CN103114328A - 8寸<110>磁场直拉单晶的制备方法 - Google Patents
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Publication Number | Publication Date |
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CN103114328A true CN103114328A (zh) | 2013-05-22 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201310058246.XA Active CN103114328B (zh) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | 8寸<110>磁场直拉单晶的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN103114328B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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C10 | Entry into substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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