CN103137068A - 电光装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电光装置以及电子设备，在与扫描线和数据线的交叉对应设置的像素电路中，使屏蔽布线（1）从与和上述像素电路邻接的像素电路连接的固定电位布线延伸配置至上述数据线的下部。以上述屏蔽布线的至少一部分与上述数据线交叉的方式形成。

Description

电光装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及例如像素电路微细化时有效的电光装置以及电子设备。
背景技术
近些年，提出了各种使用了有机发光二极管（Organic LightEmitting Diode，以下称“OLED”）元件等发光元件的电光装置。在该电光装置中，一般构成为与扫描线和数据线的交叉对应，且与应显示的图像的像素对应地设置包含上述发光元件、晶体管等的像素电路。使用了OLED的像素电路一般由决定能否从数据线输入数据信号的写入晶体管，和以该信息为基础决定向OLED供给的电流量的驱动晶体管构成。另外，像素电路具备对从数据线供给的数据信号进行保持的保持电容。并且，有以高画质化为目的，利用了更多的元件的技术（例如参照专利文献1）。
专利文献1：日本特开2003-271095号公报
然而，若在上述的像素电路的构成中进行实际驱动，则因数据线的电位变动而产生噪声。以驱动晶体管的栅极-源极间的电压决定向OLED供给的电流，所以若该噪声影响驱动晶体管的栅极节点、源极节点，则不能够显示准确的亮度，产生不均。特别是在以狭窄间距配置像素电路，不能够使与栅极节点连接的保持电容较大的情况下，成为大问题。
在以往的构造中，经由寄生电容，数据线的噪声传播至驱动晶体管的栅极以及源极节点。由此，蓄积在保持电容的数据信号变化，经由驱动晶体管向OLED元件供给的电流也同样变化。该变化量被视觉确认为亮度不均，导致显示品质降低。
发明内容
本发明是鉴于上述情况完成的，解决课题之一为降低伴随数据线的电位变动的画质劣化。
为了解决上述课题，在本发明所涉及的电光装置的特征在于，具有：相互交叉的多个扫描线以及多个数据线；与上述扫描线和上述数据线的交叉对应设置的多个像素电路；与上述多个像素电路的每一个对应设置且供给规定的电位的固定电位布线；与上述固定电位线电连接的屏蔽布线，上述多个像素电路每一个具备：发光元件；对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管；被连接于上述驱动晶体管的栅极和上述数据线之间，且根据向上述扫描线供给的扫描信号被控制导通状态的开关晶体管，上述屏蔽布线从与该像素电路的相邻的像素电路对应的固定电位布线延伸配置至该像素电路的数据线的下部而形成，上述屏蔽布线的至少一部分与上述数据线交叉。
根据本发明，屏蔽布线从相邻的像素电路的固定电位布线延伸配置至产生噪声的数据线的下部，屏蔽布线的至少一部分与数据线交叉。因此，在该交叉位置，在数据线和屏蔽布线之间形成平行平板电容。因此，从数据线向驱动晶体管的栅极的电场强度变弱，大幅降低形成于数据线与驱动晶体管的栅极之间的寄生电容。其结果，驱动晶体管的栅极从数据线受到的噪声的影响减少，得到高显示品质。此外，也可以将屏蔽线的端部延伸配置在比数据线靠近驱动晶体管的栅极，或还可以设置至数据线的宽度方向的中途。
另外，虽然产生向屏蔽布线自身的噪声的施加，但该屏蔽布线从接下来写入映像信号的邻接像素电路的固定电位布线延伸配置，所以不影响自身像素电路的显示品质。另外，即便相邻的像素电路受到噪声引起的变动，在下一定时也写入标准的映像信号，所以能够抑制对显示品质的影响。
在本发明中，优选在将上述屏蔽布线和上述数据线交叉的区域作为交叉区域时，将上述驱动晶体管的栅极配置在上述交叉区域的上述数据线的长边方向的宽度内。
在该构成中，在交叉区域形成平行平板电容，驱动晶体管的栅极被配置在交叉区域的数据线的长边方向的宽度内，所以从数据线向处于平行平板电容附近的想要保护的驱动晶体管的栅极的电场强度变弱，大幅降低形成于数据线与驱动晶体管的栅极之间的寄生电容，防止向驱动晶体管的栅极的噪声的施加。
在本发明中，也可以是上述屏蔽布线形成于比上述数据线靠下层，并且形成于与上述驱动晶体管的栅极同层或比其靠上层的布线层。根据该构成，平行平板电容优先在上述布线层和数据线之间形成。因此，若在与想要保护的驱动晶体管的栅极同层或者比其靠上层的布线层形成屏蔽布线，则大部分的寄生电容形成为上述平行平板电容，得到更高噪声抑制效果。
在本发明的电光装置的特征在于，是具备具有第1发光元件的第1像素电路，和具有沿第1方向配置在上述第1发光元件的旁边的第2发光元件的第2像素电路的电光装置，具有：沿与上述第1方向交叉的第2方向配置，且与上述第1像素电路电连接的第1固定电位布线；沿上述第2方向配置，且与上述第1像素电路电连接的第1数据线；沿上述第2方向配置，且与上述第2像素电路电连接的第2固定电位布线；沿上述第2方向配置，且与上述第2像素电路电连接的第2数据线；与上述第1像素电路电连接，且对流过上述第1发光元件的电流进行控制的驱动晶体管；与上述第2固定电位布线连接的布线，其中，从与上述第1方向以及上述第2方向垂直的第3方向观察，上述第1数据线以及上述布线重合。
根据本发明，从与第1方向以及第2方向垂直的第3方向观察，与第2像素电路的第2固定电位布线连接的布线和产生噪声的第1像素电路的第1数据线重合。因此，在该重合位置，且在第1数据线和上述布线之间形成平行平板电容。因此，从第1数据线向驱动晶体管的栅极的电场强度变弱，形成于第1数据线与驱动晶体管的栅极之间的寄生电容大幅减少。其结果，降低驱动晶体管的栅极从第1数据线受到的噪声的影响，得到高显示品质。此外，可以将上述布线的端部延伸配置在比第1数据线靠近驱动晶体管的栅极，或也可以延伸配置至第1数据线的宽度方向的中途。
另外，产生向上述布线自身的噪声的施加，但上述布线从接下来写入映像信号的第2像素电路的第2固定电位布线延伸配置，所以不影响自身像素电路的显示品质。另外，即便第2像素电路受到噪声引起的变动，在下一定时也写入标准的映像信号，所以能够抑制对显示品质的影响。
在本发明中，也可以是上述第1发光元件包含第1像素电极、与上述第1像素电极对置配置的对置电极和配置于上述第1像素电极和上述对置电极之间的有机发光层，上述第1像素电路具有被设置于上述驱动晶体管的栅极电极和上述第1栅极线之间的开关晶体管、和连接上述驱动晶体管的栅极电极和上述开关晶体管的中继电极，从上述第1方向看，将上述中继电极配置在上述布线的宽度内。
在该构成中，在上述布线和上述第1数据线的重合区域形成平行平板电容，从第1方向看，使驱动晶体管的栅极电极和开关晶体管连接的中继电极被配置在上述布线的宽度内，所以从数据线向处于平行平板电容附近的想要保护的驱动晶体管的栅极的电场强度变弱，大幅降低形成于第1数据线与驱动晶体管的栅极之间的寄生电容，防止向驱动晶体管的栅极的噪声的施加。
在本发明中，也可以将上述中继电极配置在上述第1数据线和上述驱动晶体管的栅极电极之间的层。另外，也可以将上述中继电极配置在与上述驱动晶体管的栅极电极同层。
并且，在本发明中，也可以为上述第1发光元件和上述第2发光元件射出不同波长的光。
此外，本发明除了涉及电光装置外，还可以涉及电光装置的驱动方法、具有该电光装置的电子设备。作为电子设备，能够列举典型的头戴式显示器（HMD）、电子取景器等显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式所涉及的电光装置的构成的立体图。
图2是表示该电光装置的构成的框图。
图3是表示该电光装置中的像素电路的图。
图4是表示该电光装置的动作的时序图。
图5是表示该电光装置的像素电路的构成的俯视图。
图6是表示以图5中的A－A’线切断的构成的局部剖视图。
图7是表示使用了实施方式等所涉及的电光装置的HMD的立体图。
图8是表示HMD的光学构成的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。
实施方式
图1是表示本发明的实施方式所涉及的电光装置10的构成的立体图。
电光装置10例如是在头戴式显示器中显示图像的微显示器。后面叙述电光装置10的详细内容，但是是多个像素电路、驱动该像素电路的驱动电路等例如形成于硅基板的有机EL装置，在像素电路使用作为发光元件的一个例子的OLED。
电光装置10被收纳于在显示部开口的框状的壳体72，且连接有FPC（Flexible Printed Circuits：柔性电路板）基板74的一端。在FPC基板74通过COF（Chip On Film：覆晶薄膜）技术安装有半导体芯片的控制电路5，且设置有多个端子76，与省略图示的上级电路连接。从该上级电路经由多个端子76与同步信号同步地供给图像数据。同步信号包含垂直同步信号、水平同步信号、点时钟信号。另外，图像数据例如以8位规定应显示的图像的像素的灰度等级。
控制电路5兼具电光装置10的电源电路和数据信号输出电路的功能。即，控制电路5除了将根据同步信号生成的各种的控制信号、各种电位供给至电光装置10外，还将数字的图像数据转换为模拟的数据信号，并供给至电光装置10。
图2是表示第1实施方式所涉及的电光装置10的构成的图。如该图所示，电光装置10大致分为扫描线驱动电路20、数据线驱动电路30和显示部100。
其中，在显示部100，与应显示的图像的像素对应的像素电路110被排列成矩阵状。详细而言，在显示部100中，在图中沿横向延伸设置有m行的扫描线12，而且，在图中沿纵向延伸且与各扫描线12相互保持电绝缘地设置有n列的数据线14。而且，与m行的扫描线12和n列的数据线14的交叉部对应地设置有像素电路110。因此，在本实施方式中，像素电路110以纵m行×横n列被排列成矩阵状。
这里，m、n均是自然数。有时为了区别扫描线12以及像素电路110的矩阵中的行（row），在图中从上按顺序称作1、2、3、…、（m－1）、m行。同样，有时为了区别数据线14以及像素电路110的矩阵的列（Column），在图中从左按顺序称作1、2、3、…、n－1、n列。
在本实施方式中，按照各列沿数据线14分别设置有供电线16。向各供电线16供给共用的作为复位电位的电位Vorst。
由控制电路5向电光装置10供给如下的控制信号。详细而言，向电光装置10供给用于控制扫描线驱动电路20的控制信号Ctr1、和用于控制数据线驱动电路30的控制信号Ctr2。
扫描线驱动电路20根据控制信号Ctr1，生成用于在整个帧期间逐行按顺序扫描扫描线12的扫描信号。这里，分别将向第1、2、3、…、（m－1）、m行的扫描线12供给的扫描信号记作Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）。
此外，扫描线驱动电路20除了生成扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）外，还逐行生成与该扫描信号同步的各种的控制信号，并供给至显示部100，但在图2中省略图示。另外，所谓帧期间是指电光装置10显示1个镜头（画面）的图像所需要的期间，例如若同步信号所包含的垂直同步信号的频率为120Hz，则是其1个周期量的8.3毫秒的期间。
另外，数据线驱动电路30通过控制电路5，针对位于通过扫描线驱动电路20选择出的行的像素电路110，向第1、2、…、n列的数据线14供给与该像素电路110的灰度数据对应的电位的数据信号Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）。
参照图3，对像素电路110进行说明。应予说明，图3示出与第i行以及该第i行的扫描线12和第j列以及相对该第j列在右侧相邻的第（j＋1）列的数据线14的交叉对应的2个像素的像素电路110。这里，i是一般表示像素电路110所排列的行时的符号，是1以上m以下的整数。同样，j、（j＋1）是一般表示像素电路110所排列的列时的符号，是1以上n以下的整数。在本实施方式中，与第i行以及该第i行的扫描线12和第j列的数据线14的交叉对应的像素电路110相当于第1像素电路，与第i行以及该第i行的扫描线12和第（j＋1）列的数据线14的交叉对应的像素电路110相当于第2像素电路。即，第j列的数据线14是第1数据线，第（j＋1）列的数据线是第2数据线。
如图3所示，像素电路110包含P沟道MOS型的晶体管121～125、OLED130和保持电容132。各像素电路110的构成彼此相同，所以以位于第i行第j列的像素电路为代表进行说明。
在第i行第j列的像素电路110中，晶体管122作为写入晶体管发挥功能，其栅极节点与第i行的扫描线12连接，其漏极或者源极节点的一方与第j列的数据线14连接，另一方分别与晶体管121中的栅极节点g、保持电容132的一端和晶体管123的漏极节点连接。这里，为了与其他节点进行区别，将晶体管121的栅极节点记作g。
向第i行的扫描线12，换句话说向晶体管122的栅极节点供给扫描信号Gwr（i）。
晶体管121作为驱动晶体管发挥功能，其源极节点与供电线116连接，其漏极节点分别与晶体管123的源极节点和晶体管124的源极节点连接。这里，向供电线116供给在像素电路110中成为电源的高位侧的基板电位Vel。
晶体管123作为补偿用晶体管发挥功能，向其栅极节点供给控制信号Gcmp（i）。
晶体管124作为发光控制晶体管发挥功能，向其栅极节点供给控制信号Gel（i），其漏极节点分别与晶体管125的源极节点和OLED130的阳极连接。
晶体管125作为初始化用晶体管发挥功能，向其栅极节点供给控制信号Gorst（i），其漏极节点与和第j列对应的供电线（固定电位布线）16连接，被保持在电位Vorst。
这里，晶体管121相当于第1晶体管，晶体管122相当于第2晶体管，晶体管123相当于第3晶体管。另外，晶体管125相当于第4晶体管，晶体管124相当于第5晶体管。
保持电容132的另一端与供电线116连接。因此，保持电容132保持晶体管121的源极·漏极间的电压。此外，作为保持电容132，可以使用寄生于晶体管121的栅极节点g的电容，也可以使用在硅基板中通过利用相互不同的导电层夹持绝缘层而形成的电容。
在本实施方式中，电光装置10形成于硅基板，所以晶体管121～125的基板电位为电位Vel。
OLED130的阳极是按照每个像素电路110独立设置的像素电极。与此相对，OLED130的阴极是遍及整个像素电路110共用的共用电极118，在像素电路110中，被保持在成为电源的低位侧的电位Vct。
OLED130是在上述硅基板中利用阳极和具有透光性的阴极夹持白色有机EL层而成的元件。而且，在OLED130的射出侧（阴极侧）重合有与RGB的任意一个对应的彩色滤光片。
在这样的OLED130中，若电流从阳极流向阴极，则从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在有机EL层再次复合，生成激子，产生白色光。成为以下构成，即此时产生的白色光透过与硅基板（阳极）相反侧的阴极，经由基于彩色滤光片的着色，在观察者侧被看到。
另外，在本实施方式中，与供电线16连接，且作为以抑制电场强度对晶体管121的栅极布线的影响为目的的布线（屏蔽布线）的屏蔽图案117被延伸配置至与数据线14交叉的位置，在该交叉部形成有平行平板电容134。通过该平行平板电容134，从数据线14向晶体管121的栅极布线的电场强度变弱，寄生电容133大幅减少。后面进行详细叙述。
电光装置的动作
接下来，参照图4，对电光装置10的动作进行说明。图4是用于说明电光装置10中的各部的动作的时序图。
如该图所示，扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）依次被切换成低（L）电平，在1个帧期间，按照每1个水平扫描期间（H）按顺序扫描第1～m行的扫描线12。
在1个水平扫描期间（H）的动作遍及各行的像素电路110共用。因此以下在水平扫描第i行的扫描期间，特别着重说明第i行第j列的像素电路110的动作。
在本实施方式中，若大致区分，第i行的扫描期间被分为图4中（b）所示的初始化期间、（c）所示的补偿期间和（d）所示的写入期间。而且，（d）的写入期间后间隔一段时间，成为（a）所示的发光期间，经过1个帧的期间后再次至第i行的扫描期间。因此，按时间顺序来讲，反复（发光期间）→初始化期间→补偿期间→写入期间→（发光期间）这样的循环。
发光期间
为便于说明，从成为初始化期间的前提的发光期间进行说明。如图4所示，在第i行的发光期间，扫描信号Gwr（i）为高（H）电平，控制信号Gel（i）为低（L）电平。另外，作为逻辑信号的控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）中，控制信号Gel（i）为低（L）电平，控制信号Gcmp（i）、Gorst（i）为高（H）电平。
因此，在图3所示的第i行第j列的像素电路110中，晶体管124导通，且晶体管122、123、125截止。因此，晶体管121将与栅极-源极间的电压Vgs对应的电流Ids供给至OLED130。如后所述，在本实施方式中，在发光期间的电压Vgs是根据数据信号的电位从晶体管121的阈值电压电平移位后的值。因此，在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下向OLED130供给与灰度等级对应的电流。
此外，第i行的发光期间是水平扫描第i行以外的期间，所以数据线14的电位适当变动。但在第i行的像素电路110中，晶体管122截止，所以这里不考虑数据线14的电位变动。
初始化期间
接下来，若到达第i行的扫描期间，则首先作为第1期间开始（b）的初始化期间。在初始化期间，与发光期间相比，控制信号Gel（i）变化为高（H）电平，控制信号Gorst（i）变化为低（L）电平。
因此，在图3所示的第i行第j列的像素电路110中，晶体管124截止，晶体管125导通。由此，向OLED130供给的电流的路径被切断，且OLED130的阳极复位为电位Vorst。
如上所述，OLED130是利用阳极和阴极夹持有机发光层而成的构成，所以在阳极-阴极间并列寄生电容。在发光期间，在OLED130流过电路时，该OLED130的阳极-阴极间的两端电压被该电容保持，但该保持电压因晶体管125的导通而被复位。因此，在本实施方式中，在之后的发光期间，在OLED130再次流过电流时，不易受在该电容保持的电压的影响。
详细而言，例如若为在从高亮度的显示状态转为低亮度的显示状态时不复位的构成，则亮度高（流过大电流）时的高电压被保持，所以接下来，即便想流过小电流，也会流过过载电流，不能够为低亮度的显示状态。与此相对，在本实施方式中，因晶体管125的导通，OLED130的阳极的电位被复位，所以提高低亮度侧的再现性。
此外，在本实施方式中，以电位Vorst和共用电极118的电位Vct的差低于OLED130的发光阈值电压的方式设定该电位Vorst。因此，在初始化期间（接下来说明的补偿期间以及写入期间），OLED130是截止（非发光）状态。
补偿期间
在第i行的扫描期间中，接下来作为第2期间成为（c）的补偿期间。在补偿期间与初始化期间相比，扫描信号Gwr（i）以及控制信号Gcmp（i）成为低（L）电平。另一方面，在补偿期间，在控制信号Gref被维持在高（H）电平的状态下，控制信号／Gini成为高（H）电平。
在补偿期间，晶体管123导通，所以晶体管121成为二极管连接。因此，漏极电流流过晶体管121，对栅极节点g以及数据线14进行充电。详细而言，电流按照供电线116→晶体管121→晶体管123→晶体管122→第j列的数据线14这样的路径流动。因此，因晶体管121的导通而处于相互连接状态的数据线14以及栅极节点g的电位上升。
但对流过上述路径的电流而言，若使晶体管121的阈值电压为｜Vth｜，则随着栅极节点g接近电位（Vel－｜Vth｜）而不易流动，所以至补偿期间的结束，数据线14以及栅极节点g在电位（Vel－｜Vth｜）饱和。因此，保持电容132在至补偿期间的结束，保持晶体管121的阈值电压｜Vth｜。
写入期间
初始化期间后，作为第3期间进入（d）的写入期间。在写入期间，控制信号Gcmp（i）为高（H）电平，所以晶体管121的二极管连接被解除。从第j列的数据线14至第i行第j列的像素电路110中的栅极节点g的路径中的电位被保持电容132维持在（Vel－｜Vth｜）。
发光期间
第i行的写入期间结束后，到达发光期间。在该发光期间，如上所述，控制信号Gel（i）成为低（L）电平，所以在第i行第j列的像素电路110中，晶体管124导通。在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下向OLED130供给与灰度等级对应的电流。
在第i行的扫描期间，即便在第j列的像素电路110以外的第i行的其他的像素电路110中，在时间上也并列执行该动作。并且，实际在1个帧的期间，按照第1、2、3、…、（m－1）、m行的顺序执行该第i行的动作，且按照每个帧重复。
另外，如图3中虚线所示那样，在数据线14和像素电路110中的栅极节点g之间实际寄生寄生电容133。因此，若数据线14的电位变化幅度大，则经由该寄生电容133向栅极节点g传播，产生所谓的串扰、不均等，使显示品质降低。该寄生电容133的影响在像素电路110被微细化时显著出现。
然而，在本实施方式中，如图3所示，与供电线16连接的屏蔽图案117被延伸配置至与数据线14交叉的位置，在该交叉部形成有平行平板电容134。通过该平行平板电容134，从数据线14向晶体管121的栅极布线的电场强度变弱，寄生电容133被大幅减少。
作为本发明的更加理想的构成，优选在产生噪声的布线和受噪声的影响的节点的最近旁，使从供电线16延伸配置的屏蔽图案117和数据线14交叉。由此，能够大幅减少电场的影响。
另外，若根据本构成，则产生对屏蔽图案117自身的噪声的施加，但从接下来写入映像信号的邻接像素延伸配置屏蔽图案117，所以不会影响自身像素的显示品质。另外，即便邻接像素受到噪声引起的变动，在下一定时也会写入标准的映像信号，所以不会影响显示品质。
根据本实施方式，作为使晶体管125导通的期间，即OLED130的复位期间，能够确保比扫描期间长的期间，例如2个水平扫描期间，所以在发光期间，能够使被OLED130的寄生电容保持的电压充分初始化。
另外，根据本实施方式，通过晶体管121向OLED130供给的电流Ids不受阈值电压的影响。因此，根据本实施方式，晶体管121的阈值电压即便在每个像素电路110有偏差，也会补偿该偏差，向OLED130供给与灰度等级对应的电流，所以抑制损坏显示画面的一致性的显示不均的产生，其结果能够进行高品质的显示。
并且，根据本实施方式，与供电线16连接的屏蔽图案117被延伸配置至与数据线14交叉的位置，在该交叉部形成有平行平板电容134，所以从数据线14向晶体管121的栅极布线的电场强度变弱，能够大幅减少寄生电容133。其结果，能够可靠地防止经由寄生电容133向栅极节点g传播的、所谓的串扰、不均等的产生，能够进行高品质的显示。
像素电路的构造
接下来，参照图5以及图6，对该像素电路110的构造进行说明。
图5是表示一个像素电路110的构成的俯视图，图6是沿图5中的A－A’线切断的局部剖视图。
应予说明，图5表示从观察侧俯视顶部发光的像素电路110时的布线构造，为了简单化，省略在OLED130中的像素电极（阳极）以后形成的构造体。另外，在以下各图中，为了使各层、各部件、各区域等为能够识别的大小，使比例尺不同。
首先，如图6所示，设置有成为基础的基板2。基板2被设置成平板状，但在图5中，为了能够容易理解各晶体管的位置，表示成岛状。
如图6所示，在基板2形成有用于形成晶体管122以及晶体管123的有源区140。这里，有源区是形成MOS型晶体管的区域。另外，与该有源区140相同，如图5所示，在基板2设置有有源区141、142、143。有源区141构成晶体管121，有源区142构成晶体管124，有源区143构成晶体管125。
如图6所示，以覆盖有源区140～143的几乎整个面的方式设置有栅极绝缘膜17。在栅极绝缘膜17的表面设置有铝、多晶硅等栅极布线层，且通过图案化该栅极布线层，设置有栅极电极144。栅极电极144是晶体管121的栅极电极，如图5所示，在与该栅极电极144同层设置有晶体管122的栅极电极145、晶体管123的栅极电极146、晶体管124的栅极电极147以及晶体管125的栅极电极148。
在图6中，以覆盖栅极电极144或者栅极绝缘膜17的方式形成有第1层间绝缘膜18。在第1层间绝缘膜18的表面形成有导电性的布线层，且通过该布线层的图案化形成有中继电极41。另外，如图5所示，在与该中继电极41同层分别形成有中继电极42、43、44、45。
其中，中继电极41经由对第1层间绝缘膜18开孔的接触孔31与晶体管121的栅极电极144连接。另外，中继电极41经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17开孔的接触孔32与晶体管122以及晶体管123的有源区140连接。
此外，在图4中，在不同种类的布线层彼此重合的部分中，在“□”标记上附加“×”标记的部分是接触孔。
在图5中，中继电极42的一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17开孔的接触孔33与晶体管122的有源区140连接，另一方面，中继电极42的另一端经由对后述的第2层间绝缘膜19开孔的接触孔34与后述的数据线14连接。
中继电极43的一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17开孔的接触孔35与晶体管121的有源区141连接，另一方面，中继电极43的另一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17开孔的接触孔36与晶体管123的有源区140连接。
中继电极44的一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17开孔的接触孔37与晶体管125的有源区143连接，另一方面，中继电极44的另一端经由对后述的第2层间绝缘膜19开孔的接触孔38与后述的供电线16连接。
中继电极45的一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17开孔的接触孔39与晶体管125的有源区143连接，另一方面，中继电极45的另一端经由分别对第1层间绝缘膜18以及栅极绝缘膜17开孔的接触孔50与晶体管124的有源区142连接。
另外，在与上述的中继电极41、42、43、44、45同层形成有扫描线12、控制线118、114、115。
扫描线12经由对第1层间绝缘膜18开孔的接触孔51与晶体管122的栅极电极145连接。
控制线118经由对第1层间绝缘膜18开孔的接触孔52与晶体管123的栅极电极146连接。
控制线114经由对第1层间绝缘膜18开孔的接触孔53与晶体管125的栅极电极148连接。
控制线115经由对第1层间绝缘膜18开孔的接触孔54与晶体管124的栅极电极147连接。
并且，如图6所示，在与上述的中继电极41、42、43、44、45同层形成有屏蔽图案117。俯看，屏蔽图案117从供电线（固定电位布线）16的下方被延伸配置至数据线14的下方，如图5所示，以比数据线14的长边方向的宽度变宽的方式形成。这里，俯看是从权利要求书中的第3方向观看。并且，下方指供电线（固定电位布线）16以及数据线14的基板2侧，数据线14的长边方向与权利要求书中的第2方向对应。
通过像这样构成为屏蔽图案117与数据线14交叉，形成平行平板电容134，从数据线14向中继电极41以及与中继电极41电连接的晶体管121的栅极电极144的电场强度变弱，能够大幅降低形成于中继电极41和数据线14之间的寄生电容133的影响。
作为本发明的更加理想的构成，优选在产生噪声的布线，和受噪声的影响的节点的最近旁，使从供电线（固定电位布线）16延伸配置的屏蔽图案和数据线14交叉。更具体而言，优选在将屏蔽图案117和数据线14交叉的区域作为交叉区域时，将中继电极41配置在交叉区域的数据线14的长边方向的宽度内。该情况下，在交叉区域形成有平行平板电容134，在交叉区域的数据线14的长边方向的宽度内配置有中继电极41，所以从数据线14向处于平行平板电容134附近的与想要保护的晶体管121的栅极电连接的中继电极41的电场强度变弱，形成于数据线14与中继电极41以及晶体管121的栅极间的寄生电容大幅减少，能够抑制对晶体管121的栅极的噪声的施加。
并且，根据本构成，不追加新的制造工序就能够形成屏蔽图案117，因此能够防止成本增加。
根据本构成，产生对屏蔽图案117本身的噪声的施加，但在采用点依次操作的情况下，从接下来写入映像的相邻的像素延伸配置屏蔽图案117，所以不会影响自身像素的显示品质。另外，即便相邻的像素受到噪声引起的变动，在下一定时也写入标准的映像信号，所以不影响显示品质。
以覆盖中继电极41、42、43、44、45、扫描线12、控制线118、114、115、以及屏蔽图案117，或者第1层间绝缘膜18的方式形成有第2层间绝缘膜19。在第2层间绝缘膜19的表面形成有导电性的布线层，且通过该布线层的图案化，分别形成有数据线14、供电线16以及与电源线（图示略）的连接部分119。
其中，供电线16经由对第2层间绝缘膜19开孔的接触孔55与屏蔽图案117连接。
另外，如上所述，供电线16经由对第2层间绝缘膜19开孔的接触孔38与中间电极44连接。
并且，数据线14经由对第2层间绝缘膜19开孔的接触孔34与中间电极42连接。
另外，与电源线的连接部分119经由对第2层间绝缘膜19、第1层间绝缘膜18、栅极绝缘膜17开孔的接触孔56与晶体管121的有源区141连接。并且，与电源线的连接部分119经由接触孔57在比图5所示的层更靠上层与电源线连接。
此外，图3所示的电容132形成于比上述的供电线16、数据线14靠上层，但省略图示。
图示省略作为电光装置1的之后的构造，但在阳极按照每个像素电路110层叠由有机EL材料构成的发光层，且在遍及各像素电路110而共用的透明电极作为兼作阴极的共用电极118被设置。由此，发光元件150成为利用相互对置的阳极和阴极夹持发光层而成的OLED，以与从阳极流向阴极的电流对应的亮度发光，朝向与基板2相反方向被观察（顶部发光构造）。除此之外，设置用于从大气隔离发光层的密封玻璃等，但省略说明。
另外，在图5中，省略作为OLED130的阳极的像素电极的图示。
应用、变形例
本发明并不局限于上述的实施方式、应用例等的实施方式等，例如能够进行以下所述的各种变形。另外，也能够对任意选择出的一个或者多个以下所述的变形的方式进行适当组合。
控制电路
在实施方式中，与电光装置10独立设置供给数据信号的控制电路5，但也可以将控制电路5与扫描线驱动电路20、信号分离器30、电平移位电路40一起集成在硅基板上。
基板
在实施方式中，采用将电光装置10集成在硅基板的构成，但也可以是集成在其他的半导体基板的构成。另外，还可以应用多晶硅工序形成于玻璃基板等。无论哪种，在像素电路110被微细化，在晶体管121中，针对栅极电压Vgs的变化，漏极电流按指数函数较大变化的构成中有效。
控制信号Gcmp（i）
在实施方式等中，以第i行来说，在写入期间，使控制信号Gcmp（i）为高（H）电平，但也可以为低（L）电平。即，也可以为并行执行使晶体管123导通引起的阈值补偿和向节点栅极g的写入的构成。
晶体管的沟道型
在上述的实施方式等中，以P沟道型统一像素电路110中的晶体管121～125，但也可以以N沟道型统一。另外，也可以适当地组合P沟道型以及N沟道型。
屏蔽图案
在上述的实施方式中，对使屏蔽图案117形成于与想要保护的晶体管的栅极布线同层的例子进行了说明，但本发明并不局限于这样的构成，也可以使屏蔽图案117形成在比栅极布线靠上层的布线层。
在产生噪声的布线，和其附近的想要保护的晶体管的栅极布线之间优先形成寄生电容133。因此，若在与想要保护的晶体管的栅极布线同层或比其靠上层的布线形成屏蔽图案117，则在产生噪声的布线和屏蔽图案117之间形成平行平板电容134，能够得到更好的噪声抑制效果。
其他
在实施方式等中，作为电光元件例示了作为发光元件的OLED，但例如无机发光二极管、LED（Light Emitting Diode：发光二极管）等，以与电流对应的亮度发光的元件即可。
电子设备
接下来，对应用了实施方式等和应用例所涉及的电光装置10的电子设备进行说明。电光装置10适用于像素的小尺寸，高精细的显示用途。因此，作为电子设备，以头戴式显示器为例进行说明。
图7是表示头戴式显示器的外观的图，图8是表示其光学构成的图。
首先，如图7所示，头戴式显示器300在外观上与一般眼镜相同，具有眼镜腿310、鼻架320、镜片301L、301R。另外，如图8所示，头头戴式显示器300在鼻架320附近，且在镜片301L、301R的内侧（图中下侧）设置有左眼用的电光装置10L与右眼用的电光装置10R。
以在图8中位于左侧的方式配置电光装置10L的图像显示面。由此，电光装置10L的显示图像经由光学透镜302L在图中向9点钟方向射出。半透半反镜303L使电光装置10L的显示图像向6点钟方向反射，另一方面使从12点钟方向入射的光透过。
以位于与电光装置10L相反的右侧的方式配置电光装置10R的图像显示面。由此，电光装置10R的显示图像经由光学透镜302R在图中向3点钟方向射出。半透半反镜303R使电光装置10R的显示图像向6点钟方向反射，另一方面使从12点钟方向入射的光透过。
在该构成中，头戴式显示器300的佩戴者能够以与外面的样子重叠的透过（see-through）状态观察电光装置10L、10R的显示图像。
另外，在该头戴式显示器300中，伴有视差的两眼图像中，若使电光装置10L显示左眼用图像，使电光装置10R显示右眼用图像，则能够使佩戴者感觉显示的图像犹如具有纵深感和立体感（3D显示）。
此外，除了头戴式显示器300外，电光装置10也能够适用于摄像机、透镜交换式的数码相机等中的电子式取景器。
符号说明
10…电光装置，12…扫描线，14…数据线，16…供电线（固定电位布线），20…扫描线驱动电路，30…数据线驱动电路，30～39…接触孔，41～45…中间电极层，50～56…接触孔，100…显示部，110…像素电路，114、115…控制线供电线，116…供电线，117…屏蔽图案，118…控制线，121～125…晶体管，130…OLED，132…保持电容，133…寄生电容，134…平行平板电容，140～143…有源区，144～148…栅极电极，300…头戴式显示器。

Claims (9)

1.一种电光装置，其特征在于，
是具备具有第1发光元件的第1像素电路，和具有沿第1方向配置在所述第1发光元件的旁边的第2发光元件的第2像素电路的电光装置，其具有：
沿与所述第1方向交叉的第2方向配置，且与所述第1像素电路电连接的第1固定电位布线；
沿所述第2方向配置，且与所述第1像素电路电连接的第1数据线；
沿所述第2方向配置，且与所述第2像素电路电连接的第2固定电位布线；
沿所述第2方向配置，且与所述第2像素电路电连接的第2数据线；
对流过所述第1发光元件的电流进行控制的驱动晶体管；
与所述第2固定电位布线连接的布线，
其中，从与所述第1方向以及所述第2方向垂直的第3方向观察，所述第1数据线以及所述布线重合。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述第1发光元件包含第1像素电极、与所述第1像素电极对置配置的对置电极、和配置在所述第1像素电极和所述对置电极之间的有机发光层，
所述第1像素电路具有设置于所述驱动晶体管的栅极电极和所述第1栅极线之间的开关晶体管、和连接所述驱动晶体管的栅极电极和所述开关晶体管的中继电极，
从所述第1方向观察，所述中继电极被配置在所述布线的宽度内。
3.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，
所述中继电极被配置于所述第1数据线和所述驱动晶体管的栅极电极之间的层。
4.根据权利要求2或者3所述的电光装置，其特征在于，
所述中继电极被配置成与所述驱动晶体管的栅极电极同层。
5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述第1发光元件和所述第2发光元件应射出不同波长的光。
6.一种电光装置，其特征在于，具有：
相互交叉的多个扫描线以及多个数据线；
与所述扫描线和所述数据线的交叉对应设置的多个像素电路；
与所述多个像素电路的每一个对应设置，且供给规定的电位的固定电位布线；
与所述固定电位线电连接的屏蔽布线，
其中，所述多个像素电路的每一个具备：
发光元件；
对流过所述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管；
被连接于所述驱动晶体管的栅极和所述数据线之间，且根据向所述扫描线供给的扫描信号被控制导通状态的开关晶体管，
所述屏蔽布线从与该像素电路的相邻的像素电路对应的固定电位布线被延伸配置至该像素电路的数据线的下部而形成，所述屏蔽布线的至少一部分与所述数据线交叉。
7.根据权利要求6所述的电光装置，其特征在于，
在将所述屏蔽布线和所述数据线交叉的区域作为交叉区域时，将所述驱动晶体管的栅极配置在所述交叉区域的所述数据线的长边方向的宽度内。
8.根据权利要求6所述的电光装置，其特征在于，
所述屏蔽布线形成于比所述数据线靠下层，并且形成于与所述驱动晶体管的栅极同层或比其靠上层的布线层。
9.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1至8中任意一项所述的电光装置。
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