CN103065916A - 一种氧化铜纳米线场发射阴极 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种氧化铜纳米线场发射阴极，其包括基板，在基板上形成铜材料薄膜，对铜材料薄膜进行热处理后冷却从而形成氧化铜纳米线场发射阴极。其中，基板为普通玻璃、硅基板、二氧化硅基板。
Description
技术领域
本发明涉及一种场发射阴极，尤其涉及一种氧化铜纳米线场发射阴极。
背景技术
场发射显示器是一种新型的平板显示器，具有亮度高、分辨率高、视角宽、可全色显示以及功耗低的优点，成为了近期研究的热点，但是其技术还存在着一些问题，尤其是场发射阴极的结构和性能成为问题的关键。
发明内容
本发明提供一种场发射阴极，该场发射阴极包括基板、设置在基板上的氧化铜纳米线阵列。
有益效果
本发明制备的氧化铜纳米线阵列经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
该基板为普通玻璃，在玻璃基板上形成铜材料薄膜，对铜材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
实施例2
该基板为硅基板，在硅基板上形成铜材料薄膜，对铜材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
实施例3
该基板为二氧化硅基板，在二氧化硅基板上形成铜材料薄膜，对铜材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。
Claims (2)
1.一种氧化铜纳米线场发射阴极，其包括基板，在基板上形成铜材料薄膜，对铜材料薄膜进行热处理后冷却从而形成氧化铜纳米线场发射阴极。
2.如权利要求1所述的场发射阴极，其中，基板为普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2012105830620A CN103065916A (zh) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 一种氧化铜纳米线场发射阴极 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103065916A true CN103065916A (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=48108490
Family Applications (1)
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| CN2012105830620A Pending CN103065916A (zh) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 一种氧化铜纳米线场发射阴极 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN103065916A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1843932A (zh) * | 2006-03-03 | 2006-10-11 | 中山大学 | 一种氧化铜纳米线阵列定域生长方法 |
| CN102051675A (zh) * | 2010-10-28 | 2011-05-11 | 中山大学 | 一种CuO纳米线的制作方法 |
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| CN102776469A (zh) * | 2012-07-27 | 2012-11-14 | 中山大学 | 一种制备铜纳米线和铜纳米尖锥的方法 |
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2012
- 2012-12-27 CN CN2012105830620A patent/CN103065916A/zh active Pending
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