JPWO2019186809A1 - 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1には、第1実施形態の有機EL表示装置1における駆動回路2の構成の一例が、それぞれ模式的に示されている有機EL表示パネル3、データ線ドライバ1d及び走査線ドライバ1gと共に示されている。有機EL表示パネル3は、マトリクス状に配置された複数の画素3aを有し、各画素3aに有機発光素子40及び駆動回路2が設けられている。図1の例では、駆動回路2は、有機発光素子40の通電状態を切り換える駆動TFT20、駆動TFT20のオン/オフを切り換えるスイッチングTFT2a、及び駆動TFT20のゲート−ソース間電圧を保持する保持容量2bを含んでいる。駆動TFT20のドレインが電源線2pに、ソースが有機発光素子40の陽極に、そして、ゲートがスイッチングTFT2aのソースにそれぞれ接続されており、有機発光素子40の陰極は陰極配線27を介してグランドに接続されている。
次に、図2Aに示される有機EL表示装置1を例に、一実施形態の有機EL表示装置の製造方法が、図5A及び図5Bのフローチャート並びに図6A〜図6Gに示される断面図を参照すると共に、図3Aも適宜参照しながら説明される。
(1)本発明の第1実施形態の有機EL表示装置は、薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成された表面を有する基板と、前記駆動回路を覆うことによって前記基板の前記表面を平坦化する平坦化膜と、前記平坦化膜における前記駆動回路と反対方向を向く表面の上に形成され、前記駆動回路と電気的に接続された有機発光素子と、を備え、前記平坦化膜の前記表面は、50nm以下の算術平均粗さを有しており、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、及び前記薄膜トランジスタのチャネルとなる領域を含んでいて前記ソース電極および前記ドレイン電極と部分的に重ねられた半導体層を有し、前記ドレイン電極を構成する第1導体膜および前記ソース電極を構成する第2導体膜それぞれの一部が所定の方向に沿って交互に並べられており、前記チャネルとなる領域は、前記第1導体膜の前記一部と前記第2導体膜の前記一部との間に挟まれている。
2 駆動回路
3 有機EL表示パネル
10 基板
20 薄膜トランジスタ(駆動TFT、TFT)
21 半導体層
21c チャネルとなる領域
22 ゲート絶縁膜
23 ゲート電極
25 ソース電極
25a 第2導体膜
25a1〜25a6 第2部分(櫛歯部分)
26 ドレイン電極
26a 第1導体膜
26a1〜26a6 第1部分(櫛歯部分)
30 平坦化膜
30a、30b コンタクト孔
31 第1無機絶縁膜
32 有機絶縁膜
33 第2無機絶縁膜
40 有機発光素子(OLED)
41 第1電極
43 有機発光層
44 第2電極
Claims (13)
- 薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成された表面を有する基板と、
前記駆動回路を覆うことによって前記基板の前記表面を平坦化する平坦化膜と、
前記平坦化膜における前記駆動回路と反対方向を向く表面の上に形成され、前記駆動回路と電気的に接続された有機発光素子と、
を備え、
前記平坦化膜の前記表面は、50nm以下の算術平均粗さを有しており、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、及び前記薄膜トランジスタのチャネルとなる領域を含んでいて前記ソース電極および前記ドレイン電極と部分的に重ねられた半導体層を有し、
前記ドレイン電極を構成する第1導体膜および前記ソース電極を構成する第2導体膜それぞれの一部が所定の方向に沿って交互に並べられており、
前記チャネルとなる領域は、前記第1導体膜の前記一部と前記第2導体膜の前記一部との間に挟まれている、有機EL表示装置。 - 前記第1導体膜の一部と前記第2導体膜の一部とで挟まれた前記チャネルとなる領域が複数個あり、前記半導体層がアモルファスシリコンからなり、前記チャネルとなる領域における前記第1導体膜の前記一部と前記第2導体膜の前記一部の互いに対向する部分の長さの前記複数個の和をW、前記対向する部分における前記第1導体膜と前記第2導体膜との間隔をLとしたときに、W/Lが50以上、500以下である、請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記第1導体膜及び前記第2導体膜が、それぞれ平面形状で櫛型に形成されると共に、前記第1導体膜及び前記第2導体膜それぞれの櫛歯部分が噛み合うように形成されている、請求項1または2に記載の有機EL表示装置。
- 前記有機発光素子の発光領域が矩形形状に形成され、かつ、前記薄膜トランジスタが前記発光領域の下層に形成されており、前記第1導体膜の前記一部及び前記第2導体膜の前記一部の対向する部分が、前記矩形形状の長辺に沿って形成されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
- 前記ゲート電極が、前記第1導体膜の前記一部と前記第2導体膜の前記一部の互いに対向する部分の長さの範囲の全体に亘って形成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
- 前記平坦化膜は、前記駆動回路の上に積層された第1無機絶縁膜、前記第1無機絶縁膜の上に積層された有機絶縁膜、及び、前記有機絶縁膜の上に積層された第2無機絶縁膜を含み、
前記第2無機絶縁膜における前記有機絶縁膜と反対方向を向く表面が、20nm以上、50nm以下の表面粗さを有している、請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。 - 前記第2無機絶縁膜の厚さは、前記有機絶縁膜における前記第2無機絶縁膜を向く表面の凹凸に基づいて変動し、かつ、前記有機絶縁膜の前記表面の全面において前記凹凸の最大高低差の1倍以上、3倍以下である、請求項6に記載の有機EL表示装置。
- 基板の上に、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する工程と、
前記駆動回路の表面に第1無機絶縁膜、有機絶縁膜及び第2無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第2無機絶縁膜の表面を研磨する工程と、
前記第2無機絶縁膜、前記有機絶縁膜及び前記第1無機絶縁膜に、前記薄膜トランジスタに達するコンタクト孔を形成する工程と、
前記コンタクト孔の内部に金属を埋め込むと共に、所定の領域に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上に有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層の上に第2電極を形成する工程と、
を含み、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネルとなる領域を含む半導体層と、ドレイン電極を構成する第1導体膜及びソース電極を構成する第2導体膜との積層構造に形成され、
前記第1導体膜および前記第2導体膜は、それぞれの一部が所定の方向に沿って交互に並ぶように形成され、
前記チャネルとなる領域は、前記第1導体膜の前記一部と前記第2導体膜の前記一部との間に挟まれている、有機EL表示装置の製造方法。 - 前記薄膜トランジスタの形成が、
基板上に前記所定の方向に沿って延びるゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に、前記所定の方向に沿って延びるアモルファスシリコンの半導体層を前記ゲート電極をカバーするように形成する工程と、
前記所定の方向と交差する方向に沿って延びる複数個の第1部分を有する前記第1導体膜と、前記所定の方向と交差する方向に沿って延びる複数個の第2部分を有する前記第2導体膜を、前記第1部分と前記第2部分とが前記所定の方向に沿って交互に配置されるように形成する工程と、
を含む、請求項8に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記薄膜トランジスタの形成が、
基板上に前記所定の方向と交差する方向に沿って延びる複数個の第1部分を有する前記第1導体膜と、前記所定の方向と交差する方向に沿って延びる複数個の第2部分を有する前記第2導体膜を、前記第1部分と前記第2部分とが前記所定の方向に沿って交互に配置されるように形成する工程と、
前記第1導体膜及び前記第2導体膜の上に前記所定の方向に沿って延びるアモルファスシリコンの半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に、前記第1部分と前記第2部分とが対向する部分をカバーするように、前記所定の方向に沿って延びるゲート電極を形成する工程と、
を含む、請求項8に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記第1導体膜及び前記第2導体膜を、それぞれ櫛型形状に形成すると共に前記第1導体膜及び前記第2導体膜それぞれの櫛歯部分が噛み合うように形成する、請求項8〜10のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記半導体層と、前記第1導体膜及び前記第2導体膜との間に高不純物濃度の第2半導体層を介在させる、請求項8〜11のいずれか1項に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記第2無機絶縁膜の形成において、前記有機絶縁膜の表面の凹凸における最大高低差の2倍以上の厚さに前記第2無機絶縁膜を形成し、
前記第2無機絶縁膜の前記表面の研磨において、前記研磨による前記第2無機絶縁膜の厚さの減少量が少なくとも部分的に前記最大高低差の1倍以上、2倍未満となるように前記第2無機絶縁膜を研磨する、請求項8〜12のいずれか1項に記載の有機EL表示装置の製造方法。
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