CN103168507A

CN103168507A - 可减少处理腔室不对称的影响的等离子体处理装置

Info

Publication number: CN103168507A
Application number: CN2011800500026A
Authority: CN
Inventors: 罗伯特·谢比; 艾伦·切希尔; 斯坦利·德特马; 加布里埃尔·鲁皮亚尔
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2010-10-28
Filing date: 2011-10-25
Publication date: 2013-06-19
Also published as: WO2012058184A3; KR20130140035A; US20120103524A1; WO2012058184A2; TW201234934A

Abstract

本发明提供在处理装置之中提供不对称等离子体分布的等离子体处理装置。在某些实施例中，等离子体处理装置可包括：具有处理腔体的处理腔室，该处理腔体中布置有基板支撑；及布置于基板支撑上方的第一RF线圈，以将RF能量耦合至处理腔体之中，其中沿着第一RF线圈移动的RF能量所产生的电场在基板支撑的中央轴四周是不对称的。在某些实施例中，相对于处理腔体不对称地布置抽气通口，以从处理腔体移除一或更多气体。在某些实施例中，第一RF线圈不对称地布置于基板支撑的中央轴四周。

Description

可减少处理腔室不对称的影响的等离子体处理装置

技术领域

本发明的实施例大致关于基板处理设备，且更具体而言，关于等离子体增强基板处理装置。

背景技术

某些基板处理腔室可具有相对于处理腔室的处理腔体不对称地布置的抽气通口。此类处理腔室可进一步包括电感或电容耦合电极，以在处理腔体中点燃等离子体。电感线圈或电容电极通常对称地布置于处理腔室四周，举例而言靠近处理腔室的上部部分，以提供均匀的电场，且因此在处理腔室之中提供更均匀的等离子体。然而，发明人观察到相对于处理腔体的抽气通口的不对称位置可导致在处理腔室中等离子体的非均匀性，等离子体的非均匀性可能非所欲地导致在处理腔室之中基板的非均匀处理。举例而言，发明人观察到严重的处理非均匀性可导致蚀刻处理于较高的操作压力下实行（举例而言，大于大约25毫托(mTorr)）。减轻此抽气不对称效应的尝试包括挡流片或分流器。然而，发明人观察到此类解决方式非所欲地限制处理腔室之中的流导，且会减少可利用的处理窗。

因此，发明人提供了改良的等离子体处理装置，该等离子体处理装置可减少至少某些抽气不对称的效应，同时维持流导及处理窗。

发明内容

此处提供在处理装置之中提供不对称等离子体分布的等离子体处理装置的实施例。在某些实施例中，等离子体处理装置可包括：具有处理腔体的处理腔室，该处理腔体中布置有基板支撑；及布置于基板支撑上方的第一RF线圈，以将RF能量耦合至处理腔体之中，其中沿着第一RF线圈移动的RF能量所产生的电场在基板支撑的中央轴四周是不对称的。在某些实施例中，相对于处理腔体不对称地布置抽气通口，以从处理腔体移除一或更多气体。在某些实施例中，第一RF线圈不对称地布置于基板支撑的中央轴四周。在某些实施例中，第一RF线圈包括至少一个导体，该至少一个导体缠绕于基板支撑的中央轴四周，且从靠近基板支撑的中央轴布置的第一端至第二端缠绕朝向处理腔体的外围。在某些实施例中，等离子体处理装置包括第二RF线圈，该第二RF线圈布置于处理腔体的上方。在某些实施例中，第一RF线圈是不对称地布置于基板支撑的中央轴四周的外部线圈，且第二RF线圈是对称地布置于基板支撑四周的内部线圈。

在某些实施例中，等离子体处理装置可包括：处理腔室，该处理腔室具有处理腔体及上盖，该处理腔体中布置有基板支撑，且该上盖布置于基板支撑上方；外部RF线圈，该外部RF线圈在处理腔体外部布置靠近上盖，以将RF能量耦合至处理腔体之中，其中外部RF线圈包括至少一个第一导体，该至少一个第一导体不对称地布置于基板支撑的中央轴四周；内部RF线圈，该内部RF线圈在处理腔体外部靠近上盖，以将RF能量耦合至处理腔体之中，其中内部RF线圈包括第二导体，该第二导体对称地布置于基板支撑的中央轴四周；及抽气通口，该抽气通口相对于处理腔体不对称地布置，其中电场在靠近抽气通口的处理腔体的第一部分上方比在对立于（opposing）抽气通口的处理腔体的第二部分上方更微弱。

在某些实施例中，等离子体处理装置可包括：具有处理腔体的处理腔室，该处理腔体中布置有基板支撑；抽气通口，该抽气通口相对于处理腔体不对称地布置；及等离子体产生器。在某些实施例中，等离子体产生器可包括：信号产生器；及耦合至信号产生器的电极，以从信号产生器施加能量之后，在处理腔体之中建立电场，其中电场相对于基板支撑的中央轴具有不对称的几何形状。

本发明的其他及进一步实施例讨论如下。

附图说明

为了详细了解本发明的上述特征，如上简明概述的本发明将参考实施例加以更具体的说明，而某些实施例图示于附图中。然而，应了解，附图仅图示本发明的典型实施例，且因此并非考虑限制本发明的范畴，因为本发明可容纳其他均等效果的实施例。

图1描绘根据本发明的某些实施例的等离子体反应器的概要侧视图。

图2A-2B描绘根据本发明的某些实施例的等离子体反应器的顶部视图。

图3A-3B描绘根据本发明的某些实施例的等离子体反应器。

具体实施方式

此处提供在处理装置之中提供不对称等离子体分布的等离子体处理装置的实施例。在某些实施例中，所发明的装置可有利地克服处理腔室之中的不对称性，而非不利地影响处理腔室之中的处理。举例而言，本发明的至少某些实施例可有利地克服处理腔室之中的不对称性，而非不利地影响处理腔室的流导及/或处理窗。所发明装置的实施例可有益于任何等离子体辅助基板处理，例如蚀刻、沉积或类似者。合适处理的非限制范例包括用于形成微机电系统（MEMS）设备的硅（Si）深蚀刻处理或硅穿孔（TSV）应用。

图1描绘可用以实现此处所讨论的本发明的实施例的类型的图示性蚀刻反应器100的概要图。反应器100可独自使用，或更通常作为整合型半导体基板处理系统或群集工具的处理模块使用，例如从美国加州圣坦克拉拉市的应用材料公司可取得的

整合型半导体基板处理系统。可根据此处所提供的技术而修改的适合的蚀刻反应器的范例包括也可从应用材料公司取得的蚀刻反应器的ADVANTEDGE^TM线（例如AdvantEdge S或AdvantEdge HT）、蚀刻反应器的

线（例如

AE、HT、G3聚蚀刻器（poly etcher））或其他蚀刻反应器。在处理腔室之中具有不对称流体条件的其他蚀刻反应器或非蚀刻等离子体处理设备，包括可从其他制造商取得的蚀刻反应器或非蚀刻等离子体处理设备，例如用于沉积、表面处理等的处理设备也可根据此处所提供的技术而修改。

反应器100包含具有处理腔体115的处理腔室110和等离子体产生器，该处理腔体115中布置有基板支撑116，该等离子体产生器用以在处理腔体115之中建立及/或维持等离子体，或在使用期间可传递等离子体至处理腔体115。在某些实施例中，可供应圆顶状的介电上盖120（亦称之为介电窗）至腔室110，该介电上盖120布置于导体（壁）130的上方。或者，上盖120可具有其他几何形状，例如实质上平坦的。处理腔体115可包覆于导体130及上盖120之中。抽气通口125可相对于处理腔体115而不对称地布置，以从处理腔体115移除一或更多气体。举例而言，抽气通口125可布置于处理腔体115的一侧，使得在使用期间，在处理腔体115之中形成高及低压力的不对称区域（例如在处理腔体115的区域中低压力的区域靠近抽气通口125，而高压力的区域远离抽气通口125，且中等压力的区域布置于高及低压力的区域之间）。如此处所使用，高压力、低压力及中等压力意图为彼此相对的比较词汇，且并非任何特定压力的绝对词汇。在处理腔体之中的各种压力可造成处理腔体之中的各种气体流速，而可非所欲地影响布置于处理腔体115之中的基板的处理结果。各种压力及气体流速可非所欲地推/拉或者影响处理腔体之中的等离子体位置，而可导致非均匀的处理结果。或者或相结合地，其他腔室元件，例如用于传送基板进及出处理腔室110的狭缝阀门102及/或处理腔室110本身的几何形状可造成或可贡献处理腔室110中的任何流体不对称，可通过使用此处所揭示的发明装置而减轻该流体不对称。尽管此处所述主要涉及处理腔室之中的流体不对称，但本发明的实施例也可用以补偿在处理腔室之中影响等离子体或处理的其他不对称。

等离子体产生器可为任何适合的等离子体产生器，例如射频（RF）等离子体产生器、微波等离子体产生器、远端等离子体产生器或类似者。在某些实施例中，等离子体产生器包含耦合至电极的信号产生器118。信号产生器118通常以适合的频率提供能量，以在处理腔室中或在远离处理腔室处，从供应至处理腔室110的处理腔体115的处理气体形成及/或维持等离子体。举例而言，在某些实施例中，信号产生器118可以大约50kHz至大约2.45GHz的频率提供信号（例如，在RF至微波的频谱中）。等离子体产生器配置成在处理腔室之中提供不对称的等离子体，此不对称的等离子体可补偿腔室之中的不对称压力/流体条件。信号产生器118可透过第一匹配网络119耦合至电极，以在使用期间最小化反射功率。

在某些实施例中，电极可为包含至少一个RF线圈的天线111。天线111可布置于基板支撑116上方。在某些实施例中，例如图1中所图示，天线111可布置于上盖120上方，且配置成将RF能量电感耦合到提供至腔室110的处理腔体115的处理气体。天线111可透过第一匹配网络119耦合至信号产生器118。

天线111的实施例更详细地图示于图2A-B中，图2A-B图示根据本发明的某些实施例的反应器100的顶视图。为了清楚起见，可包括于天线111的一或更多实施例中的各个RF线圈112、148分开图示。然而，如图1中所图示，在某些实施例中，RF线圈112、148两者可同时包括于反应器100中。

在某些实施例中，天线111可包括第一RF线圈112，如图1及图2B中图示，第一RF线圈112布置于基板支撑116上方。在将RF能量施加至第一RF线圈112之后，第一RF线圈112可产生在基板支撑116（及布置于基板支撑上的基板）的中央轴113四周不对称的电场。不对称的电场可配置成与处理腔体115之中的不对称流体型态相关联（例如，归因于不对称抽气通口125的高及低压力的区域）。举例而言，第一RF线圈112可经配置，使得在使用期间产生于处理腔体115之中的电场，在靠近抽气通口125的处理腔体115的第一部分117上方（例如，低压力的区域）比在对立于（opposite）抽气通口125的处理腔体115的第二部分121（例如，高压力的区域）上方更微弱。由第一RF线圈112所产生的电场可配置成，在布置于第一部分117及第二部分121之间的处理腔体115的第三部分123（例如，中等压力的区域）上方具有中等的强度。在某些实施例中，由第一RF线圈112所产生的电场可配置成，在较低压力的区域中最微弱，在处理腔体115的较高压力的区域中最强。因此，第一RF线圈112可配置成提供由沿着第一RF线圈112流动的RF能量所产生的不对称的电场，此不对称的电场可至少部分补偿不对称的抽气所导致的流体非均匀性，该不对称的抽气是因为抽气通口125相对于处理腔体115的位置而造成。不对称的电场接着提供对应于较强及较弱的电场的区域，而具有较多或较少等离子体密度的区域的不对称的等离子体。发明人相信不对称的等离子体可由在处理腔体之中的不对称压力/流体条件而重新分布，导致更均匀的等离子体，且因此导致更均匀的处理结果。通过提供此益处，而不在腔室之中使用挡流片及/或分流器，所发明的装置有利地不影响腔室之中的传导性，或因为较窄的流体/压力限制而减少处理窗。

靠近抽气通口125的处理腔体115的第一部分117，因为靠近抽气通口125而可为低压力的区域。对立于第一部分117的处理腔体115的第二部分121，因为该第二部分121的位置距离抽气通口125最远，而可为高压力的区域。处理腔体115的第三部分123，位于第一部分117及第二部分121之间，可为中等压力的区域，而具有比第一部分117更高的压力且比第二部分121更低的压力。因此，在某些实施例中，以上所讨论电场的不对称可配置成在第一部分117上方最弱且在对立的第二部分121上方最强。

沿着第一RF线圈112流动的RF能量所产生的不对称的电场，可由不对称地布置于基板支撑的中央轴113四周的第一RF线圈112而引起。举例而言，在某些实施例中，第一RF线圈112可包含至少一个导体129（图2B图示第一RF线圈112具有三个导体129）缠绕于基板支撑116的中央轴113四周。至少一个导体129可从靠近基板支撑116的中央轴113布置的第一端131至第二端133缠绕朝向处理腔体115的外围。RF能量可于第一端131或第二端133任一者（例如，透过信号产生器118及第一匹配网络119）耦合到至少一个导体129，而第一或第二端131、133的另一者耦合至接地。在某些实施例中，RF能量耦合到至少一个导体的第一端131，而第二端133耦合至接地。

在某些实施例中，且如图2B中图示，至少一个导体129的最外部缠绕135可以图示的距离137，布置于处理腔体115的外围的内部。在某些实施例中，至少一个导体129的最外部缠绕135可布置于处理腔体115的外围的内部。至少一个导体129的最外部缠绕135相对于处理腔体115的外围向内布置的距离137，可取决于数种因素，例如处理腔室的几何形状、介电窗的几何形状（例如，平坦、圆顶状等等）及基板的尺寸（例如，200mm或300mm晶圆、方形或矩形面板或类似者）。至少一个导体129的最外部缠绕135可相对于基板支撑116的外直径径向地向内或向外布置。

发明人无预期地发现即使至少一个导体129是对称的（未图示），可通过将最外部缠绕135布置于处理腔体115的外围的内部，而达到处理均匀性的改良。举例而言，在传统的处理装置中，对称的导体线圈的最外部缠绕通常布置于靠近处理装置的处理腔体的外围。然而，发明人发现通过移动对称导体线圈的最外部缠绕远离处理装置的外围，蚀刻处理的处理均匀性意外地改善约百分之25。发明人进一步发现通过对至少一个导体129采取不对称，可达成处理均匀性的进一步改良。

举例而言，如图1及图2B所图示，第一RF线圈112的至少一个导体129可不对称地布置于基板支撑116的中央轴113四周。如图2B中所图示，第一RF线圈112可包括多个导体129（在图2B中图示三个导体129），其中各个导体129可不对称地布置于中央轴113四周。然而，图2B的实施例仅为本发明的一个范例实施例。举例而言，在某些实施例中，一个或任何数量的多个导体129可不对称地布置，以当RF能量沿着第一RF线圈112的多个导体129各者流动时，提供不对称的电场。

在图2B中图示为不对称地缠绕于中央轴113四周的线圈的至少一个导体129，可包括如所图示的多个在中央轴113四周的缠绕。举例而言，至少一个导体129可包括第一缠绕（例如至少一个导体129的最内部缠绕139）及第二缠绕（例如最外部缠绕135）。尽管在图2B中的第一RF线圈112的范例实施例只图示两个缠绕（例如，最内部缠绕139及最外部缠绕135），但至少一个导体129可包括任何必要所欲数量的缠绕，以提供以上所讨论的电场的所欲特征。在某些实施例中，介于第一缠绕及第二缠绕之间的距离可变化。举例而言，介于最内部缠绕139及最外部缠绕135之间的距离141出现分歧。在某些实施例中，介于至少一个导体129的缠绕之间的距离在靠近抽气通口125的处理腔体115的第一部分117上方最大。举例而言，介于至少一个导体129的最内部缠绕139及最外部缠绕135之间的距离143在处理腔体115的第一部分117上方可为最大。

在某些实施例中，当使用多个导体129时，介于邻接导体129之间的距离沿着邻接导体各自相对应的长度可为固定的。举例而言，介于邻接导体129之间的距离147沿着邻接导体129的各自长度可为固定的。

在某些实施例中，且如图1及图2A中所图示，天线111可进一步包括布置于基板支撑116上方的第二RF线圈148，第二RF线圈148配置成将RF能量电感耦合到提供至处理腔室110的处理腔体115的处理气体。如图1中图示，第一RF线圈112及第二RF线圈148两者可透过第一匹配网络119耦合至信号产生器118。在某些实施例中，于第一及第二RF线圈112、148之间分配功率的设备（例如分压电容或类似者，未图示），可布置于第一匹配网络119的输出，以控制从信号产生器118传递至第一及第二RF线圈112、148的RF功率的百分比。在某些实施例中，设备可由控制器140控制，以在处理期间，选择性地调整供应至第一及第二RF线圈112、148的各者的RF功率的量。

在某些实施例中，如图1所图示，第二RF线圈148可为对称地布置于中央轴113四周的内部线圈，且第一RF线圈112可为外部线圈（相对于内部线圈）。第一RF线圈112的实施例如以上所讨论。类似于第一RF线圈112，第二RF线圈148可包括至少一个导体149缠绕于基板支撑的中央轴113四周，且从靠近中央轴113布置的第一端150至第二端152缠绕朝向处理腔体115的外围。RF能量可于第一端150或第二端152任一者（例如，透过信号产生器118及第一匹配网络119）耦合到至少一个导体149，而第一或第二端150、152的另一者耦合至接地。在某些实施例中，RF能量耦合到至少一个导体的第一端150，而第二端152耦合至接地。

在某些实施例中，且如图2A中图示，第二RF线圈148可包括对称地布置于中央轴113四周的一个导体149。或者，（未图示）第二RF线圈148可包括多个导体149。在某些实施例中，（未图示）多个导体149中的各个导体149可对称地布置于基板支撑116的中央轴113四周。

尽管此处图示性地讨论电感耦合处理装置，在某些实施例中，电极可配置成将能量电容耦合至处理腔室。举例而言，在某些实施例中，电极可为平板电极（未图示）或具有类似的几何形状，使得能量耦合至处理腔室的所欲区域中，或使得更多能量耦合至处理腔室中所欲更高密度等离子体的区域处，且更少能量耦合至处理腔室中所欲更低密度等离子体的区域处。在某些实施例中，例如当提供具有微波频率的信号时，可省略电极，且可提供波导以引导微波能量至所欲位置，来激发处理气体且形成等离子体。

电极或波导的位置可经配置，使得等离子体被建立或提供于一个或所欲的位置。举例而言，图3A及图3B描绘远端等离子体源，远端等离子体源配置成提供等离子体至处理腔室，且以不对称的方式补偿处理腔室之中的流体不对称性。图3A图示处理腔室110具有不对称的抽气通口125。用于将基板114支撑于基板支撑116上的基板支撑116被布置于处理腔室之中，且具有中央轴113。远端等离子体源可包括等离子体腔室302，例如管状或其他狭窄的区域，而导电线圈304包覆于等离子体腔室302的四周。导电线圈304可耦合至信号产生器118。等离子体腔室302耦合至气体控制板138，且等离子体腔室302耦合至处理腔室。在操作中，从气体控制板138提供的气体通过等离子体腔室302，且由信号产生器118施加至导电线圈304的能量激发成等离子体。等离子体腔室302相对于中央轴113不对称地布置。如以上所讨论，布置等离子体腔室302的特定位置取决于处理腔室110之中的流体条件。举例而言，在远离抽气通口125的位置需要更高密度的等离子体的实施例中，如图3A中所图示，等离子体腔室302可布置于对立于抽气通口125的中央轴113一侧。在接近抽气通口125的位置需要更高密度的等离子体的实施例中，如图3B中所图示，等离子体腔室302可布置于与抽气通口125相同的中央轴113一侧。也可利用其他线圈或电极，如图3A-B中以虚线标示306图示性的描绘。此外，基板支撑可耦合至能源，例如RF能源（如所图示）或其他能源，类似于以下针对图1所讨论。或者，基板支撑可耦合至接地。

返回图1，基板支撑116（例如，阴极）可透过第二匹配网络124耦合至偏压功率源122。偏压源122通常能够以适合的频率产生高达1500W的RF能量。在某些实施例中，由偏压功率源提供的信号的频率可为大约400kHz至大约13.56MHz。偏压功率可为连续或脉冲功率任一者。在某些实施例中，偏压功率源122可为DC或脉冲DC源。

控制器140可为任何形式的通用计算机处理器之一者，此处理器可在工业设定中使用，以控制各种腔室及子处理器。控制器140通常包含中央处理单元（CPU）144、存储器142及用于CPU144的支援电路146，且控制器140促进控制腔室110的元件及例如以下进一步详细讨论的蚀刻处理。CPU144的存储器142或电脑可读媒介，可为一或更多容易获得的存储器，例如随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、软盘、硬盘、或本地或远程的任何其他形式的数字储存。支援电路146耦合至CPU144，用于以传统的方式支援处理器。这些电路可包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路及子系统及类似者。操作所发明装置的方法可作为软件程序储存于存储器142中。软件程序也可以由第二CPU（未图示）储存及/或执行，该第二CPU位于由CPU144控制的硬件的远程。

在操作中，半导体基板114放置于基板支撑116上，处理气体从气体控制板138透过进入通口126供应，且形成混合气体151。通过从信号产生器118及偏压功率源122分别施加功率至第一及第二RF线圈112、148及阴极116，混合气体151在腔室110中点燃成为等离子体155。腔室110内部之中的压力使用节流阀127及真空泵136控制。通常，腔室壁130耦合至电气接地134。壁130的温度可使用任何适合的热传导机制控制，例如含有液体的导管、电阻加热器或放置靠近壁130或在壁130之中的类似者（未图示）。

通过稳定基板支撑116的温度而控制基板114的温度。在某些实施例中，来自气源154的氦气透过气体导管156提供至形成于基板114下方的基板支撑表面中的通道（未图示）。氦气用以促进基板支撑116及基板114之间的热传导。在处理期间，基板支撑116可由底座之中的电阻加热器（未图示）加热至稳态温度，且接着氦气促进基板114的均匀加热。使用此温度控制，基板114可维持于大约摄氏-30度至大约摄氏60度的温度。

因此，此处提供了等离子体处理装置的实施例。在某些实施例中，所发明的装置可有利地克服处理腔室之中的不对称性，举例而言，可克服相对于处理腔室的处理腔体不对称地布置的抽气通口所造成的流体不对称性，而非不利地影响处理腔室的流导及/或处理窗。所发明装置的实施例可有益于任何等离子体辅助基板处理，例如蚀刻、沉积或类似者。合适处理的非限制范例包括用于形成微机电系统（MEMS）设备的硅（Si）深蚀刻处理或硅穿孔（TSV）应用。

尽管以上涉及本发明的图示实施例，但可设计本发明的其他及进一步实施例而不悖离本发明的基本范畴。

Claims

1.一种等离子体处理装置，包含：

具有处理腔体的处理腔室，该处理腔体中布置有基板支撑；及

布置于该基板支撑上方的第一RF线圈，以将RF能量耦合至该处理腔体之中，其中沿着该第一RF线圈移动的RF能量所产生的电场在该基板支撑的中央轴四周是不对称的。

2.如权利要求1的等离子体处理装置，进一步包含：

抽气通口，以从该处理腔体移除一或更多气体，其中该抽气通口相对于该处理腔体不对称地布置。

3.如权利要求2的等离子体处理装置，其中下述至少其一：

该第一RF线圈经配置，使得于使用期间所产生的电场，在靠近该抽气通口的该处理腔体的第一部分上方比在对立于该抽气通口的该处理腔体的第二部分上方更微弱；或者

其中该电场在靠近该抽气通口的该处理腔体的该第一部分上方比在邻接该处理腔体的该第一部分的该处理腔体的第三部分上方更微弱。

4.如权利要求1或2任一项的等离子体处理装置，其中该第一RF线圈不对称地布置于该基板支撑的该中央轴四周。

5.如权利要求1或2任一项的等离子体处理装置，其中该第一RF线圈进一步包含：

至少一个导体，该至少一个导体缠绕于该基板支撑的该中央轴四周，且从靠近该基板支撑的该中央轴布置的第一端至第二端缠绕朝向该处理腔体的外围，其中该至少一个导体的最外部缠绕布置于该处理腔体的该外围的内部。

6.如权利要求5的等离子体处理装置，其中该至少一个导体进一步包含：

第一缠绕；及

邻接于该第一缠绕的第二缠绕，其中介于该第一缠绕及该第二缠绕之间的距离是变化的。

7.如权利要求1或2任一项的等离子体处理装置，其中该第一RF线圈进一步包含：

多个导体，该多个导体缠绕于该基板支撑的该中央轴四周，且从靠近该基板支撑的该中央轴布置的该多个导体的各自第一端至该多个导体的各自第二端缠绕朝向该处理腔体的外围。

8.如权利要求7的等离子体处理装置，其中下述其一：

该多个导体的至少一者不对称地布置于该基板支撑的该中央轴四周；或者

该多个导体的各别一者不对称地布置于该基板支撑的该中央轴四周，且其中该多个导体的各别一者彼此对称地布置。

9.如权利要求7的等离子体处理装置，其中该多个导体的各别一者不对称地布置于该基板支撑的该中央轴四周，且其中该多个导体的各别一者彼此对称地布置，其中介于任何两个邻接的导体之间的距离沿着邻接导体的各自长度是不变的。

10.如权利要求1或2任一项的等离子体处理装置，进一步包含：

布置于该基板支撑上方的第二RF线圈，以将RF能量耦合至该处理腔体之中。

11.如权利要求10的等离子体处理装置，其中该第一RF线圈是外部线圈，且该第二RF线圈是内部线圈，该内部线圈对称地布置于该基板支撑的该中央轴四周。

12.如权利要求1或2任一项的等离子体处理装置，其中该处理腔室进一步包含：

布置于该基板支撑上方的圆顶，其中该第一RF线圈在该处理腔体的外部布置于该圆顶的四周。

13.一种等离子体处理装置，包含：

处理腔室，该处理腔室具有处理腔体及上盖，该处理腔体中布置有基板支撑，且该上盖布置于该基板支撑上方；

外部RF线圈，该外部RF线圈在该处理腔体外部布置靠近该上盖，以将RF能量耦合至该处理腔体之中，其中该外部RF线圈包括至少一个第一导体，该至少一个第一导体不对称地布置于该基板支撑的该中央轴的四周；

内部RF线圈，该内部RF线圈在该处理腔体外部位于该上盖的四周，以将RF能量耦合至该处理腔体之中，其中该内部RF线圈包括第二导体，该第二导体对称地布置于该基板支撑的该中央轴的四周；及

抽气通口，该抽气通口相对于该处理腔体不对称地布置，其中电场在靠近该抽气通口的该处理腔体的第一部分上方比在对立于该抽气通口的该处理腔体的第二部分上方更微弱。

14.如权利要求13的等离子体处理装置，其中该外部RF线圈进一步包含：

多个导体，该多个导体缠绕于该基板支撑的该中央轴四周，且从靠近该基板支撑的该中央轴布置的该多个导体的各自第一端至该多个导体的各自第二端缠绕朝向该处理腔体的外围，且其中该多个导体的最外部缠绕布置于该处理腔体的该外围的内部。

15.一种等离子体处理装置，包含：

具有处理腔体的处理腔室，该处理腔体中布置有基板支撑；

抽气通口，该抽气通口相对于该处理腔体不对称地布置；及

等离子体产生器，包含：

信号产生器；及

耦合至该信号产生器的电极，以从该信号产生器施加能量之后，在该处理腔体之中建立电场，其中该电场相对于该基板支撑的中央轴具有不对称的几何形状。