CN103021764A - 一种制备场发射阴极的处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，然后再升温至660-680K后保温90-120分钟，最后自然冷却。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备场发射阴极的处理方法。
背景技术
场发射阴极，又称为场发射体，使用场发射阴极的场致发射电子源应用领域广泛，但是场发射阴极的制备工艺是目前阻碍其应用的关键，因此，场发射阴极的制备工艺成为研究的热点。
因此，寻找一种工艺简单、成本低廉、性能良好的场发射体制备方法成为目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，然后再升温至660-680K后保温90-120分钟，最后自然冷却。
有益效果
本发明制备的场发射阴极经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
该制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，烧结处理包括升温至355K保温30分钟，然后再升温至460K后保温80分钟，然后再升温至660K后保温90分钟，最后自然冷却。
实施例2
该制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，烧结处理包括升温至375K保温40分钟，然后再升温至500K后保温100分钟，然后再升温至680K后保温120分钟，最后自然冷却。
实施例3
该制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，烧结处理包括升温至365K保温35分钟，然后再升温至480K后保温90分钟，然后再升温至670K后保温105分钟，最后自然冷却。
Claims (2)
1.一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，然后再升温至660-680K后保温90-120分钟，最后自然冷却。
2.如权利要求1所述的处理方法，其中烧结处理包括升温至365K保温35分钟，然后再升温至480K后保温90分钟，然后再升温至670K后保温105分钟，最后自然冷却。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2012105807287A CN103021764A (zh) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 一种制备场发射阴极的处理方法 |
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Publications (1)
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| CN103021764A true CN103021764A (zh) | 2013-04-03 |
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Family Applications (1)
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| CN2012105807287A Pending CN103021764A (zh) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 一种制备场发射阴极的处理方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN103021764A (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101475380A (zh) * | 2008-12-15 | 2009-07-08 | 北方民族大学 | 丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法 |
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2012
- 2012-12-27 CN CN2012105807287A patent/CN103021764A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101475380A (zh) * | 2008-12-15 | 2009-07-08 | 北方民族大学 | 丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 张秀霞等: "大面积印刷纳米金刚石薄膜的场致发射的研究", 《功能材料》 * |
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