CN111886702A - 有机el显示装置以及有机el显示装置的制造方法 - Google Patents

有机el显示装置以及有机el显示装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

有机EL显示装置具备：基板，其具有表面，上述表面形成有包含薄膜晶体管的驱动电路；平坦化膜，其通过覆盖驱动电路，从而使基板的表面平坦化；以及有机发光元件，其形成在平坦化膜的朝向与驱动电路相反方向的表面上，并与驱动电路电连接，平坦化膜的表面具有50nm以下的算术平均粗糙度，薄膜晶体管具有：栅电极、漏电极、源电极以及包含成为薄膜晶体管的沟道的区域且与源电极以及漏电极局部重叠的半导体层，构成漏电极的第一导体膜以及构成源电极的第二导体膜各自的一部分沿着规定方向交替排列，成为沟道的区域夹设在第一导体膜的一部分与第二导体膜的一部分之间。

Description

有机EL显示装置以及有机EL显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及有机EL显示装置以及有机EL显示装置的制造方法。
背景技术
近年来，不断应用到电视接收机等中的有机EL显示装置具备按每个像素形成的有机发光元件、以及使有机发光元件以所希望的电流发光的驱动电路。在有源矩阵型的有机EL显示装置中，构成驱动电路的薄膜晶体管按以矩阵状设置的每个像素，形成在玻璃基板等的表面上，并在覆盖该薄膜晶体管的绝缘膜上形成有机发光元件。专利文献1公开了如下的技术：为了在此种有源矩阵型显示器中减少薄膜晶体管相对于像素的占有面积，形成多层构造的薄膜晶体管。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-11173号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在有机EL显示装置中，由于有机发光元件为电流驱动型的发光元件，所以对其驱动电路要求比液晶显示装置高的电流供给能力(驱动能力)。如专利文献1那样通过使薄膜晶体管成为层叠构造，虽然能够提高驱动能力，但制造成本必然增大。但是，为了使有机EL显示面板进一步普及到大型电视等中，期望驱动电路的驱动能力的进一步提高以及制造成本的大幅减少。另外，若在有机EL显示面板中产生亮度不均或者颜色不均(以下也将“亮度不均以及/或者颜色不均”通称为“显示不均”)等，则导致其产品价值降低。这样的显示不均在画面大型化时变得显著，因此容易成为普及有机EL显示面板的障碍。虽然具备有针对显示不均的补偿电路，或设置有在观察到初始的显示状态后对有机发光元件的驱动电流进行修正的修正单元，但这样的对策也使尺寸或者成本增大。
因此，本发明的目的在于提供能够利用还可以实现成本减少的构造来提高驱动电路的能力、而且显示不均少的有机EL显示装置，以及可适当地制造具备此种驱动能力优异的驱动电路且显示不均较少的有机EL显示装置的制造方法。
解决问题的方案
本发明的第一实施方式的有机EL显示装置具备：基板，其具有表面，所述表面形成有包含薄膜晶体管的驱动电路；平坦化膜，其通过覆盖上述驱动电路，从而使上述基板的上述表面平坦化；以及有机发光元件，其形成在上述平坦化膜的朝向与上述驱动电路相反方向的表面上，并与上述驱动电路电连接，上述平坦化膜的上述表面具有50nm以下的算术平均粗糙度，上述薄膜晶体管具有：栅电极、漏电极、源电极以及包含成为上述薄膜晶体管的沟道的区域且与上述源电极以及上述漏电极局部重叠的半导体层，构成上述漏电极的第一导体膜以及构成上述源电极的第二导体膜各自的一部分沿着规定方向交替排列，成为上述沟道的区域夹设在上述第一导体膜的上述一部分与上述第二导体膜的上述一部分之间。
本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法包含：在基板上形成包含薄膜晶体管的驱动电路的工序；在上述驱动电路的表面形成第一无机绝缘膜、有机绝缘膜以及第二无机绝缘膜的工序；对上述第二无机绝缘膜的表面进行研磨的工序；在上述第二无机绝缘膜、上述有机绝缘膜以及上述第一无机绝缘膜形成达到上述薄膜晶体管的接触孔的工序；在上述接触孔的内部埋入金属并且在规定的区域形成第一电极的工序；在上述第一电极上形成有机发光层的工序；以及在上述有机发光层上形成第二电极的工序，上述薄膜晶体管形成为栅电极、栅极绝缘膜、包含成为沟道的区域的半导体层、构成漏电极的第一导体膜以及构成源电极的第二导体膜的层叠构造，上述第一导体膜以及上述第二导体膜形成为各自的一部分沿着规定方向交替排列，成为上述沟道的区域夹设在上述第一导体膜的上述一部分与上述第二导体膜的上述一部分之间。
发明效果
根据本发明的第一实施方式，在有机EL显示装置中，能够通过也可实现成本减少的构造提高驱动电路的能力，而且能够使显示不均变少。另外，根据本发明的第二实施方式，能够适当地制造这样具有驱动能力优异的驱动电路且显示不均少的有机EL显示装置。
附图说明
图1是概略地表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的驱动电路的一个例子的图。
图2A是概略地表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的有机发光元件以及薄膜晶体管的一个例子的剖视图。
图2B是概略地表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的薄膜晶体管的其他例子的剖视图。
图2C是概略地表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的薄膜晶体管的其他例子的剖视图。
图3A是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的薄膜晶体管的各电极的一个例子的俯视图。
图3B是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的薄膜晶体管的各电极的其他例子的俯视图。
图3C是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的薄膜晶体管的各电极的其他例子的俯视图。
图4A是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的薄膜晶体管的剖面的一个例子的图。
图4B是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的薄膜晶体管的剖面的其他例子的图。
图5A是本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的流程图。
图5B是针对图5A的驱动电路的形成工序的流程图。
图6A是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的剖视图。
图6B是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的剖视图。
图6C是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的剖视图。
图6D是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的剖视图。
图6E是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的剖视图。
图6F是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的剖视图。
图6G是表示本发明的一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的剖视图。
具体实施方式
本发明人为了提高驱动电路的驱动能力而反复认真研究。而且，本发明人发现：通过将构成驱动电路的薄膜晶体管的漏电极以及源电极形成为各自的一部分沿着规定方向排列，从而能够大幅提高驱动能力，并且可将驱动电路形成于有机EL显示装置的一个像素的区域内。即，通过这样形成漏电极和源电极，从而能够不使漏电极与源电极之间的间隔(沟道长(L))增大地增长两电极中对置的部分的长度(沟道宽度(W))。因此，能够使沟道宽度与沟道长之比(W/L)大幅而且在规定的划分内高效地增大，作为其结果，能够将具有大幅增大的驱动能力的驱动电路布局于一个像素内。
另外，本发明人发现，通过在薄膜晶体管使用这样的构造，成为构成有机EL显示装置的驱动电路的薄膜晶体管的沟道的半导体层能够不是由多晶硅(具体而言低温多晶硅：LTPS)形成而是由非晶硅形成。即，以往这样的薄膜晶体管的半导体层使用在载流子迁移率方面优异的LTPS。但是，本发明人发现，通过应用前述的各电极的结构，从而即便为由非晶硅构成的半导体层，也能够在有机EL显示装置的驱动电路中充分地发挥功能。
通过在形成了非晶硅的半导体层后，相对于非晶硅进行基于准分子激光的照射的退火，由此使非晶硅多晶化，从而得到LTPS。因此，制造工序变复杂，该退火工序妨碍有机EL显示面板的制造成本的降低。此外，准分子激光的照射所需要的设备极其高价，并且，尚未预见到已经在液晶显示装置生产线中引入的适用于超过第十代的母基板的设备的可行性。另外，在形成有驱动电路的基板整个面均衡地照射准分子激光极为困难，因此，在基板上的规定的各划分中分别被多晶化的多个LTPS各自之间容易且大幅地产生载流子迁移率的不一致，作为其结果，在各薄膜晶体管间可容易产生栅极阈值电压等的不一致。伴随着母基板的大型化的进展，向母基板均衡地照射准分子激光变得越来越困难。本发明人发现，通过使用前述的薄膜晶体管的构造，可通过不需要退火的非晶硅形成有机EL显示面板的驱动电路内的薄膜晶体管的半导体层。
本发明人还发现，在基板的表面形成的驱动电路的表面的凹凸使有机发光元件内的有机膜的膜厚产生不一致等，作为其结果，可产生亮度不均、颜色不均等。详细而言，在驱动电路与有机发光元件之间如前述那样设置有绝缘膜，通过该绝缘膜，可实现两者的电分离以及水分等切断以及有机发光元件的基底的平坦化。但是，本发明人发现，从得到优异的显示品质这样的观点出发，该平坦化不一定充分。在这样的绝缘膜(平坦化膜)的表面不充分平坦的情况下，由于在其上隔着电极而形成的有机膜的膜厚不一致而产生亮度不均，或者表示射出光的峰值强度的方向从显示面的法线方向偏离而引起显示不均。本发明人发现，通过实现成为有机发光元件的基底的平坦化膜的表面的进一步的平坦化，可抑制显示不均的产生。另外，通过这样实现平坦化膜的表面的进一步的平坦化，即便在有机发光元件的发光区域的下层形成有前述的构造的薄膜晶体管的情况下，也可抑制可由该表面的凹凸而产生的显示不均。
以下，参照附图，对本发明的实施方式的有机EL显示装置以及有机EL显示装置的制造方法进行说明。此外，以下说明的实施方式的各构成要素的材质、形状以及它们的相对位置关系等只不过是例示的。本发明的有机EL显示装置以及有机EL显示装置的制造方法没有被它们限定性地解释。
〔有机EL显示装置〕
图1将第一实施方式的有机EL显示装置1的驱动电路2的结构的一个例子与分别示意性地表示的有机EL显示面板3、数据线驱动器1d以及扫描线驱动器1g一起示出。有机EL显示面板3具有以矩阵状配置的多个像素3a，并在各像素3a形成有有机发光元件40以及驱动电路2。在图1的例子中，驱动电路2包括：切换有机发光元件40的通电状态的驱动TFT20、切换驱动TFT20的开/关的开关TFT2a以及保持驱动TFT20的栅极-源极间电压的保持电容2b。驱动TFT20的漏极与电源线2p连接，源极与有机发光元件40的阳极连接，而且栅极与开关TFT2a的源极连接，有机发光元件40的阴极经由阴极布线27而与接地部连接。
若从扫描线驱动器1g对各开关TFT2a发送栅极信号，并且从数据线驱动器1d经由各开关TFT2a对各驱动TFT20的栅极施加显示图像的数据信号。基于该数据信号的电压的电流在有机发光元件40流动，通过保持电容2b的作用使有机发光元件40在一帧期间中以规定亮度发光。以下，参照表示包含一个像素3a的有机EL显示面板3的剖面的图2A～图2C，对本实施方式的有机EL显示装置1进行说明。此外，以下的说明中，将驱动TFT20仅称为“薄膜晶体管20(TFT20)”。另外，上述以及以下的说明和各附图中参照的“像素”是显示画面的最小构成要素(单位要素)，准确而言是“子像素”，为了简化说明也称为“像素”。另外，以下的说明中“表面”在没有特别记载其区别的情况下，是指除构成有机EL显示装置1的基板10(参照图2A)以外的各构成要素的朝向与基板10相反方向的表面。另外，关于基板10，“表面”在没有特别记载其区别的情况下，是指朝向有机发光元件40的表面。
参照图2A～图2C以及图3A～图3C，对本实施方式的有机EL显示装置1的驱动电路2的TFT20的构造进行说明。图2A～图2C中，放大示出有机EL显示面板3的剖面，特别是示出TFT20以及有机发光元件40的剖面的一个例子。图3A～图3C分别示出TFT20的具体例的俯视图(对漏电极26以及源电极25标注剖面线)。此外，图2A～图2C中，作为TFT20，示出在图3A～图3C各自中源电极25的一部分和漏电极26的一部分对置的多个部分中的一个剖面(两电极的对置方向，例如沿着图3A的Y方向的切断线的剖面)。而且，图2A～图2C虽示出栅电极23以及半导体层21仅在源电极25以及漏电极26的对置部分形成，但也可以如图3A等例子那样，栅电极23遍及源电极25和漏电极26的多个对置部分整体形成。
如图2A～图2C所示那样，本实施方式的有机EL显示装置1具备：基板10，其具有表面，上述表面形成有包含TFT20的驱动电路2；平坦化膜30，其通过覆盖驱动电路2，从而使基板10的表面平坦化；以及有机发光元件40，其形成在平坦化膜30的朝向与驱动电路2相反方向的表面上，并与驱动电路2电连接。TFT20具有：栅电极23、漏电极26、源电极25以及包含成为TFT20的沟道的区域21c的半导体层21。半导体层21局部与漏电极26以及源电极25重叠。图2A的例子中，在漏电极26以及源电极25与半导体层21之间设置有由杂质浓度高的半导体构成的第二半导体层211。在半导体层21中主要为漏电极26与源电极25之间的区域且与栅电极23重叠的区域21c，通过向栅电极23施加规定的电压，从而形成沟道。
图2A示出在半导体层21与基板10之间配置有栅电极23的底栅构造(反交错构造)的例子，图2B示出顶栅构造(交错构造)的例子。而且，图2A以及图2B示出半导体层21由非晶硅构成的例子。另外，图2C与图2B的例子相同是具有顶栅构造的TFT20的例子。图2C所例示的构造主要在成为半导体层21的沟道的区域21c由LTPS构成的情况下使用。本实施方式的有机EL显示装置1的驱动电路2在TFT20的半导体层21由非晶硅构成的情况下适用，但成为半导体层21的沟道的区域21c也可以由LTPS形成。
图2A的例子中，在基板10上，经由底涂层11形成有栅电极23，以覆盖栅电极23的方式层叠有栅极绝缘膜22以及半导体层21，在半导体层21上形成有第二半导体层211，在第二半导体层211上层叠有漏电极26以及源电极25。阴极布线27和有机发光元件40的第二电极44经由阴极接触44a连接。图2B的例子中，在底涂层11上形成有漏电极26以及源电极25，以与漏电极26以及源电极25各自的一部分重叠的方式在漏电极26以及源电极25之间的底涂层11上层叠半导体层21，而且在半导体层21上层叠有栅极绝缘膜22，在栅极绝缘膜22上形成有栅电极23。
图2C的例子中，在底涂层11上形成有具有源极21s、成为由LTPS构成的沟道的区域21c以及漏极21d的半导体层21，以覆盖半导体层21的方式层叠有栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22上形成有栅电极23，以覆盖栅电极23的方式层叠有层间绝缘膜24，在层间绝缘层24上形成有源电极25以及漏电极26。源电极25以及漏电极26分别穿过接触孔24a并与半导体层21的源极21s以及漏极21d连接。阴极接触44a通过贯通栅极绝缘膜22以及层间绝缘膜24的第一接触28和贯通平坦化膜30的第二接触45构成。图2A～图2C所示的例子仅TFT20的构造(主要是TFT20的结构要素的层叠的上下关系)彼此不同。在图2A～图2C中，对具有相同功能的构成要素标注相同的附图标记，省略对其的重复的说明。
有机发光元件40是图2A～图2C的例子中顶部发光型(TE型)的有机发光二极管(OLED)，并具有：形成在平坦化膜30上的第一电极(例如阳极)41、包围第一电极41的绝缘堤部42、形成于绝缘堤部42内的有机发光层43、形成在包括有机发光层43上的基板10整体的第二电极(例如阴极)44。图2A～图2C的例子中，TFT20的源电极25与有机发光元件40的第一电极41连接。
如图2A～图2C的例子那样有机发光元件40为TE型的情况下，TFT20也可以在有机发光元件40的发光区域即形成有有机发光层43的区域的下层(第一电极41与基板10之间)形成为与发光区域的一部分或者全部重叠。在该情况下，可形成有可使较大的电流流动的TFT20。
如图3A～图3C所示那样，漏电极26以及源电极25通过由钛或者铝等构成的导体膜构成，构成漏电极26的第一导体膜26a以及构成源电极25的第二导体膜25a各自的一部分沿着规定方向交替排列。图3A的例子中，各导体膜的一部分沿着图3A的上下方向(Y方向)交替排列。成为沟道的区域21c是在半导体层21中夹设在第一导体膜26a的一部分与第二导体膜25a的一部分之间的区域。如前述那样，通过向栅电极23施加规定电压，从而在区域21c形成有沟道，漏电极26和源电极25导通。
这样，第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分沿着规定方向(图3A的Y方向)交替排列，因此能够获得在具有规定大小的区域内相互对置的部分较长的漏电极26以及源电极25。因此，能够形成沟道宽度(W)较长的沟道。另一方面，沟道长L是第一导体膜26a与第二导体膜25a之间的间隔，没有伴随着第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分交替排列而增加。因此，能够有效利用有限的区域来形成沟道宽度(W)与沟道长L之比(W/L)较大的沟道即可使较大电流流动的沟道。因此，例如能够在一个像素内形成驱动能力大的TFT20，能够形成按每个像素驱动能力大的驱动电路。
另外，若通过这样第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分交替排列，从而将W/L比较大的沟道形成于规定大小的区域内，则也能够不是由前述的LTPS而是由非晶硅形成半导体层21。详细而言，LTPS的电子迁移率为100cm2/Vs左右，非晶硅的电子迁移率为0.5cm2/Vs左右。因此，在使用非晶硅的情况下，需要单纯地提高至现在实用化的基于LTPS的沟道的W/L比(例如2.5左右)的200倍左右的W/L比。但是，实际上有机EL显示装置的有机发光元件的驱动所需要的半导体层的电子迁移率在前述的现行的LTPS中的W/L比的情况为10cm2/Vs左右。因此，例如若增大到现行的W/L比的20倍左右的W/L比，则也能够将非晶硅用于驱动电路2的TFT20的半导体层21。因此，例如，通过以形成有W/L比50以上的沟道的方式使第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分交替排列，从而能够将非晶硅用于半导体层21，不需要用于得到前述的LTPS的退火工序。即，能够容易、廉价、不使用高价的设备并且以也可追随母基板的大型化的方法形成驱动电路2的TFT20。并且，非晶硅由于载流子迁移率的不一致小，因此能够减少显示不均的产生，不需要显示不均的补偿电路等，因此在这些方面中也能够有助于有机EL显示装置的成本减少以及显示品质的提高。
图3A的例子中，第一导体膜26a以及第二导体膜25a分别平面形状以梳形形成。而且，形成为供第一导体膜26a的梳齿部分(图3A的例子中第一部分26a1～26a4)以及第二导体膜25a的梳齿部分(图3A的例子中第二部分25a1～25a4)啮合。图3A～图3C中虚线所示的栅电极23在图2A的例子那样的底栅型的TFT20中，形成于比第一导体膜26a以及第二导体膜25a靠下侧(栅极绝缘膜22与基板10之间)(参照图4A)。而且，在图2B的例子那样的顶栅型的TFT20中，栅电极23形成于第一导体膜26a以及第二导体膜25a的上侧(栅极绝缘膜22上)(参照图4B)。栅电极23形成为与第一部分26a1～26a4和第二部分25a1～25a4的对置部分(图3A的例子中对置部分的全部)重叠。
栅电极23遍及第一导体膜26a的一部分亦即第一部分26a1～26a4和第二导体膜25a的一部分亦即第二部分25a1～25a4的相互对置的部分的长度Wa的范围的整体形成。因此，至第一部分26a1～26a4以及第二部分25a1～25a4的前端为止，在Y方向上对置的第二部分25a1～25a4或者第一部分26a1～26a4之间形成有沟道。并且，栅电极23在图3A等的例子中，形成为重叠于第一部分26a1～26a4的前端与在与Y方向正交的方向(图3A的X方向)上对置的第二导电膜25之间的部分以及第二部分25a1～25a4的前端与在X方向上对置的第一导电膜26之间的部分。因此，沟道形成于第一导体膜26a以及第二导体膜25a之间的区域21c整体，成为该沟道的区域21c具有之字形的形状。因此，例如可有效地使用图3A等所示的有限的区域形成有沟道宽度(W)长即可使较大的电流流动的沟道。
成为沟道的区域21c由于第一导体膜26a的第一部分26a1～26a4和第二导体膜25a的第二部分25a1～25a4沿规定方向(图3A的Y方向)交替排列，所以在Y方向上存在多个。具体而言，分别存在于半导体层21中夹设于第二部分25a1与第一部分26a1之间的区域、夹设于第一部分26a1与第二部分25a2之间的区域、夹设于第二部分25a2与第一部分26a2之间的区域等。图3A等的例子中，优选成为沟道的区域21c是具有之字形状的形状的一体的(连续的)区域，在成为该沟道的区域21c形成的沟道具有50以上的W/L比。但是，在第一部分26a1～26a4以及第二部分25a1～25a4各自的前端部分中，在角落部中沟道长变化。
因此，优选W/L比的计算中使用的沟道宽度(W)为成为Y方向上存在多个(例如n个)的沟道的区域21c各自的第一导体膜26a的一部分(第一部分26a1～26a4的任一个)和第二导体膜25a的一部分(第二部分25a1～25a4的任一个)的相互对置的部分的长度Wa的总和(Wa×n)。而且，优选该沟道宽度(W＝Wa×n)与第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分对置的部分中的第一导体膜26a与第二导体膜25a之间的间隔(沟道长L)之比(W/L)为50以上。通过这样设置第一导体膜26a以及第二导体膜25a，从而即便忽略第一导体膜26a的一部分或者第二导体膜25a的一部分各自的前端与第二导体膜25a或者第一导体膜26a之间的沟道宽度，也能够可靠地得到优选的W/L比。此外，长度Wa是与第一导体膜26a的一部分与第二导体膜25a的一部分交替排列的方向(Y方向)正交的方向(X方向)上的两导体膜的对置的部分的长度。另外，长度Wa的总和是如Wa×n所示那样针对成为Y方向上存在多个的沟道的区域21c全部而言的长度Wa之和。
从驱动能力的观点出发，TFT20的沟道的W/L比越大越优选，但从薄膜晶体管20的尺寸的观点出发，也有时优选不需要不必要地变大。例如，如前述那样，非晶硅的电子迁移率为LTPS的电子迁移率的200分之1左右，因此即便在得到与现行的由LTPS构成的半导体层相同的驱动能力的情况下，也具有成为由LTPS构成的沟道的W/L比(例如2.5左右)的200倍的W/L比即可。因此，优选成为沟道的区域21c的第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分的相互对置的部分的长度Wa的总和(W)与第一导体膜26a和第二导体膜25a之间的间隔L之比(W/L)为50以上且500以下。
图3B的例子中，第一导体膜26a以及第二导体膜25a也分别平面形状以梳形形成。图3B的例子中，第一导体膜26a的梳齿部分(第一部分26a1～26a3)以及第二导体膜25a的梳齿部分(第二部分25a1～25a3)的长度Wc比连结梳齿部分彼此的连结部分的长度Lc长。另外，图3B通过双点划线示出有机发光元件40(参照图2A)的发光区域43a，发光区域43a以矩形形状形成。而且，第一导体膜26a的一部分亦即第一部分26a1～26a3以及第二导体膜25a的一部分亦即第二部分25a1～25a3的对置的部分沿着发光区域43a的矩形形状的长边形成。
通过使第一导体膜26a以及第二导体膜25a各自的对置部分如图3B的例子那样形成，从而能够在前述的W/L比的计算中使算入沟道宽度(W)的对置部分的长度Wa变长。另外，能够使不算入该W/L比的计算的第一导体膜26a的一部分或者第二导体膜25a的一部分各自的前端与第二导体膜25a或者第一导体膜26a之间的部分的数量变少。认为能够使可容易计算的沟道的电流允许量与实际的电流允许量接近，因此能够适当地设计TFT20。在图3B的例子中，认为在TFT20形成为纳入占具有矩形的形状的发光区域43a的大半的区域的像素内的情况下适用。
图3C示出第一导体膜26a以及第二导体膜25a的又一其他例子。图3C的例子中，第一导体膜26a形成为具有其一部分亦即第一部分26a1～26a6交替在不同端部连结的之字形的平面形状。而且，第二导体膜25a形成于第一导体膜26a的周围，而且其一部分亦即第二部分25a1～25a6分别插入第一导体膜26a所具有的之字形的平面形状的凹部。此外，也可以与图3C的例子不同，第二导体膜25a以之字形的平面形状形成，第一导体膜26a的一部分插入第二导体膜25a的平面形状的凹部。如图3C所例示的那样，第一导体膜26a以及第二导体膜25a也可以不一定形成为图3A以及图3B的例子那样的梳齿形状。另外，第一导体膜26a的第一部分以及第二导体膜25a的第二部分的数量不限定于图3A～图3C的例子，可设置有任意数量的第一部分以及第二部分。除了第一以及第二导体膜26a、25a的平面形状之外，图3B以及图3C所示的TFT20与图3A所示的TFT20相同，省略重复的说明。
图4A以及图4B示出在图3A所示的第一导体膜26a的第一部分26a1经过的与X方向平行的切断线处的剖视图。此外，图4A以及图4B与图3A的例子不同，是栅电极23以比第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分的对置部分的长度Wa短的宽度设置的例子。图4A是TFT20为底栅型的例子，图4B是TFT20为顶栅型的例子。即，图4A和图4B中，在基板10上，经由底涂层11层叠的栅电极23、栅极绝缘膜22、半导体层21、第一导体膜26a以相互相反的顺序形成并层叠。在图4A以及图4B任一个中，第一导体膜26a的第一部分26a1的前端与第二导体膜25a均仅以距离Lx分离。距离Lx例如与沿着第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分交替排列的方向(图3A所示的Y方向)对置的第一导体膜26a与第二导体膜25a之间的间隔大致相等。
再次参照图2A～图2C，对有机EL显示装置1的除TFT20以外的结构要素进行说明。平坦化膜30包括：层叠在驱动电路2上的第一无机绝缘膜31、层叠在第一无机绝缘膜31上的有机绝缘膜32以及层叠在有机绝缘膜32上的第二无机绝缘膜33。平坦化膜30的朝向与驱动电路2相反方向的表面(第二无机绝缘膜33的朝向与有机绝缘膜32相反方向的表面)具有50nm以下的算术平均粗糙度。即，在本实施方式的有机EL显示装置1中，由于驱动电路2的形成，从而具有凹凸的基板10的表面由平坦化膜30覆盖，其表面算术平均粗糙度(Ra)为50nm以下。例如平坦化膜30通过在各绝缘膜层叠后被研磨，使其表面成为50nm以下的算术平均粗糙度。
如前述那样，本发明人对有机EL显示装置中产生显示不均的原因进行了调查的结果，发现，有机发光元件的有机发光层的表面不是完全的平坦面而包含细小的凹凸，存在微观上倾斜的部分。若有机发光层的表面倾斜，则其法线方向相对于有机EL显示装置的显示面的法线方向倾斜，难以从显示面的正面识别从这样的有机发光层沿倾斜方向射出的光。因此，产生亮度的降低、或者由R、G、B各色的光的强度决定的色度的变化。
以往，作为显示不均的对策，例如分别在按每个像素设置的驱动电路附加对TFT以及/或者OLED的特性不一致进行补偿的电路。但是，这样的对策不是作为本发明人发现的显示不均的对策而有效地发挥功能，反而存在由于驱动电路的结构要素的增加而使基板的表面的凹凸增大的担忧。另外，也有时基于有机EL显示装置的检查工序等中掌握的亮度分布来控制在各有机发光元件流动的电流。但是，对于这些对策而言，伴随着驱动电路的结构要素的增加，成本以及尺寸增大，或有机EL显示装置的制造工序复杂化，或需要复杂的控制。
相对于此，在本实施方式中，如前述那样，为了排除新发现的显示不均的原因，平坦化膜30的表面成为50nm以下的算术平均粗糙度。并且，避开后述的接触孔30a的正上方形成有有机发光层43。通过这样，能够得到显示不均极少的显示图像。平坦化膜30的表面粗糙度越小越优选，但不一定谋求半导体工艺的研磨工序中作为目标那样的例如低于20nm的程度的算术平均粗糙度。即，本发明人发现，从抑制有机EL显示装置1的显示不均这样的观点出发，平坦化膜30的表面算术平均粗糙度为50nm以下即可，在该情况下，几乎不产生人可感知那样的显示不均。另外，发现，在实现的容易性方面优选为20nm以上的算术平均粗糙度。即，平坦化膜30的表面具有20nm以上且50nm以下的算术平均粗糙度在兼顾可影响显示品质的显示不均的有效抑制和简单的制造方面优选。
基板10主要使用玻璃基板或者聚酰亚胺膜等。在有机EL显示装置1与图2A～图2C的例子不同为底部发光型(BE型)的情况下，可使用透光性的材料、也就是玻璃基板、进而透明聚酰亚胺膜等。在形成有TFT20的基板10的表面，形成有底涂层11作为阻挡膜。例如通过等离子体CVD法，形成具有主要由厚度为500nm左右的SiO2膜以及厚度为50nm左右的SiNX膜构成的下层和主要由厚度为250nm左右的SiO2膜构成的上层的底涂层11。
在底涂层11上形成有包含TFT20的驱动电路2。阴极布线27也形成在底涂层11上。虽然在图2A等中予以省略，但也与阴极布线27同样地形成有扫描线以及数据线用的布线等。另外，在图2A等中，仅示出驱动发光元件40的TFT20，但前述的开关TFT2a也形成在底涂层11上，还可以进一步形成其他TFT。在有机EL显示装置1如图2A等的例子那样为TE型的情况下，可遍及有机发光元件40的发光区域的下方的整个面地形成驱动电路2。另一方面，在BE型中，无法在有机发光元件40的发光区域的下方形成TFT20等，因此将TFT20等形成于在平面上与发光区域重叠的部分的周缘部。但是，即便在这种情况下，也谋求在其表面具有不产生显示不均的程度的平坦性的平坦化膜30。
TFT20的栅极绝缘膜22主要由50nm厚左右的SiO2等构成，栅电极23通过形成250nm厚左右的Mo等的膜后的图案化等形成。
在包含TFT20的驱动电路2的表面形成有作为阻挡层的200nm厚左右的由SiNX等构成的第一无机绝缘膜31，在第一无机绝缘膜31上形成有有机绝缘膜32，并且形成有第二无机绝缘膜33。在平坦化膜30形成有一并贯通第一无机绝缘膜31、有机绝缘膜32以及第二无机绝缘膜33的接触孔30a。在接触孔30a中，如后述那样，埋入例如氧化铟锡(ITO)以及银(Ag)或者APC(银+钯+铜)等金属，经由该金属将驱动电路2和有机发光元件40连接。
有机绝缘膜32具有例如1μm以上且2μm以下左右的厚度。通过有机绝缘膜32可大幅减少由于形成驱动电路2产生的基板10的表面的凹凸。有机绝缘膜32例如使用聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂形成。另外，有机绝缘膜32优选以0.5质量％以上且5.0质量％以下的含有率包含使有机绝缘膜32的朝向第二无机绝缘膜33的表面的平坦性提高的添加剂(调平改良剂)。作为这样的调平改良剂，例示出有机硅类、烃类或者氟类的表面活性剂等。另外，有机绝缘膜32还可以使用感光性树脂形成，但光聚合引发剂有时会减弱调平改良剂等的效果，因此优选在有机绝缘膜32中使用不含如光聚合引发剂这样的感光体的材料。
丙烯酸树脂由于纯度高，与表面活性剂等良好地相容，并且具有较高的平坦性，所以优选为有机绝缘膜32的材料。另一方面，在有机EL显示装置1的制造工序包括200℃以上的高温工艺等的情况下，优选为具有较高的耐热性的聚酰亚胺树脂。因此，有机绝缘膜32优选为不含如光聚合引发剂等这样的感光体的丙烯酸树脂、或者不含感光体的聚酰亚胺树脂。
第二无机绝缘膜33如前述那样，在朝向与有机绝缘膜32相反方向的表面中具有50nm以下的算术平均粗糙度，因此可抑制有机EL显示装置1的显示不均。第二无机绝缘膜33例如由SiNX或者SiO2等形成，但从阻水性方面考虑优选SiNX。即，通过第二无机绝缘层33，可提高平坦化膜30针对水分的阻挡性能。
第二无机绝缘膜33不仅在有机EL显示装置1使用时在制造时也可具有阻断水分的作用。即，如后述那样，平坦化膜30的表面有时为了具有50nm以下的表面粗糙度在制造工序中被研磨，在研磨后为了除去研磨剂等可进行清洗。在没有形成有第二无机绝缘膜33的情况下，有机绝缘膜32的表面被研磨，而且暴露于清洗剂。在该情况下，有时该清洗剂浸透于有机绝缘膜32内，保持原样残留而引起TFT20的劣化等。但是，通过形成有第二无机绝缘膜33，从而可防止这样的清洗剂向有机绝缘膜32的浸透以及TFT20的劣化。
第二无机绝缘膜33例如以100nm以上且600nm以下左右的厚度形成。但是，第二无机绝缘膜33的厚度基于有机绝缘膜32的朝向第二无机绝缘膜33的表面的凹凸来变动。第二无机绝缘层33优选以可使有机绝缘膜32的表面的凹凸充分埋没于第二无机绝缘层33内的方式例如以有机绝缘膜32的表面的凹凸的最大高低差DT的3倍以上的厚度形成。而且，根据需要，优选将第二无机绝缘膜33的表面研磨最大高低差DT以上且不足最大高低差DT的2倍的长度(厚度)的量。通过这样，能够不使有机绝缘膜32露出地削除基于有机绝缘膜32的表面的凸部产生的第二无机绝缘膜33的表面的凸部，能够使平坦化膜30的表面大致可靠地成为50nm以下的算术平均粗糙度。在该情况下，第二无机绝缘膜33在有机绝缘膜32的表面的整个面中，可具有其表面的凹凸的最大高低差DT的1倍以上且3倍以下的厚度。例如，在图2A中，第二无机绝缘膜33的最大的厚度TL为有机绝缘膜32的凹凸的最大高低差DT的2倍以上且3倍以下，第二无机绝缘膜33的最小的厚度TM为有机绝缘膜32的凹凸的最大高低差DT的1倍以上且2倍以下。特别是在图2A的例子中，第二无机绝缘膜33的最大的厚度TL为有机绝缘膜32的凹凸的最大高低差DT的大致2倍，其最小的厚度TM与有机绝缘膜32的凹凸的最大高低差DT大致相同。
有机发光元件40的第一电极41与埋入接触孔30a内的金属一体形成。即，例如通过溅射等在接触孔30a内埋入有ITO和Ag或者APC等金属以及ITO，并且在平坦化膜30的表面也分别形成有相同的ITO膜、Ag或者APC等金属膜以及ITO膜。通过将它们以规定形状图案化形成有第一电极41。但是，如前述那样有机发光层43的形成区域避开接触孔30a的正上方设定。第一电极41在与有机发光层43之间的关系中，优选功函数为5eV左右，在为顶部发光型的情况下，使用前述那样的ITO以及Ag或者APC。ITO膜以10nm左右的厚度形成，Ag或者APC膜以100nm左右的厚度形成。在为底部发光型的情况下，仅形成例如300nm～1μm左右的厚度的ITO膜。在平坦化膜30也形成有用于形成阴极接触44a的接触孔30b，接触孔30b也一并贯通构成平坦化膜30的各绝缘膜。
在第一电极41的表面的接触孔30a的正上方的部分，接触孔30a没有完全由ITO等填埋的情况下，可产生图2A等所示那样的凹陷。但是在图2A等的例子中，第一电极41以足够形成有机发光层43的大小具有俯视时不与接触孔30a重叠的区域，在不与该接触孔30a重叠的区域上形成有有机发光层43。因此，难以产生有机发光层43的厚度的不均以及其表面的凹陷，难以产生由接触孔30a引起的显示不均。
在第一电极41的周缘部形成有划分各像素并且使第一电极41与第二电极44之间绝缘的绝缘堤部42。图2A等的例子中通过绝缘堤部42覆盖第一电极41的表面的凹陷。而且在由绝缘堤部42围起的第一电极41上层叠有有机发光层43。成为有机发光元件40的发光区域的有机发光层43优选如图2A等的例子那样形成于俯视时不与接触孔30a重叠的区域。在该情况下，难以产生如前述那样由接触孔30a引起的显示不均。有机发光层43在图1等中以一层示出，但通过层叠各种材料由多个有机层形成。通过利用掩模选择性地仅在需要的部分使蒸发或者升华的有机材料附着的蒸镀或者通过印刷等形成有机发光层43。
例如作为与第一电极41接触的层，设置有由使空穴的注入性提高的电离能的整合性良好的材料构成的空穴注入层。在该空穴注入层上，使空穴的稳定的输送性提高并且能够在发光层封入电子(能障)的空穴输送层例如由胺系材料形成。并且，在其上形成有根据发光波长来选择的发光层。例如对于红色、绿色而言，在Alq3掺杂红色或者绿色的有机物荧光材料。另外，作为蓝色系的材料，可使用DSA系的有机材料。而且在发光层上，使电子的注入性提高并且稳定地输送电子的电子输送层可由Alq3等形成。通过将上述各层分别以各数十nm左右层叠并形成有有机发光层43的层叠膜。也可以在该有机发光层43与第二电极44之间设置有使LiF、Liq等的电子的注入性提高的电子注入层。
第二电极44形成在有机发光层43上。图2A～图2C的例子中，第二电极44以遍及全像素共用的方式连续地形成，并经由形成于平坦化膜30的阴极接触44a与阴极布线27连接。第二电极44由透光性的材料例如薄膜的Mg-Ag膜形成。第二电极44优选为功函数小的材料，可使用碱金属或者碱土类金属等。Mg优选功函数较小为3.6eV，而且为了赋予稳定性，具有4.25eV左右较小的功函数的Ag以10质量％左右的比例一起蒸镀。在BE型中，第二电极44成为反射板，因此，作为第二电极44，较厚地形成Al。
在第二电极44上形成有阻止水分向第二电极44到达的被覆层(TFE)46。被覆层46例如由SiNX、SiO2等的无机绝缘膜构成，并通过使单层膜或者两层以上的层叠膜成膜形成。例如一层的厚度为0.1μm～0.5μm左右的两层左右的层叠膜作为被覆层46形成。被覆层46优选以即便在一个层形成针孔等也可获得相对于水分等的足够的阻挡性的方式通过不同材料以多层形成。被覆层46形成为完全被覆有机发光层43以及第二电极44。此外，被覆层46也可以在两层无机绝缘膜之间具备有机绝缘膜。
〔有机EL显示装置的制造方法〕
接下来，以图2A所示的有机EL显示装置1作为例子，参照图5A以及图5B的流程图和图6A～图6G所示的剖视图，并且也适当地参照图3A对一实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明。
如图6A所示那样，在基板10上形成有包含薄膜晶体管20的驱动电路2(图5A的S1)。
在制造图2A所示的有机EL显示装置1的情况下，底涂层11例如使用等离子体CVD法形成在基板10的表面上。底涂层11在图6A中以单层构造示出，但例如通过层叠500nm左右的厚度的SiO2层、其上的50nm左右的厚度的SiNX层、进一步其上的250nm左右的厚度的SiO2层形成。
其后，通过利用溅射等形成Mo等金属膜并图案化，从而形成栅电极23(图5B的S11)。优选与栅电极23一起形成阴极布线27和其他的扫描线以及数据线用等各布线(未图示)。例如，如先参照的图3A所示的那样，形成在第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分交替排列的规定方向(图3A的例子中Y方向)上延伸的栅电极23。
在栅电极23上形成有栅极绝缘膜22(图5B的S12)。栅极绝缘膜22通过例如使用等离子体CVD法使50nm左右的厚度的SiO2膜或者SiNX膜成膜来形成。并且，例如使用等离子体CVD法由非晶硅构成的半导体层21覆盖栅电极23形成在栅极绝缘膜22上(图5B的S13)。在半导体层21，通过例如350℃左右的温度下的45分钟左右的退火进行脱氢化的处理。半导体层21使用干式蚀刻等来图案化为所希望的形状。如前述那样栅电极23在第一导体膜26a的一部分和第二导体膜25a的一部分交替排列的规定方向上延伸的情况下，形成有为了覆盖栅电极23整体而沿着该规定方向延伸的半导体层21。
其后，优选在半导体层21上的以后形成有第一导体膜26a或者第二导体膜25a的区域形成有高杂质浓度的第二半导体层211(图5B的S14)。即，在半导体层21与第一导体膜26a以及第二导体膜25a之间夹设高杂质浓度的第二半导体层211在降低半导体层21与漏电极26以及源电极25接触的接触电阻方面优选。第二半导体层211也可以通过在半导体层21上层叠具有比半导体层21高的杂质浓度的半导体层来形成，也可以通过在半导体层21的规定区域掺杂杂质来形成。作为杂质，在TFT20为Nch场效应型晶体管的情况下例示出磷或者砷等，在TFT20为Pch场效应型晶体管的情况下例示出硼或者铝等。
在半导体层21(或者第二半导体层211)以及栅极绝缘膜22上形成有构成漏电极26的第一导体膜26a以及构成源电极25的第二导体膜25a(图5B的S15)。例如使用溅射形成数百nm的钛膜或铝膜或者它们的层叠膜，通过干式蚀刻等，将该形成的金属膜分离为第一导体膜26a和第二导体膜25a，并且将不需要的部分除去。作为其结果，形成有具有沿着与规定方向(例如图3A所示的Y方向)交叉的方向(例如图3A的X方向)延伸的多个第一部分(图3A的例子中四个第一部分26a1～26a4)的第一导体膜26a。同时，形成有具有沿着与该规定方向(图3A的Y方向)交叉的方向延伸的多个第二部分(图3A的例子中四个第二部分25a1～25a4)的第二导体膜25a。第一导体膜26a以及第二导体膜25a形成为多个第一部分和多个第二部分沿着规定方向(图3A的Y方向)交替配置。作为其结果，在基板10上形成有TFT20。如图6A所示那样，TFT20形成为栅电极23、栅极绝缘膜22、半导体层21、构成漏电极26的第一导体膜26a以及构成源电极25的第二导体膜25a的层叠构造。另外，第一导体膜26以及第二导体膜25如图3A所例示的那样，形成为各自的一部分沿着规定方向交替排列。而且，半导体层21包括：夹设于第一导体膜26a的一部分与第二导体膜25a的一部分之间的区域亦即成为沟道的区域21c。
第一导体膜26a以及第二导体膜25a也可以如图3A的例子那样形成为，作为平面形状，分别具有梳形形状。而且，第一以及第二导体膜25a、26a也可以形成为供第一导体膜26a的梳齿部分(图3A的例子的第一部分26a1～26a4)以及第二导体膜25a的梳齿部分(图3A的例子的第二部分25a1～25a4)啮合。
此外，在形成图2B所例示的顶栅型的TFT20的情况下，使用与图2A所例示的底栅型的TFT20的形成大致相同的方法，而且以与其顺序大致相反的顺序形成各构成要素。即，首先，在基板10上形成有具有沿着与规定方向(例如图3A所示的Y方向)交叉的方向(例如图3A的X方向)延伸的多个第一部分(图3A的例子中四个第一部分26a1～26a4)的第一导体膜26a。另外，与第一导体膜26a的形成一起形成有具有沿着与规定方向(图3A的Y方向)交叉的方向延伸的多个第二部分(图3A的例子中四个第二部分25a1～25a4)的第二导体膜25a。第一导体膜26a和第二导体膜25a形成为多个第一部分和多个第二部分沿着规定方向(图3A的Y方向)交替配置。
其后，在第一导体膜26a以及第二导体膜25a上形成有非晶硅的半导体层21。优选形成有沿着第一导体膜26a的多个第一部分和第二导体膜25a的多个第二部分交替排列的规定方向延伸的半导体层21。而且，在半导体层21上形成有栅极绝缘膜22，在栅极绝缘膜22上，以覆盖第一导体膜26a的第一部分和第二导体膜25a的第二部分对置的部分的方式形成有栅电极23。优选形成有沿着第一导体膜26a的多个第一部分和第二导体膜25a的多个第二部分交替排列的规定方向延伸的栅电极23。
另外，在形成有图2C所例示的顶栅型的TFT20的情况下，在基板10上依次形成半导体层21、栅极绝缘膜22、栅电极23、层间绝缘膜24、漏电极26(第一导体膜26a)以及源电极25(第二导体膜25a)。在半导体层21照射准分子激光，通过其退火使非晶硅变换为多晶硅(LTPS)。另外，在半导体层21中的应该成为源极21s以及漏极21d的区域掺杂杂质离子。在层间绝缘膜24以及栅极绝缘膜22，通过干式蚀刻等形成有接触孔24a，在漏电极26以及源电极25形成时埋入有金属。
其后，如图6B所示那样，第一无机绝缘膜31、有机绝缘膜32以及第二无机绝缘膜33形成于驱动电路2(参照图6A)的表面(图5A的S2)。第一无机绝缘膜31通过利用例如等离子体CVD法使200nm左右的厚度的SiNX或者SiO2等的膜成膜来形成。有机绝缘膜32通过涂覆液状或者低粘度的膏状的树脂来形成。作为涂覆法，例示出狭缝涂覆、旋涂以及组合了这双方的狭缝&旋涂法。有机绝缘膜32形成为1μm以上且2μm以下左右的厚度。作为有机绝缘膜32的材料，例如可使用聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂等。不包含感光体的非感光性树脂纯度高，而且有机绝缘膜32的表面平滑性高，从而优选。特别优选丙烯酸树脂。
第二无机绝缘膜33与第一无机绝缘膜31相同，通过例如使用等离子体CVD等使由SiNX或者SiO2等构成的膜成膜来形成。通过形成第二无机绝缘膜33，从而可防止后续工序使用的清洗剂等各种溶剂向有机绝缘膜32的浸透以及防止作为其结果可产生的TFT20的劣化等。
第二无机绝缘膜33优选形成为基于有机绝缘膜32的表面的凹凸的最大高低差DT选择出的厚度。例如第二无机绝缘膜33形成为有机绝缘膜32的朝向第二无机绝缘膜33的表面的凹凸的最大高低差DT的2倍以上的厚度。通过这样，能够通过第二无机绝缘膜33的一部分可靠地埋入有机绝缘膜32的表面的凹陷。另外，第二无机绝缘层33进一步优选形成为有机绝缘膜32的表面的凹凸的最大高低差DT的2倍以上且3倍以下的厚度。通过这样，能够如前述那样可靠地填埋有机绝缘膜32的凹陷。并且，能够不使第二无机绝缘膜33必要以上地变厚地通过后述的研磨工序可靠地使在第二无机绝缘膜33成膜后可出现于其表面的由于有机绝缘膜32的表面的凹凸产生凹凸变平整，并且能够大致可靠地防止研磨后的有机绝缘膜32的露出。
接下来，如图6C所示那样，研磨第二无机绝缘膜33的表面(图5A的S3)。如前述那样，本发明人发现，在成为有机发光元件40(参照图2A)的基底的平坦化膜30的表面不足够平坦的情况下，在有机EL显示装置可产生显示不均。因此，研磨平坦化膜30的表面亦即第二无机绝缘膜33的表面。第二无机绝缘膜33的表面优选被研磨为具有50nm以下的算术平均粗糙度。通过研磨为该程度的表面粗糙度，而且通过如后述那样避开接触孔30a的正上方来形成有机发光层43，从而能够如前述那样几乎不产生人可感知到那样的显示不均。另外，在平坦化膜30的表面的平坦化中，不一定谋求半导体工艺中作为目标那样的算术平均粗糙度。反而为了避免包括表面粗糙度的检查而繁琐且耗费时间的研磨工序，第二无机绝缘膜33的表面优选被研磨为20nm以上且50nm以下的算术平均粗糙度。
第二无机绝缘膜33在第二无机绝缘膜33的表面的研磨中，被研磨为例如研磨量(由研磨产生的第二无机绝缘膜33的厚度的减少量)至少局部为有机绝缘膜32的表面的凹凸的最大高低差DT的1倍以上且不足2倍。通过这样，如前述那样第二无机绝缘层33形成为有机绝缘膜32的凹凸的最大高低差DT的2倍以上的厚度的情况下，能够可靠地使由于有机绝缘膜32的凹凸可出现于成膜后的第二无机绝缘膜33的表面的凹凸变平整，并且能够大致可靠地防止由研磨引起的有机绝缘膜32的露出。例如在图6C的例子中，成膜后在第二无机绝缘膜33的表面中成为凸状部的区域(例如形成有TFT20的区域)的研磨量P1为有机绝缘膜32的表面的凹凸的最大高低差DT的大致2倍。另外，图6C的例子中，成膜后第二无机绝缘膜33的表面中成为凹状部的区域(例如没有形成有TFT20的区域)的研磨量P2是与有机绝缘膜32的凹凸的最大高低差DT大致相同的量或者比其稍低的量。
第二无机绝缘膜33的研磨的方法没有特别限定。但是，为了实现50nm以下的算术平均粗糙度，优选通过将包含铈、胶体二氧化硅或者气相二氧化硅的中性的浆用作研磨剂的CMP研磨进行研磨。若为CMP研磨，则例如通过研磨剂具有的表面化学作用使机械研磨的效果增大，能够迅速得到平滑的研磨面。铈具有较高的硬度，且作为其氧化物的氧化铈(CeO2)与玻璃产生化学反应，因此可成为由SiO2等形成的针对第二无机绝缘膜33有效的研磨剂。胶体二氧化硅通常是具有10nm～300nm的粒径的SiO2或者其水合物的胶体，气相二氧化硅(也被称为干式二氧化硅或者高分散二氧化硅)是具有10nm～30nm的粒径的正球状的SiO2粒子凝结(粒径100nm～400nm)而成的，均作为研磨剂有效地发挥功能。
另外，在第二无机绝缘膜33的研磨中，中性的水溶性乙醇或者氢氧化钾的水溶液与前述的研磨剂一起使用。特别是在基板10由聚酰亚胺树脂形成的情况下，从防止基板10的腐蚀的观点出发，优选与前述的研磨剂一起使用中性乙醇液对第二无机绝缘膜33的表面进行研磨。
如图6D所示那样，在第二无机绝缘膜33、有机绝缘膜32以及第一无机绝缘膜31形成有达到驱动电路2(参照图6A)的接触孔30a(图5A的S4)。优选形成有一并贯通这三个绝缘膜的接触孔30a。接触孔30a优选形成于后述的有机发光层43(参照图6F)的形成中应该形成有机发光层43的区域和基板10的厚度方向上不重叠的区域。通过这样，从而如前述那样可防止显示不均的产生。接触孔30a的形成例如在形成了抗蚀掩模后利用干式蚀刻来进行。在接触孔30a形成时，在平坦化膜30的阴极布线27的上方的部分也形成有阴极接触44a(参照图2A)用的接触孔30b。
如图6E所示那样，在接触孔30a的内部埋入金属，并且在规定区域形成有有机发光元件40(参照图2A)的第一电极41(图5A的S5)。具体而言，例如使用溅射等形成有层叠了10nm厚左右的ITO膜以及100nm厚左右的Ag膜或APC膜的下层和主要由10nm厚左右的ITO膜构成的上层。作为其结果，在接触孔30a的内部埋入金属，并且在平坦化膜30的表面形成有ITO膜、Ag膜或APC膜以及ITO膜的层叠膜。其后，通过使该层叠膜图案化，从而形成第一电极41。该层叠膜优选如图6E所示那样图案化为，使第一电极41具有俯视时不与接触孔30a重叠且足够形成有机发光层43的大小的区域。此外，在金属向接触孔30a埋入时，接触孔30b至少由ITO膜以及Ag膜或APC膜埋入，从而形成阴极接触44a。
如图6F所示那样，在第一电极41上形成有有机发光层43(图5A的S6)。具体而言，在第一电极41的周缘部形成有绝缘堤部42。绝缘堤部42也可以是SiO2等的无机绝缘膜，也可以是聚酰亚胺或者丙烯酸树脂等的有机绝缘膜。例如这些绝缘膜在平坦化膜30以及第一电极41的整个面成膜，并通过其图案化，从而使第一电极41的规定区域露出。优选接触孔30a和基板10在厚度方向上不重叠的第一电极41的区域露出。绝缘堤部42以1μm左右的高度形成。如前述那样在有机发光层43的形成中层叠有各种有机材料。有机材料的层叠例如通过真空蒸镀来进行，在该情况下，经由具有与R、G、B等所希望的像素对应的开口的蒸镀掩模蒸镀有机材料。也可以在有机发光层43的表面形成有使电子的注入性提高的LiF等层。此外，也可以不是通过蒸镀而是通过使用了喷墨法等的印刷形成有机发光层43。
如图6G所示那样，在有机发光层43上形成有第二电极44(图5A的S7)。第二电极44通过例如利用一起蒸镀使薄膜的Mg-Ag共晶膜成膜来形成。第二电极44也形成在阴极接触44a上，经由阴极接触44a与阴极布线27连接。Mg-Ag共晶膜包含例如Mg为90质量％左右以及Ag为10质量％左右的比例。第二电极44例如以10～20nm左右的厚度形成。
在第二电极44上形成有保护第二电极44以及有机发光层43免受水分或者氧气等的影响的被覆层46(参照图2A)。被覆层46通过使用等离子体CVD法等使SiO2或者SiNX等的无机绝缘膜成膜来形成。被覆层46优选形成为其端部与第二无机绝缘膜33等无机膜紧贴。这是由于用于无机膜彼此的接合的两者紧贴性良好地接合。通过这样，能够更可靠地防止水分等的浸入。通过经由以上的工序，可制造图2A所示的有机EL显示装置1。
〔总结〕
(1)本发明的第一实施方式的有机EL显示装置具备：基板，其具有表面，所述表面形成有包含薄膜晶体管的驱动电路；平坦化膜，其通过覆盖上述驱动电路，从而使上述基板的上述表面平坦化；以及有机发光元件，其形成在上述平坦化膜的朝向与上述驱动电路相反方向的表面上，并与上述驱动电路电连接，上述平坦化膜的上述表面具有50nm以下的算术平均粗糙度，上述薄膜晶体管具有：栅电极、漏电极、源电极以及包含成为上述薄膜晶体管的沟道的区域且与上述源电极以及上述漏电极局部重叠的半导体层，构成上述漏电极的第一导体膜以及构成上述源电极的第二导体膜各自的一部分沿着规定方向交替排列，成为上述沟道的区域夹设在上述第一导体膜的上述一部分与上述第二导体膜的上述一部分之间。
根据(1)的结构，在有机EL显示装置中，能够通过也可实现成本减少的构造来提高驱动电路的能力，而且能够使显示不均变少。
(2)在上述(1)的有机EL显示装置中，也可以是，存在成为由上述第一导体膜的一部分和上述第二导体膜的一部分夹着的上述沟道的多个区域，上述半导体层由非晶硅构成，将成为上述沟道的区域中的上述第一导体膜的上述一部分与上述第二导体膜的上述一部分的相互对置的部分的长度的上述多个之和设为W，将上述对置的部分中的上述第一导体膜与上述第二导体膜之间的间隔设为L时，W/L为50以上且500以下。在该情况下，能够形成电流驱动能力高的驱动电路。
(3)在上述(1)或者(2)的有机EL显示装置中，也可以是，上述第一导体膜以及上述第二导体膜形成为各自平面形状以梳形形成，并且供上述第一导体膜以及上述第二导体膜各自的梳齿部分啮合。在该情况下，能够高效地形成第一导体膜的一部分与第二导体膜的一部分较多的对置位置。
(4)在上述(1)～(3)中任一个有机EL显示装置中，也可以是，上述有机发光元件的发光区域以矩形形状形成，并且上述薄膜晶体管形成于上述发光区域的下层，上述第一导体膜的上述一部分以及上述第二导体膜的上述一部分的对置的部分沿着上述矩形形状的长边形成。在该情况下，能够得到具有较长的沟道宽度且具有接近适于矩形的形状的发光区域或像素内的设计值的特性的TFT。
(5)在上述(1)～(4)中任一个有机EL显示装置中，也可以是，上述栅电极遍及上述第一导体膜的上述一部分与上述第二导体膜的上述一部分的相互对置的部分的长度的范围的整体而形成。在该情况下，能够得到包括第一导体膜以及第二导体膜对置的部分的全长的沟道宽度较长的TFT。
(6)在上述(1)～(5)中任一个有机EL显示装置中，也可以是，上述平坦化膜包括：层叠在上述驱动电路上的第一无机绝缘膜、层叠在上述第一无机绝缘膜上的有机绝缘膜以及层叠在上述有机绝缘膜上的第二无机绝缘膜，上述第二无机绝缘膜的朝向与上述有机绝缘膜相反方向的表面具有20nm以上且50nm以下的表面粗糙度。在该情况下，能够兼顾可影响显示品质的显示不均的有效抑制和简单的制造。
(7)在上述(6)的有机EL显示装置中，也可以是，上述第二无机绝缘膜的厚度基于上述有机绝缘膜的朝向上述第二无机绝缘膜的表面的凹凸而变动，并且成为上述有机绝缘膜的上述表面的整个面中上述凹凸的最大高低差的1倍以上且3倍以下。在该情况下，可使有机绝缘膜不露出且有机绝缘膜的表面的凹凸在平坦化膜的表面变平整。
(8)本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法包含：在基板上形成包含薄膜晶体管的驱动电路的工序；在上述驱动电路的表面形成第一无机绝缘膜、有机绝缘膜以及第二无机绝缘膜的工序；对上述第二无机绝缘膜的表面进行研磨的工序；在上述第二无机绝缘膜、上述有机绝缘膜以及上述第一无机绝缘膜形成达到上述薄膜晶体管的接触孔的工序；在上述接触孔的内部埋入金属并且在规定的区域形成第一电极的工序；在上述第一电极上形成有机发光层的工序；以及在上述有机发光层上形成第二电极的工序，上述薄膜晶体管形成为栅电极、栅极绝缘膜、包含成为沟道的区域的半导体层、构成漏电极的第一导体膜以及构成源电极的第二导体膜的层叠构造，上述第一导体膜以及上述第二导体膜形成为各自的一部分沿着规定方向交替排列，成为上述沟道的区域夹设在上述第一导体膜的上述一部分与上述第二导体膜的上述一部分之间。
根据(8)的结构，能够适当地制造具有驱动能力优异的驱动电路且显示不均少的有机EL显示装置。
(9)在上述(8)的有机EL显示装置的制造方法中，上述薄膜晶体管的形成包含：在基板上形成沿着上述规定方向延伸的栅电极的工序；在上述栅电极上形成栅极绝缘膜的工序；在上述栅极绝缘膜上，以覆盖上述栅电极的方式形成沿着上述规定方向延伸的非晶硅的半导体层的工序；以及将具有沿着与上述规定方向交叉的方向延伸的多个第一部分的上述第一导体膜和具有沿着与上述规定方向交叉的方向延伸的多个第二部分的上述第二导体膜形成为上述第一部分和上述第二部分沿着上述规定方向交替配置的工序。通过这样，能够形成底栅构造(反交错构造的)的TFT。
(10)在上述(8)的有机EL显示装置的制造方法中，也可以是，上述薄膜晶体管的形成包含：在基板上将具有沿着与上述规定方向交叉的方向延伸的多个第一部分的上述第一导体膜和具有沿着与上述规定方向交叉的方向延伸的多个第二部分的上述第二导体膜形成为上述第一部分和上述第二部分沿着上述规定方向交替配置的工序；在上述第一导体膜以及上述第二导体膜上形成沿着上述规定方向延伸的非晶硅的半导体层的工序；在上述半导体层上形成栅极绝缘膜的工序；以及在上述栅极绝缘膜上，以覆盖上述第一部分与上述第二部分对置的部分的方式形成沿着上述规定方向延伸的栅电极的工序。通过这样，能够形成顶栅构造(交错构造)的TFT。
(11)在上述(8)～(10)中任一个有机EL显示装置的制造方法中，也可以是，将上述第一导体膜以及上述第二导体膜形成为各自以梳形形状形成并且供上述第一导体膜以及上述第二导体膜各自的梳齿部分啮合。通过这样，能够高效地形成第一导体膜的一部分与第二导体膜的一部分较多的对置位置。
(12)在上述(8)～(11)中任一个有机EL显示装置的制造方法中，也可以是，在上述半导体层与上述第一导体膜以及上述第二导体膜之间夹设高杂质浓度的第二半导体层。通过这样，能够使半导体层与漏电极以及源电极之间的接触电阻变低。
(13)在上述(8)～(12)中任一个有机EL显示装置的制造方法中，也可以是，在上述第二无机绝缘膜的形成中，以上述有机绝缘膜的表面的凹凸的最大高低差的2倍以上的厚度形成上述第二无机绝缘膜，在上述第二无机绝缘膜的上述表面的研磨中，以基于上述研磨的上述第二无机绝缘膜的厚度的减少量至少局部成为上述最大高低差的1倍以上且不足2倍的方式对上述第二无机绝缘膜进行研磨。通过这样，能够使由于有机绝缘膜的凹凸而可出现在成膜后的第二无机绝缘膜的表面的凹凸可靠地变平整，并且能够大致可靠地防止由于研磨引起的有机绝缘膜的露出。
附图标记说明
1：有机EL显示装置
2：驱动电路
3：有机EL显示面板
10：基板
20：薄膜晶体管(驱动TFT、TFT)
21：半导体层
21c：成为沟道的区域
22：栅极绝缘膜
23：栅电极
25：源电极
25a：第二导体膜
25a1～25a6：第二部分(梳齿部分)
26：漏电极
26a：第一导体膜
26a1～26a6：第一部分(梳齿部分)
30：平坦化膜
30a、30b：接触孔
31：第一无机绝缘膜
32：有机绝缘膜
33：第二无机绝缘膜
40：有机发光元件(OLED)
41：第一电极
43：有机发光层
44：第二电极

Claims (13)

1.一种有机EL显示装置，其特征在于，具备：
基板，其具有表面，所述表面形成有包含薄膜晶体管的驱动电路；
平坦化膜，其通过覆盖所述驱动电路，从而使所述基板的所述表面平坦化；以及
有机发光元件，其形成在所述平坦化膜的朝向与所述驱动电路相反方向的表面上，并与所述驱动电路电连接，
所述平坦化膜的所述表面具有50nm以下的算术平均粗糙度，
所述薄膜晶体管具有：栅电极、漏电极、源电极以及包含成为所述薄膜晶体管的沟道的区域且与所述源电极以及所述漏电极局部重叠的半导体层，
构成所述漏电极的第一导体膜以及构成所述源电极的第二导体膜各自的一部分沿着规定方向交替排列，
成为所述沟道的区域夹设在所述第一导体膜的所述一部分与所述第二导体膜的所述一部分之间。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，
成为由所述第一导体膜的一部分和所述第二导体膜的一部分夹着的所述沟道的区域设置有多个，所述半导体层由非晶硅构成，将成为所述沟道的多个区域中的所述第一导体膜的所述一部分与所述第二导体膜的所述一部分的相互对置的部分的长度之和设为W，将所述对置的部分中的所述第一导体膜与所述第二导体膜之间的间隔设为L时，W/L为50以上且500以下。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL显示装置，其特征在于，
所述第一导体膜以及所述第二导体膜形成为各自平面形状以梳形形成，并且供所述第一导体膜以及所述第二导体膜各自的梳齿部分啮合。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，
所述有机发光元件的发光区域以矩形形状形成，并且所述薄膜晶体管形成于所述发光区域的下层，所述第一导体膜的所述一部分以及所述第二导体膜的所述一部分的对置的部分沿着所述矩形形状的长边形成。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，
所述栅电极遍及所述第一导体膜的所述一部分与所述第二导体膜的所述一部分的相互对置的部分的长度的范围的整体而形成。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，
所述平坦化膜包括：层叠在所述驱动电路上的第一无机绝缘膜、层叠在所述第一无机绝缘膜上的有机绝缘膜以及层叠在所述有机绝缘膜上的第二无机绝缘膜，
所述第二无机绝缘膜的朝向与所述有机绝缘膜相反方向的表面具有20nm以上且50nm以下的表面粗糙度。
7.根据权利要求6所述的有机EL显示装置，其特征在于，
所述第二无机绝缘膜的厚度基于所述有机绝缘膜的朝向所述第二无机绝缘膜的表面的凹凸而变动，并且成为所述有机绝缘膜的所述表面的整个面中所述凹凸的最大高低差的1倍以上且3倍以下。
8.一种有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，包含：
在基板上形成包含薄膜晶体管的驱动电路的工序；
在所述驱动电路的表面形成第一无机绝缘膜、有机绝缘膜以及第二无机绝缘膜的工序；
对所述第二无机绝缘膜的表面进行研磨的工序；
在所述第二无机绝缘膜、所述有机绝缘膜以及所述第一无机绝缘膜形成达到所述薄膜晶体管的接触孔的工序；
在所述接触孔的内部埋入金属并且在规定的区域形成第一电极的工序；
在所述第一电极上形成有机发光层的工序；以及
在所述有机发光层上形成第二电极的工序，
所述薄膜晶体管形成为栅电极、栅极绝缘膜、包含成为沟道的区域的半导体层、构成漏电极的第一导体膜以及构成源电极的第二导体膜的层叠构造，
所述第一导体膜以及所述第二导体膜形成为各自的一部分沿着规定方向交替排列，
成为所述沟道的区域夹设在所述第一导体膜的所述一部分与所述第二导体膜的所述一部分之间。
9.根据权利要求8所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，
所述薄膜晶体管的形成包含：
在基板上形成沿着所述规定方向延伸的栅电极的工序；
在所述栅电极上形成栅极绝缘膜的工序；
在所述栅极绝缘膜上，以覆盖所述栅电极的方式形成沿着所述规定方向延伸的非晶硅的半导体层的工序；以及
将具有沿着与所述规定方向交叉的方向延伸的多个第一部分的所述第一导体膜和具有沿着与所述规定方向交叉的方向延伸的多个第二部分的所述第二导体膜形成为所述第一部分和所述第二部分沿着所述规定方向交替配置的工序。
10.根据权利要求8所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，
所述薄膜晶体管的形成包含：
在基板上将具有沿着与所述规定方向交叉的方向延伸的多个第一部分的所述第一导体膜和具有沿着与所述规定方向交叉的方向延伸的多个第二部分的所述第二导体膜形成为所述第一部分和所述第二部分沿着所述规定方向交替配置的工序；
在所述第一导体膜以及所述第二导体膜上形成沿着所述规定方向延伸的非晶硅的半导体层的工序；
在所述半导体层上形成栅极绝缘膜的工序；以及
在所述栅极绝缘膜上，以覆盖所述第一部分与所述第二部分对置的部分的方式形成沿着所述规定方向延伸的栅电极的工序。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的制造方法，其特征在于，
将所述第一导体膜以及所述第二导体膜形成为各自以梳形形状形成，并且供所述第一导体膜以及所述第二导体膜各自的梳齿部分啮合。
12.根据权利要求8～11中任一项所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述半导体层与所述第一导体膜以及所述第二导体膜之间夹设高杂质浓度的第二半导体层。
13.根据权利要求8～12中任一项所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，
在所述第二无机绝缘膜的形成中，以所述有机绝缘膜的表面的凹凸的最大高低差的2倍以上的厚度形成所述第二无机绝缘膜，
在所述第二无机绝缘膜的所述表面的研磨中，以基于所述研磨的所述第二无机绝缘膜的厚度的减少量至少局部成为所述最大高低差的1倍以上且不足2倍的方式对所述第二无机绝缘膜进行研磨。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111886699A (zh) * 2018-03-28 2020-11-03 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置及其制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111937159A (zh) * 2018-03-28 2020-11-13 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置及有机el显示装置的制造方法
WO2019186809A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
US10964767B2 (en) * 2018-04-11 2021-03-30 Sakai Display Products Corporation Organic EL display device and manufacturing method for organic EL display device
CN113871432B (zh) * 2021-09-17 2023-05-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101034718A (zh) * 2006-03-08 2007-09-12 三菱电机株式会社 薄膜晶体管装置及其制造方法
US20070235777A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Mitsubishi Electric Corporation Thin film transistor, manufacturing method thereof, and active matrix display apparatus
JP2010272664A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Sony Corp ａ−ＳｉＴＦＴ及びこのａ−ＳｉＴＦＴを有するシフトレジスター
JP2015103389A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 次世代化学材料評価技術研究組合 有機ｅｌ素子
KR20170002782A (ko) * 2015-06-29 2017-01-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02275672A (ja) 1989-03-30 1990-11-09 Nippon Steel Corp 薄膜トランジスター
JPH04360583A (ja) 1991-06-07 1992-12-14 Nippon Steel Corp 薄膜トランジスタ
KR100918180B1 (ko) * 2003-03-04 2009-09-22 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터
JP2006253164A (ja) 2005-03-07 2006-09-21 Ricoh Co Ltd 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置
JP5521270B2 (ja) 2007-02-21 2014-06-11 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、および薄膜トランジスタアレイを用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ
CN101772842B (zh) * 2007-08-07 2011-08-17 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法以及图像显示装置
KR100899426B1 (ko) * 2007-09-14 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 제조방법
WO2009104302A1 (ja) * 2008-02-19 2009-08-27 シャープ株式会社 Ｔｆｔ、シフトレジスタ、走査信号線駆動回路、スイッチ回路、および、表示装置
KR101473795B1 (ko) * 2008-09-03 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
JP2010129881A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Sharp Corp 薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクス基板
TWI570719B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP2013062307A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび電子機器
KR101407310B1 (ko) * 2011-12-30 2014-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2016055909A1 (en) 2014-10-10 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP2016153888A (ja) * 2015-02-18 2016-08-25 株式会社リコー 画像表示装置
JP6583812B2 (ja) 2015-06-24 2019-10-02 国立研究開発法人物質・材料研究機構 多層構成の薄膜トランジスタの製造方法
KR102474698B1 (ko) * 2015-12-30 2022-12-05 엘지디스플레이 주식회사 게이트 드라이버 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR102458660B1 (ko) 2016-08-03 2022-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR20180057805A (ko) * 2016-11-22 2018-05-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 백플레인 및 이의 제조 방법
WO2019186809A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN111886700A (zh) * 2018-03-28 2020-11-03 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101034718A (zh) * 2006-03-08 2007-09-12 三菱电机株式会社 薄膜晶体管装置及其制造方法
US20070235777A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Mitsubishi Electric Corporation Thin film transistor, manufacturing method thereof, and active matrix display apparatus
JP2010272664A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Sony Corp ａ−ＳｉＴＦＴ及びこのａ−ＳｉＴＦＴを有するシフトレジスター
JP2015103389A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 次世代化学材料評価技術研究組合 有機ｅｌ素子
KR20170002782A (ko) * 2015-06-29 2017-01-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111886699A (zh) * 2018-03-28 2020-11-03 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置及其制造方法

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