CN103035456A - 一种新型场发射阴极的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理温度为500-700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型场发射阴极的制备方法。
背景技术
随着科技的发展和进步，场发射显示技术得到了极大关注，尤其是场发射阴极的结构和性能成为研究的热点，虽然目前市场上的场发射阴极种类繁多，但是目前方法制备的场发射阴极还存在着各种缺点和不足。
因此，寻找一种工艺简单、成本低廉、性能良好的新型场发射阴极制备方法成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理温度为500-700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
有益效果
本发明制备的氧化锌纳米线阵列经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1小时，热处理温度为700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
实施例2
该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理12小时，热处理温度为500℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
实施例3
该新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理7小时，热处理温度为600℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
Claims (2)
1.一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理温度为500-700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
2.如权利要求1所述的制备方法，其中热处理7小时，热处理温度为600℃。
Priority Applications (1)
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| CN2012105813644A CN103035456A (zh) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 一种新型场发射阴极的制备方法 |
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Publications (1)
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070154385A1 (en) * | 2006-01-02 | 2007-07-05 | Min Yo-Sep | Method for manufacturing zinc oxide nanowires and device having the same |
| CN102398892A (zh) * | 2010-09-19 | 2012-04-04 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 氧化锌纳米线的制备方法及应用 |
| CN102476787A (zh) * | 2010-11-26 | 2012-05-30 | 海洋王照明科技股份有限公司 | ZnO纳米线阵列的制备方法 |
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2012
- 2012-12-27 CN CN2012105813644A patent/CN103035456A/zh active Pending
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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