CN103081357A - 电子元器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子元器件，能不使元件变大而降低LC并联谐振器的耦合度。层叠体(12)通过层叠多个绝缘体层(16)而构成。LC并联谐振器(LC1～LC3)是由在z轴方向上延伸的过孔导体、及设置于绝缘体层(16)上的导体层组成且呈环形的LC并联谐振器，并构成带通滤波器。LC并联谐振器(LC1、LC3)的环形面(S1，S3)、与LC并联谐振器(LC2)的环形面(S2)与z轴方向平行，且互不平行。

Description

电子元器件

技术领域

本发明涉及一种电子元器件，特别涉及一种包括由多个LC并联谐振器组成的带通滤波器的电子元器件。

背景技术

作为现有的电子元器件，例如，已知有专利文献1中记载的层叠式带通滤波器。该层叠式带通滤波器包括层叠体以及多个LC并联谐振器。层叠体通过层叠多个电介质层而构成。各LC并联谐振器由电容器电极及电感器电极构成。电感器电极形成为环形。并且，各个LC并联谐振器的环形面相互重叠。在如上的层叠式带通滤波器中，由于环形面相互重叠，因此能够提高相邻LC并联谐振器的电感电极间的耦合度，并实现宽频带化。

然而，在包括由多个LC并联谐振器组成的带通滤波器的电子元器件中，有时为了得到所希望的特性，会希望LC并联谐振器的电感器电极间的耦合度下降。在专利文献1所记载的层叠式带通滤波器中，作为使相邻的LC并联谐振器间的耦合度下降的方法，列举有将LC并联谐振器间的距离扩大的方法。然而，若将LC并联谐振器间的距离扩大，将产生层叠式带通滤波器变大的问题。现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007／119356号刊物

发明内容

发明所要解决的技术问题

因此，本发明的目的在于，提供一种能够不使元件变大、而降低线圈间耦合度的电子元器件。

为解决问题所采用的技术方案

本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件包括：层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层而构成；以及第一LC并联谐振器及第二LC并联谐振器，该第一LC并联谐振器及第二LC并联谐振器包括在层叠方向上延伸的过孔导体及设置于上述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并且构成带通滤波器，该电子元器件的特征在于，上述第一LC并联谐振器的第一环形面与上述第二LC并联谐振器的第二环形面与层叠方向平行，且互不平行。

发明效果

根据本发明，能不使元件变大、而调整LC并联谐振器的线圈间的耦合度。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件的外观立体图。

图2是电子元器件的层叠体的分解立体图。

图3是电子元器件的等效电路图。

图4是表示模拟结果的曲线图。

图5(a)是从z轴方向的正方向侧透视第一变形例所涉及的电子元器件的图。图5(a)是从z轴方向的正方向侧透视第二变形例所涉及的电子元器件的图。

具体实施方式

下面，对本发明的实施方式所涉及的电子元器件进行说明。

电子元器件的结构

下面，参照附图对本发明的一个实施方式所涉及的电子元器件的结构进行说明。图1是本发明的实施方式所涉及的电子元器件10的外观立体图。图2是电子元器件10的层叠体12的分解立体图。图3是电子元器件10的等效电路图。图1及图2中，z轴方向表示层叠方向。另外，x轴方向表示沿着电子元器件的长边的方向；y轴方向表示沿着电子元器件10的短边的方向。

如图1及图2所示，电子元器件10包括：层叠体12、外部电极14(14a～14d)、LC并联谐振器LC1～LC3及引出导体层20(20a、20b)、28(28a、28b)。

如图2所示，层叠体12通过层叠由陶瓷电介质组成的绝缘体层16(16a～16g)而构成，并呈长方体状。另外，层叠体12中内置有LC并联谐振器LC1～LC3。

如图1所示，外部电极14a设置于x轴方向的负方向一侧的侧面，用作为输入电极。外部电极14b设置于x轴方向的正方向一侧的侧面，用作为输出电极。外部电极14c设置于y轴方向的负方向一侧的侧面，用作为接地电极。外部电极14d设置于y轴方向的正方向一侧的侧面，用作为接地电极。

如图2所示，绝缘体层16呈长方体状，例如由陶瓷电介质构成。绝缘体层16a～16g在z轴方向上按该顺序排列并层叠。下面，将绝缘体层16的z轴方向的正方向一侧的面称为表面；将绝缘体层16的z轴方向的负方向一侧的面称为背面。

LC并联谐振器LC1包含线圈L1及电容器C1。更详细而言，LC并联谐振器LC1由过孔导体b1～b9、电容器导体层22a、线圈导体层24a以及接地导体层26组成，且呈环状。

电容器C1由电容器导体层22a及接地导体层26构成。接地导体层26是设置于LC并联谐振器LC1的z轴方向的最负方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16g的表面上。接地导体层26呈长方形，几乎覆盖了绝缘体层16g的整个表面。电容器导体层22a是经由绝缘体层16f来与接地导体层26相对的导体层，设置于绝缘体层16f的表面上。由此，在电容器导体层22a与接地导体层26之间产生静电电容。电容器导体层22a呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并且设置于较绝缘体层16f的对角线的交点更向x轴方向的负方向一侧。

线圈L1由过孔导体b1～b9及线圈导体层24a构成。过孔导体b1～b4分别在z轴方向上将绝缘体层16b～16e贯穿。另外，过孔导体b4的z轴方向的负方向一侧的端部与电容器导体层22a相连。由此，过孔导体b1～b4构成一根与电容器导体层22a相连、并在z轴方向上延伸的过孔导体。过孔导体b5～b9分别在z轴方向上将绝缘体层16b～16f贯穿，并设置于较过孔导体b1～b4更向y轴方向的正方向一侧。另外，过孔导体b9的z轴方向的负方向一侧的端部与接地导体层26相连。由此，过孔导体b5～b9构成一根与接地导体层26相连、并在z轴方向上延伸的过孔导体。

线圈导体层24a是设置于LC并联谐振器LC1的z轴方向的最正方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16b的表面上。线圈导体层24a呈现为在y轴方向的正方向一侧延伸的同时向x轴方向的负方向一侧前进的、相对于y轴倾斜的线状，并且设置于较绝缘体层16b的对角线的交点更向x轴方向的负方向一侧。并且，线圈导体层24a与由过孔导体b1～b4组成的一根过孔导体的z轴方向的正方向一侧的端部、和由过孔导体b5～b9组成的一根过孔导体的z轴方向的正方向一侧的端部相连。即，过孔导体b1的z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24a的y轴方向的负方向一侧的端部相连。过孔导体b5的z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24a的y轴方向的正方向一侧的端部相连。

由此，线圈L1呈现为“U”字型，该“U”字型以过孔导体b4与电容器导体层22a的连接点为一端，经由过孔导体b1～b4、线圈导体层24a以及过孔导体b5～b9，并以过孔导体b9与接地导体层26为另一端。

如上述那样构成的LC并联谐振器LC1形成环形面S1。环形面S1是通过被LC并联谐振器LC1包围而形成的长方形的假想平面。环形面S1与z轴方向平行，并且相对于y轴倾斜，以在向y轴方向的正方向一侧延伸的同时向x轴方向的负方向一侧前进。

LC并联谐振器LC2包含线圈L2及电容器C2。更具体而言，LC并联谐振器LC2由过孔导体b10～b18、电容器导体层22b、线圈导体层24b以及接地导体层26组成，且呈环状。

电容器C2由电容器导体层22b及接地导体层26构成。接地导体层26是设置于LC并联谐振器LC2的z轴方向的最负方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16g的表面上。接地导体层26呈长方形，几乎覆盖了绝缘体层16g的整个表面。即，电容器C2与电容器C1共用接地导体层26，并且电容器C2的接地导体层26设置于相同的绝缘体层16g的表面上。电容器导体层22b是经由绝缘体层16f来与接地导体层26相对的导体层，设置于绝缘体层16f的表面上。由此，在电容器导体层22b与接地导体层26之间产生静电电容。电容器导体层22b呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并且设置于绝缘体层16f的对角线的交点上。

线圈L2由过孔导体b10～b18及线圈导体层24b构成。过孔导体b10～b13分别在z轴方向上将绝缘体层16b～16e贯穿。另外，过孔导体b13的z轴方向的负方向一侧的端部与电容器导体层22b相连。由此，过孔导体b10～b13构成一根与电容器导体层22b相连、并在z轴方向上延伸的过孔导体。过孔导体b14～b18分别在z轴方向上将绝缘体层16b～16f贯穿，并设置于较过孔导体b10～b13更向y轴方向的正方向一侧。另外，过孔导体b18的z轴方向的负方向一侧的端部与接地导体层26相连。由此，过孔导体b14～b18构成一跟与接地导体层26相连、并在z轴方向上延伸的过孔导体。

线圈导体层24b是设置于LC并联谐振器LC2的z轴方向的最正方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16b的表面上。线圈导体层24b呈现为在y轴方向上延伸的线状，并且设置于绝缘体层16b的对角线的交点上。并且，线圈导体层24b与由过孔导体b10～b13组成的一根过孔导体的z轴方向的正方向一侧的端部、和由过孔导体b14～b18组成的一根过孔导体的z轴方向的正方向一侧的端部相连。即，过孔导体b10的z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24b的y轴方向的负方向一侧的端部相连。过孔导体b14的z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24b的y轴方向的正方向一侧的端部相连。

由此，线圈L2呈现为“U”字型，该“U”字型以过孔导体b13与电容器导体层22b的连接点为一端，经由过孔导体b10～b13、线圈导体层24b以及过孔导体b14～b18，并以过孔导体b18与接地导体层26为另一端。

如上述那样构成的LC并联谐振器LC2形成为与yz平面平行(即、与z轴方向平行)的环形面S2。环形面S2是通过被LC并联谐振器LC2包围而形成的长方形的假想平面。从z轴方向俯视时，环形面S2与层叠体12的短边(即、y轴方向)平行。

LC并联谐振器LC3包含线圈L3及电容器C3。更具体而言，LC并联谐振器LC3由过孔导体b19～b27、电容器导体层22c、线圈导体层24c以及接地导体层26组成，且呈环形。

电容器C3由电容器导体层22c及接地导体层26构成。接地导体层26是设置于LC并联谐振器LC3的z轴方向的最负方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16g的表面上。接地导体层26呈长方形，几乎覆盖了绝缘体层16g的整个表面。即，电容器C3与电容器C1、C2共用接地导体层26，并且电容器C3的接地导体层26设置于相同的绝缘体层16g的表面上。电容器导体层22c是经由绝缘体层16f来与接地导体层26相对的导体层，设置于绝缘体层16f的表面上。由此，在电容器导体层22c与接地导体层26之间产生静电电容。电容器导体层22c呈现为在y轴方向上具有长边方向的长方形，并且设置于较绝缘体层16f的对角线的交点更向x轴方向的正方向一侧。

线圈L3由过孔导体b19～b27及线圈导体层24c构成。过孔导体b19～b22分别在z轴方向上将绝缘体层16b～16e贯穿。另外，过孔导体b22的z轴方向的负方向一侧的端部与电容器导体层22c相连。由此，过孔导体b19～b22构成一根与电容器导体层22c相连、并在z轴方向上延伸的过孔导体。过孔导体b23～b27分别在z轴方向上将绝缘体层16b～16f贯穿，并设置于较过孔导体b19～b22更向y轴方向的正方向一侧。另外，过孔导体b27的z轴方向的负方向一侧的端部与接地导体层26相连。由此，过孔导体b23～b27构成一跟与接地导体层26相连、并在z轴方向上延伸的过孔导体。

线圈导体层24c是设置于LC并联谐振器LC3的z轴方向的最正方向一侧的导体层，设置于绝缘体层16b的表面上。线圈导体层24c呈现为在y轴方向的正方向一侧延伸的同时向x轴方向的正方向一侧前进的、相对于y轴倾斜的线状，并且设置于较绝缘体层16b的对角线的交点更向x轴方向的正方向一侧。并且，线圈导体层24c与由过孔导体b19～b22组成的一根过孔导体的z轴方向的正方向一侧的端部、和由过孔导体b23～b27组成的一根过孔导体的z轴方向的正方向一侧的端部相连。即，过孔导体b19的z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24c的y轴方向的负方向一侧的端部相连。过孔导体b23的z轴方向的正方向一侧的端部与线圈导体层24c的y轴方向的正方向一侧的端部相连。

由此，线圈L3呈现为“U”字型，该“U”字型以过孔导体b22与电容器导体层22c的连接点为一端，经由过孔导体b19～b22、线圈导体层24c以及过孔导体b23～b27，并以过孔导体b27与接地导体层26为另一端。

如上述那样构成的LC并联谐振器LC3形成环形面S3。环形面S3是通过被LC并联谐振器LC3包围而形成的长方形的假想平面。环形面S3与z轴方向平行，并且相对于y轴倾斜，以在向y轴方向的正方向一侧延伸的同时向x轴方向的正方向一侧前进。

如上所述，在从x轴方向(即、环形面S1的法线方向)俯视时，LC并联谐振器LC1～LC3的环形面S1～S3至少有一部分重叠。并且，环形面S1与环形面S3夹着环形面S2。由此，如图3所示，LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC2的线圈L2产生电磁场耦合。另外，LC并联谐振器LC2的线圈L2与LC并联谐振器LC3的线圈L3产生电磁场耦合。其中，环形面S1、S2、S3互不平行。具体而言，在从z轴方向的正方向一侧俯视时，y轴方向的负方向一侧的端部上的环形面S1、S3与环形面S2的间隔、比y轴方向的正方向一侧的端部上的环形面S1、S3与环形面S2的间隔要窄。从z轴方向的正方向一侧俯视时，环形面S1、S3设置为相对于环形面S2呈线对称。如上述那样构成的LC并联谐振器LC1～LC3构成带通滤波器。

引出导体层20a设置于绝缘体层16f的表面上，与电容器导体层22a相连，并且引出至绝缘体层16f的x轴方向的负方向一侧的短边。由此，引出导体层20a与外部电极14a相连。其结果是，LC并联谐振器LC1在电容器C1与线圈L1之间与外部电极14a电连接。

引出导体层20b设置于绝缘体层16f的表面上，与电容器导体层22c相连，并且引出至绝缘体层16f的x轴方向的正方向一侧的短边。由此，引出导体层20b与外部电极14b相连。其结果是，LC并联谐振器LC3在电容器C3与线圈L3之间与外部电极14b电连接。

引出导体层28a设置于绝缘体层16g的表面上，与接地导体层26相连，并且引出至绝缘体层16g的y轴方向的负方向一侧的长边。由此，引出导体层28a与外部电极14c相连。其结果是，LC并联谐振器LC1～LC3分别在电容器C1～C3与线圈L1～L3之间与外部电极14c电连接。

引出导体层28b设置于绝缘体层16g的表面上，与接地导体层26相连，并且引出至绝缘体层16g的y轴方向的正方向一侧的长边。由此，引出导体层28b与外部电极14d相连。其结果是，LC并联谐振器LC1～LC3分别在电容器C1～C3与线圈L1～L3之间与外部电极14d电连接。

接下来，参照图1至图3，对电子元器件10的动作的一示例进行说明。例如，在从外部电极14a输入具有正电压的高频信号Sig1时，如图3所示，在从x轴方向的正方向一侧俯视时，该高频信号Sig1顺时针流动。

LC并联谐振器LC1的线圈L1与LC并联谐振器LC2的线圈L2产生电磁场耦合。由此，若在从x轴方向的正方向一侧俯视时、高频信号Sig1在LC并联谐振器LC1中顺时针流动，则由于电磁感应，在从x轴方向的正方向一侧俯视时，高频信号Sig2在LC并联谐振器LC2中逆时针流动。

LC并联谐振器LC2与LC并联谐振器LC3产生电磁场耦合。由此，若在从x轴方向的正方向一侧俯视时、高频信号Sig2在LC并联谐振器LC2中顺时针流动，则由于电磁感应，在从x轴方向的正方向一侧俯视时，高频信号Sig3在LC并联谐振器LC3中逆时针流动。由此，从外部电极14b输出高频信号Sig3。

这里，LC并联谐振器LC1～LC3分别具有由线圈L1～L3及电容器C1～C3所定的固有的谐振频率。并且，LC并联谐振器LC1～LC3的阻抗在这些谐振频率下变大。由此，从外部电极14b输出由这些谐振频率所定的规定频带的高频信号Sig3。

(电子元器件的制造方法)

接下来，参照图1及图2对电子元器件10的制造方法进行说明。

首先，准备将成为绝缘体层16的陶瓷生片。接下来，在各个将成为绝缘体层16b～16f的陶瓷生片上形成过孔导体b1～b27。具体而言，对将成为绝缘体层16b～16f的陶瓷生片照射激光束，以形成过孔。接下来，利用印刷涂布等方法，将Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等导电性糊料填充入这些过孔中。

接下来，通过丝网印刷法或光刻法等方法在将成为绝缘体层16b、16f、16g的陶瓷生片上涂布以Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等为主要成分的导电性糊料，由此来形成引出导体层20a、20b、电容器导体层22a～22c、线圈导体层24a～24c、接地导体层26以及引出导体层28a、28b。此外，也可以在形成引出导体层20a、20b、电容器导体层22a、22b以及线圈导体层24a～24c时，将导电性糊料填充到过孔中。

接下来，层叠各个陶瓷生片。具体而言，配置将成为绝缘体层16g的陶瓷生片。接下来，在将成为绝缘体层16g的陶瓷生片上配置将成为绝缘体层16f的陶瓷生片。此后，把将成为绝缘体层16f的陶瓷生片压接在将成为绝缘体层16g的陶瓷生片上。此后，对于将成为16e，16d，16c，16b，16a的陶瓷生片，也以该顺序同样地进行层叠及压接。通过上述工序，母层叠体得以形成。利用静水压冲压等对该母层叠体实施正式压接。

接下来，利用刀刃将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。对该未烧成的层叠体12进行脱粘合剂处理及烧成。

通过上述工序，得到烧成后的层叠体12。对层叠体12实施滚筒加工，来进行倒角。此后，通过例如浸渍法等方法、在层叠体12的表面上涂布主要成分为银的电极糊料并进行烧接，由此形成将成为外部电极14的银电极。

最后，通过对银电极的表面实施镀Ni/镀Sn，从而形成外部电极14。经过以上的工序，完成图1所示的电子元器件10。

(效果)

根据如上那样构成的电子元器件10，能够不使元件变大、而降低线圈L1～L3的耦合度。下面，将电子元器件10与、环形面S1～S3平行的比较例所涉及的电子元器件作比较来进行说明。比较例所涉及的电子元器件中的环形面S1、S3与环形面S2的间隔、与电子元器件10的y轴方向的正方向一侧的端部上的环形面S1、S3与环形面S2的间隔相等。

在比较例所涉及的电子元器件中，由于环形面S1～S3平行，因此在法线方向上从环形面S2产生的磁通量通过环形面S1、S3。另一方面，在电子元器件10中，环形面S1、S3相对于环形面S2倾斜。因此，电子元器件10中，从x轴方向俯视时，环形面S2从环形面S1、S3向y轴方向的负方向一侧露出。由此，电子元器件10中，在法线方向上从环形面S2产生的磁通量的一部分不通过环形面S1、S3。这样，在电子元器件10中，比较例所涉及的电子元器件中通过环形面S1、S3的磁通量不通过环形面S1、S3。因此，电子元器件10中的线圈L1～L3之间的耦合度、较环形面S1～S3平行的电子元器件中的线圈L1～L3之间的耦合度有所降低。

然而，如上所述，比较例所涉及的电子元器件中的环形面S1、S3与环形面S2的间隔、与电子元器件10的y轴方向的正方向一侧的端部上的环形面S1、S3与环形面S2的间隔相等。因此，电子元器件10的芯片尺寸与比较例所涉及的电子元器件的芯片尺寸相等。如上所述，在电子元器件10中，能够不使元件变大、而降低线圈L1～L3的耦合度。

为进一步明确电子元器件10起到的效果，本发明申请人进行了如下说明的计算机模拟。具体而言，制作电子元器件10的模型(第一模型)及比较例所涉及的电子元器件的模型(第二模型)，并对它们的通过特性进行了考察。图4是表示模拟结果的曲线图。纵轴表示插入损耗，横轴表示频率。

根据图4可知：第一模型的通频带较第二模型要窄。这里，已知在带通滤波器中、线圈L1～L3之间的耦合度越低、通频带就越窄。由此，根据本模拟可知：第一模型与第二模型相比，线圈L1～L3之间的耦合度更低。

(变形例)

下面，参照附图说明变形例所涉及的电子元器件。图5(a)是从z轴方向的正方向一侧来透视第一变形例所涉及的电子元器件的图。图5(b)是从z轴方向的正方向一侧来透视第二变形例所涉及的电子元器件的图。

如图5(a)所示，电子元器件10a中，从z轴方向俯视时，环形面S1、S3也可以与环形面S2呈直角。由此，从x轴方向俯视时，环形面S2从环形面S1、S3向y轴方向的负方向一侧露出的面积变大。其结果是，电子元器件10a中的线圈L1～L3之间的耦合度进一步降低。

另外，如图5(b)所示，电子元器件10b中，从z轴方向俯视时，环形面S1的一端及环形面S3的一端也可以在环形面S2的中点处最靠近该环形面S2。由此，环形面S1与环形面S3之间被环形面S2隔开。其结果是，LC并联谐振器LC1与LC并联谐振器LC3难以产生电磁场耦合。其结果是，电子元器件10b中的LC并联谐振器LC1～LC3之间的耦合度进一步降低。

工业上的实用性

如上所述，本发明适用于电子元器件，特别在能不使元件变大而使LC并联谐振器的耦合度降低这一点上较为优异。

标号说明

C1～C3：电容器

L1～L3：线圈

LC1～LC3：LC并联谐振器

S1～S3：环形面

b1～b27：过孔导体

10、10a、10b：电子元器件

12：层叠体

14a～14d：外部电极

16a～16g：绝缘体层

20a、20b、28a、28b：引出导体层

22a～22c：电容器导体层

24a～24c：线圈导体层

26：接地导体层

Claims (7)

1.一种电子元器件，包括：

层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层而构成；以及

第一LC并联谐振器及第二LC并联谐振器，该第一LC并联谐振器及第二LC并联谐振器包括在层叠方向上延伸的过孔导体、及设置于所述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并且构成带通滤波器，

所述第一LC并联谐振器的第一环形面与所述第二LC并联谐振器的第二环形面与层叠方向平行，且互不平行

2.如权利要求1所述的电子元器件，其特征在于，

所述层叠体呈长方体状，并且在从层叠方向俯视时，所述第二环形面与所述层叠体的边平行。

3.如权利要求1或2所述的电子元器件，其特征在于，

所述第一环形面与所述第二环形面呈直角。

4.如权利要求1至3中任一项所述电子元器件，其特征在于，

所述电子元器件进一步包括第三LC并联谐振器，该第三LC并联谐振器包括在层叠方向上延伸的过孔导体、及设置于所述绝缘体层上的导体层，且呈环形，并且与所述第一LC并联谐振器及所述第二LC并联谐振器一同构成带通滤波器，

所述第三LC并联谐振器的第三环形面与层叠方向平行，

所述第一环形面与所述第三环形面夹着所述第二环形面。

5.如权利要求4所述的电子元器件，其特征在于，

所述第二环形面与所述第三环形面互不平行。

6.如权利要求5所述的电子元器件，其特征在于，

从层叠方向俯视时，所述第一环形面的一端及所述第三环形面的一端在所述第二环形面的中点处最靠近该第二环形面。

7.如权利要求1至6中任一项所述的电子元器件，其特征在于，

所述第一LC并联谐振器包含线圈及电容器，

所述电容器包含：

接地导体层，该接地导体层包括设置于所述第一LC并联谐振器的层叠方向的最下侧的所述导体层；以及

电容器导体层，该电容器导体层包括经由所述绝缘体层来与所述接地导体层相对的所述导体层，

所述线圈包含：

第一线圈过孔导体，该第一线圈过孔导体与所述电容器导体层相连、且包括在层叠方向上延伸的所述过孔导体；

第二线圈过孔导体，该第二线圈过孔导体与所述接地导体层相连、且包括在层叠方向上延伸的所述过孔导体；以及

线圈导体层，该线圈导体层包括所述导体层，该导体层与所述第一线圈过孔导体的层叠方向的上侧端部、和所述第二线圈过孔导体的层叠方向的上侧端部相连。

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