CN107564788B - 用于介电蚀刻室的室充填器套件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于介电蚀刻室的室充填器套件。提供了一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件。传输模块充填器包括导电体、抗蚀刻表面，其中抗蚀刻表面包括与蚀刻室的部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面、和晶片传输孔，其中传输模块充填器能装进蚀刻室的传输孔中。传输模块密封板适于机械地和电气地连接到部分圆柱形室主体和传输模块充填器。偏置外壳充填器适于机械地和电气地连接到偏置外壳壁并且包括导体和抗蚀刻表面，其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。

Description

用于介电蚀刻室的室充填器套件
技术领域
本公开涉及半导体器件的制造。更具体地，本公开涉及在形成半导体器件中的衬底的等离子体处理。
背景技术
在半导体晶片处理期间，可以将特征蚀刻到介电层中。
发明内容
为了实现上述并且根据本公开的目的，实施方式提供了一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件，其中介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体，所述部分圆柱形孔具有传输孔和与所述传输孔相对的偏置外壳孔、以及邻近所述偏置外壳孔的偏置外壳壁。传输模块充填器包括导电体、抗蚀刻表面，其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面、和用于允许晶片和机械臂进入所述部分圆柱形孔的晶片传输孔，其中所述传输模块充填器能装进所述传输孔中并填充所述传输孔的体积的至少一半。传输模块密封板适于机械地和电气地连接到部分圆柱形室主体和传输模块充填器，并且包括用于在传输孔周围产生密封的密封件。偏置外壳充填器适于机械地和电气地连接到偏置外壳壁并且包括导体和抗蚀刻表面，其中偏置外壳充填器填充偏置外壳孔的体积的至少75％，并且其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
在另一个表现形式中，实施方式提供用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件，其中介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体，所述部分圆柱形孔具有传输孔和偏置外壳孔、和邻近偏置外壳孔的偏置外壳壁。传输模块充填器包括导电体、抗蚀刻表面，其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面、和用于允许晶片和机械臂进入部分圆柱形孔的晶片传输孔，其中传输模块充填器能装进传输孔中并填充传输孔的体积的至少一半。偏置外壳充填器适于机械地和电气地连接到偏置外壳壁。偏置外壳充填器包括导体和抗蚀刻表面，其中偏置外壳充填器填充偏置外壳孔的体积的至少75％，并且其中抗蚀刻表面包括与部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：
1.一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件，其中所述介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体，所述部分圆柱形孔具有传输孔和与所述传输孔相对的偏置外壳孔、和邻近所述偏置外壳孔的偏置外壳壁，所述室充填器套件包括：
传输模块充填器，其包括：
导电体；
抗蚀刻表面，其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面；和
晶片传输孔，其用于允许晶片和机械臂进入所述部分圆柱形孔，其中所述传输模块充填器能装进所述传输孔中并填充所述传输孔的体积的至少一半；
传输模块密封板，其适于机械地和电气地连接到所述部分圆柱形室主体和所述传输模块充填器，其包括用于在所述传输孔周围产生密封的密封件；和
偏置外壳充填器，其适于机械地和电气地连接到所述偏置外壳壁，其包括：
导体；和
抗蚀刻表面，其中所述偏置外壳充填器填充所述偏置外壳孔的体积的至少75％，并且其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
2.根据条款1所述的室充填器套件，其中所述介电蚀刻室还包括衬底支撑件，所述衬底支撑件机械地连接到所述偏置外壳壁，其中所述偏置外壳充填器形成至少部分地围绕所述衬底支撑件到所述偏置外壳壁的连接的孔。
3.根据条款2所述的室充填器套件，其中所述传输模块充填器和所述偏置外壳充填器的导体包含铝，并且所述偏置外壳充填器和所述传输模块充填器的抗蚀刻表面包括阳极氧化铝。
4.根据条款3所述的室充填器套件，其特征在于，所述部分圆柱形室主体还包括排气口，并且其中所述室充填器套件还包括排气口充填器，其中所述排气口充填器包括：
导体；
抗蚀刻表面；和
通气孔，其中所述通气孔的横截面面积小于所述排气口的横截面面积的四分之一。
5.根据条款4所述的室充填器套件，其中，所述部分圆柱形室主体还包括至少一个视口，并且其中所述室充填器套件还包括视口盖，所述视口盖包括：
导体；
抗蚀刻表面；和
多个视孔，其中所述视孔的总面积小于所述视口的横截面积的四分之一。
6.根据条款5所述的室充填器套件，其中所述衬底支撑件是能移动的，并且其中所述偏置外壳充填器的所述孔容纳所述衬底支撑件的移动。
7.根据条款6所述的室充填器套件，其中，所述部分圆柱形室主体还包括至少一个光口，并且其中所述室充填器套件还包括光口盖，所述光口盖包括：
导电体；
抗蚀刻表面；和
多个光学孔，其中所述光学孔的总面积小于所述光口的横截面面积的四分之一。
8.根据条款7所述的室充填器套件，其中，所述室充填器套件提供通过圆柱形室的较对称的气流。
9.如条款1所述的室充填器套件，其中，所述传输模块充填器和所述偏置外壳充填器的导体包括铝，并且所述偏置外壳充填器和所述传输模块充填器的抗蚀刻表面包括阳极氧化铝。
10.根据条款1所述的室充填器套件，其中所述部分圆柱形室主体还包括排气口，并且其中所述室充填器套件还包括排气口充填器，其中所述排气口充填器包括：
导体；
抗蚀刻表面；和
通气孔，其中所述通气孔的横截面面积小于所述排气口的横截面面积的四分之一。
11.根据条款1所述的室充填器套件，其中，所述部分圆柱形室主体还包括至少一个视口，并且其中所述室充填器套件还包括视口盖，所述视口盖包括：
导电体；
抗蚀刻表面；和
多个视孔，其中所述视孔的总面积小于所述视口的横截面积的四分之一。
12.根据条款1所述的室充填器套件，其中，所述介电蚀刻室还包括衬底支撑件，所述衬底支撑件机械地连接到所述偏置外壳壁，其中所述偏置外壳充填器形成至少部分地围绕所述衬底支撑件到所述偏置外壳壁的连接的孔，并且其中所述衬底支撑件是能移动的，并且其中所述偏置外壳充填器的所述孔容纳所述衬底支撑件的移动。
13.根据条款1所述的室充填器套件，其中，所述部分圆柱形室主体还包括至少一个光口，并且其中所述室充填器套件还包括光口盖，所述光口盖包括：
导体；
抗蚀刻表面；和
多个光学孔，其中所述光学孔的总面积小于所述光口的横截面面积的四分之一。
14.根据条款1所述的室充填器套件，其中所述室充填器套件提供通过圆柱形室的较对称的气流。
15.根据条款1所述的室充填器套件，其中所述偏置外壳充填器的导体包括：
第一楔形部分，其中所述第一楔形部分的表面形成所述偏置外壳充填器的所述弯曲表面的一部分；和
第二楔形部分，其中所述第二楔形部分的表面形成所述偏置外壳充填器的所述弯曲表面的一部分。
16.一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件，其中所述介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体，所述部分圆柱形孔具有传输孔和偏置外壳孔、和邻近所述偏置外壳孔的偏置外壳壁，所述室充填器套件包括：
传输模块充填器，其包括：
导电体；
抗蚀刻表面，其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面；和
晶片传输孔，其用于允许晶片和机械臂进入所述部分圆柱形孔，其中所述传输模块充填器能装进所述传输孔中并填充所述传输孔的体积的至少一半；和
偏置外壳充填器，其适于机械地和电气地连接到所述偏置外壳壁，其包括：
导体；和
抗蚀刻表面，其中所述偏置外壳充填器填充所述偏置外壳孔的体积的至少75％，并且其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
17.根据条款16所述的室充填器套件，其中所述传输模块充填器和所述偏置外壳充填器的导体包括铝，并且所述偏置外壳充填器和所述传输模块充填器的抗蚀刻表面包括阳极氧化铝。
本公开的这些和其他特征将在下面在实施方式的详细描述中并结合以下附图进行更详细的描述。
附图说明
以示例而非限制的方式在附图中示出了本公开，其中相同的附图标记表示相似的元件，其中：
图1是实施方式中使用的处理室的示意图。
图2A是室主体的透视图。
图2B是去除了顶部的处理室的透视图。
图3是已经在室中处理的衬底的俯视图。
图4是具有套件的一个实施方式的处理室的示意图。
图5是具有套件的一个实施方式的去除了顶部的处理室的透视图。
图6是偏置外壳充填器的更详细的透视图。
图7是传输模块密封板的透视图。
图8是传输模块充填器与传输模块密封板的透视图。
图9是已经在具有套件的室中处理的衬底的俯视图。
具体实施方式
现在将参考附图中所示的几个优选实施方式来详细描述本发明。在下面的描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践本发明。在其他情况下，未详细描述公知的工艺步骤和/或结构，以免不必要地模糊本发明。
为了便于理解，图1是可以在一个实施方式中使用的等离子体处理系统100的示意性横截面图。在一个实施方式中，等离子体处理系统100包括在处理室149内、由室主体150包围的顶部中心电极106、顶部外部电极104、底部中心电极108和底部外部电极110。底部绝缘体环112使底部中心电极108与底部外部电极110绝缘。同样在处理室149内，衬底180位于底部中心电极108的顶部。底部中心电极108形成静电卡盘(ESC)和用于保持衬底180的衬底支撑件116的一部分。在该实施方式中，底部外部电极110和顶部外部电极104具有直径大于衬底180的孔，使得衬底180位于孔内。
气体源124连接到处理室149，并且在蚀刻或打开过程期间将气体供应到处理室149的等离子体区域中。
偏置RF源148、第一激励RF源152和第二激励RF源156通过控制器135电连接到处理室149，以向电极104、106、108和110提供功率。偏置RF源148产生偏置RF功率并将偏置RF功率提供给处理室149。在该示例中，偏置RF功率具有2MHz的频率。第一激励RF源152产生源RF功率并将源RF功率提供给处理室149。在该示例中，该源RF功率具有27MHz的频率。除了由第一激励RF源152产生的RF功率之外，第二激励RF源156产生另一个源RF功率并将该源RF功率提供给处理室149。在该示例中，该源RF功率具有60MHz的频率。温度控制器160被连接以控制形成ESC的中心电极108的温度。
可以将不同的RF信号提供给顶部和底部电极的各种组合。优选地，RF的最低频率应通过其上放置有待蚀刻材料的底部电极施加，在该实施方式中，该底部电极在该示例中为底部中心电极108。在该示例中，顶部电极接地，并且功率仅被提供给底部中心电极108。
控制器135连接到气体源124、温度控制器160、偏置RF源148、排气泵120、第一激励RF源152和第二激励RF源156。控制器135控制蚀刻气体进入处理室149的流动、室压力以及来自三个RF源148、152、156的RF功率的产生、电极104、106、108和110以及排气泵120。
顶部中心电极106还用作气体分配板，其连接到气体源124，并且用作来自气体源124的气体的气体入口。排气泵120用作除去气体的气体出口，气体从顶部中心电极106通过等离子体区域传送到排气泵120。排气泵120可以帮助控制压力。
由加利福尼亚州弗里蒙特市的Lam Research CorporationTM制造的Flex
Figure GDA0001632417010000071
介电蚀刻系统可用于本发明的优选实施方式中。在Flex EX+中，上电极接地。
室主体150具有偏置外壳孔，偏置外壳孔由偏置外壳壁128密封。传输模块孔164也形成在外壳壁128中，并且适于允许晶片180被输送到室主体150和被从室主体150输出。衬底支撑件116通过连接器132由偏置外壳壁128连接和支撑。等离子体处理系统100是可变间隙系统，其中连接器132能够将衬底支撑件116向上或向下移动，以改变衬底支撑件116和顶部中心电极106之间的间隙。由于室主体150具有偏置外壳孔，密封偏置外壳孔的偏置外壳壁128被放置得与室主体150的其它部分相比更远离衬底180。在衬底180上施加不对称的静电场。
图2A是室主体150的透视图。室主体150是部分圆柱形室主体，其中室主体具有形成弯曲内表面204的部分圆柱形孔，形成部分圆柱形孔，如图所示。偏置外壳孔208、传输模块孔212、排气口216、视口220和光口224形成内表面204，导致圆柱孔不完整。在该实施方式中，偏置外壳孔208与传输模块孔164相对。
图2B是室主体150在旋转之后并且附接有偏置外壳壁128并且顶部被移除的透视图，偏置外壳壁128覆盖并密封偏置外壳孔。连接器132将衬底支撑件116连接到偏置外壳壁128。
图3是已经在室中处理的衬底180的示意性俯视图。较暗区域304表示低于平均蚀刻速率的区域。较亮区域308表示具有高于平均蚀刻速率的区域。蚀刻深度的范围为3.0nm，3-sigma分布为2.4nm。在某些要求下，这种蚀刻速率变化是不可接受的，因为这种方差导致太多的缺陷。
图4是根据实施方式配置的等离子体处理系统100的示意性横截面图。偏置外壳充填器404附接到偏置外壳壁并填充偏置外壳孔。传输模块密封板420围绕传输模块孔提供密封并设置有较小的孔422。传输模块充填器424连接到传输模块密封板420并且填充传输模块孔的至少一部分。
图5是在已安装套件的实施方式之后室主体150的透视图。偏置外壳充填器508放置在偏置外壳孔中。偏置外壳充填器508具有内弯曲表面512，内弯曲表面512与形成部分圆柱形孔的弯曲内表面204齐平，使得弯曲表面512有助于完整圆柱形孔。传输模块密封板420围绕传输模块孔提供密封。排气口充填器516放置在通气孔中。在该实施方式中，排气口充填器516填充通气孔的整个横截面，除了具有小于所述通气孔的四分之一横截面面积的横截面面积的单个排气口充填器孔520。优选地，排气口充填器516的至少一部分是导电材料。视口盖524放置在视口上方。如图所示，视口盖524包括具有抗蚀刻表面的导体和多个视孔。优选地，视孔的总面积小于视口的横截面面积的四分之一。优选地，视口盖524弯曲以匹配圆柱形孔的弯曲表面。然而，由于与圆柱形孔的表面积相比视口的横截面面积足够小，所以在一些实施方式中可以使用平面视口盖。光口盖528放置在光口上。如图所示，光口盖528包括具有抗蚀刻表面的导体和多个光学孔。优选地，光学孔的总面积小于光口的横截面面积的四分之一。优选地，光口盖528弯曲以匹配圆柱形孔的弯曲表面。然而，由于光口的横截面积与圆柱形孔的表面面积相比足够小，所以在一些实施方式中可以使用平坦的光口盖。
图6是偏置外壳壁128、连接器132和衬底支撑件116以及偏置外壳充填器508的更详细视图。在该实施方式中，偏置外壳充填器由具有内部弯曲表面512的两个楔形部分形成，内部弯曲表面512的形状为与当安装在室150中时形成部分圆柱形孔的弯曲内表面204齐平或匹配，如图5所示。在该实施方式中，每个楔形部件包括具有阳极氧化铝的抗蚀刻表面的铝的导体。在该示例中，抗蚀刻表面形成导体的表面的弯曲表面512和剩余表面518。在其他实施方式中，导体的更多的表面形成为阳极氧化铝的抗蚀刻表面。优选地，一些表面不是阳极氧化铝，以允许楔形部分接地到偏置外壳壁128。偏置外壳充填器的体积是偏置外壳孔的体积的至少75％。
图7是传输模块密封板420的放大透视图。图8是连接到传输模块密封板420的传输模块充填器804的放大透视图。传输模块充填器804包括导电体(其在该实施方式中为铝)、抗蚀刻表面812、和晶片传输充填器孔816。在该实施方式中，抗蚀刻表面812是与室的部分圆柱形孔匹配的弯曲表面的一部分。抗蚀刻表面812可以是阳极氧化铝。不暴露于等离子体的其它表面824可以是传输模块充填器804的导体的表面。在其它实施方式中，导体的更多的表面可以制成抗蚀刻的。优选地，表面的一些部分是导体的导电表面，以允许导体接地到传输模块密封板520或室主体150。晶片传输充填器孔816的体积小于传输模块孔的一半。晶片传输充填器孔816具有足以允许由机械臂支撑的晶片进入和离开室150的横截面面积。
图9是在已经根据实施方式改装的室中已经被处理的衬底180的示意性俯视图。蚀刻在衬底上更均匀，蚀刻深度范围为1.1nm，3-sigma分布为0.9nm。已经发现这种范围和分布是可以接受的。
不受理论的束缚，据信由孔产生的静电不对称引起不均匀的蚀刻。由孔产生的这些不对称性也会干扰气流，这可能产生额外的不均匀处理。相信类似于室由导电材料形成的改装套件有助于校正由不对称室产生的静电不对称性，这提供了更均匀的结果。还认为套件可以改善物理对称性，这也可以提供更均匀的气流。更均匀的静电场和气流提供了更均匀的衬底处理。
一些实施方式允许接地的等离子体。各种部件连接到接地侧壁。各种实施方式允许支撑件竖直地移动衬底支撑件，以调整衬底支撑件上方的间隙，从而提供处理杠杆。
虽然已经根据几个优选实施方式描述了本发明，但是存在落在本发明的范围内的改变、置换、修改和各种替代等同方案。还应当注意，存在实现本发明的方法和装置的许多替代方式。因此，意图是将以下所附权利要求解释为包括落在本发明的真实精神和范围内的所有这样的改变、置换和各种替代等同方案。

Claims (17)

1.一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件，其中所述介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体，所述部分圆柱形孔具有传输孔和与所述传输孔相对的偏置外壳孔、和邻近所述偏置外壳孔的偏置外壳壁，所述室充填器套件包括：
传输模块充填器，其包括：
导电体；
抗蚀刻表面，其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面；和
晶片传输孔，其用于允许晶片和机械臂进入所述部分圆柱形孔，其中所述传输模块充填器能装进所述传输孔中并填充所述传输孔的体积的至少一半；
传输模块密封板，其适于机械地和电气地连接到所述部分圆柱形室主体和所述传输模块充填器，其包括用于在所述传输孔周围产生密封的密封件，其中所述传输模块密封板安装在所述介电蚀刻室的腔室壁的外侧并且在所述传输模块密封板和所述腔室壁的所述外侧之间产生密封；和
偏置外壳充填器，其适于机械地和电气地连接到所述偏置外壳壁，其包括：
导体；和
抗蚀刻表面，其中所述偏置外壳充填器填充所述偏置外壳孔的体积的至少75％，并且其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
2.根据权利要求1所述的室充填器套件，其中所述介电蚀刻室还包括衬底支撑件，所述衬底支撑件机械地连接到所述偏置外壳壁，其中所述偏置外壳充填器形成至少部分地围绕所述衬底支撑件到所述偏置外壳壁的连接的孔。
3.根据权利要求2所述的室充填器套件，其中所述传输模块充填器和所述偏置外壳充填器的导体包含铝，并且所述偏置外壳充填器和所述传输模块充填器的抗蚀刻表面包括阳极氧化铝。
4.根据权利要求3所述的室充填器套件，其特征在于，所述部分圆柱形室主体还包括排气口，并且其中所述室充填器套件还包括排气口充填器，其中所述排气口充填器包括：
导体；
抗蚀刻表面；和
通气孔，其中所述通气孔的横截面面积小于所述排气口的横截面面积的四分之一。
5.根据权利要求4所述的室充填器套件，其中，所述部分圆柱形室主体还包括至少一个视口，并且其中所述室充填器套件还包括视口盖，所述视口盖包括：
导体；
抗蚀刻表面；和
多个视孔，其中所述视孔的总面积小于所述视口的横截面积的四分之一。
6.根据权利要求5所述的室充填器套件，其中所述衬底支撑件是能移动的，并且其中所述偏置外壳充填器的所述孔容纳所述衬底支撑件的移动。
7.根据权利要求6所述的室充填器套件，其中，所述部分圆柱形室主体还包括至少一个光口，并且其中所述室充填器套件还包括光口盖，所述光口盖包括：
导电体；
抗蚀刻表面；和
多个光学孔，其中所述光学孔的总面积小于所述光口的横截面面积的四分之一。
8.根据权利要求7所述的室充填器套件，其中，所述室充填器套件提供通过圆柱形室的较对称的气流。
9.如权利要求1所述的室充填器套件，其中，所述传输模块充填器和所述偏置外壳充填器的导体包括铝，并且所述偏置外壳充填器和所述传输模块充填器的抗蚀刻表面包括阳极氧化铝。
10.根据权利要求1所述的室充填器套件，其中所述部分圆柱形室主体还包括排气口，并且其中所述室充填器套件还包括排气口充填器，其中所述排气口充填器包括：
导体；
抗蚀刻表面；和
通气孔，其中所述通气孔的横截面面积小于所述排气口的横截面面积的四分之一。
11.根据权利要求1所述的室充填器套件，其中，所述部分圆柱形室主体还包括至少一个视口，并且其中所述室充填器套件还包括视口盖，所述视口盖包括：
导电体；
抗蚀刻表面；和
多个视孔，其中所述视孔的总面积小于所述视口的横截面积的四分之一。
12.根据权利要求1所述的室充填器套件，其中，所述介电蚀刻室还包括衬底支撑件，所述衬底支撑件通过从所述偏置外壳壁延伸到所述衬底支撑件的连接器机械地连接到所述偏置外壳壁，其中所述偏置外壳充填器形成至少部分地围绕所述连接器的孔，并且其中所述连接器被配置成将所述衬底支撑件向上或向下移动，并且其中所述偏置外壳充填器的所述孔容纳所述连接器的移动。
13.根据权利要求1所述的室充填器套件，其中，所述部分圆柱形室主体还包括至少一个光口，并且其中所述室充填器套件还包括光口盖，所述光口盖包括：
导体；
抗蚀刻表面；和
多个光学孔，其中所述光学孔的总面积小于所述光口的横截面面积的四分之一。
14.根据权利要求1所述的室充填器套件，其中所述室充填器套件提供通过圆柱形室的较对称的气流。
15.根据权利要求1所述的室充填器套件，其中所述介电蚀刻室还包括衬底支撑件，所述衬底支撑件通过从所述偏置外壳壁延伸到所述衬底支撑件的连接器机械地连接到所述偏置外壳壁，其中所述偏置外壳充填器形成至少部分地围绕所述连接器的孔，并且其中所述连接器被配置成将所述衬底支撑件向上或向下移动，并且其中所述偏置外壳充填器的所述孔容纳所述连接器的移动，其中所述偏置外壳充填器的导体包括：
第一楔形部分，其中所述第一楔形部分的表面形成所述偏置外壳充填器的所述弯曲表面的一部分，其中所述偏置外壳充填器的所述孔的一部分形成在所述第一楔形部分中；和
第二楔形部分，其中所述第二楔形部分的表面形成所述偏置外壳充填器的所述弯曲表面的一部分，其中所述偏置外壳充填器的所述孔的一部分形成在所述第二楔形部分中。
16.一种用于平衡介电蚀刻室中的电场的室充填器套件，其中所述介电蚀刻室包括具有部分圆柱形孔的部分圆柱形室主体，所述部分圆柱形孔具有传输孔和偏置外壳孔、和邻近所述偏置外壳孔的偏置外壳壁，所述室充填器套件包括：
传输模块充填器，其包括：
导电体；
抗蚀刻表面，其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的内弯曲表面；和
晶片传输孔，其用于允许晶片和机械臂进入所述部分圆柱形孔，其中所述传输模块充填器能装进所述传输孔中并填充所述传输孔的体积的至少一半；和
偏置外壳充填器，其适于机械地和电气地连接到所述偏置外壳壁，其包括：
导体；和
抗蚀刻表面，其中所述偏置外壳充填器填充所述偏置外壳孔的体积的至少75％，并且其中所述抗蚀刻表面包括与所述部分圆柱形孔匹配的弯曲表面。
17.根据权利要求16所述的室充填器套件，其中所述传输模块充填器和所述偏置外壳充填器的导体包括铝，并且所述偏置外壳充填器和所述传输模块充填器的抗蚀刻表面包括阳极氧化铝。
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