚀刻而发生的，因此，本发明不限于此。可调整蚀刻速率和蚀刻气体以仅对无机膜150选择性地构图，以暴露有机膜130的表面部分。
脱气路径150a用作这样的通道，通过该通道，绝缘堆叠单元S1的有机膜130直接地（换言之，物理地）接触由有机材料形成的堤岸160。也就是说，当在绝缘堆叠单元S1的有机膜130中发生脱气时，气体通过脱气路径150a被释放，由此防止了由于该气体导致的像素单元的劣化。
在该实施方式中，一层有机膜和一层无机膜被堆叠；但是，本发明不限于此。可交替地堆叠多个有机膜和多个无机膜。在此情况下，可在与单元驱动单元相对应的预定区域处在不同无机膜处形成脱气路径，以通过脱气路径平稳地释放气体。在此情况下，在绝缘堆叠单元S1的所构图的无机膜上面和下面的有机膜通过该脱气路径相互接触。
例如，绝缘堆叠单元S1的有机膜130可以是除包括在有机发光显示装置中的有机发光层之外的任何有机膜。例如，绝缘堆叠单元S1的有机膜130可以是平坦化膜、层间绝缘层、或针对特定功能添加的有机膜。绝缘堆叠单元S1的有机膜130可包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、彩色颜料材料以及黑色树脂材料中选择的至少一种。
此外，可在无机膜150的同一层中形成一个或更多个脱气路径150a。
此外，可由氮化物（例如，氮化硅）、氧化物（例如，二氧化硅）或氮氧化物（例如，氮氧化硅）形成绝缘堆叠单元S1的无机膜150。
图3是示出根据本发明的有机发光显示装置的第二实施方式的截面图。
图3所示的根据本发明的有机发光显示装置的第二实施方式与图2所示的根据本发明的有机发光显示装置的第一实施方式不同之处在于：没有在每个像素处形成有机发光层，通常实现白光发射，并且滤色器层设置在下阵列（lowerarray）侧以实现彩色显示。
也就是说，如图3所示，根据本发明的有机发光显示装置的第二实施方式包括：单元驱动单元，该单元驱动单元具有以矩阵模式在基板200上的多个像素并且包括在相应像素之间的至少一个薄膜晶体管（除驱动薄膜晶体管之外还可包括开关薄膜晶体管）；绝缘堆叠单元S2，该绝缘堆叠单元包括形成在包括单元驱动单元的基板200上的无机钝化膜260、有机平坦化膜280以及光学补偿无机膜290；脱气路径290a，该脱气路径通过对绝缘堆叠单元S2的、与单元驱动单元相对应的光学补偿无机膜290进行构图形成；堤岸320，该堤岸形成在包括脱气路径290a的绝缘堆叠单元S2上；以及有机发光二极管（OLED），该有机发光二极管通过绝缘堆叠单元S2连接到单元驱动单元。这里，无机钝化层260由诸如SiOx、SiNx或SiOx/SiNx的堆叠的无机材料制成。并且无机钝化层260的厚度的范围可在从大约300nm到大约400nm的范围中。有机平坦化膜280可由诸如PI（聚酰亚胺）、PA（聚丙烯）或正光阻(positivephotoresistive)的有机材料制成。并且有机平坦化膜280的厚度的范围是从大约1.5μm到大约2.5μm。光学补偿无机膜290可由诸如SiOx、SiNx或SiOx/SiNx的堆叠的无机材料制成。并且光学补偿无机膜290的厚度范围可从大约100nm到大约200nm，或在从大约300nm到大约400nm的范围中。堤岸320可由诸如PI（聚酰亚胺）或PA（聚丙烯）的有机材料构成。并且，堤岸320的厚度的范围可从大约1.5μm到大约2.5μm。
脱气路径290a的深度可在从大约100nm到大约300nm的范围中。
驱动薄膜晶体管包括：栅极210，该栅极连接到选通线，例如从选通线突出；半导体层230，该半导体层230经由栅绝缘膜220形成在该栅极上（例如，形成例如薄膜晶体管的晶体管的主体区域）；蚀刻停止层240，该蚀刻停止层形成在与栅极210相对应的半导体氧化物层230上；以及漏极250a和源极250b，该漏极和源极连接到半导体氧化物层230的相对侧。
漏极250a通过绝缘堆叠单元S2连接到有机发光二极管（OLED）的第一电极300。另选地，可在第一电极300的同一层设置连接电极310，以将驱动薄膜晶体管的源极250b和另一个薄膜晶体管的栅极215互连。
在该实施方式中，由双层金属形成在同一层形成的栅极210和215；但是，本发明不限于此。例如，可由单金属（singlemetal）形成在同一层形成的栅极210和215。
同时，在该实施方式中，在针对每个像素的有机发光二极管的下阵列处形成滤色器层270。
在此情况下，由上述有机膜成分形成有机平坦化膜280，并且由上述无机膜成分形成无机钝化膜260和光学补偿无机膜290。因此，将省略其详细描述。
脱气路径290a用作这样的通道，通过该通道，绝缘堆叠单元S2的有机平坦化膜280直接地接触由有机材料形成的堤岸320。也就是说，当在绝缘堆叠单元S2的有机平坦化膜280中发生脱气时，气体通过脱气路径290a被释放，由此防止了由于该气体导致的像素单元的劣化。
在该实施方式中，无机膜、有机膜、无机膜被堆叠以构成绝缘堆叠单元S2；但是，本发明不限于此。可交替地堆叠多个有机膜和多个无机膜。即使在此情况下，仍可在与单元驱动单元相对应的预定区域处在不同无机膜处形成脱气路径，以通过该脱气路径平稳地释放气体。在此情况下，在绝缘堆叠单元S2的所构图的无机膜上面和下面的有机膜在该脱气路径处相互接触。
也就是说，还可在绝缘堆叠单元S2的下无机钝化膜处形成上述脱气路径。
例如，绝缘堆叠单元S2的有机膜可以是除包括在有机发光显示装置中的有机发光层之外的任何有机膜。例如，绝缘堆叠单元S2的有机膜可以是平坦化膜、层间绝缘层、黑底层、滤色器层或针对特定功能添加的有机膜。
绝缘堆叠单元S2的有机平坦化膜280可包括从聚酰亚胺、聚酰胺以及丙烯酸树脂中选择的至少一种。
在下文中，将描述根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的制造方法。
图4A到图4E是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
如图4A所示，首先，在基板100上形成单元驱动单元，该单元驱动单元具有以矩阵模式的多个像素并且包括在相应像素之间的至少一个薄膜晶体管。附图标记110指示驱动薄膜晶体管的漏极。
随后，形成钝化膜120以覆盖包括该单元驱动单元的基板。
钝化膜120可以是有机膜或无机膜。另选地，可以通过顺序地形成无机膜和有机膜来得到钝化膜120。
随后，形成有机膜130以覆盖钝化膜120并对钝化膜120的表面进行平坦化。
随后，对有机膜130和钝化膜120进行蚀刻以形成接触孔，以暴露漏极110，并且随后形成第一电极140，以使该第一电极140通过该接触孔连接到漏极110。
如图4B所示，在包括第一电极140的有机膜130上沉积无机膜150，并且选择性地去除无机膜150以形成脱气路径150a。在蚀刻以形成脱气路径150a期间，可如图所示地蚀刻有机膜130的厚度部分。
如图4C所示，在包括脱气路径150a的有机膜130上在单元驱动单元区域处形成堤岸160。
如图4D所示，在堤岸160之间的每个像素单元处形成包括红色发光层、绿色发光层、以及蓝色发光层的有机发光层170。
如图4E所示，在正面处形成第二电极180。
第一电极140和第二电极180中的一个是透明电极，并且另一个是反射电极。
在下文中，将描述根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置的制造方法。
图5A到图5F是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
如图5A所示，首先，在基板200上形成单元驱动单元，该单元驱动单元具有以矩阵模式的多个像素并且包括在相应像素之间的至少一个薄膜晶体管。
如下形成构成单元驱动单元的薄膜晶体管。在基板200上堆叠双层金属，并且选择性地去除该双层金属以形成栅极210和215。
随后，在基板200上形成栅绝缘膜220，以覆盖栅极210和215。
随后，形成预定宽度的半导体氧化物层230以覆盖栅极210。
随后，对诸如氮化物膜的绝缘膜进行构图，以在与栅极210相对应的半导体氧化层230上形成蚀刻停止层240。
随后，沉积并选择性地构图金属，以形成彼此间隔开的漏极250a和源极250b。漏极250a和源极250b与数据线（未示出，参见图1的102）形成在同一层。可与数据线一体地形成源极250b。
随后，形成无机钝化膜260以覆盖包括单元驱动单元的基板。
随后，形成有机平坦化膜280以覆盖无机钝化膜260并对无机钝化膜260的表面进行平坦化。
如图5B所示，在有机平坦化膜280上沉积光学补偿无机膜290，并且随后使用半色调掩模（halftonemask）或者衍射曝光掩模（diffractionexposuremask）来对光学补偿无机膜290、有机平坦化膜280以及无机钝化膜260选择性地进行蚀刻。
在蚀刻期间，对光学补偿无机膜290、有机平坦化膜280以及无机钝化膜260进行蚀刻以形成接触孔，以暴露漏极250a、源极250b以及另一个栅极215的一部分，该另一个栅极215是另一个薄膜晶体管的栅极。还对栅极215的栅绝缘膜220进行蚀刻。随后，仅选择性地去除与单元驱动单元的一部分相对应的光学补偿无机膜290，以形成脱气路径290a。可使用衍射曝光掩模或半色调掩模对脱气路径290a进行构图，从而具有不同的台阶，并且因此，可选择性地去除脱气路径290a。
如图5C所示，形成第一电极300和连接电极310，该第一电极300通过多个接触孔中的对应的一个连接到漏极250a，该连接电极310通过多个接触孔中的对应的多个将源极250b和栅极215互连。
如图5D所示，将堤岸形成材料施加在包括第一电极300的正面，并且选择性地去除该堤岸形成材料以在包括脱气路径290a的单元驱动单元处形成堤岸320。
如图5E所示，在包括堤岸320的正面形成有机发光层330以发出白光。
还可在有机发光层330上面和下面共同地形成空穴传输层和电子传输层。此外，有机发光层330可通过垂直地堆叠不同颜色发光层以发出白光的来得到，或者该有机发光层330可以是单个白色发光层以发出白光。在前一种情况下，所堆叠的发光层的数量可以是2个或更多个。
如图5F所示，在有机发光层330上沉积金属，以形成第二电极340。
在这些实施方式的任一实施方式中，交替地形成有机膜和无机膜，并且从与单元驱动单元相对应的无机膜去除图案的一部分以形成脱气路径。因此，在长时间段驱动根据本发明的有机发光显示装置时防止气体残留在有机膜中，由此防止了二极管的劣化，并且具体地防止了由于气体导致的像素单元的收缩。
如从以上描述中明显的，根据本发明的有机发光显示装置及其制造方法具有以下效果。
在根据本发明的有机发光显示装置中，交替地形成有机膜和无机膜，并且从与单元驱动单元相对应的无机膜中去除图案的一部分以形成脱气路径，在长时间段的高温处理或操作期间，通过该脱气路径具体地从有机膜中释放气体。也就是说，当由于长时间段的高温处理或操作而导致发生脱气时，防止气体残留在有机膜中，由此防止了二极管的劣化，并且具体地防止了由于气体导致的像素单元的收缩。
此外，防止了根据本发明的有机发光显示装置的寿命的减少，由此实现了可靠的装置。
对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下可对本发明做出各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变化。
本申请要求于2011年12月30日提交的韩国专利申请No.10-2011-0147055的优先权，此处通过引用并入该韩国专利申请，如同在此进行了完整阐述一样。
Claims (14)
1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
单元驱动单元，所述单元驱动单元具有在基板上的多个像素并且包括在相应的像素之间的至少一个晶体管；
绝缘堆叠单元，所述绝缘堆叠单元包括在所述基板上在所述单元驱动单元的区域中彼此上下形成的有机膜和无机膜；
其中，对所述绝缘堆叠单元的、与所述单元驱动单元相对应的所述无机膜进行构图以形成脱气路径；
有机发光二极管，所述有机发光二极管通过所述绝缘堆叠单元连接到所述单元驱动单元；
堤岸，所述堤岸在所述脱气路径的区域中形成在所述绝缘堆叠单元上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述堤岸通过所述脱气路径接触所述绝缘堆叠单元的所述有机膜。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括另外的有机膜，其中，将所构图的无机膜布置在所述有机膜与所述另外的有机膜之间，其中，所述有机膜和所述另外的有机膜通过所述脱气路径彼此接触。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述绝缘堆叠单元的所述有机膜包括从黑底层、滤色器层、平坦化膜以及中间层中选择的任何一个。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述绝缘堆叠单元的所述有机膜包括从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、彩色颜料材料以及黑色树脂材料中选择的至少一种材料。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，对所构图的无机膜进行构图以在所述无机膜的同一层中形成一个或更多个脱气路径。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括至少一个另外的无机膜，其中，对所述无机膜和所述另外的无机膜进行构图以在不同的无机膜中形成一个或更多个脱气路径。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述绝缘堆叠单元的所述无机膜由氮化物、氧化物或氧氮化物形成。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光二极管包括：
第一电极，所述第一电极通过所述绝缘堆叠单元连接到所述单元驱动单元，以在所述像素中的每一个处形成所述第一电极；
有机发光层，所述有机发光层形成在所述第一电极上；以及
第二电极，所述第二电极形成在所述有机发光层上。
10.一种有机发光显示装置的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
在基板上形成单元驱动单元，所述单元驱动单元具有以矩阵模式的多个像素并且包括在相应的像素之间的至少一个晶体管；
通过彼此上下地堆叠有机膜和无机膜，在所述单元驱动单元的区域中在所述基板上形成至少一个绝缘堆叠单元；
对所述绝缘堆叠单元的、与所述单元驱动单元相对应的所述无机膜进行构图以形成脱气路径；以及
形成有机发光二极管，所述有机发光二极通过所述绝缘堆叠单元连接到所述单元驱动单元；
在包括所述脱气路径的区域中在所述绝缘堆叠单元上形成堤岸。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，形成所述绝缘堆叠单元的步骤和形成所述脱气路径的步骤包括如下步骤：
在所述单元驱动单元的区域中在所述基板上形成第一有机膜；
在所述第一有机膜上形成第一无机膜；以及
对与所述单元驱动单元相对应的所述第一无机膜进行构图以形成第一脱气路径。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，当对所述第一无机膜进行构图以形成所述第一脱气路径时，甚至在所述第一无机膜下面的第一有机膜的厚度部分被过蚀刻。
13.根据权利要求11所述的制造方法，所述制造方法还包括如下步骤：在包括所述第一脱气路径的所述第一无机膜上形成第二有机膜。
14.根据权利要求13所述的制造方法，所述制造方法还包括如下步骤：
在所述第二有机膜上形成第二无机膜并且对所述第二无机膜进行构图以形成第二脱气路径。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2011-0147055 | 2011-12-30 | ||
| KR1020110147055A KR101407310B1 (ko) | 2011-12-30 | 2011-12-30 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103187428A CN103187428A (zh) | 2013-07-03 |
| CN103187428B true CN103187428B (zh) | 2016-03-02 |
Family
ID=48579666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210524012.5A Active CN103187428B (zh) | 2011-12-30 | 2012-12-07 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8895968B2 (zh) |
| KR (1) | KR101407310B1 (zh) |
| CN (1) | CN103187428B (zh) |
| DE (1) | DE102012112727B4 (zh) |
| GB (1) | GB2498058B (zh) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8476622B2 (en) * | 2011-01-05 | 2013-07-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Active matrix organic light emitting diode |
| US20130161597A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Emagin Corporation | Method of incorporating a black photo stripe over parylene layer |
| KR101444777B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2014-09-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 |
| US9293730B2 (en) * | 2013-10-15 | 2016-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| KR102275519B1 (ko) * | 2013-12-16 | 2021-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN104733491B (zh) * | 2013-12-20 | 2017-12-15 | 昆山国显光电有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制备方法 |
| KR102183564B1 (ko) | 2014-04-23 | 2020-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN104037126A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置 |
| CN104882449A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-09-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板 |
| CN105810692A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法 |
| KR20180047605A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백플레인 기판 및 이를 이용한 플렉서블 디스플레이 |
| CN106783919B (zh) * | 2016-12-20 | 2019-09-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 提高显示面板制程良率的结构 |
| CN107731881A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-02-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置 |
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| KR102014179B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2019-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
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| JP6603826B1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-11-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| CN111886702A (zh) | 2018-03-28 | 2020-11-03 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el显示装置以及有机el显示装置的制造方法 |
| CN111937159A (zh) * | 2018-03-28 | 2020-11-13 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el显示装置及有机el显示装置的制造方法 |
| JP6603831B1 (ja) * | 2018-04-11 | 2019-11-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| CN109597245B (zh) * | 2019-01-02 | 2023-12-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背光模组及其制备方法、显示装置 |
| CN110941126B (zh) | 2019-12-27 | 2021-04-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| KR20220094255A (ko) * | 2020-12-28 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US20240155883A1 (en) * | 2021-03-26 | 2024-05-09 | Sharp Display Technology Corporation | Display device |
| WO2024013806A1 (ja) * | 2022-07-11 | 2024-01-18 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100542997B1 (ko) * | 2003-08-07 | 2006-01-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2005251629A (ja) | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
| KR101071712B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2011-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100611768B1 (ko) * | 2004-10-11 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| TWI291309B (en) * | 2004-10-28 | 2007-12-11 | Pioneer Corp | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing same |
| KR100700643B1 (ko) | 2004-11-29 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법 |
| KR20090069561A (ko) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101296656B1 (ko) * | 2008-06-24 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101518740B1 (ko) * | 2008-08-04 | 2015-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20100024033A (ko) * | 2008-08-25 | 2010-03-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101155903B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101146991B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR20120078954A (ko) * | 2011-01-03 | 2012-07-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101811027B1 (ko) | 2011-07-07 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
-
2011
- 2011-12-30 KR KR1020110147055A patent/KR101407310B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-11-09 US US13/672,914 patent/US8895968B2/en active Active
- 2012-12-05 GB GB1221907.7A patent/GB2498058B/en active Active
- 2012-12-07 CN CN201210524012.5A patent/CN103187428B/zh active Active
- 2012-12-20 DE DE102012112727.1A patent/DE102012112727B4/de active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130078231A (ko) | 2013-07-10 |
| DE102012112727A1 (de) | 2013-07-04 |
| KR101407310B1 (ko) | 2014-06-16 |
| CN103187428A (zh) | 2013-07-03 |
| US8895968B2 (en) | 2014-11-25 |
| GB2498058A (en) | 2013-07-03 |
| DE102012112727B4 (de) | 2018-02-08 |
| GB2498058B (en) | 2016-01-20 |
| US20130168648A1 (en) | 2013-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |