CN103065915A - 一种新型场发射阴极 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种新型场发射阴极，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。其中，基板为普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型场发射阴极。
背景技术
随着科技的发展和进步，场发射显示技术得到了极大关注，尤其是场发射阴极的结构和性能成为研究的热点，虽然目前市场上的场发射阴极种类繁多，但是目前的场发射阴极还存在着各种缺点和不足。
因此，寻找一种制备工艺简单、成本低廉、性能良好的场发射阴极成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种新型场发射阴极，该场发射阴极包括基板、设置在基板上的氧化锌纳米线阵列。
有益效果
本发明制备的氧化锌纳米线阵列经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
该基板为普通玻璃，在玻璃基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
实施例2
该基板为二氧化硅基板，在二氧化硅基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
实施例3
该基板为硅基板，在硅基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
Claims (2)
1.一种新型场发射阴极，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
2.如权利要求1所述的阴极，其中，基板为普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012105830601A CN103065915A (zh) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 一种新型场发射阴极 |
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| CN2012105830601A CN103065915A (zh) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 一种新型场发射阴极 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN103065915A true CN103065915A (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=48108489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN2012105830601A Pending CN103065915A (zh) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 一种新型场发射阴极 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN103065915A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070154385A1 (en) * | 2006-01-02 | 2007-07-05 | Min Yo-Sep | Method for manufacturing zinc oxide nanowires and device having the same |
| CN102398892A (zh) * | 2010-09-19 | 2012-04-04 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 氧化锌纳米线的制备方法及应用 |
| CN102476787A (zh) * | 2010-11-26 | 2012-05-30 | 海洋王照明科技股份有限公司 | ZnO纳米线阵列的制备方法 |
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2012
- 2012-12-27 CN CN2012105830601A patent/CN103065915A/zh active Pending
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