CN103038904A - 光电子半导体组件 - Google Patents

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Abstract

在光电子半导体组件（1）的至少一个实施方式中，该光电子半导体组件（1）包含具有载体上侧（20）的载体（2）。在该载体上侧（20）处装配至少一个光电子半导体芯片（3）。该半导体芯片（3）包括具有至少一个用于产生电磁辐射的活性层的半导体层序列（32）以及辐射能透过的衬底（34）。此外，半导体组件（1）包括反射性浇铸材料（4），该浇铸材料从载体上侧（20）出发在横向方向上环绕地围绕半导体芯片（3）至少直至衬底（34）的一半高。

Description

光电子半导体组件
技术领域
说明一种光电子半导体组件。
背景技术
在文献US 6,900,511 B2中公开了一种光电子部件和一种对此的制造方法。
发明内容
要解决的任务在于，说明一种具有高辐射效率的光电子半导体组件。
根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，该光电子半导体组件包含具有载体上侧的载体。所述载体例如是电路板、尤其是印刷电路板和/或金属芯板。所述载体同样可以是优选配备有导体路径的陶瓷或者配备有导体路径的钝化半导体材料，如硅或者锗。此外，载体可以实施为所谓的Quad－Flat No－Leads－Package（四方扁平无引线封装）、短QFN。
根据半导体组件的至少一个实施方式，该半导体组件包括一个或多个装配在载体上侧处的光电子半导体芯片。半导体芯片包括具有至少一个用于产生电磁辐射的活性层的半导体层序列。此外，至少一个半导体芯片包含辐射能透过的衬底，该衬底优选是透明的或者清晰的。所述衬底可以是用于半导体层序列的生长衬底。同样可能的是，生长衬底从半导体层序列去除并且半导体芯片的衬底是承载半导体层序列的事后施加的衬底，该衬底与生长衬底不同。半导体层序列和/或优选透明的衬底可以至少局部地由辐射能透过的钝化层尤其是直接地围绕。
半导体芯片的半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。所述半导体材料例如是如AlnIn1－nGamN的氮化物化合物半导体材料或者如AlnIn1－nGamP的磷化物化合物半导体材料，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1以及n＋m≤1。在此，半导体层序列具有掺杂物以及附加的成分。但是出于简单的原因，仅说明半导体层序列的晶格的主要成分，也就是Al、Ga、In、N或者P，即使当它们可以部分地被少量其它物质代替和/或补充时也是如此。活性层尤其是包含pn结和/或至少一个量子阱结构。
根据半导体组件的至少一个实施方式，该半导体组件具有反射性的浇铸材料。“反射性”表示，浇铸材料对于可见光谱范围中的辐射来说具有尤其是大约80％或者大约90％、优选大约94％的反射率。反射材料优选漫反射。对于观察者来说，该浇铸材料优选显现为白色。
根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，反射性的浇铸材料在横向方向上环绕地围绕半导体芯片。尤其是，所述浇铸材料环绕地至少局部地与半导体芯片直接接触。
根据半导体组件的至少一个实施方式，浇铸材料在远离载体上侧的方向上达到至少直至半导体芯片的衬底的一半高度。尤其是，半导体芯片的横向限制面由反射性浇铸材料覆盖至少直至衬底的一半高度。换句话说，半导体芯片至少直至衬底的一半高度地嵌入到反射性浇铸材料中。
根据半导体组件的至少一个实施方式，光电子半导体芯片是所谓的体积发射器。也就是说，在没有如反射性浇铸材料的附加措施的情况下，在半导体芯片运行时产生的辐射份额通过辐射能透过的衬底离开半导体芯片，所述辐射份额例如为多于20％或者多于40％总共由半导体芯片输出耦合的辐射。在没有如浇铸材料的附加措施的情况下，在半导体芯片运行时，辐射因此不仅在半导体层序列处、而且有主要的部分也在衬底处发射。
在光电子半导体组件的至少一个实施方式中，该光电子半导体组件包含具有载体上侧的载体。在载体上侧处装配至少一个光电子半导体芯片。半导体芯片包括具有至少一个用于产生电磁辐射的活性层的半导体层序列以及辐射能透过的衬底。此外，半导体组件包括反射性的浇铸材料，该浇铸材料从载体上侧出发在横向方向上环绕地围绕半导体芯片至少直至衬底的一半高度。
用于衬底的材料、如蓝宝石或者碳化硅由于其晶格及其高的导热性特别适合将用于产生辐射的半导体层序列装配在上面。但是所述材料是辐射能透过的。因此，在半导体芯片运行时产生的辐射在整个半导体芯片、尤其是也在衬底上分布。在运行时产生的辐射因此也穿过衬底的限制面从半导体芯片发射。从衬底发射的辐射是比较没有方向性的并且例如可以在载体处被吸收。通过主要围绕衬底的反射性浇铸材料，通过衬底出射的辐射可反射回到衬底中。由此可提高半导体组件的辐射效率。
根据半导体组件的至少一个实施方式，所述半导体芯片是发光二极管，其优选在近紫外或者近红外的光谱范围和/或如蓝色或白色光的可见光范围中发射辐射。半导体层序列的厚度例如为最高12μm或者最高8μm。辐射能透过的衬底的厚度例如在40μm和500μm之间、含40μm和500μm，尤其是在50μm和200μm之间、含50μm和200μm。
根据半导体组件的至少一个实施方式，辐射能透过的衬底在载体和半导体层序列之间。半导体层序列因此装配在衬底的背向载体的侧处。半导体芯片的辐射主侧于是通过半导体层序列或半导体芯片的背向衬底以及载体的限制面构成。
根据半导体组件的至少一个实施方式，从载体上侧出发的浇铸材料达到至少直至半导体芯片的背向载体的辐射主侧和/或至少直至衬底的背向载体的主侧。换句话说，半导体芯片的横向限制面优选环绕地并且优选完全由反射性浇铸材料覆盖。
根据半导体组件的至少一个实施方式，该半导体组件包含转换装置。该转换装置被设置为将在半导体芯片运行时产生的辐射部分地或者完全地转换成另一波长的辐射。该转换装置在辐射方向上设置在半导体芯片后面。转换装置例如部分地或者完全地至少间接地在远离载体和垂直于载体上侧的方向上覆盖辐射主侧。
转换装置可以与半导体芯片的辐射主侧直接接触。
根据半导体组件的至少一个实施方式，转换装置被构造为层。这可以表示，转换装置的横向伸展超过转换装置的厚度。例如，转换装置的厚度处于10μm和150μm之间、含10μm和150μm，尤其是出于15μm和50μm之间、含15μm和50μm。
根据半导体组件的至少一个实施方式，转换装置在横向方向上、也就是在平行于载体上侧的方向上局部地或者完全与浇铸材料直接接触。浇铸材料和转换装置可以在横向方向上彼此直接接界。
根据半导体组件的至少一个实施方式，浇铸材料和转换装置在远离载体上侧的方向上齐平地端接。换句话说，浇铸材料以及转换装置的背向载体的上侧在浇铸材料和转换装置在横向方向上最为靠近和/或相接触的区域中具有到载体上侧的相同间距。
根据半导体组件的至少一个实施方式，浇铸材料局部地或者完全在辐射主侧上延伸。辐射主侧因此在远离载体上侧的方向上被浇铸材料覆盖。浇铸材料在载体上侧上方的厚度为优选最高50μm或者最高20μm。可能的是，浇铸材料与辐射主侧直接接触。但是，优选在辐射主侧上方的浇铸材料与辐射主侧本身之间存在转换装置。浇铸材料于是覆盖半导体芯片以及转换装置。
根据半导体组件的至少一个实施方式，半导体芯片以及浇铸材料在垂直于载体上侧的方向上主要地或者完全地被转换装置覆盖。“主要的”可以表示，覆盖程度大于75％或者大于90％。尤其是，半导体芯片和浇铸材料完全被转换装置连同至少一个电连接装置覆盖。电连接装置例如由穿过转换装置的接合线构成。
根据半导体组件的至少一个实施方式，在至少一个电连接装置上制造在载体、尤其是载体上侧或者位于载体上侧上的电连接区域和半导体芯片的辐射主侧之间的电连接。将载体与辐射主侧连接的连接装置至少局部地嵌入到反射性浇铸材料中、尤其是直至浇铸材料的背向载体的上侧。浇铸材料可以在横向方向上环绕地直接地和形状啮合地围绕连接装置。
根据半导体组件的至少一个实施方式，浇铸材料在横向方向上环绕地直接和形状啮合地围绕半导体芯片。浇铸材料可以浇铸到半导体芯片上。
根据半导体组件的至少一个实施方式，一个或多个电连接装置局部地直接施加在浇铸材料和/或转换装置的背向载体的上侧上，例如通过溅射或者气相沉积。连接装置于是包含至少一个导电层。连接装置的导电层优选通过贯通接触穿过浇铸材料和/或穿过转换装置与载体和/或与半导体芯片连接。
根据半导体组件的至少一个实施方式，在半导体芯片运行时产生的辐射份额在横向方向上离开半导体芯片的衬底并且渗入到浇铸材料中。渗入深度例如为至少10μm或者至少30μm。优选地，渗入深度为最高300μm或者最高100μm。渗入深度例如为平行于载体上侧的深度，其中渗入到浇铸材料中的辐射的强度下降到1/e2。
根据半导体组件的至少一个实施方式，浇铸材料被设置用于将渗入到浇铸材料中的辐射份额至少部分地漫反射回衬底中。部分辐射因此离开衬底和/或半导体层序列，渗入到浇铸材料中，被该浇铸材料反射并且接着又回到半导体芯片，并且优选接下来在辐射主侧从半导体芯片输出耦合。
根据光电子半导体组件的至少一个实施方式，电连接区域在尤其是横向地位于半导体芯片旁边的载体上侧处具有对于在半导体芯片运行时产生的辐射为吸收性的材料。连接区域通过浇铸材料与在半导体芯片中产生的辐射屏蔽。例如，连接区域具有金并且半导体芯片发射蓝色光谱范围中的辐射。
根据半导体组件的至少一个实施方式，辐射主侧和/或转换装置的上侧局部地或者完全地利用反粘附层覆盖。该反粘附层被设置用于在半导体组件的制造期间阻止辐射主侧和/或转换装置的上侧与浇铸材料交联。该反粘附层例如具有如聚四氟乙烯的氟化聚合物。
根据半导体组件的至少一个实施方式，浇铸材料被设置用于减小在半导体组件运行时产生的辐射的辐射角。这通过如下方式实现，即浇铸材料减少或阻止在半导体芯片中产生的、在横向方向上离开该半导体芯片的辐射份额。可替换地或者附加地可能的是，浇铸材料的上侧作为抛物面或者双曲面反射器形成。
附图说明
接下来参照附图根据实施例进一步阐述在此所述的光电子半导体组件。相同的附图标记在此说明各个图中的相同元件。但是在此没有示出比例正确的附图标记，更确切地说，各个元件可以为了更好的理解被夸大地示出。
图1、3至11以及13示出在此所述的光电子半导体组件的实施例的示意图，
图2示出用于在此所述的半导体组件的实施例的光电子半导体芯片的示意性侧视图，
图12示出没有浇铸材料的半导体组件的示意图，以及
图14和15示出关于在此所述的半导体组件的实施例的辐射特性的示意性图表。
具体实施方式
在图1中以示意性截面图图解光电子半导体组件1的实施例。半导体组件1包含具有空腔25的载体2。载体2的导体路径在图中没有示出。空腔25的底面是载体上侧20。在载体上侧20上施加光电子半导体芯片3。半导体芯片3具有半导体层序列32，该半导体层序列32具有用于在半导体芯片3运行时产生电磁辐射的活性层。此外，半导体芯片3包括辐射能透过的衬底34，在该衬底34上装配半导体层序列32。在图中，半导体层序列32以及辐射能透过的衬底34分别示意性地通过虚线分隔开。但是，半导体芯片3是唯一的、紧凑的、单片的元件，该元件可作为单元处理并且尤其是作为单元安装在载体上侧20上。
半导体芯片3经由电连接装置5接触，该电连接装置5根据图1由接合线构成。连接装置5将载体上侧20处的电连接区域7a与半导体芯片3的辐射主侧30处的电连接区域7b相连接。
在与载体上侧20平行的横向方向上，半导体芯片3从载体上侧20出发直至辐射主侧30地环绕地直接由反射性浇铸材料4围绕。对于观察者来说，浇铸材料4在半导体芯片3处于关断状态时显现为白色。在远离载体上侧20的方向上，浇铸材料4与辐射主侧30齐平地端接。除了由于半导体芯片3的交联效应和空腔25的横向限制壁而引起的小的厚度波动以外，浇铸材料4具有恒定的高度。换句话说，背向载体上侧20的浇铸上侧40基本上平行于载体上侧20取向。在载体上侧20和浇铸上侧40之间，连接装置5在横向方向上环绕地直接地和形状啮合地被浇铸材料4围绕。
在浇铸上侧40上，以基本上恒定的层厚度施加具有转换装置上侧60的转换装置6。转换装置上侧60几乎以与浇铸上侧40恒定的间距延伸。连接装置5仅仅部分地嵌入到转换装置6中。连接装置5在远离载体上侧20的方向上超过转换装置上侧60。整个辐射主侧30完全由转换装置6连同连接装置5覆盖。转换装置6仅仅部分地填满空腔25，使得在空腔25中在转换装置上侧60的背向载体2的侧处保留自由空间。
反射性浇铸材料4如也在所有其他实施例中那样优选是聚合物，在其中填入起反射性作用的颗粒。构成颗粒基质的浇铸材料4的聚合物例如是硅树脂、环氧化物或者硅树脂-环氧化物混合材料。反射性颗粒例如由如氧化铝或氧化钛的金属氧化物、由如氟化钙的金属氟化物或者由氧化硅制造，或者由这些材料构成。颗粒的平均直径、例如以Q0的中值直径d50优选处于0.3μm和5μm之间，含0.3μm和5μm。颗粒占总浇注材料4的重量份额为优选在5%和50%之间，含5%和50%，尤其是在10%和30%之间，含10%和30%。颗粒由于其优选白色的颜色和/或由于其与基质材料的折射率差而起反射性作用。
图2图解用于半导体组件1的半导体芯片3的示意性侧视图。在半导体组件1的所有实施例中可类似地采用在图2A至2E中示出的半导体芯片3中。
根据图2A的半导体芯片3具有半导体层序列32处的辐射主侧30处的两个电连接区域7b。半导体芯片3的横向限制面基本上垂直于辐射主侧30取向。衬底34例如是蓝宝石衬底。
根据图2B，衬底34具有带有减小的直径的底座区域以及带有增大的直径的头部区域，其中在头部区域上装配有半导体层序列32。电接触经由连接区域进行到半导体芯片3的彼此相对的主侧。
在根据图2C的半导体芯片3中，在辐射主侧30处的半导体层序列32处装配有连接区域7。在远离辐射主侧的方向上，半导体芯片3的宽度下降。例如，半导体芯片3如平截头棱锥体那样形成。
在根据图2D的半导体芯片3中，连接区域7b与在图2C中不同地装配在半导体芯片3的彼此相对的主侧处。根据图2B至2D的半导体芯片3的衬底34尤其是碳化硅衬底。
在图2E中，半导体芯片3在半导体层序列32处配备有多于两个的连接区域7b。根据图2E的半导体芯片3被设置为这样安装在载体2处，即半导体层序列32位于在图2E中未示出的载体2与衬底34之间。辐射主侧30由衬底34的背向半导体层序列32的主面构成。
在根据图3的实施例中，反射性浇铸材料4与图1不同地关于空腔25的横向限制壁起到交联的作用。由此，通过浇铸材料4实现了空腔25内的抛物面反射器。转换装置6的层厚度在整个浇铸材料4上几乎恒定。
在根据图4的半导体器件1的实施例中，电连接装置5完全嵌入在转换装置6连同浇铸材料4中。连接装置5不超过转换装置6。如也在图1和3中那样，浇铸材料4以及半导体芯片3在远离载体上侧20的方向上完全由转换装置6或者完全由转换装置6连同连接装置5覆盖。可选地，转换装置6尤其是完全地由附加浇铸体8覆盖，其中该附加浇铸体不超出空腔25。附加浇铸体8可以如也在所有其他实施例中那样是清晰的和透明的或者也包含滤波装置和/或漫射体。
在根据图5的半导体组件1的实施例中，附加浇铸体8被成型为透镜。转换装置6被构造为薄片并且限制到辐射主侧30。与在图5中所示不同地，转换装置6可以具有用于连接装置5的空隙或开口。
载体上侧20处的电连接区域7通过反射性浇铸材料4与在半导体芯片3运行时产生的和从半导体芯片3输出耦合的辐射屏蔽。由此可能的是，连接区域7包括对于在半导体芯片3中产生的辐射起吸收性作用的材料。例如，连接区域7具有耐腐蚀的金或者金合金。
可选地可能的是，如也在所有其他实施例中那样，在半导体芯片3和载体上侧20之间存在反射镜10。例如，反射镜10包括如银的反射性材料或者由该反射性材料构成。可替换地或者附加地，反射镜10可以至少部分地通过全反射来反射。
在图6中示出半导体组件1的实施例，其中载体2不具有空腔，而是作为平面平行的片状体形成。转换装置6构造为薄片并且施加在辐射主侧30上，其中连接区域7不被转换装置6覆盖。浇铸材料4在远离载体上侧20的方向上与转换装置6齐平地端接。在横向方向上，转换装置6和浇铸材料7环绕地直接接触。连接区域7被浇铸材料4完全覆盖。与在图6中所示不同地，可能的是，连接装置5在远离载体上侧20的方向上不超过浇铸材料4并且完全嵌入到浇铸材料4中。
在根据图7的实施例中，连接装置5通过涂层直接在半导体芯片3处产生。连接装置5和半导体芯片3之间的穿过转换装置6的贯通接触在图7中未示出。为了避免电短路，半导体芯片3优选至少在横向限制面处包括电绝缘层。
在远离载体2的方向上，根据图6和7，附加浇铸体8跟随在半导体芯片3以及转换装置6和浇铸材料4之后。附加浇铸体8具有作为透镜形成的区域，该区域在附加浇铸体8的一部分上（参见图6）或者在整个附加浇铸体8上（如在图7中那样）延伸。
在图8A中示出半导体组件1的另一实施例的截面图并且在图8B中示出半导体组件1的另一实施例的俯视图。在横向方向上，在连接装置5和半导体芯片3之间存在浇铸材料4的部件。半导体芯片3和连接装置5之间在横向方向上的绝缘因此通过浇铸材料4来进行。连接装置5直接施加到浇铸材料4以及转换装置6上并且经由贯通接触与半导体芯片3和载体2电连接。
在根据图9的实施例中，浇铸材料4没有达到半导体层序列32。转换装置6被构造为体积浇铸体并且具有优选100μm和500μm之间、含100μm和500μm的厚度。与在图9中所示不同地，转换装置6可以超出空腔25。
在根据图10的实施例中，转换装置6完全填满载体2的空腔25并且在远离载体上侧20的方向上与载体2齐平地端接。
根据图11，转换装置6作为层直接地或者作为薄片间接地通过未示出的连接装置尤其是粘附地施加到辐射主侧30上。半导体芯片3以及转换装置6完全被浇铸材料4在远离载体2的方向上覆盖。换句话说，半导体芯片3和转换装置6完全被载体2和浇铸材料4环绕地包围。浇铸材料4在转换装置6上方的层厚度优选较小并且例如最高为50μm，使得来自半导体芯片3的辐射以及来自转换装置6的经转换的辐射可以穿过辐射主侧30上方区域中的浇铸材料4离开半导体组件1。
在图12A以及12B中示出没有浇铸材料的组件。如在所有实施例中那样，半导体组件1可以具有用于保护免受静电放电的保护二极管9。在根据图13的实施例中，示出具有浇铸材料4的图12A和12B中的半导体组件1。通过浇铸材料4仅仅不完全地覆盖连接装置5，保护二极管嵌入到浇铸材料4中。同样地，半导体芯片3以及转换装置6未被浇铸材料4覆盖。浇铸材料4环绕半导体芯片3周围达到直至空腔的限制壁。
在图14中图解针对根据图12的组件的相对于辐射角α的辐射强度I（参见曲线A）以及针对根据图13的半导体组件1的相对于辐射角α的辐射强度I（参见曲线B）。由于反射性的浇铸体4，与没有浇铸材料的相同组件相比，半导体组件1具有较窄的辐射角区域。
在图15中示出相对于CIE标准色图的色坐标cX的以任意单位的光通量φ。曲线A对应于没有浇铸材料的组件，曲线B对应于具有浇铸材料4的半导体组件1。光通量φ在曲线B中相对于曲线A提高多个百分点。半导体组件1的效率因此可通过浇铸材料4升高。
在此所述的本发明不由于根据实施例的说明而受到限制。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其是包含权利要求书中的特征的每个组合，即使当该特征或者该组合本身没有明确地在权利要求书或者实施例中说明时也是如此。本专利申请要求德国专利申请DE 102010027253.1的优先权，其公开内容通过回引结合于此。

Claims (15)

1.光电子半导体组件（1），具有
－具有载体上侧（20）的载体（2），
－至少一个装配在载体上侧（20）上的光电子半导体芯片（3），该半导体芯片（3）具有辐射能透过的衬底（34）和半导体层序列（32），该半导体层序列（32）具有至少一个用于产生电磁辐射的活性层，以及
－反射性的浇铸材料（4），
其中从载体上侧（20）出发的浇铸材料（4）在横向方向上环绕地围绕半导体芯片（3）直至衬底（4）的一半高度。
2.根据前一权利要求的光电子半导体组件（1），
其中衬底（34）位于载体（2）和半导体层序列（32）之间，
其中从载体上侧（20）出发的浇铸材料（4）达到至少直至半导体芯片（3）的背向载体（2）的辐射主侧（30）。
3.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中辐射主侧（30）被用于将由半导体芯片（3）发射的辐射至少部分地转换成另一波长的辐射的转换装置（6）覆盖，
其中转换装置（6）被构造为层并且在横向方向上至少局部地与浇铸材料（4）直接接触。
4.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中浇铸材料（4）在远离载体上侧（30）的方向上与半导体芯片（3）或者与转换装置（6）齐平地端接。
5.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中浇铸材料（4）局部地或者完全地在辐射主侧（30）上延伸。
6.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中在垂直于载体上侧（20）的方向上，半导体芯片（3）以及浇铸材料（4）完全由转换装置（6）和/或由至少一个穿过转换装置（6）的电连接装置（5）覆盖。
7.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中在电连接装置（5）中的至少一个上制造载体（3）和辐射主侧（30）之间的电连接，
其中连接装置（5）至少局部地嵌入到浇铸材料（4）中。
8.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中浇铸材料（4）在横向方向上至少局部地直接地和形状啮合地围绕半导体芯片（4）和至少一个电连接装置（5）。
9.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中电连接装置（5）局部地直接施加在浇铸材料（4）和/或转换装置（6）的背向载体的上侧（40、60）上。
10.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中在半导体芯片（3）中在运行时产生的辐射份额在横向方向上离开衬底并且渗入到浇铸材料（4）中最高300μm，
其中浇铸材料（4）被设置用于将所述辐射份额至少部分地漫反射回到衬底（34）中。
11.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中载体上侧（20）处的电连接区域（7）在横向上除了半导体芯片（3）以外还具有对于在半导体芯片（3）运行时所产生的辐射为吸收性的材料，
其中电连接区域（7）通过浇铸材料（4）与辐射屏蔽。
12.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中辐射主侧（30）和/或转换装置（6）的上侧（60）局部地或者完全地用反粘附层覆盖，该反粘附层被设置用于防止辐射主侧（30）和/或所述上侧（60）与浇铸材料（4）交联。
13.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中浇铸材料（4）被设置用于减小在半导体芯片（3）运行时所产生的辐射的辐射角。
14.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中浇铸材料（4）包括辐射可透过的基质材料和嵌入到基质材料中的反射性颗粒，
其中基质材料包含硅树脂和/或环氧化物或者由此构成，并且所述颗粒包含至少一种金属氧化物或者由该金属氧化物构成。
15.根据前述权利要求之一的光电子半导体组件（1），
其中辐射能透过的衬底（34）是用于半导体层序列（32）的生长衬底。
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