CN103035325B - 透明导电性薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。

Description

透明导电性薄膜
技术领域
本发明涉及使用铟锡氧化物（ITO:Indium Tin Oxide）膜的透明导电性薄膜。
背景技术
已知具有薄膜基材、透明导体图案和填充材料的透明导电性薄膜（专利文献1：日本特表2007-508639）。薄膜基材具有由二氧化硅等形成的涂层。透明导体图案形成在涂层上。填充材料以埋设透明导体图案的方式形成在薄膜基材上。透明导体图案代表性的是由铟锡氧化物（ITO:Indium Tin Oxide）膜形成。这种透明导电性薄膜例如应用在电容型触摸面板上，具有透明导体图案难以被辨识到的特征。但是，以往的透明导电性薄膜仍然存在被辨识到透明导体图案的情况（理想的是透明导体图案完全不被辨识到）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2007-508639号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种与以往相比更加难以辨识到透明导体图案的透明导电性薄膜。
用于解决问题的方案
（1）本发明的透明导电性薄膜具备薄膜基材、和形成在薄膜基材上的透明导体图案、和形成在薄膜基材上的、埋设透明导体图案的粘合剂层。透明导体图案具有在薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构。第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。“铟锡氧化物”为所谓的ITO(Indium Tin Oxide)。
（2）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层与第二铟锡氧化物的晶体层为通过加热处理而使铟锡氧化物的非晶体层结晶化而成的晶体层。
（3）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层的厚度薄。
（4）在本发明的透明导电性薄膜中，薄膜基材的原材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。
（5）在本发明的透明导电性薄膜中，透明导体图案的厚度（第一铟锡氧化物的晶体层的厚度+第二铟锡氧化物的晶体层的厚度）为10nm~45nm。
（6）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为6重量%~15重量%，第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为1重量%~5重量%。
（7）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量与第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量之差为3重量%~10重量%。
（8）在本发明的透明导电性薄膜中，第一铟锡氧化物的晶体层的厚度为3nm~15nm，第二铟锡氧化物的晶体层的厚度为7nm~30nm。
（9）在本发明的透明导电性薄膜中，第二铟锡氧化物的晶体层的厚度与第一铟锡氧化物的晶体层的厚度之差为1nm~15nm。
（10）在本发明的透明导电性薄膜中，粘合剂层的折射率为1.45~1.50。
（11）在本发明的透明导电性薄膜中，粘合剂层的厚度为10μm~500μm。
（12）在本发明的透明导电性薄膜中，设存在透明导体图案的部分的波长450nm~650nm的光的平均反射率为R1（%）、设不存在透明导体图案的部分的波长450nm~650nm的光的平均反射率为R2（%）、设ΔR（%）为平均反射率R1与平均反射率R2之差的绝对值时（ΔR=|R1-R2|），ΔR为0.7%以下。
（13）在本发明的透明导电性薄膜中，透明导体图案的表面电阻值为不足150Ω/□（ohms per square）。
发明的效果
根据本发明，可比以往进一步缩小存在透明导体图案的部分的反射率R1与不存在透明导体图案的部分的反射率R2之差ΔR。其结果，可得到比以往产品更难以辨识到透明导体图案的透明导电性薄膜。
附图说明
图1为本发明的透明导电性薄膜的俯视图和剖视示意图
具体实施方式
本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过使透明导体图案为特定的双层结构，可比以往进一步缩小存在透明导体图案的部分的反射率R1与不存在透明导体图案的部分的反射率R2之差ΔR。
透明导电性薄膜
本发明的透明导电性薄膜10如图1所示，具备薄膜基材11、形成在薄膜基材11上的透明导体图案12、和形成在薄膜基材11上并埋设透明导体图案12的粘合剂层13。透明导体图案12具有层叠有第一铟锡氧化物的晶体层14和第二铟锡氧化物的晶体层15的双层结构。下面，将“第一铟锡氧化物的晶体层14”称为“第一铟锡氧化物层14”，将“第二铟锡氧化物的晶体层15”称为“第二铟锡氧化物层15”。
薄膜基材
用于本发明的薄膜基材11优选透明性和耐热性优异的薄膜基材。薄膜基材11的原材料优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。薄膜基材11可以在其表面具备易粘接层、底涂层、或者硬涂层。易粘接层具有提高透明导体图案12与薄膜基材11的密合性的功能。底涂层具有调整薄膜基材11的反射率的功能。硬涂层具有防止薄膜基材11的表面受到损伤的功能。薄膜基材11的厚度例如为10μm~200μm。薄膜基材11薄时，源自薄膜基材11的挥发成分少，铟锡氧化物层的成膜性会变得良好。因此薄膜基材11的厚度优选为20μm~50μm。
透明导体图案
用于本发明的透明导体图案12具有层叠有第一铟锡氧化物层14与第二铟锡氧化物层15的双层结构。第一铟锡氧化物层14配置在接近薄膜基材11的一侧，第二铟锡氧化物层15配置在远离薄膜基材11的一侧。
对透明导体图案12的形状没有特别的限制，可以是如图1所示的条（条纹）状，也可以是未图示的菱形（斜方形）状。透明导体图案12的厚度（第一铟锡氧化物层14的厚度+第二铟锡氧化物层15的厚度）优选为10nm~45nm、进一步优选为15nm~30nm。
用于本发明的第一铟锡氧化物层14和第二铟锡氧化物层15为在氧化铟（In2O3）中掺杂了氧化锡（SnO2）的化合物的层。对用于本发明的第一铟锡氧化物层14和第二铟锡氧化物层15而言，代表性的是通过加热处理使铟锡氧化物的非晶体层结晶化而得到的晶体层。
第一铟锡氧化物层14的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层15的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物层14的氧化锡含量优选为6重量%~15重量%、进一步优选为8重量%~12重量%。第二铟锡氧化物层15的氧化锡含量优选为1重量%~5重量%、进一步优选为2重量%~4重量%。第一铟锡氧化物层14的氧化锡含量与第二铟锡氧化物层15的氧化锡含量之差优选为3重量%~10重量%、进一步优选为5重量%~8重量%。此处，氧化锡的含量（重量%）用｛氧化锡的重量/（氧化铟的重量+氧化锡的重量）｝×100（%）来表示。
通常，铟锡氧化物层有氧化锡的含量越多，表面电阻率值变得越低、结晶化时间变得越长的倾向。然而，本发明的透明导电性薄膜10中，氧化锡的含量少的第二铟锡氧化物层15会促进氧化锡的含量多的第一铟锡氧化物层14的晶体生长。由此，本发明的透明导电性薄膜10中，可缩短透明导体图案12的结晶化时间、并且可使表面电阻率值小。
第一铟锡氧化物层14的厚度优选比第二铟锡氧化物层15的厚度薄。第一铟锡氧化物层14的厚度优选为3nm~15nm、进一步优选为5nm~10nm。第二铟锡氧化物层15的厚度优选为7nm~30nm、进一步优选为10nm~20nm。第一铟锡氧化物层14的厚度与第二铟锡氧化物层15的厚度之差优选为1nm~15nm、进一步优选为2nm~10nm。
通过使第一铟锡氧化物层14的厚度和氧化锡的含量、以及第二铟锡氧化物层15的厚度和氧化锡的含量为上述范围，可以促进透明导体图案12的结晶化，并通过低温、短时间的加热处理使表面电阻率值降低。本发明的透明导电性薄膜10中，例如利用140℃这样的低温加热处理条件，可使透明导体图案12的表面电阻率值为不足150Ω/□（ohms per square）的低值。
粘合剂层
用于本发明的透明导电性薄膜10的粘合剂层13形成在薄膜基材11上并埋设透明导体图案12。作为形成粘合剂层13的材料，丙烯酸系粘合剂由于透明性优异而优选。粘合剂层13的折射率从提高本发明的效果的观点来看，优选为1.45~1.50。粘合剂层13的厚度优选为10μm~500μm、进一步优选为100μm~500μm。此外，本发明的透明导电性薄膜10用于智能手机（smartphone）时，在粘合剂层13上会层叠例如玻璃盖片。
本发明的透明导电性薄膜10的存在透明导体图案12的部分的反射率与不存在透明导体图案12的部分的反射率之差比以往小。其结果，本发明的透明导电性薄膜10的透明导体图案12比以往更难以被辨识到。设存在透明导体图案12的部分的波长450nm~650nm的光的平均反射率为R1（%）、设不存在透明导体图案12的部分的波长450nm~650nm的光的平均反射率为R2（%）。将ΔR（%）设为平均反射率R1与平均反射率R2之差的绝对值（ΔR=|R1-R2|）。在本发明的透明导电性薄膜10中，可优选使ΔR为0.7%以下。可进一步优选使ΔR为0.3%~0.5%。在本发明中，由于透明导体图案12为第一铟锡氧化物层14与第二铟锡氧化物层15的双层结构，因此存在透明导体图案12的部分的平均反射率R1与不存在透明导体图案12的部分的平均反射率R2之差比以往小。
制造方法
对本发明的透明导电性薄膜10的制造方法的一个例子进行说明。将500m~5000m卷的长条薄膜基材11的卷筒设置在溅射装置内。一边以一定速度将薄膜基材11解卷，一边通过溅射法在薄膜基材11上连续地形成第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层。在溅射法中，使低压气体（例如低压氩气）中产生的等离子体中的阳离子撞击到铟锡氧化物的烧结体靶材（负电极）上。使从烧结体靶材表面飞散的铟锡氧化物附着在薄膜基材11上。此时，在溅射装置内至少设置两个氧化锡的含量不同的铟锡氧化物的烧结体靶材，由此可连续地形成第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层。溅射之后、热处理之前的第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层均为非晶体层。
形成有第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层薄膜基材11暂时卷绕成卷筒状。薄膜基材11的卷筒一边被解卷，一边向加热烘箱内连续输送，加热处理第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层。加热温度优选为130℃~170℃、加热时间优选为30分钟~60分钟。通过加热处理，第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层由非晶体转变为晶体。如此操作得到具有层叠第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层而成的透明导体膜的透明导电性薄膜10。在本发明中，通过使第一铟锡氧化物层的厚度和氧化锡的含量、以及第二铟锡氧化物层的厚度和氧化锡的含量为特定的范围会促进透明导体膜的结晶化，因此可通过低温、短时间的加热处理将透明导体膜结晶化。
接着，在透明导体膜的表面（第二铟锡氧化物层的表面）形成期望的图案形状的光致抗蚀剂膜。通过在盐酸中浸渍透明导体膜，透明导体膜中不需要的部分（未覆盖光致抗蚀剂的部分）被除去，得到透明导体图案12（第一铟锡氧化物层14与第二铟锡氧化物层15的层叠膜）。
最后，在具有透明导体图案12的薄膜基材11上以埋设透明导体图案12的方式层叠粘合剂层13，得到本发明的透明导电性薄膜10。
实施例
实施例1
在厚度23μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成包含三聚氰胺树脂的热固性树脂的底涂层（厚度30nm），准备了薄膜基材11。将薄膜基材11的卷筒设置在溅射装置内。溅射装置内的气氛为气压0.4Pa，气体的具体组成为氩气80体积%和氧气20体积%。一边以一定速度将薄膜基材11的卷筒解卷，一边在薄膜基材11上依次形成第一铟锡氧化物的非晶体层和第二铟锡氧化物的非晶体层，形成厚度20nm的透明导体膜。对第一铟锡氧化物的非晶体层而言，氧化锡的含量为10重量%、厚度为8nm。对第二铟锡氧化物的非晶体层而言，氧化锡的含量为3.3重量%、厚度为12nm。将形成有第一铟锡氧化物的非晶体层和第二铟锡氧化物的非晶体层的薄膜基材11暂时卷绕成筒状。
接着一边将薄膜基材11的卷筒解卷，一边连续地输送到140℃的加热烘箱内，进行加热处理。通过加热处理，第一铟锡氧化物的非晶体层转变为晶体层、第二铟锡氧化物的非晶体层转变为晶体层。其结果，得到表面上形成有第一铟锡氧化物层14和第二铟锡氧化物层15的薄膜基材11。第一铟锡氧化物层的厚度和氧化锡的重量%与加热处理前相同。第二铟锡氧化物层的厚度和氧化锡的重量%与加热处理前相同。
接着，在第二铟锡氧化物层15的表面上形成条状图案的光致抗蚀剂膜。其后，在盐酸中浸渍透明导体膜，将透明导体膜中不需要的部分（未覆盖光致抗蚀剂的部分）除去，得到透明导体图案12。
最后，在薄膜基材11上以埋设透明导体图案12的方式层叠丙烯酸系粘合剂层13（日东电工株式会社制造的“LUCIACS（注册商标）CS9621”）（厚度50μm、折射率1.47）、得到透明导电性薄膜10。所得的透明导电性薄膜10的特性示于表1。
比较例1
使第一铟锡氧化物的氧化锡的含量为3.3重量%、厚度为12nm。使第二铟锡氧化物的氧化锡的含量为10重量%、厚度为8nm。透明导体膜的总厚度20nm与实施例1相同。除了上述以外，通过与实施例1相同的方法制作透明导电性薄膜。所得的透明导电性薄膜的特性示于表1。
比较例2
使透明导电膜为单层。使铟锡氧化物的氧化锡的含量为3.3重量%、厚度为23nm。除了上述以外，通过与实施例1相同的方法制作透明导电性薄膜。所得的透明导电性薄膜的特性示于表1。
比较例3
使透明导电膜为单层。使铟锡氧化物的氧化锡的含量为10重量%、厚度为23nm。除了上述以外，通过与实施例1相同的方法制作透明导电性薄膜。所得的透明导电性薄膜的特性示于表1。
表1
第一：第一铟锡氧化物的晶体层
第二：第二铟锡氧化物的晶体层
ΔR：存在透明导体图案的部分与不存在透明导体图案的部分的反射率之差
评价
如表1所示，在本发明的透明导电性薄膜（实施例1）中，第一铟锡氧化物层的氧化锡的含量比第二铟锡氧化物层的氧化锡的含量多。另外，第一铟锡氧化物层的厚度比第二铟锡氧化物层的厚度薄。由此，与以往产品相比可以进一步缩小存在透明导体图案的部分的反射率与不存在透明导体图案的部分的反射率之差ΔR。其结果，可得到比以往更难以辨识到透明导体图案的透明导电性薄膜。进而，在本发明的透明导电性薄膜（实施例1）中，可缩短透明导体图案的结晶化时间，并且减小表面电阻率值。
测定方法
反射率之差ΔR
从透明导电性薄膜取掉粘合剂层后，使用分光光度计（日立制作所制作的U4100），测定存在透明导体图案的部分的波长450nm~650nm的光的平均反射率R1（%）和不存在透明导体图案的部分的波长450nm~650nm的光的平均反射率R2（%）。用该测定值算出反射率之差的绝对值ΔR（%）=|R1-R2|。其中，有粘合剂层时，存在透明导体图案的部分的平均反射率R1（%）与不存在透明导体图案的部分的平均反射率R2（%）均相同程度地变小，因此反射率之差的绝对值ΔR（%）有一定程度的减小。
表面电阻率值
在透明导电性薄膜上层叠粘合剂层之前，用4端子法测定表面电阻率值。
结晶化时间
将透明导电性薄膜的表面电阻率值基本变为固定值的时间作为结晶化时间。
氧化锡的含量
将在溅射装置中设置的铟锡氧化物的烧结体靶材的氧化锡含量作为铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量。
膜厚
使用透射型电子显微镜（日立制作所制造的H-7650）观察铟锡氧化物层的截面，测定铟锡氧化物层的膜厚。
产业上的可利用性
对本发明的透明导电性薄膜的用途没有限制，本发明的透明导电性薄膜特别适用于投影型的电容型触摸面板。

Claims (9)

1.一种电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，其具备
薄膜基材、和
形成在所述薄膜基材上的透明导体图案、和
形成在所述薄膜基材上的、埋设所述透明导体图案的粘合剂层，
所述透明导体图案具有从所述薄膜基材侧起依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构，
所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为6重量％～15重量％，
所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量为1重量％～5重量％，
所述透明导体图案的厚度、即所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度+所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度为10nm～45nm，
设存在所述透明导体图案的部分的波长450nm～650nm的光的平均反射率以百分率计为R1、
设不存在所述透明导体图案的部分的波长450nm～650nm的光的平均反射率以百分率计为R2、
设ΔR为所述平均反射率R1与所述平均反射率R2的差的绝对值、即ΔR＝|R1-R2|时，
所述平均反射率的差的绝对值ΔR为0.7％以下。
2.根据权利要求1所述的电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第一铟锡氧化物的晶体层与所述第二铟锡氧化物的晶体层分别为通过加热处理而使铟锡氧化物的非晶体层结晶化的晶体层。
3.根据权利要求1所述的电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度比所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度薄。
4.根据权利要求1所述的电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，所述薄膜基材的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。
5.根据权利要求1所述的电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量与所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡的含量之差为3重量％～10重量％。
6.根据权利要求3所述的电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度为3nm～15nm，所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度为7nm～30nm。
7.根据权利要求6所述的电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，所述第二铟锡氧化物的晶体层的厚度与所述第一铟锡氧化物的晶体层的厚度之差为1nm～15nm。
8.根据权利要求1所述的电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，所述粘合剂层的折射率为1.45～1.50。
9.根据权利要求1所述的电容型触摸面板用的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导体图案的表面电阻率为不足150Ω/□，所述表面电阻率的单位是ohms per square。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5244950B2 (ja) * 2011-10-06 2013-07-24 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
WO2014119371A1 (ja) * 2013-01-29 2014-08-07 東レ株式会社 基板及びそれを用いたタッチパネル部材
KR102268372B1 (ko) * 2013-12-30 2021-06-23 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
JPWO2015159804A1 (ja) * 2014-04-15 2017-04-13 旭硝子株式会社 積層体、導電性積層体、および電子機器
WO2015159805A1 (ja) * 2014-04-15 2015-10-22 旭硝子株式会社 積層体、導電性積層体、および電子機器
CN110033879A (zh) * 2014-05-20 2019-07-19 日东电工株式会社 透明导电性薄膜及其制造方法
KR20220013022A (ko) * 2014-05-20 2022-02-04 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 도전성 필름
TWI528075B (zh) * 2014-08-12 2016-04-01 群創光電股份有限公司 顯示面板
CN104795407B (zh) * 2015-04-23 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
JP2019070675A (ja) * 2016-03-02 2019-05-09 Ａｇｃ株式会社 エレクトロクロミック調光素子用の積層基板、およびエレクトロクロミック調光素子の製造方法
JP6953204B2 (ja) * 2017-07-04 2021-10-27 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
JP7162462B2 (ja) * 2018-08-02 2022-10-28 日東電工株式会社 ヒータ及びヒータ付物品
JPWO2020262047A1 (zh) * 2019-06-27 2020-12-30
CN115298762A (zh) * 2020-03-19 2022-11-04 日东电工株式会社 透明导电性薄膜
CN113980318A (zh) * 2021-11-10 2022-01-28 浦诺菲新材料有限公司 一种窗膜

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1867882A (zh) * 2003-10-15 2006-11-22 3M创新有限公司 具有光学改善的图案导体触摸屏
CN101578574A (zh) * 2006-12-15 2009-11-11 苹果公司 基于pet的触摸板

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6743488B2 (en) * 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
US6896981B2 (en) * 2001-07-24 2005-05-24 Bridgestone Corporation Transparent conductive film and touch panel
JP4286136B2 (ja) * 2001-09-03 2009-06-24 帝人株式会社 タッチパネル用透明導電性積層体及びこれを用いた透明タッチパネル
JP4419146B2 (ja) * 2005-06-13 2010-02-24 日東電工株式会社 透明導電性積層体
JP4721359B2 (ja) * 2006-09-12 2011-07-13 日東電工株式会社 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル
CN101842854B (zh) * 2007-10-31 2013-10-30 住友金属矿山株式会社 柔性透明导电膜及使用柔性透明导电膜的柔性功能性元件
JP4720857B2 (ja) * 2008-06-18 2011-07-13 ソニー株式会社 静電容量型入力装置および入力機能付き表示装置
JP5287201B2 (ja) * 2008-12-12 2013-09-11 東洋紡株式会社 透明導電性積層フィルム
JP5559704B2 (ja) * 2009-02-03 2014-07-23 株式会社カネカ 透明導電膜付き基板の製造方法ならびに多接合型薄膜光電変換装置および発光素子の製造方法
JP5609008B2 (ja) * 2009-05-12 2014-10-22 コニカミノルタ株式会社 透明導電フィルム、透明導電フィルムの製造方法及び電子デバイス用透明電極
JP2011003446A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Bridgestone Corp 透明導電膜、透明導電性フィルムおよび透明導電膜の製造方法、並びに透明導電膜を用いたフレキシブルディスプレイ装置
US8956718B2 (en) * 2009-06-19 2015-02-17 Apple Inc. Transparent conductor thin film formation
JP5556436B2 (ja) * 2009-10-13 2014-07-23 東洋紡株式会社 透明導電性積層フィルム及び透明導電性積層シート並びにタッチパネル
WO2011048648A1 (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 東洋紡績株式会社 透明導電性積層フィルム
TW201114602A (en) * 2009-10-20 2011-05-01 Toyo Boseki Transparent electrically conductive laminated film
KR101049182B1 (ko) * 2009-11-05 2011-07-14 한화엘앤씨 주식회사 터치 패널용 투명 도전성 기재 및 그 제조방법
JPWO2012161095A1 (ja) * 2011-05-20 2014-07-31 旭硝子株式会社 導電膜用素材、導電膜積層体、電子機器、及びそれらの製造方法
JP5244950B2 (ja) * 2011-10-06 2013-07-24 日東電工株式会社 透明導電性フィルム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1867882A (zh) * 2003-10-15 2006-11-22 3M创新有限公司 具有光学改善的图案导体触摸屏
CN101578574A (zh) * 2006-12-15 2009-11-11 苹果公司 基于pet的触摸板

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